晶圓表面金屬尖突結構的制造工藝的制作方法
【專利摘要】本發明提出了一種晶圓表面金屬尖突結構的制造工藝，在晶圓表面的形成具有溝槽的絕緣層，并且將金屬層填滿在溝槽內，接著對金屬層進行研磨，形成凹陷區，金屬層的兩端便具有一定的尖突，再對絕緣層進行刻蝕，暴露出金屬層兩端的尖突結構即可獲得金屬尖突結構，從而制造出具有尖突結構的金屬層。
【專利說明】晶圓表面金屬尖突結構的制造工藝
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種晶圓表面金屬尖突結構的制造工藝。【背景技術】
[0002]多種半導體制造工藝及技術中需要在晶圓的表面形成具有金屬尖銳突出的結構，以方便與其它工藝進行結合。
[0003]然而傳統的半導體制造工藝只能制造出平坦過渡高低起伏型的金屬，即不含有尖突結構，或者是制造出矩形或梯形等鈍角的突出結構，也無法制造出尖角突出的尖突結構。
[0004]因此，如何在晶圓表面制造出具有尖突結構的金屬便成為本領域急需解決的技術問題。
【發明內容】
[0005]本發明的目的在于提供一種晶圓表面金屬尖突結構的制造工藝，能夠制造出具有尖突結構的金屬層。
[0006]為了實現上述目的，本發明提出了一種晶圓表面金屬尖突結構的制造工藝，包括步驟:
[0007]提供晶圓，所述晶圓表面形成有絕緣層和金屬層，所述絕緣層設有溝槽，所述金屬層填滿所述溝槽；
[0008]對所述金屬層進行研磨，形成凹陷區；
[0009]刻蝕所述絕緣層，暴露出金屬層的尖突結構。
[0010]進一步的，所述金屬層的材質為銅、鋁或者鎢。
[0011]進一步的，采用化學機械研磨對所述金屬層進行研磨。
[0012]進一步的，采用干法刻蝕或濕法刻蝕對所述絕緣層進行刻蝕。
[0013]進一步的，采用干法刻蝕或濕法刻蝕去除全部絕緣層。
[0014]進一步的，采用干法刻蝕或濕法刻蝕去除部分絕緣層。
[0015]與現有技術相比，本發明的有益效果主要體現在:在晶圓表面的形成具有溝槽的絕緣層，并且將金屬層填滿在溝槽內，接著對金屬層進行研磨，形成凹陷區，金屬層的兩端便具有一定的尖突，再對絕緣層進行刻蝕，暴露出金屬層兩端的尖突結構即可獲得金屬尖突結構，從而制造出具有尖突結構的金屬層。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1為本發明一實施例中晶圓表面金屬尖突結構的制造工藝的流程圖；
[0017]圖2至圖5為本發明一實施例中晶圓表面金屬尖突結構的制造過程中的剖面示意圖。
【具體實施方式】[0018]下面將結合示意圖對本發明的晶圓表面金屬尖突結構的制造工藝進行更詳細的描述，其中表示了本發明的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明，而仍然實現本發明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發明的限制。
[0019]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發明由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。
[0020]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
[0021]請參考圖1，在本實施例中，提出了一種晶圓表面金屬尖突結構的制造工藝，包括步驟:
[0022]SlOO:提供晶圓100，所述晶圓100表面形成有絕緣層200和金屬層300，所述絕緣層200設有溝槽，所述金屬層300填滿所述溝槽，如圖2所示；
[0023]在步驟SlOO中，所述絕緣層200可以為氧化硅或者氮化硅等，可以采用化學氣相沉積工藝形成，具體的沉積厚度可以根據不同的工藝來決定，在此并不做限定；沉積完畢后，可以先曝光再刻蝕的工藝形成溝槽，具體溝槽的開口尺寸可以根據所要制造出金屬尖突結構的尺寸大小來決定，在此同樣不做限定；填充的金屬層300的材質為銅、鋁或者鎢等其他金屬材質，金屬層300的形成方式可以采用物理氣相沉積形成，若形成在絕緣層200的表面，則可以采用化學機械研磨進行研磨，去除位于絕緣層200表面的金屬層300。
[0024]S200:對所述金屬層300進行研磨，形成凹陷區，如圖3所示；
[0025]在步驟S200中，采用的是化學機械研磨對所述金屬層300進行研磨，其中，可以是在步驟SlOO中對絕緣層200表面的金屬層300進行化學機械研磨的過研磨(OverPolishing),這樣便可以節省工藝步驟；過研磨將會在位于溝槽內的金屬層300形成凹陷區，凹陷區的兩端，即金屬層300的兩端則會有尖突結構。
[0026]S300:刻蝕所述絕緣層200，暴露出金屬層300的尖突結構。
[0027]在步驟S300中，采用干法刻蝕或濕法刻蝕去除所述絕緣層200，在本實施例中，刻蝕所述絕緣層200是為了能夠暴露出所述金屬層300的尖突結構。同時，根據不同工藝的需求，可以采用干法刻蝕或濕法刻蝕去除部分絕緣層200，如圖4所示；或者根據工藝需求，采用干法刻蝕或濕法刻蝕去除全部絕緣層200，如圖5所示。
[0028]在本實施例中，并未限定形成凹陷區的尺寸，這是因為不同的工藝需求，需要的尖突結構尺寸不同；同時，化學機械研磨的時間也并未限定，由于不同研磨液對金屬層300的研磨速率不同，所需的研磨時間也不相同，因此，具體工藝參數可以根據具體需要來決定。
[0029]綜上，在本發明實施例提供的晶圓表面金屬尖突結構的制造工藝中，在晶圓表面的形成具有溝槽的絕緣層，并且將金屬層填滿在溝槽內，接著對金屬層進行研磨，形成凹陷區，金屬層的兩端便具有一定的尖突，再對絕緣層進行刻蝕，暴露出金屬層兩端的尖突結構即可獲得金屬尖突結構，從而制造出具有尖突結構的金屬層。[0030]上述僅為本發明的優選實施例而已，并不對本發明起到任何限制作用。任何所屬【技術領域】的技術人員，在不脫離本發明的技術方案的范圍內，對本發明揭露的技術方案和技術內容做任何形式的等同替換或修改等變動，均屬未脫離本發明的技術方案的內容，仍屬于本發明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種晶圓表面金屬尖突結構的制造工藝，包括步驟: 提供晶圓，所述晶圓表面形成有絕緣層和金屬層，所述絕緣層設有溝槽，所述金屬層填滿所述溝槽； 對所述金屬層進行研磨，形成凹陷區； 刻蝕所述絕緣層，暴露出金屬層的尖突結構。
2.如權利要求1所述的晶圓表面金屬尖突結構的制造工藝，其特征在于，所述金屬層的材質為銅、招或者鶴。
3.如權利要求2所述的晶圓表面金屬尖突結構的制造工藝，其特征在于，采用化學機械研磨對所述金屬層進行研磨。
4.如權利要求1所述的晶圓表面金屬尖突結構的制造工藝，其特征在于，采用干法刻蝕或濕法刻蝕對所述絕緣層進行刻蝕。
5.如權利要求4所述的晶圓表面金屬尖突結構的制造工藝，其特征在于，采用干法刻蝕或濕法刻蝕去除全部絕緣層。
6.如權利要求4所述的晶圓表面金屬尖突結構的制造工藝，其特征在于，采用干法刻蝕或濕法刻蝕去除部分絕緣層。
【文檔編號】H01L21/3205GK103972083SQ201410224989
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年5月26日 優先權日:2014年5月26日
【發明者】梅紹寧, 程衛華, 朱繼鋒 申請人:武漢新芯集成電路制造有限公司