N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管的制備方法

N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種N溝道穿通型碳化硅絕緣柵雙極型晶體管的制備方法，主要解決目前碳化硅絕緣柵雙極型晶體管制備成本過高的問題。其實(shí)現(xiàn)步驟包括：1.選用結(jié)構(gòu)性能優(yōu)良的N型碳化硅襯底，在該襯底正面外延生長一層N型外延層；2.在襯底外延層上依次通過離子注入，形成P阱區(qū)、P+體接觸區(qū)、N+發(fā)射區(qū)；3.對襯底背面進(jìn)行P+集電極區(qū)的離子注入，并進(jìn)行高溫退火，激活注入雜質(zhì)；4.在襯底正面生長刻蝕柵氧化層、淀積多晶硅柵；5.在襯底正面和背面分別淀積金屬并光刻，引出電極。與現(xiàn)有方法相比，本發(fā)明不需要外延生長過厚的耐壓層，節(jié)省了大量生產(chǎn)成本，簡化了工藝步驟，可用于逆變器、開關(guān)電源和照明電路。
【專利說明】N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于微電子【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及半導(dǎo)體器件的制備方法，特別是一種利用襯底充當(dāng)耐壓層的穿通型SiC IGBT，可廣泛用于變頻器、逆變器、開關(guān)電源、照明電路和電機(jī)等領(lǐng)域。
技術(shù)背景
[0002]碳化硅絕緣柵雙極型晶體管，即SiC IGBT，是基于碳化硅材料發(fā)展起來的新型耐高壓器件。目前電力電子領(lǐng)域應(yīng)用的固態(tài)主流器件是Si IGBT，其關(guān)斷電壓為0.6?6.5kV。經(jīng)過三十年的發(fā)展，Si IGBT已達(dá)到性能和器件結(jié)構(gòu)的極限，而隨著電動汽車、光伏和風(fēng)能綠色能源、智能電網(wǎng)等新的應(yīng)用發(fā)展，要求電力電子器件性能上新的飛躍。20世紀(jì)90年代中期，低微管缺陷密度的SiC寬禁帶半導(dǎo)體材料的突破，使新一代電力電子器件成為可能。寬禁帶的材料結(jié)構(gòu)導(dǎo)致半導(dǎo)體器件低漏電、高工作溫度和抗輻照等性能的改善。寬禁帶半導(dǎo)體SiC具有比Si高一個(gè)數(shù)量級的臨界擊穿電場，意味著SiC電力電子器件的關(guān)斷漂移層能更薄和具有更高的摻雜濃度，導(dǎo)致和Si同等器件相比具有低一個(gè)量級的導(dǎo)通電阻；更高的載流子飽和速度導(dǎo)致更高的工作頻率；更高的熱導(dǎo)率將改善熱耗散，使器件可以工作在更高的功率密度。
[0003]絕緣柵雙極型晶體管IGBT器件由于其簡單的柵驅(qū)動和較大的電流開關(guān)能力，在Si電力電子領(lǐng)域獲得較大的成功。而SiC MOS器件已推出高擊穿電壓和低界面態(tài)密度的器件，為SiC IGBT的開發(fā)鋪平了道路?；跍系罉O性的不同，SiC IGBT有兩種器件:一種是由P溝道MOS結(jié)構(gòu)和寬基區(qū)npn晶體管構(gòu)成的p-1GBT，另一種是由η溝道MOS和寬基區(qū)ρηρ晶體管構(gòu)成的n-1GBT。由于n-1GBT背面的p+np晶體管比p-1GBT的n+pn有更低的電流增益，所以n-1GBT具有更快的開關(guān)速度，而且n-1GBT在阻斷電壓等性能上都要強(qiáng)于p-1GBT。
[0004]傳統(tǒng)的N溝道SiC IGBT的工藝步驟是:首先在充當(dāng)集電極的P型襯底硅面上生長50?200 μ m厚的N型外延耐壓層；然后在耐壓層上繼續(xù)外延生長濃度較耐壓層略高的同類型緩沖層；接著在緩沖層上通過離子注入形成P阱區(qū)、發(fā)射區(qū)和重?fù)诫s金屬接觸區(qū)；然后生長刻蝕柵氧化層、淀積多晶硅；最后淀積、光刻金屬層。這種方法存在以下不足:
[0005]1.充當(dāng)集電極的P型襯底缺陷多，導(dǎo)通電阻大。
[0006]2.制備成本高。例如，SiC外延設(shè)備價(jià)格昂貴，外延過程耗能大等。
[0007]3.生長較厚外延層的技術(shù)難度大。對于生長100 μ m及以上厚度的外延層，其工藝要求高，在國際上只有像Cree等這樣頂尖的碳化硅器件公司才能做到，因此，技術(shù)瓶頸問題限制了大功率N溝道SiC IGBT的普及與應(yīng)用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明目的在于針對上述已有技術(shù)的不足，提出一種N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管的制備方法，以減小導(dǎo)通電阻和制備成本，避免工藝難度。
[0009]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的制備方法包括以下步驟:[0010](I)選用零微管的N型SiC襯底，其基平面位錯為104/(^3，襯底濃度2父1014~SXlO1W3,在該N型SiC襯底正面生長一層厚度為0.8~1.4μ m，氮離子摻雜濃度為
2X IO15~7 X IO15CnT3的N型外延層；
[0011](2)在上述N型外延層中間區(qū)域進(jìn)行P阱離子注入，注入雜質(zhì)為氮離子，摻雜濃度為 4X IO17Cm 3 ；
[0012](3)在P阱區(qū)中部進(jìn)行劑量為I X IO14~5X IO14CnT2、能量為100~200Kev的重?fù)诫sP+離子注入，形成體接觸區(qū)；
[0013](4)在P阱 區(qū)內(nèi)側(cè)兩邊用氮離子進(jìn)行劑量2X1014~I X 1015cnT2、能量為80~200Kev的發(fā)射極N+離子注入，形成發(fā)射極區(qū)；
[0014](5)在N型SiC襯底背面進(jìn)行劑量為8X IO13~4X IO14CnT2、能量為250~450Kev的集電極P+注入，形成集電極區(qū)；
[0015](6)將上述N型SiC襯底置于1650~1750°C下，進(jìn)行8~14分鐘的高溫退火，激活所有注入雜質(zhì)；
[0016](7)在上述處理后的N型SiC襯底正面生長厚度為50~IOOnm的氧化層，并光刻、刻蝕出柵氧化層；
[0017](8)在柵氧化層上用低壓化學(xué)氣相法淀積多晶硅并刻蝕出多晶硅柵；
[0018](9)引出電極:
[0019]在長有柵氧化層與多晶硅柵的N型SiC襯底的體接觸區(qū)上面依次淀積T1、Al、Ni，接著在發(fā)射極區(qū)上面依次淀積T1、Ni，引出發(fā)射極；
[0020]在多晶硅柵上依次淀積T1、Au，引出柵極；
[0021 ] 在襯底背面依次淀積T1、Al、Ni，引出集電極；
[0022](10)將上述襯底在900°C下進(jìn)行金屬燒結(jié)3~6分鐘，形成良好接觸。
[0023]本發(fā)明由于選用沒有微管結(jié)構(gòu)的N型SiC襯底制備IGBT器件，無需進(jìn)行過厚耐壓層的外延生長，可直接通過離子注入制備器件；同時(shí)由于省去了外延工藝，進(jìn)而降低了制備難度，節(jié)省了制備成本與時(shí)間，極大得節(jié)約了資源與能源。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是本發(fā)明制備器件的流程圖；
[0025]圖2是本發(fā)明制備的器件結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖3是本發(fā)明制備器件的工藝流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]本發(fā)明所用到的設(shè)備主要有熱氧化爐，離子注入機(jī)，磁控濺射儀，多晶硅淀積設(shè)備。
[0028]本發(fā)明要制備的N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管，如圖2所示，其結(jié)構(gòu)包括N型SiC襯底1，N型外延層2，P阱區(qū)3，P+體接觸區(qū)4，N+發(fā)射區(qū)5，P+集電區(qū)6，柵氧化層7，多晶硅柵8，體接觸區(qū)金屬層9，發(fā)射區(qū)金屬層10，柵極金屬層11，集電極金屬層12。其中，N型外延層2位于N型SiC襯底I上方，P阱區(qū)3位于N型外延層2的上方中部區(qū)域，P+體接觸區(qū)4位于P阱區(qū)3的上方中部區(qū)域，N+發(fā)射區(qū)5分別位于P阱區(qū)3的左上角與右上角，P+集電極區(qū)6位于N型SiC襯底I的下方，柵氧化層7位于N型SiC襯底I的左上方與右上方，多晶硅柵8位于柵氧化層7的上方，體接觸區(qū)金屬層9位于P+體接觸區(qū)4的上方，發(fā)射區(qū)金屬層10位于N+發(fā)射區(qū)5的上方,柵極金屬層11位于多晶娃柵8的上方,集電極金屬層12位于P+集電極區(qū)6的下方。
[0029]參照圖1和圖3，本發(fā)明制備所述N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管的方法，給出如下三種實(shí)施例:
[0030]實(shí)施例1:在基平面位錯為104/cm_3、襯底濃度為2X IO14CnT3的無微管結(jié)構(gòu)N型SiC襯底上，制備N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管。
[0031]步驟1:生長外延層。
[0032]先對N型的碳化硅襯底I進(jìn)行RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗，然后，在整個(gè)襯底上外延生長厚度為
0.8 μ m、氮離子摻雜濃度為2 X IO15CnT3的N型外延層2，如圖3a，其外延的工藝條件是:溫度16000C，壓力lOOmbar，反應(yīng)氣體采用硅烷和丙烷，載運(yùn)氣體采用純氫氣，摻雜源采用液態(tài)氮?dú)狻?br> [0033]步驟2:P阱注入。
[0034](2.1)采用低壓化學(xué)汽相淀積方式在整個(gè)碳化硅外延層上淀積厚度為1.5μπι的Al作為P阱離子注入的阻擋層，接著涂膠、光刻出P阱注入?yún)^(qū)窗口 ；
[0035](2.2)在600°C的環(huán)境溫度，在上述P阱注入?yún)^(qū)窗口進(jìn)行三次Al離子注入:
[0036]先以9.8 X IO11CnT2的注入劑量、520keV的注入能量進(jìn)行第一次離子注入；
[0037]接著，以7X IO11CnT2的注入劑量、300keV的注入能量進(jìn)行第二次離子注入；
[0038]最后，以4.9 X IO11CnT2的注入劑量、150keV的注入能量進(jìn)行第三次離子注入，形成P阱區(qū)3，如圖3b。
[0039]步驟3:P+體接觸區(qū)注入。
[0040]在N型SiC襯底正面涂膠、光刻出體接觸區(qū)窗口，在該窗口用鋁離子進(jìn)行P+重?fù)诫s的離子注入，注入劑量為5X1013cm_2，注入能量為lOOKev，形成P+體接觸區(qū)4，如圖3c。
[0041]步驟4:發(fā)射區(qū)注入。
[0042]在N型SiC襯底正面涂膠、光刻出發(fā)射區(qū)窗口，在該窗口用氮離子進(jìn)行器件發(fā)射區(qū)的N+離子注入，注入劑量I X IO1W2,注入能量為lOOKev，形成N+發(fā)射區(qū)5，再去除掩膜作用的Al金屬層，如圖3c。
[0043]步驟5:集電區(qū)離子注入。
[0044]在SiC襯底的背面進(jìn)行集電區(qū)的P+離子注入，注入劑量為8X1013cm_2，注入能量為250Kev，形成集電區(qū)6，如圖3d。
[0045]步驟6:將完成上述工藝后的N型SiC襯底置于氬氣環(huán)境中，在1650°C下進(jìn)行高溫退火14分鐘，完成推阱，激活注入雜質(zhì)。
[0046]步驟7:柵氧化層的制備。
[0047](7.1)在1200°C下對襯底正面干氧氧化I小時(shí)之后，再在950°C下濕氧氧化I小時(shí)，在襯底正面形成厚度為50nm的氧化層；然后在1050°C的N2氛圍下進(jìn)行退火，降低SiO2薄膜表面的粗糙度；
[0048](7.2)在氧化層上涂膠光刻出柵氧化層7，如圖3e，然后去膠，清洗。
[0049]步驟8:多晶硅柵的制備。[0050]在80Pa壓強(qiáng)下，采用低壓化學(xué)氣象淀積法在上述含有柵氧化層的襯底正面上淀積厚度為2um的多晶硅，然后進(jìn)行涂膠光刻，刻蝕出器件的多晶硅柵8，如圖3e。
[0051]步驟9:制備電極。
[0052](9.1)在襯底正面涂膠，光刻出體接觸區(qū)上方窗口，采用磁控濺射淀積體接觸區(qū)金屬層9,即先淀積33nm厚的Ti金屬層，接著淀積167nm厚的Al金屬層，再淀積50nm厚的Ni金屬層，接著通過超聲波剝離形成體接觸區(qū)金屬層9，如圖3f ；
[0053](9.2)在襯底正面上涂膠，光刻出發(fā)射區(qū)上方窗口，采用磁控濺射淀積發(fā)射區(qū)金屬層10,即先淀積50nm厚的Ti金屬層,再淀積IOOnm厚的Ni金屬層,接著通過超聲波剝離形成發(fā)射區(qū)金屬層10，如圖3f ;
[0054](9.3)在襯底正面上涂膠，光刻出多晶硅柵上方窗口，采用磁控濺射淀積多晶硅柵金屬層11，即先淀積50nm厚的Ti金屬層,再淀積IOOnm厚的Au金屬層,接著通過超聲波剝離形成多晶硅柵金屬層11，如圖3g ;進(jìn)行金屬鈍化，保護(hù)器件正面；
[0055](9.4)在襯底背面集電區(qū)上淀積集電極區(qū)金屬層12，即依次磁控濺射淀積33nm厚的T1、167nm厚的Al、IOOnm厚的Ni金屬層，引出集電極，如圖3g。
[0056]步驟10:在900°C高溫下進(jìn)行金屬燒結(jié)，持續(xù)時(shí)間3分鐘，使器件金屬層形成良好接觸。
[0057]實(shí)施例2:在基平面位錯為104/cm_3、襯底濃度為3X IO14CnT3的無微管結(jié)構(gòu)N型SiC襯底上，制備N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管。
[0058]參照圖1和圖2，本實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)步驟如下:
[0059]第一步:先對N型SiC襯底I進(jìn)行RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗，在整個(gè)襯底片上外延生長厚度為I μ m、氮離子摻雜濃度為5 X IO15CnT3的N型外延層2，如圖3a，其工藝條件是:溫度是1600°C，壓力是lOOmbar，反應(yīng)氣體采用硅烷和丙烷，載運(yùn)氣體采用純氫氣，摻雜源采用液態(tài)氮?dú)狻?br> [0060]第二步:P阱注入。
[0061]本步驟的具體實(shí)施與實(shí)施例1的步驟2相同。
[0062]第三步:在整個(gè)外延層上涂膠，光刻出P阱區(qū)3的中間位置的體接觸區(qū)窗口，在該窗口用鋁離子進(jìn)行P+重?fù)诫s的離子注入，注入劑量為3 X IO1W2,注入能量為150Kev，形成P+體接觸區(qū)4，如圖3c。
[0063]第四步:在整個(gè)外延層上涂膠，光刻出P阱區(qū)窗口兩邊內(nèi)側(cè)區(qū)域的發(fā)射區(qū)窗口，在該窗口用氮離子進(jìn)行器件發(fā)射區(qū)的N+離子注入，注入劑量為7X 1014cnT2，注入能量為150Kev，形成N+發(fā)射區(qū)5，接著去除掩膜作用的Al金屬層，如圖3c ；
[0064]第五步:在SiC襯底的背面進(jìn)行集電區(qū)的P+離子注入，注入劑量為lX1014cm_2，注入能量為350Kev，形成集電區(qū)6，如圖3d ；
[0065]第六步:將完成上述工藝后的N型SiC襯底置于氬氣環(huán)境中，在1700°C下進(jìn)行高溫退火10分鐘，完成推阱，激活注入雜質(zhì)；
[0066]第七步:在1200°C下對N型SiC襯底正面干氧氧化2小時(shí)之后，再在950°C下濕氧氧化I小時(shí)，在襯底正面形成厚度為70nm的氧化層；然后在1050°C的N2氛圍下進(jìn)行退火，降低SiO2薄膜表面的粗糙度；接著，在氧化層上涂膠光刻出柵氧化層7，如圖3e，然后去膠，清洗。[0067]第八步:在150Pa壓強(qiáng)下，采用低壓化學(xué)氣象淀積法在上述含有柵氧化層的襯底正面上淀積厚度為3um的多晶硅，然后進(jìn)行涂膠光刻，刻蝕出器件的多晶硅柵8，如圖3e。
[0068]第九步:制備電極。
[0069]本步驟的具體實(shí)施與實(shí)施例1的步驟9相同。
[0070]第十步:在900°C高溫下進(jìn)行金屬燒結(jié)，持續(xù)時(shí)間5分鐘，使器件金屬層形成良好接觸。
[0071]實(shí)施例3
[0072]在基平面位錯為104/cm_3、襯底濃度為5 X IO14CnT3的無微管結(jié)構(gòu)N型SiC襯底上，制備N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管。
[0073]參照圖1和圖2，本實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)步驟如下:
[0074]步驟A:外延層生長。
[0075]先對N型的碳化硅襯底I進(jìn)行RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗，然后，在整個(gè)襯底上外延生長厚度為
1.4 μ m、氮離子摻雜濃度為7 X IO15CnT3的N型外延層2，如圖3a，其外延的工藝條件是:溫度16000C，壓力lOOmbar，反應(yīng)氣體采用硅烷和丙烷，載運(yùn)氣體采用純氫氣，摻雜源采用液態(tài)氮?dú)狻?br> [0076]步驟B:P阱注入。
[0077]本步驟的具體實(shí)施與實(shí)施例1的步驟2相同。
[0078]步驟C:P+體接觸區(qū)注入。
[0079]在N型SiC襯底正面涂膠、光刻出體接觸區(qū)窗口，在該窗口用鋁離子進(jìn)行P+重?fù)诫s的離子注入，注入劑量為5X1014cm_2，注入能量為200Kev，形成P+體接觸區(qū)4，如圖3c。
[0080]步驟D:發(fā)射區(qū)注入。
[0081]在N型SiC襯底正面涂膠、光刻出發(fā)射區(qū)窗口，在該窗口用氮離子進(jìn)行器件發(fā)射區(qū)的N+離子注入，其注入劑量I X 1015cm_2，注入能量為200Kev，形成N+發(fā)射區(qū)5，再去除掩膜作用的Al金屬層，如圖3c。
[0082]步驟E:集電區(qū)離子注入。
[0083]在SiC襯底的背面進(jìn)行集電區(qū)的P+離子注入，注入劑量為4X1014cm_2，注入能量為450Kev，形成集電區(qū)6，如圖3d。
[0084]步驟F:高溫退火。
[0085]將完成上述工藝后的N型SiC襯底置于氬氣環(huán)境中，在1750°C下進(jìn)行高溫退火8分鐘，完成推阱，激活注入雜質(zhì)。
[0086]步驟G:柵氧化層的制備。
[0087](Gl)在1200°C下對襯底正面干氧氧化3個(gè)小時(shí)之后，再在950°C下濕氧氧化90分鐘，在襯底正面形成厚度為IOOnm的氧化層；然后在1050°C的N2氛圍下進(jìn)行退火，降低SiO2薄膜表面的粗糙度；
[0088](G2)在氧化層上涂膠光刻出柵氧化層7，如圖3e，然后去膠，清洗。
[0089]步驟H:多晶硅柵的制備。
[0090]在200Pa壓強(qiáng)下，采用低壓化學(xué)氣象淀積法在上述含有柵氧化層的襯底正面上淀積厚度為5um的多晶硅，然后進(jìn)行涂膠光刻，刻蝕出器件的多晶硅柵8，如圖3e。
[0091]步驟1:制備電極。[0092]本步驟的具體實(shí)施與實(shí)施例1的步驟9相同。
[0093]步驟J:在900°C高溫下進(jìn)行金屬燒結(jié)，持續(xù)時(shí)間6分鐘，使器件金屬層形成良好接觸。
【權(quán)利要求】
1.一種N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管的制備方法，包括以下步驟: (O選用零微管的N型SiC襯底，其基平面位錯為104/cm_3，襯底濃度2 X IO14~SXlO1W3,在該N型SiC襯底正面生長一層厚度為0.8~1.4μ m，氮離子摻雜濃度為2X IO15~7 X IO15CnT3的N型外延層； (2)在上述N型外延層中間區(qū)域進(jìn)行P阱離子注入，注入雜質(zhì)為氮離子，摻雜濃度為4 X IO1W3 ； (3)在P阱區(qū)中部進(jìn)行劑量為IX IO14~5X IO14CnT2、能量為100~200Kev的重?fù)诫sP+離子注入，形成體接觸區(qū)； (4)在P阱區(qū)內(nèi)側(cè)兩邊用氮離子進(jìn)行劑量2XIO14~IX 1015cnT2、能量為80~200Kev的發(fā)射極N+離子注入，形成發(fā)射極區(qū)； (5)在N型SiC襯底背面進(jìn)行劑量為8X IO13~4 X IO14CnT2、能量為250~450Kev的集電極P+注入，形成集電極區(qū)； (6)將上述N型SiC襯底置于1650~1750°C下，進(jìn)行8~14分鐘的高溫退火，激活所有注入雜質(zhì)； (7)在上述處理后 的N型SiC襯底正面生長厚度為50~IOOnm的氧化層，并光刻、刻蝕出柵氧化層； (8)在柵氧化層上用低壓化學(xué)氣相法淀積多晶硅并刻蝕出多晶硅柵； (9)引出電極: 在長有柵氧化層與多晶硅柵的N型SiC襯底的體接觸區(qū)上面依次淀積T1、Al、Ni，接著在發(fā)射極區(qū)上面依次淀積T1、Ni，引出發(fā)射極； 在多晶硅柵上依次淀積T1、Au，引出柵極； 在襯底背面依次淀積T1、Al、Ni，引出集電極； (10)將上述襯底在900°C下進(jìn)行金屬燒結(jié)3~6分鐘，形成良好接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管方法，其特征在于所述步驟(I)中生長的N型外延層，其生長工藝條件是:溫度為1600°C，壓力為lOOmbar，反應(yīng)氣體采用硅烷和丙烷，載運(yùn)氣體采用純氫氣，摻雜源采用液態(tài)氮?dú)狻?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管制備方法，其特征在于所述步驟(2)中的P阱區(qū)注入，其工藝條件為:在600°C的環(huán)境溫度下進(jìn)行三次氮離子注入，先后注入的劑量為9.8X10ncm_2、7X10ncm_2、4.9X10ncm_2,。其對應(yīng)的能量分別為520keV、300keV、150keV。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管制備方法，其特征在于所述步驟(7)中的氧化層生長，其工藝條件是:干氧氧化溫度1200°C，濕氧氧化溫度950°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管制備方法，其特征在于所述步驟(8)的低壓化學(xué)氣相淀積，是在80~200Pa壓強(qiáng)下淀積厚度為2~5 μ m多晶硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管制備方法，其特征在于步驟(9)所述的在長有柵氧化層與多晶硅柵的N型SiC襯底的體接觸區(qū)上面依次淀積T1、Al、Ni，其厚度分別為 33nm、167nm、50nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管制備方法，其特征在于步驟(9)所述的在發(fā)射極區(qū)上面依次淀積T1、Ni，其厚度分別為50nm、100nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管制備方法，其特征在于步驟(9)所述的在多晶硅柵上依次淀積T1、Au，其厚度分別為50nm、100nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N溝道碳化硅絕緣柵雙極型晶體管制備方法，其特征在于步驟(9)所述的在襯底背面依次淀積T1、Al、Ni，其厚度分別為33nm、167nm、100nm。
【文檔編號】H01L21/28GK103928309SQ201410161027
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年4月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月21日
【發(fā)明者】郭輝, 翟華星, 宋慶文, 張藝蒙, 張玉明, 湯曉燕 申請人:西安電子科技大學(xué)