環保性陶瓷10瓦13dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種環保性陶瓷10瓦13dB衰減片，其包括環保型ALN材料的基片，所述ALN材料的基片的尺寸為2.5mm×5mm×1mm，所述ALN材料的基片的正面印刷有高溫銀漿導線，所述高溫銀漿導線間印刷有膜狀電阻，所述高溫銀漿導線和膜狀電阻通過高溫燒結連通，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有一層導體層，所述高溫銀漿導線和背面導體層通過側面二次印刷銀漿導通。該衰減片在方案設計時，采用的環保的ALN材料替代有毒的BeO材料，同時在滿足功率要求的前提下，盡量縮小了產品的尺寸，使得產品的生產效率提高，材料成本降低，電路設計上，充分考慮了目前市場的VSWR和衰減精度等性能指標的要求,填補了國內無小尺寸衰減片的空白，滿足了目前主流的3G網絡的應用要求，其各項指標均達到國際領先水平。
【專利說明】環保性陶瓷10瓦13dB衰減片
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種陶瓷衰減片，特別涉及一種環保性陶瓷10瓦13dB衰減片。
【背景技術】
[0002]衰減片在航空、航天、雷達、電臺、廣播、通訊等領域有著不可或確的作用，之前大部分設備采用負載片作為吸收功率的作用，而負載片只能單純地消耗和吸收多余的功率，是一個純功率消耗器件。而使用衰減片在吸收反向輸入的功率的同時還能對設備工作的信號進行抽樣分析，既能保護設備，又能檢測設備。
[0003]隨著科技的不斷進步，對通訊設備的要也越來越高，目前很多通訊設備，例如我們手機接受和發射信號的基站在越來越多地采用衰減片。在國外，特別是歐美國家，對衰減片和負載片研發生產都要比國內起步早很多，無論在產品的豐富性還是產品微波特性上都處于比較優勢地位。同時國內市場上現有的衰減片系列少，衰減精度低，且能使用的頻段相對較窄。我們希望的衰減器是一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當衰減精度或VSWR達不到要求時，輸出端得到的信號不符合實際使用要求。
[0004]目前高功率衰減片多采用有毒性的BeO材料作為基片材料，但是其才激光調阻時會產生很多的有毒粉塵，對身體有害。隨著科技的發達和時代的進步，環保以及健康被提到新的日程，環保的腳步不可阻擋。
【發明內容】
[0005]針對上述現有技術的不足，本發明要解決的技術問題是提供一種阻值滿足55.3 Ω ±3%，在3G頻段以內衰減精度為13±0.6dB,駐波要求輸入、輸出端在1.25以內，能夠滿足目前主流的3G網絡的應用要求的環保性陶瓷10瓦13dB衰減片，取代國外同類產品，并在特性上填補國內產品的空白。
[0006]為解決上述技術問題，本發明采用如下技術方案:
一種環保性陶瓷10瓦13dB衰減片，其特征在于:包括環保型ALN材料的基片，所述ALN材料的基片的尺寸為2.5mmX5mmXlmm，所述ALN材料的基片的正面印刷有高溫銀漿導線，所述高溫銀漿導線間印刷有膜狀電阻，所述高溫銀漿導線和膜狀電阻通過高溫燒結連通，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有一層導體層，所述高溫銀漿導線和背面導體層通過側面二次印刷銀漿導通。
[0007]優選的，所述銀漿采用低銀離子遷移銀漿。
[0008]優選的，所述高溫銀漿導線和膜狀電阻組成的電路印刷有一層黑色改性硅樹脂保護膜。
[0009]上述技術方案具有如下有益效果:環保性陶瓷10瓦13dB衰減片，采用了環保的ALN材料替代了有毒性的BeO材料，滿足了環保的要求。同時，小尺寸的設計生產效率高，有效降低了材料成本，從而從根本上降低了產品本身成本，且功率滿足使用要求。電路設計上基于MWO電路設計理念，采用了對稱電路設計，并采用導體本身介質特性，對產品電性能進行改善，打破了原來衰減片只能應用于低頻的局面，使得該型號衰減片能應用于3G的網絡。可廣泛應用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設備領域以及隔離器、環形器等微波產品的生產。
[0010]上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本發明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發明的【具體實施方式】由以下實施例及其附圖詳細給出。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011]圖1為本發明實施例的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0012]下面結合附圖對本發明的優選實施例進行詳細介紹。
[0013]如圖1所示，該環保性陶瓷10瓦13dB衰減片，包含尺寸為2.5mmX5mmX Imm的ALN基板1，ALN基板I的背面印刷有一層導體層，ALN基板I的正面印刷有高溫銀漿導線2及膜狀電阻町、1?2、1?3，1?4、1?5，膜狀電阻1?1、1?2、1?3、1?4、1?5通過高溫銀漿導線連接形成衰減電路，衰減電路通過二次側面印刷銀漿與背導層連接，從而使衰減電路接地導通。該衰減電路沿陶瓷基板的中心線對稱，膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5上印刷有玻璃保護膜3，高溫銀漿導線2及玻璃保護膜3的上表面還印刷有一層黑色改性硅樹脂保護膜4，這樣可對高溫銀漿導線2及膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5形成保護。
[0014]該環保性陶瓷10瓦13dB衰減片要求輸入端和接地的阻值為55.3 Ω ±3%，輸出端和接地端的阻值為55.3Ω ±3%。信號輸入端進入衰減片，經過膜狀電阻Rl、R2、R5、R3、R4對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實際所需要的信號。
[0015]該環保性陶瓷10瓦13dB衰減片，采用了環保的ALN材料替代了有毒性的BeO材料，滿足了環保的要求。同時，小尺寸的設計生產效率高，有效降低了材料成本，從而從根本上降低了產品本身成本，且功率滿足使用要求。電路設計上基于MWO電路設計理念，采用了對稱電路設計，并采用導體本身介質特性，對產品電性能進行改善，打破了原來衰減片只能應用于低頻的局面，使得該型號衰減片能應用于3G的網絡。可廣泛應用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設備領域以及隔離器、環形器等微波產品的生產。
[0016]以上對本發明實施例所提供的環保性陶瓷10瓦13dB衰減片進行了詳細介紹，對于本領域的一般技術人員，依據本發明實施例的思想，在【具體實施方式】及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本發明的限制，凡依本發明設計思想所做的任何改變都在本發明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種環保性陶瓷10瓦13dB衰減片，其特征在于:包括環保型ALN材料的基片，所述ALN材料的基片的尺寸為2.5mmX5mmX 1mm，所述ALN材料的基片的正面印刷有高溫銀漿導線，所述高溫銀漿導線間印刷有膜狀電阻，所述高溫銀漿導線和膜狀電阻通過高溫燒結連通，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有一層導體層，所述高溫銀漿導線和背面導體層通過側面二次印刷銀漿導通。
2.根據權利要求1所述的環保性陶瓷10瓦13dB衰減片，其特征在于:所述銀漿采用低銀離子遷移銀漿。
3.根據權利要求1所述的環保性陶瓷10瓦13dB衰減片，其特征在于:所述高溫銀漿導線和膜狀電阻組成的電路印刷有一層黑色改性硅樹脂保護膜。
【文檔編號】H01P1/22GK104241768SQ201410233542
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年5月29日 優先權日:2014年5月29日
【發明者】不公告發明人 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司