半導體裝置的評價裝置制造方法
【專利摘要】一種半導體裝置的評價裝置，其對形成在半導體襯底(100)上的半導體裝置進行電氣評價，該半導體裝置的評價裝置具有：保持部(2)，其將半導體襯底(100)保持在表面(2A)上；以及檢測部(3)，其對保持部(2)的表面(2A)的凹凸進行檢測。保持部(2)在表面(2A)上包含多個槽部(20)，多個槽部(20)形成為，在將半導體襯底(100)保持在表面(2A)上時，與半導體襯底(100)的外周重合，并且，一部分與半導體襯底(100)的外周相比位于外側。
【專利說明】半導體裝置的評價裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種半導體裝置的評價裝置，特別地，涉及一種能夠對半導體裝置的位置進行檢測的半導體裝置的評價裝置。
【背景技術】
[0002]在半導體裝置的制造工序中，有時在半導體襯底被切割成各個半導體裝置前的狀態下，對形成在半導體襯底上的半導體裝置的電氣特性進行評價。該情況下的半導體裝置的評價裝置，通常具有:工作臺(保持部)，其在評價中保持半導體襯底；以及探頭，其與形成在半導體襯底上的半導體裝置的焊盤部電連接。在評價時，預先將半導體襯底的中心位置配置在工作臺的基準位置處。通過按照上述方式設置，從而能夠將形成在半導體襯底上的多個半導體裝置相對于工作臺一次性地進行對位，在對位后能夠一邊使探頭和工作臺進行相對移動，一邊分別對各半導體裝置進行評價。作為將半導體襯底的中心位置配置在工作臺的基準位置處的方法，具有利用半導體襯底的外周端的方法。
[0003]在日本特開平6 - 302676號公報中，公開有一種晶圓異物檢查裝置，其在將晶圓載置在工作臺上時，對與工作臺相比向外周側伸出的晶圓的外周部分照射出落射光，利用與該外周部分的背面側相鄰而設置在晶圓的下側的鏡子使落射光反射，從而采集到晶圓的周邊部的影像。
[0004]但是，由于半導體襯底的外周部分在厚度方向上形成有圓倒角，或者是傾斜的，因此，很難在以影像的形式進行觀察后簡單且高精度地對半導體襯底的外周端部進行檢測。
[0005]另外，由于經過了半導體裝置的制造方法的各工序，因各工序內的面內波動等而使得半導體襯底的外周部的外觀形狀變得不一致，所以，以影像的形式進行觀察并根據該圖像簡單且高精度地對半導體襯底的外周端部進行檢測這一做法更加困難。因此，在半導體裝置的評價裝置中，以高精度對配置在工作臺上的半導體襯底進行位置確認是困難的。
【發明內容】
[0006]本發明就是為了解決上述問題而提出的。本發明的主要目的在于提供一種半導體裝置的評價裝置，其能夠在將半導體襯底配置在保持部上時，以高精度對保持部上的半導體襯底的位置進行檢測。
[0007]本發明所涉及的半導體裝置的評價裝置，對形成在半導體襯底上的半導體裝置進行電氣評價，其中，該半導體裝置的評價裝置具有:保持部，其將半導體襯底保持在表面上；以及檢測部，其對保持部的表面的凹凸進行檢測。保持部在表面上包含多個槽部，多個槽部形成為，在將半導體襯底保持在表面上時，與半導體襯底的外周重合，并且，一部分與半導體襯底的外周相比位于外側。
[0008]根據本發明，提供一種半導體裝置的評價裝置，其能夠以高精度對保持部上的半導體襯底的位置進行檢測。
[0009]本發明的上述及其他目的、特征、方案及優點，通過與附圖相關聯進行理解的關于本發明的以下詳細說明，能夠變得清楚。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]圖1是用于說明實施方式I所涉及的半導體裝置的評價裝置的圖。
[0011]圖2是用于說明實施方式I所涉及的接觸探頭的圖。
[0012]圖3是實施方式I所涉及的半導體裝置的評價裝置的保持部2的俯視圖。
[0013]圖4是從圖3中的線段IV-線段IV進行觀察時的剖面圖和表示測定例的圖形。
[0014]圖5是表示實施方式I所涉及的保持部的變形例的俯視圖。
[0015]圖6是用于說明實施方式2所涉及的保持部的圖。
[0016]圖7是實施方式2所涉及的半導體裝置的評價裝置的保持部2的俯視圖。
[0017]圖8是從圖7中的線段VII1-線段VIII進行觀察時的剖面圖和表示測定例的圖形。
[0018]圖9是表示實施方式2所涉及的保持部的變形例的俯視圖。
【具體實施方式】
[0019]下面，基于附圖，對本發明的實施方式進行說明。此外，在以下的附圖中，對相同或相當部分標注相同的參照編號，并省略其說明。
[0020](實施方式I)
[0021]參照圖1，對實施方式I所涉及的半導體裝置的評價裝置I進行說明。半導體裝置的評價裝置I是對形成在半導體襯底100上的半導體裝置進行電氣評價的半導體裝置的評價裝置。在本實施方式中，半導體襯底100在具有平坦性的表面100A上形成有任意的半導體裝置。該半導體裝置例如可以是在半導體襯底100的厚度方向上流過大電流的縱向型的半導體裝置。本實施方式所涉及的半導體裝置的評價裝置I具有保持部2和檢測部3。此夕卜，在本實施方式中，將與保持部2的表面2A平行的面作為xy平面。
[0022]保持部2構成為能夠將半導體襯底100保持在表面2A上。此時，保持部2的表面2A的外形與半導體襯底100的表面100A的外形相比設置得較大。即，在將半導體襯底100保持在保持部2的表面2A上時，保持部2形成為，一部分與半導體襯底100的外周相比位于外側。
[0023]在保持部2的表面2A設置有真空吸附機構，以在該表面2A上配置有半導體襯底100時，能夠吸附并保持半導體襯底100。在保持部2的表面2A規定有基準位置2C。保持部2的基準位置2C是在將半導體襯底100保持在表面2A上時，保持部2的表面2A上的應與半導體襯底100的中心100C重合的位置。
[0024]保持部2的表面2A設置為，能夠與作為縱向型的半導體裝置的電極而在半導體襯底100的背面形成的電極焊盤101 (參照圖2)電連接。表面2A經由設置在保持部2的側面上的連接部4、和安裝在該連接部4上的信號線6而與控制部5電連接。
[0025]檢測部3能夠對保持部2的表面2A的凹凸進行檢測。檢測部3是光學式的距離傳感器，其設置為，通過照射光并檢測該反射光，從而能夠測定檢測部3與反射面的距離(以下，也稱為反射面的高度)。具體來說構成為，在相對于保持部2的表面2A及半導體襯底100的表面100A，從與它們大致垂直的方向照射光時，能夠對來自上述表面2A、100A的反射光進行檢測。檢測部3的分辨率只要小于或等于半導體襯底100的厚度即可，例如可以是0.5mm左右。
[0026]檢測部3固定在探頭基體10上。探頭基體10由檢測部3、接觸探頭30、對檢測部3及接觸探頭30進行保持的絕緣性基體8構成。探頭基體10設置為，利用與絕緣性基體8連接的移動臂部9，能夠相對于保持部2進行相對移動。
[0027]參照圖2，接觸探頭30設置為，通過與作為半導體裝置的電極而在半導體襯底100的表面100A上形成的電極焊盤101接觸，從而能夠與半導體裝置電連接。在半導體裝置中，在電極焊盤101形成有多個的情況下，接觸探頭30可以以能夠與多個電極焊盤101分別抵接的方式而形成有多個。接觸探頭30由下述部分構成:接觸部31，其與形成在半導體襯底100上的半導體裝置的電極焊盤101機械且電氣地接觸；前端部32，其具有該接觸部31 ;壓入部33，其使該前端部32能夠相對于探頭基體進行滑動；設置部34，其固定在探頭基體上；以及電連接部35，其與接觸部31電連接，成為向外部的輸出端子。在壓入部33內部裝入有彈簧部件，壓入部33通過經由該彈簧部件將前端部32和設置部34連接，從而構成為能夠使前端部32相對于探頭基體進行滑動。構成接觸探頭30的材料能夠使用具有導電性的任意材料，例如能夠使用銅(Cu)、鎢(W)、鎢錸合金這樣的金屬材料。另外，接觸部31從導電性提高和耐久性提高等觀點出發，例如可以形成將上述金屬材料的表面由金(Au)、鈀、鉭(Ta)、鉬(Pt)等進行覆蓋的結構。接觸探頭30經由設置在絕緣性基體8上的金屬板(未圖示)等而與連接部7電連接，并且經由安裝在該連接部7上的信號線6而與控制部5電連接。探頭基體設置為，能夠利用移動臂部9相對于保持部2進行相對移動。
[0028]參照圖3，在保持部2上設置有4個槽部20。圖3是在表面2A上保持有半導體襯底100時的保持部2的俯視圖。4個槽部20均以在保持部2上從基準位置2C所處一側(內周側)向外周側延伸的方式形成。即，4個槽部20分別以沿保持部2的徑向的方式形成。另外，4個槽部20設置為，與保持部2的基準位置2C之間的距離均相同，并且，相鄰的2個槽部20與基準位置2C形成的中心角為90°。即，形成為，2個槽部隔著基準位置2C而彼此相對，并且，在與將上述2個槽部連結的線段正交的線段上，其他2個槽部20隔著基準位置2C而彼此相對。另外，如果從不同的角度來說，則是多個槽部20在周向上等間隔地配置。此時，設置為，在隔著基準位置2C而相對的2個槽部之間，內周側的端部之間的距離比半導體襯底100的外徑短，外周側的端部之間的距離比半導體襯底100的外徑長。換言之，在以基準位置2C與中心100C重合的方式將半導體襯底100保持在保持部2的表面2A上時，槽部20的一部分設置為與半導體襯底100的外周相比露出于外側。在此，以基準位置2C與中心100C重合的方式將半導體襯底100保持在保持部2的表面2A上不僅是指基準位置2C與中心100C完全一致的情況，還包含在基準位置2C與中心100C之間產生有能夠被容許的程度下的位置偏差的情況。
[0029]槽部20例如通過對保持部2進行切削等的加工而形成，圖4(a)所示的底面20A進行了鏡面加工。由此,底面20A作為反射率高的反射面而形成。
[0030]槽部20的底面20A以沿半導體襯底100的徑向，從保持部2的表面2A算起的深度不同的方式而形成為臺階狀。具體來說，在槽部20中形成有從表面2A至底面20A為止的深度相對較淺的區域(上部21)、和從表面2A至底面20A為止的深度相對較深的區域(下部22)。在槽部20中，上部21形成在保持部2的基準位置2C側，下部22形成在保持部2的外周側。此時，上部21及下部22的上部表面與表面2A平行地設置。另外，在4個槽部20中，以上部21和下部22的邊界部(上部21的外周側端部)與基準位置2C的距離均相等的方式形成。
[0031]在隔著基準位置2C而相對的2個槽部20之間，上部21和下部22的邊界部之間的距離與半導體襯底100的外徑相比設置得較長。此時，可以設置為，該距離與半導體襯底100的外徑之間的長度差的1/2，成為基準位置2C與中心100C的位置偏差的容許值。只要槽部20的深度(上部21及下部22的深度)及上部21與下部22的深度差，比作為檢測部3使用的光學式的距離傳感器所具有的分辨率大，則能夠任意地進行選擇，例如作為與上部21的深度、上部21和下部22之間的深度差、以及半導體襯底100的厚度等相同程度的數量級，設為Imm左右即可。
[0032]參照圖3及圖4 (a)，形成為，在以基準位置2C與中心100C重合的方式將半導體襯底100保持在保持部2的表面2A上時，各槽部20與半導體襯底100的外周重合，并且，一部分與半導體襯底100的外周相比位于外側。即，在將半導體襯底100保持在保持部2的表面2A上時，在與半導體襯底100的外周相比位于外側的區域中的一部分的區域中，形成在保持部2上的槽部20的底面20A露出，在其他區域中露出保持部2的表面2A。
[0033]下面，參照圖1?圖4，對使用本實施方式所涉及的半導體裝置的評價裝置實現的半導體裝置的評價方法進行說明。在本實施方式中，半導體襯底100在其外周從具有平坦性的表面100A至端部110為止的區域中，形成有相對于表面100A傾斜的傾斜面120。BP,傾斜面120相對于保持部2的表面2A和底面20A傾斜。
[0034]首先，在保持部2的表面2A上配置半導體襯底100 (工序(SlO))。此時，半導體襯底100配置在作為測定對象的全部半導體裝置能夠被探頭基體10測定的位置處，并受到真空吸附。此時，在與半導體襯底100的外周相比位于內側的區域中，露出了半導體襯底100的表面100A及傾斜面120。另一方面，在與半導體襯底100的外周相比位于外側的區域中，露出了保持部2的表面2A及4個槽部20的一部分。此外，在評價半導體裝置的溫度特性的情況下，使用具有加熱機構的保持部2即可，在此情況下，在本工序(SlO)之前，可以預先使保持部2升溫至規定溫度。
[0035]然后，一邊使檢測部3相對于至少3個槽部20進行相對移動，一邊通過檢測部3對保持部2的表面2A的凹凸進行檢測(工序(S20))。此時，如果將表面2A設為xy平面，則不使檢測部3沿z軸方向移動，僅在xy平面內進行移動。由此，在檢測部3位于半導體襯底100的表面100A上時，從檢測部3中照射出的光利用表面100A進行反射并被檢測部3檢測，測定出檢測部3相對于表面100A的高度hi。另外，在檢測部3位于形成在半導體襯底100外周的傾斜面120上時，由于傾斜面120相對于從檢測部3照射出的光的行進方向而發生了傾斜，因此，即使從檢測部3照射出的光由傾斜面120進行反射，也不會到達檢測部3，無法獲得檢測部3相對于傾斜面120的高度的測定結果。并且，在檢測部3位于保持部2的表面2A上時，從檢測部3照射出的光利用表面2A進行反射并被檢測部3檢測，測定出檢測部3相對于表面2A的高度h2。在檢測部3位于槽部20的上部21上時，從檢測部3照射出的光利用上部21頂面(底面20A的上部)進行反射并被檢測部3檢測，測定出檢測部3相對于上部21頂面的高度h3。在檢測部3位于槽部20的下部22上時，從檢測部3照射出的光利用下部22頂面(底面20A的下部)進行反射并被檢測部3檢測，測定出檢測部3相對于下部22頂面的高度h4。
[0036]在利用移動臂部9使檢測部3相對于保持部2進行相對移動時，移動方向在xy平面內可以為任意方向，例如，使檢測部3沿從保持部2的基準位置2C朝向槽部20的方向(圖4(a)所示的箭頭A)移動。圖4(b)示出此時的測定例。在檢測部3位于半導體襯底100的表面100A上時，表面100A與檢測部3的高度hi被檢測部3檢測。然后，如果檢測部3到達傾斜面120上，則檢測部3無法捕捉來自傾斜面120的反射光，檢測部3相對于傾斜面120的高度無法測定。然后，如果檢測部3到達槽部20上，則首先，由檢測部3檢測出檢測部3相對于上部21的底面20A的高度h3，然后，由檢測部3檢測出檢測部3相對于下部22的底面20A的高度h4。然后，如果檢測部3到達表面2A上，則檢測出檢測部3相對于表面2A的高度h2。此時，檢測部3相對于半導體襯底100的傾斜面120及端部110的實際高度(不能測定)、和檢測部3相對于上部21頂面(底面20A的上部)的高度h3之間的高度差為h3 - hi左右(至少大于或等于h3 - h2)，與半導體襯底100的厚度h2 — hi相比設置得較大。其結果，能夠利用檢測部3以高精度對從半導體襯底100的外周側露出的上部21的距離，即，在保持部2 (或半導體襯底100)的徑向上檢測到高度h3的距離(圖4(b)中的L2)進行測定。
[0037]在本工序(S20)中，通過在保持部2的徑向上以跨過各槽部20的方式使檢測部3移動，從而能夠確定上部21與下部22的邊界部、和從半導體襯底100的外周露出的上部21的距離L2。由此，能夠判斷出半導體襯底100的外周的端部110相對于該邊界部以距離L2而位于基準位置2C側。同樣地，通過針對其他的槽部20也進行同樣地測定，從而能夠導出保持部2的表面2A上的半導體襯底100的位置，即，半導體襯底100的中心100C相對于保持部2的基準位置2C的位置。
[0038]下面，相對于在之前的工序(S20)中利用檢測部3進行位置確認后的半導體襯底100上所構成的半導體裝置的電極焊盤101，對接觸探頭30進行定位(工序(S30))。具體來說，參照圖2(a)，首先，將接觸探頭30配置在電極焊盤101的z軸方向正上方。然后，參照圖2 (b)，使接觸探頭30朝向電極焊盤101下降，使接觸部31與電極焊盤101接觸。參照圖2(c)，通過使接觸探頭30進一步下降規定的距離，由此，壓入部33 —邊使內部的彈簧部件收縮，一邊被壓入至設置部34內。由此，能夠使接觸部31與電極焊盤101之間的接觸壓力充分地增高。此外，在探頭基體10上形成有多個接觸探頭30，并使其分別與多個電極焊盤101抵接的情況下，優選在本工序(S30)前預先使接觸探頭30中的接觸部31的平行度—致。
[0039]然后，對半導體裝置的電氣特性等進行測定(工序(S40))。例如，將測定后判斷為不良的半導體裝置在后面的工序中去除。
[0040]如上所述，本實施方式所涉及的半導體裝置的評價裝置，在保持部2的表面2A上形成有多個槽部20，多個該槽部20形成為，在將半導體襯底100保持在表面2A上時，與半導體襯底100的外周重合，并且，一部分與半導體襯底100的外周相比位于外側。因此，對于半導體襯底100的外周的端部110,在位于半導體襯底100的外周內側的區域、和位于半導體襯底的外周外側的區域之間，能夠將與檢測部相距的距離的差(高度的差)增大至大于或等于半導體襯底100的厚度h2 — hi。因此，與在保持部2的表面2A上沒有形成槽部20的情況相比，能夠提高利用檢測部3對半導體襯底100的外周的端部110進行檢測的檢測精度。并且，由于在槽部20上設置有上部21及下部22，因此，能夠對上部21及下部22與檢測部的距離的差(高度的差)進行檢測。由此，即使在槽部20上外周側的端部發生了缺損等損傷的情況、在該端部上附著有異物等的情況下，也能夠以高精度對上部21和下部22的邊界部、相對于半導體襯底外周端部的距離L2進行檢測。其結果，能夠提高保持部2上的半導體襯底100的位置確認精度。
[0041]在實施方式I中，槽部20在4個部位處進行了設置，但并不限定于此。另外，各槽部20設置為，與保持部2的基準位置2C之間的距離均相同，且相鄰的2個槽部20與基準位置2C形成的中心角為90°，但并不限定于此。例如，參照圖5，8個槽部20可以作為與保持部2的基準位置2C的距離不同的2組，而分別設置在4個部位。此時，例如包含在各組中的槽部20可以以將各槽部20與基準位置2C連結的線段不重合的方式進行設置。由此，即使對于具有不同的外徑的半導體襯底100，也能夠在同一個保持部2上進行相對于保持部2的位置確認，因此，無需對應于半導體襯底100的外徑而新準備保持部2。
[0042](實施方式2)
[0043]下面，參照圖6?圖8，對實施方式2所涉及的半導體裝置的評價裝置I進行說明。實施方式2所涉及的半導體裝置的評價裝置I，基本上具有與實施方式I所涉及的半導體裝置的評價裝置I相同的結構，但其不同點在于，保持部2在其表面2A上，在成為半導體襯底100外周側的區域(表面2A的外周部)中具有凹部，槽部20形成在凹部中。
[0044]凹部設置在從保持部2的基準位置2C以一定距離分離的位置處。具體來說，凹部以下述方式構成，即，相對于在表面2A上設置為以基準位置2C為中心的圓形狀的上臺階23，在其外周側以包圍上臺階23的方式設置有下臺階24。
[0045]槽部20形成為，與規定出半導體襯底外周的厚壁部重合，并且，一部分與半導體襯底的外周相比位于外側。即，槽部20設置在下臺階24的表面上。槽部20的基準位置2C側的端部設置在上臺階23和下臺階24的邊界部或邊界部的附近。槽部20的外周側的端部及上部21和下部22的邊界部設置為，相對于基準位置2C的距離與從半導體襯底的中心至外周為止的距離相比更長。
[0046]通過形成上述結構，在半導體襯底100是中心側具有厚度較薄的薄壁部130，薄壁部130的外周側具有厚度比薄壁部130更厚的厚壁部140，即，所謂的帶框邊的半導體襯底100的情況下，也能夠通過將上臺階23的直徑設置為小于或等于薄壁部130的直徑，從而將帶框邊的半導體襯底100配置在保持部2上，并且，能夠取得與實施方式I同樣的效果。
[0047]在實施方式I及2中，槽部20在內部形成上部21和下部22而構成臺階狀，但并不限定于此。槽部20的底面20A可以設置為一個平面，而沒有臺階。即使形成上述結構，在位于半導體襯底100的外周內側的區域、和位于半導體襯底100的外周外側的區域之間，能夠將與檢測部相距的距離的差(高度的差)增大至大于或等于半導體襯底100的厚度(h2 — hi)。因此，在槽部20的外周側的端部(保持部的外周側的槽部20的端部)處，沒有缺損或刻痕等損傷并且也沒有附著異物等的情況下，能夠取得與實施方式I及2同樣的效果。
[0048]另外，在實施方式I及2中，使用從半導體襯底100的外周側露出的上部21的距離L2，對保持部2上的半導體襯底100的位置進行了檢測，但并不限定于此。例如，可以判斷為在保持部2的徑向上，半導體襯底100的外周的端部110相對于槽部20的下部22和表面2A的邊界部以檢測到高度h4和高度h3的合計距離LI而位于基準位置2C側。即使形成上述結構，在槽部20的外周側的端部(下部22和表面2A的邊界部)處，沒有缺損或刻痕等損傷并且也沒有附著異物等的情況下，能夠取得與實施方式I及2同樣的效果。
[0049]另外，在實施方式I及2中，上部21和下部22的邊界部與基準位置2C的距離形成為，在多個槽部20中是相等的，但并不限定于此。也可以相對于基準位置2C而形成為不同的距離。即使形成上述結構，通過預先掌握該邊界部與基準位置2C的位置關系的數據，從而能夠根據各槽部20的上部21和下部22的邊界部與無法測量區域的距離，而以高精度檢測保持部2的表面2A上的半導體襯底100的設置位置。
[0050]另外，在實施方式I及2中，槽部20的底面20A進行了鏡面加工，但并不限定于此。例如，可以通過在底面20A上形成有金屬膜，從而由金屬膜形成反射面。另外，反射面也可以通過鍍金形成。即使形成上述結構，由于能夠提高底面20A上的光的反射率，因此能夠取得與實施方式I及2同樣的效果。
[0051]另外，在實施方式I及2中，探頭基體10設置為能夠相對于保持部2進行相對移動，但并不限定于此。例如，可以設置為使保持部2相對于探頭基體而能夠相對移動。即使形成上述結構，也能夠取得與本實施方式相同的效果。
[0052]另外，在實施方式I及2中，檢測部3設置在探頭基體10上，但并不限定于此。檢測部3也可以與探頭基體10獨立地設置。
[0053]另外，在實施方式I及2中，接觸探頭30構成為，使用彈簧而在z軸方向上具有滑動性，但并不限定于此。例如，接觸探頭30可以為層疊探頭、線探頭等。另外，接觸探頭30也可以是懸臂式。
[0054]另外，在實施方式I及2中，保持部2的表面2A作為平坦面而形成，但并不限定于此。例如，保持部2的表面2A可以作為梨皮面而形成。如果形成上述結構，則能夠抑制半導體襯底100與保持部2的表面2A的粘貼。并且，在該情況下，表面2A難以實現作為反射面的作用，但由于能夠檢測槽部20的上部21和下部22間的臺階，因此，使用上部21和下部22的邊界部(上部21的外周側端部)與基準位置2C的距離、以及各槽部20的由檢測部3得到的檢測結果，能夠以高精度檢測保持部2的表面2A上的半導體襯底100的設置位置。
[0055]另外，在實施方式I及2中，多個槽部20沿保持部2的徑向形成，但并不限定于此。例如，參照圖9，槽部20可以沿半導體襯底100的周向形成。在實施方式2所涉及的半導體裝置的評價裝置中，也能夠以沿上臺階23的側面25的方式形成有槽部20。即使形成上述結構，也能夠取得與實施方式I及2同樣的效果。
[0056]另外，在實施方式I及2中，多個槽部20可以由保護膜覆蓋。在該情況下，保護膜只要設置為檢測部3所使用的光能夠透過即可。例如，構成保護膜的材料為透過率大于或等于60%的材料即可，為氧化鋅等即可。
[0057]在此，列舉本發明的特征結構，其包含有與上述實施方式一部分重復的部分。
[0058]在本發明所涉及的半導體裝置的評價方法中，對形成在半導體襯底100上的半導體裝置進行電氣評價的半導體裝置的評價裝置，具有:保持部2，其將半導體襯底100保持在表面2A上；以及檢測部3，其對保持部2的表面2A的凹凸進行檢測。保持部2在表面2A上包含多個槽部20，多個槽部20形成為，在將半導體襯底100保持在表面2A上時，與半導體襯底100的外周重合，并且，一部分與半導體襯底100的外周相比位于外側。
[0059]由此，對于半導體襯底100的外周端部110，在位于半導體襯底100的外周內側的區域、和位于半導體襯底100的外周外側的區域之間，與沒有槽部20的情況相比能夠增大與檢測部3相距的距離的差(高度的差)。因此，與在保持部2的表面2A上沒有形成槽部20的情況相比，能夠提高利用檢測部3對半導體襯底100的外周端部110進行檢測的檢測精度。其結果，能夠提高探頭基體10相對于半導體襯底100的對位精度。
[0060]上述槽部20可以形成為，在將半導體襯底100保持在表面2A上時，從半導體襯底100的中心側向外周側延伸。
[0061]由此，在半導體襯底100的中心位置相對于保持部2的基準位置的位置偏差能夠被容許的情況下，即使在產生了該位置偏差的狀態下，也能夠利用檢測部3以高精度進行對半導體襯底100的外周端部110的檢測，能夠提高探頭基體10相對于半導體襯底100的對位精度。
[0062]上述槽部20可以形成為，在將半導體襯底100保持在表面2A上時，在半導體襯底100的周向上延伸。
[0063]由此，能夠將利用檢測部3以高精度對半導體襯底100的外周端部110進行檢測時的檢測場所，設置在半導體襯底100的外周上的任意區域中。
[0064]在將半導體襯底100保持在表面2A上時，上述槽部20可以在半導體襯底100的徑向上，在不同位置處形成多個。
[0065]由此，即使在將外徑不同的半導體襯底100保持在保持部2的表面2A的情況下，也能夠使用以與半導體襯底100的外周重合，并且，一部分與半導體襯底100的外周相比位于外側的方式形成的槽部20，以高精度進行對半導體襯底100的外周端部110的檢測。
[0066]上述表面2A和槽部20的底面20A可以平行地設置。
[0067]如果形成上述結構，則能夠使檢測部3與表面2A形成的角度、和檢測部3與底面20A形成的角度大致相同。例如，在檢測部3是光學式的距離傳感器的情況下，能夠使表面2A及底面20A相對于由檢測部3照射的光的光軸而形成大致相同的角度。其結果，能夠以從檢測部3照射并利用表面2A或底面20A進行反射的光可有效地到達檢測部3的方式，構成檢測部3。另外，由于從上述表面2A至底面20A為止的深度形成為固定值，因此，能夠相對于已有的保持部2而容易地形成槽部20。
[0068]從上述表面2A至底面20A為止的深度，在將半導體襯底100保持在表面2A上時，在與半導體襯底100的外周相比位于外側的區域中，在半導體襯底100的中心側和半導體襯底100的外周側可以是不同的。
[0069]如果形成上述結構，則即使在槽部20的外周側的端部(保持部2的外周側的槽部20的端部)處，具有缺損或刻痕等損傷的情況或附著有異物等的情況下，也能夠以聞精度檢測外周端部I1的位置。具體來說，在將半導體襯底100保持在表面2A上時，在槽部20中與半導體襯底100的外周相比位于外側的區域中，形成有與外周側的端部不同的臺階部。即，在槽部20中形成有上部21和下部22。由此，即使在槽部20中外周側的端部具有缺損等損傷的情況或在該端部處附著有異物等的情況下，通過將與該端部相比設置在內側且與半導體襯底100的外周相比露出于外側的臺階部，作為上部21及下部22與檢測部3的距離的差(高度的差)而進行檢測，從而能夠以高精度對該臺階部與半導體襯底100的外周端部110的距離進行檢測。
[0070]也可以使得上述檢測部3是光學式的距離傳感器，槽部20在底面20A具有反射面。
[0071]由此，能夠將從檢測部3向槽部20的底面20A照射的大多數光進行反射。其結果，能夠增加從底面20A(反射面)到達至檢測部3的反射光的量，能夠提高對半導體襯底100的外周端部110的檢測精度。
[0072]上述反射面也可以進行了鏡面加工。如果采用這種結構，則能夠在相對于保持部2形成了槽部20后，通過對槽部20的底面20A進行鏡面加工，從而形成反射面。因此，能夠以低成本形成反射面。
[0073]上述反射面可以由金屬膜形成。這樣，也能夠將從檢測部3向槽部20的底面20A照射的大多數光進行反射。其結果，能夠增加從底面20A(反射面)到達至檢測部3的反射光的量，能夠提高對半導體襯底100的外周端部110的檢測精度。
[0074]上述反射面也可以通過鍍金形成。這樣，也能夠將從檢測部3向槽部20的底面20A照射的大多數光進行反射。其結果，能夠增加從底面20A(反射面)到達至檢測部3的反射光的量，能夠提高對半導體襯底100的外周端部110的檢測精度。
[0075]上述保持部2的表面2A也可以作為梨皮面而形成。如果作為梨皮面而形成，則在將半導體襯底100保持在保持部2的表面2A上時，能夠抑制表面2A與半導體襯底100的粘貼。
[0076]也可以還具有:測定部(接觸探頭30)，其與上述半導體裝置的焊盤部(例如，圖2中的電極焊盤101)電連接；以及測定部基體(探頭基體10)，其保持測定部(接觸探頭30)，檢測部3設置在測定部基體(探頭基體10)上。
[0077]如果形成上述結構，則能夠將半導體裝置的評價裝置I小型化。
[0078]上述槽部20也可以由保護膜覆蓋。如果由保護膜覆蓋，則能夠防止槽部20的內部附著異物或污垢，或者槽部20的外周側的端部發生缺損等損傷。
[0079]也可以使得上述保持部2在表面2A上，在半導體襯底100的外周側具有凹部，槽部20形成在凹部中。
[0080]S卩，也可以在保持部2的表面2A上，在半導體襯底的中心側設置有上臺階23和下臺階24，其中，下臺階24包圍該上臺階23的外周側。如果形成上述結構，則即使針對具有形成在中心側的薄壁部130、和以包圍該薄壁部130的方式形成在外周側的厚壁部140的半導體襯底100，也能夠以高精度進行對外周端部110的檢測。
[0081]對本發明的實施方式進行了說明，但應認為本次公開的實施方式在全部方面僅為例示，而不是限制性的內容。本發明的范圍由權利要求書示出，包含與權利要求相等的內容及范圍內的全部變更。
【權利要求】
1.一種半導體裝置的評價裝置，其對形成在半導體襯底上的半導體裝置進行電氣評價， 該半導體裝置的評價裝置具有: 保持部，其將半導體襯底保持在表面上；以及 檢測部，其對所述保持部的所述表面的凹凸進行檢測， 所述保持部在所述表面上包含多個槽部， 多個所述槽部形成為，在將所述半導體襯底保持在所述表面上時，與所述半導體襯底的外周重合，并且，一部分與所述半導體襯底的外周相比位于外側。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置的評價裝置，其中， 所述槽部形成為，在將所述半導體襯底保持在所述表面上時，從所述半導體襯底的中心側向外周側延伸。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置的評價裝置，其中， 所述槽部形成為，在將所述半導體襯底保持在所述表面上時，在所述半導體襯底的周向上延伸。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置的評價裝置，其中， 在將所述半導體襯底保持在所述表面上時，所述槽部在所述半導體襯底的徑向上在不同位置處形成多個。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置的評價裝置，其中， 所述表面和所述槽部的底面平行地設置。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置的評價裝置，其中， 從所述表面至所述底面為止的深度，在將所述半導體襯底保持在所述表面上時，在與所述半導體襯底的外周相比位于外側的區域中，在所述半導體襯底的中心側和所述半導體襯底的外周側是不同的。
7.根據權利要求5所述的半導體裝置的評價裝置，其中， 所述檢測部是光學式的距離傳感器，所述槽部在所述底面具有反射面。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置的評價裝置，其中， 對所述反射面進行了鏡面加工。
9.根據權利要求7所述的半導體裝置的評價裝置，其中， 所述反射面由金屬膜形成。
10.根據權利要求9所述的半導體裝置的評價裝置，其中， 所述反射面通過鍍金形成。
11.根據權利要求1所述的半導體裝置的評價裝置，其中， 所述保持部的所述表面形成為梨皮面。
12.根據權利要求1所述的半導體裝置的評價裝置，其中， 該半導體裝置的評價裝置還具有: 測定部，其與所述半導體裝置的焊盤部電連接；以及 測定部基體，其保持所述測定部， 所述檢測部設置在所述測定部基體上。
13.根據權利要求1所述的半導體裝置的評價裝置，其中， 所述槽部由保護膜覆蓋。
14.根據權利要求1所述的半導體裝置的評價裝置，其中， 所述保持部在所述表面上，在所述半導體襯底的外周側具有凹部，所述槽部形成在所述凹部中。
【文檔編號】H01L21/66GK104183516SQ201410174467
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年4月28日 優先權日:2013年5月21日
【發明者】秋山肇, 岡田章, 山下欽也 申請人:三菱電機株式會社