發光器件和具有發光器件的發光器件封裝的制作方法

發光器件和具有發光器件的發光器件封裝的制作方法
【專利摘要】本發明公開了發光器件和具有發光器件的發光器件封裝。發光器件包括：發光結構，該發光結構包括第一導電半導體層、第二導電半導體層、以及第一導電半導體層和第二導電半導體層之間的有源層；電極，該電極被電氣地連接到第一導電半導體層；反射層，該反射層在第二導電半導體層下面；保護層，該保護層被布置在第二導電半導體層的下表面的周圍；以及緩沖層，該緩沖層被布置在保護層的頂表面和下表面中的至少一個上。
【專利說明】發光器件和具有發光器件的發光器件封裝
[0001]本申請是2011年2月9日提交的申請號為201110036118.6，發明名稱為“發光器件和具有發光器件的發光器件封裝”的專利申請的分案申請。
【技術領域】
[0002]本發明涉及發光器件和具有發光器件的發光器件封裝。
【背景技術】
[0003]由于其物理和化學特性，II1-V族氮化物半導體已經被廣泛地用作用于諸如發光二極管(LED)或者激光二極管(LD)的發光器件的主要材料。通常，II1-V族氮化物半導體包括具有InxAlyGa1^N (O≤x≤1，0≤y≤1，以及O≤x+y≤I)的組成式的半導體材料。
[0004]LED是通過使用化合物半導體的特性將電信號轉換為紅外線或者光來發送/接收信號的半導體器件。LED還被用作光源。
[0005]使用氮化物半導體材料的LED或者LD主要用于發光器件以提供光。例如，LED或者LD被用作用于諸如蜂窩電話的鍵區發光部分、電子標識牌、以及發光裝置的各種產品的光源。

【發明內容】

[0006]實施例提供包括緩沖層以保護保護層的發光器件和具有發光器件的發光器件封裝。
[0007]實施例提供包括在發光結構的溝道區域中具有與保護層的優異的粘附強度的包括氧化物的緩沖層的發光器件，和具有發光器件的發光器件封裝。
[0008]根據實施例，發光器件包括:發光結構，該發光結構包括第一導電半導體層、第二導電半導體層、以及在第一導電半導體層和第二導電半導體層之間的有源層；電極，該電極被電氣地連接到第一導電半導體層；反射層，該反射層在第二導電半導體層下面；保護層，該保護層被布置在第二導電半導體層的下表面的周圍；以及緩沖層，該緩沖層被布置在保護層的頂表面和下表面中的至少一個上。
[0009]根據實施例，發光器件包括:發光結構，該發光結構包括第一導電半導體層、第二導電半導體層、以及在第一導電半導體層和第二導電半導體層之間的有源層；電極，該電極與第一導電半導體層電氣地連接；歐姆層，該歐姆層在第二導電半導體層下面；反射層，該反射層在歐姆層下面；保護層，該保護層被布置在第二導電半導體層的下表面的周圍；以及第一緩沖層，該第一緩沖層接觸保護層的下表面的外部。
[0010]根據實施例，發光器件封裝包括:主體；主體上的多個引線電極；發光器件，該發光器件被提供在引線電極中的至少一個上并且電氣地連接到引線電極；以及成型構件，該成型構件在發光器件上。該發光器件包括:發光結構，該發光結構包括第一導電半導體層、第二導電半導體層、以及在第一導電半導體層和第二導電半導體層之間的有源層；電極，該電極被電氣地連接到第一導電半導體層；反射層，該反射層在第二導電半導體層下面；保護層，該保護層被布置在第二導電半導體層的下表面的周圍；以及緩沖層，該緩沖層被布置在保護層的下表面和頂表面中的至少一個上。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是示出根據第一實施例的發光器件的側截面圖；
[0012]圖2至圖9是示出圖1的發光器件的制造方法的視圖；
[0013]圖10是示出根據第二實施例的發光器件的側截面圖；
[0014]圖11是示出根據第三實施例的發光器件的側截面圖；
[0015]圖12和圖13是示出根據第四實施例的發光器件的制造方法的視圖；
[0016]圖14是示出根據第五實施例的發光器件的側截面圖；
[0017]圖15是示出根據實施例的發光器件封裝的側截面圖；
[0018]圖16是被提供有發光器件的顯示設備的分解透視圖；
[0019]圖17是示出被提供有發光器件的顯示設備的另一示例的示意性截面圖；以及
[0020]圖18是被提供有發光器件的照明單元的透視圖。
【具體實施方式】
[0021]在實施例的描述中，將理解的是，當層(或膜)、區域、圖案或結構被稱為在另一襯底、另一層(或膜)、另一區域、另一墊、或者另一圖案“上”或“下”時，它能夠“直接地”或“間接地”在另一襯底、層(或膜)、區域、墊、或圖案上，或者也可以存在一個或多個中間層。已經參考附圖描述了層的這樣的位置。
[0022]為了方便或清楚起見，附圖中所示的每層的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性繪制。另外，元件的尺寸沒有完全反映真實尺寸。
[0023]圖1是示出根據第一實施例的發光器件100的側截面圖。
[0024]參考圖1,發光器件100包括:發光結構135,該發光結構135包括多個化合物半導體層110、120、以及130 ;保護層140 ;歐姆層145 ;反射層150 ;緩沖層155 ;粘附層160 ;導電支撐構件170 ;以及絕緣層190。
[0025]發光器件100可以包括包含II1-V族元素的化合物半導體的發光二極管(LED)。II1-V族氮化物半導體包括具有InxAlyGa^N (O≤x≤1，0≤y≤1，并且O≤x+y≤I)的組成式的半導體材料。LED可以是發射藍、綠、或者紅光的可見光帶的LED，或者UV LED,但是可以在實施例的技術范圍內不同地實現LED。
[0026]發光結構包括第一導電半導體層110、有源層120、以及第二導電半導體層130。
[0027] 第一導電半導體層110可以包括從由是被摻雜有第一導電摻雜物的II1-V族元素的化合物半導體的 GaN、AIN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP組成的組中選擇的一個。當第一導電半導體層110是N型半導體時，第一導電摻雜物包括諸如S1、Ge、Sn、Se、或者Te的N型摻雜物。第一導電半導體層110可以具有單層結構或者多層結構，但是實施例不限于此。為了光提取效率的目的，第一導電半導體層110在其頂表面上可以被提供有諸如粗糙圖案112的光提取結構。為了電流擴散和光提取的目的，第一導電半導體層110在其頂表面上可以被提供有透明電極層或者絕緣層。[0028]電極115可以形成在第一導電半導體層110上。電極115可以包括具有與焊盤相連接的分支結構的電極圖案，但是實施例不限于此。電極115在其頂表面上可以被提供有粗糙和/或圖案，但是實施例不限于此。其上形成電極115的第一導電半導體層110的頂表面可以是平坦的，但是實施例不限于此。
[0029]電極115可以歐姆接觸第一導電半導體層110的頂表面。電極115可以具有包括從由Cr、T1、Al、In、Ta、Pd、Co、N1、S1、Ge、Ag、Cu、Au、以及其混合物組成的組中選擇的至少一個的多層結構或者單層結構。電極115可以基于與第一導電半導體層110的歐姆接觸、金屬層之間的粘附性能、反射性能、以及導電性而包括上述材料。
[0030]有源層120形成在第一導電半導體層110下面。有源層120可以具有單量子阱結構、多量子阱結構、量子線結構、以及量子點結構。有源層120可以具有包括由II1-V族元素的化合物半導體組成的阱層和勢壘層的堆疊結構。例如，有源層120可以具有InGaN阱層/GaN勢壘層、InGaN阱層/AlGaN勢壘層、或者InGaN阱層/InGaN勢壘層的堆疊結構，但是實施例不限于此。
[0031]導電包覆層可以形成在有源層120上和/或下面。導電包覆層可以包括氮化物基半導體。勢壘層可以具有高于阱層的帶隙的帶隙，并且導電包覆層可以具有高于勢壘層的帶隙的帶隙。
[0032]第二導電半導體層130形成在有源層120下面。第二導電半導體層130包括摻雜有第二導電摻雜物的II1-V族元素的化合物半導體。例如，第二導電半導體層130可以包括從由 GaN、AIN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP,以及 AlGaInP組成的組中選擇的至少一個。如果第二導電半導體層130是P型半導體層，那么第二導電半導體層130可以被制備為單層或者多層，但是實施例不限于此。
[0033]發光結構135可以進一步包括第二導電半導體層120下面的第三導電半導體層。第三導電半導體層可以具有與第二導電半導體層120的極性相反的極性。第一導電半導體層110可以包括P型半導體層，并且第二導電半導體層130可以包括N型半導體層。因此，發光結構135可以包括N-P結結構、P-N結結構、N-P-N結結構、以及P_N_P結結構中的至少一個。
[0034]保護層140和電極層150形成在第二導電半導體層130或者第三導電半導體層下面。在下文中，為了進行解釋，第二導電半導體層130將會用作發光結構135的最下層。
[0035]保護層140被設置在是芯片的外部的溝道區域105處，并且溝道區域105變成與芯片之間的邊界相對應的芯片的外圍部分。保護層140可以被定義為芯片的溝道層。保護層140的頂表面的外部被暴露到外面，或者可以由例如絕緣層190的其它材料覆蓋。另夕卜，保護層140在其頂表面上可以被提供有粗糙和/或圖案，并且保護層140和保護層140的粗糙和/或圖案能夠提高溝道區域中的光提取效率。粗糙或者圖案形成在保護層140的頂表面的外部處，并且可以包括不同于保護層140的材料的材料。粗糙或者圖案可以包括具有不同于保護層140的折射率的折射率的材料。粗糙或者圖案可以包括II1-V族元素的化合物半導體。例如，粗糙或者圖案可以包括從由GaN、AIN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs, GaP、GaAs, GaAsP,以及AlGaInP組成的組中選擇的一個。通過使用可以通過隔離蝕刻工藝形成的第二導電半導體可以形成粗糙或者圖案。
[0036]保護層140的頂表面的內部以預定的寬度Dl接觸第二導電半導體層130的下表面的外部。寬度Dl處于數微米(μ m)或者數十微米(μ m)內。寬度Dl可以取決于芯片尺寸而變化。
[0037]在第二導電半導體層130的下表面的外圍部分處可以以回路形、環形、或者框架形形成保護層140。保護層140可以具有連續的圖案形狀或者不連續的圖案形狀。
[0038]保護層140可以包括諸如透射氧化物、透射氮化物、或者透射絕緣材料的材料并且具有低于II1-V族元素的化合物半導體的折射率的折射率。保護層140可以包括從由銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、銦鋅錫氧化物(ΙΖΤ0)、銦鋁鋅氧化物(ΙΑΖ0)、銦鎵鋅氧化物(IGZ0)、銦鎵錫氧化物(IGT0)、鋁鋅氧化物(ΑΖ0)、銻錫氧化物(ΑΤ0)、鎵鋅氧化物(GZO)、SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Α1203、以及 TiO2 組成的組中選擇的一個。
[0039]如果保護層140包括SiO2，那么保護層140可以具有大約2.3的折射率，并且ITO和GaN的折射率分別大約是2.1和大約2.4。因此，通過第二導電半導體層130入射到保護層140的光能夠被輸出到外部。在這樣的情況下，能夠提高光提取效率。
[0040]即使發光結構135的外壁被暴露給濕氣，保護層140也能夠防止發光結構135被短路，從而使LED 能夠在高濕氣條件下具有優秀的性能。如果保護層140包括透射材料，那么當執行激光劃片工藝時，激光束通過保護層140從而沒有從溝道區域105產生由激光束引起的金屬顆粒，從而防止在發光結構135的側壁處出現層間短路。
[0041]保護層140將發光結構135的每一層110、120、或者130的外壁與反射層150分隔開。保護層140可以具有大約0.02 μ m至大約5 μ m的厚度，并且厚度可以根據芯片尺寸而變化。
[0042]緩沖層155形成在保護層140下面。緩沖層155用作針對被施加到保護層140的外部沖擊的緩沖。緩沖層155被布置在保護層140和粘附層160之間，使得能夠提高保護層140的粘附強度。緩沖層155用作用于氧化物粘附的金屬層或者氧化物緩沖層。緩沖層155可以被定義為芯片的溝道緩沖層。
[0043]緩沖層155形成在保護層140的下表面的整個部分或者保護層140的下表面的一部分處。緩沖層155的外部156可以延伸到保護層140的外橫向表面。換言之，緩沖層155可以被設置在保護層140下面和保護層140的外橫向表面處。緩沖層155可以具有大約1“111至1(^111的厚度。緩沖層155可以具有大約Inm至大約100 μ m的寬度。緩沖層155可以根據隔離蝕刻寬度而具有各種寬度。
[0044]緩沖層155可以提高溝道區域105中與保護層140有關的粘附強度。緩沖層155可以以單層結構或者多層結構包括從是具有優秀的與氧化物的粘附強度的金屬材料的T1、N1、W、Pt、Pd、Cu、Mo、In、Sn、以及其合金組成的組中選擇的一個。
[0045]緩沖層155的外部156可以完全地或者部分地覆蓋保護層140的外部。緩沖層155的外部156可以延伸到第二導電半導體層130的下表面。
[0046]歐姆層145可以包括像電流阻擋層一樣改變電阻的材料，并且可以以層或者圖案的形式提供歐姆層145。歐姆層145形成在發光結構135的第二導電半導體層130和反射層150之間。歐姆層145可以包括從是導電氧化物基材料的ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZ0、IGT0、AZ0、AT0、以及GZO組成的組中選擇的一個，并且可以通過上述材料進行歐姆接觸。歐姆層145可以具有至少一個圖案并且可以包括從由Si02、Si0x、Si0xNy、Si3N4、Al203、以及TiO2組成的組中選擇的一個。反射層150可以在歐姆層145的圖案之間的區域中接觸第二導電半導體層130。
[0047]通過對第二導電半導體層130的下表面執行濺射方案(例如，射頻磁電管濺射)或者沉積方案可以形成歐姆層145，但是實施例不限于此。歐姆層145的厚度可以根據電流阻擋層而變化，但是實施例不限于此。
[0048]歐姆層145接觸第二導電半導體層130的下部以將通過反射層150施加的電流提供到第二導電半導體層130或者改變電流路徑。
[0049]可以從第二導電半導體層130或者歐姆層145的下表面向內地提供反射層150。
[0050]反射層150可以被提供在歐姆層145下面，并且可以包括反射金屬。反射層150可以包括晶種金屬，并且晶種金屬被用于鍍工藝。因此，反射層150可以包括歐姆層、晶種層、或者反射層，但是實施例不限于此。
[0051]反射層150可以覆蓋保護層140的下表面的一部分。保護層140的下表面的該部分可以對應于保護層140的寬度的大約80%或者更少。
[0052]反射層150可以以單層結構或者多層結構包括從由Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、以及其組合組成的組中選擇的一個。反射層150可以以多重結構選擇性地包括上述材料和諸如ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、ΑΖ0、以及ATO的導電氧化物材料。例如，反射層150可以具有IZO/N1、AZO/Ag、IZO/Ag/N1、或者AZO/Ag/Ni的堆疊結構。
[0053]粘附層160可以形成在反射層150和緩沖層155下面。粘附層160可以接觸保護層140的下表面。接觸面積可以根據反射層150或者緩沖層155而變化，但是實施例不限于此。粘附層160可以包括阻擋金屬或者結合金屬。例如，粘附層160可以包括從由T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag以及Ta組成的組中選擇的至少一個。
[0054]粘附層160可以用作結合層，并且與被提供在粘附層160下面的導電支撐構件170結合。導電支撐構件170能夠被鍍在反射層150上或者在以片的形式附著到反射層150而沒有使用粘附層160。
[0055]導電支撐構件170形成在粘附層160下面，并且用作基底襯底。導電支撐構件170可以包括銅(Cu)、金(Au)、鎳(Ni)、鑰(Mo)、銅鎢(Cu-W)、或者諸如 S1、Ge、GaAs, Zn。、SiC,SiGe、或者GaN的載具晶圓。可以不形成導電支撐構件170，或者可以以導電片的形式制備導電支撐構件170。
[0056]發光結構135的外表面可以傾斜，并且絕緣層190可以形成在發光結構135的外表面上。絕緣層190的下端可以部分地接觸保護層140的頂表面，或者可以完全地覆蓋保護層140的頂表面。絕緣層190的上端194可以形成在第一導電半導體層110周圍。因此，絕緣層190接觸保護層140，并且形成在發光結構135周圍，使得能夠防止在發光結構135的外表面處出現層間短路。絕緣層190可以包括具有小于化合物半導體的折射率(GaN:大約2.4)的折射率的諸如Si02、SiOx, SiOxNy> Si3N4、Al2O3、或者TiO2的材料。
[0057]圖2至圖9是示出圖1的發光器件的制造方法的截面圖。
[0058]參考圖2和圖3，襯底101被加載到生長設備并且I1-VI族元素的化合物半導體以層或者圖案的形式形成在襯底101上。
[0059]可以從由電子束蒸鍍機、PVD (物理氣相沉積)、CVD (化學氣相沉積)、PLD (等離子體激光沉積)、復型熱蒸鍍機、濺射、以及MOCVD (金屬有機化學氣相沉積)組成的組選擇生長設備。然而，實施例不限于此。[0060]襯底101 可以包括從由 Al203、GaN、SiC、Zn0、S1、GaP、InP、Ga203、導電材料以及GaAs組成的組中選擇的一個。凹凸圖案可以形成在襯底101的頂表面上。襯底101在其上被提供有包括I1-VI族元素的化合物半導體的層或者圖案。例如，襯底101可以包括ZnO層(未不出)、緩沖層(未不出)、以及未摻雜的半導體層(未不出)中的至少一個。緩沖層和未摻雜的半導體層可以包括II1-V族元素的化合物半導體。緩沖層減少與襯底101的晶格常數差異，并且未摻雜的半導體層可以包括未摻雜的GaN基半導體層。
[0061]第一導電半導體層110形成在襯底101上，并且有源層120形成在第一導電半導體層110上。第二導電半導體層130形成在有源層120上。
[0062]第一導電半導體層110可以包括從由是被摻雜有第一導電摻雜物的II1-V族元素的化合物半導體的 GaN、AIN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP組成的組中選擇的一個。當第一導電半導體層110是N型半導體時，第一導電摻雜物包括諸如S1、Ge、Sn、Se、或者Te的N型摻雜物。第一導電半導體層110可以具有單層或者多層，但是實施例不限于此。
[0063]有源層120形成在第一導電半導體層110上。有源層120可以具有單量子阱結構、多量子阱結構、量子線結構、或者量子點結構。有源層120可以具有包括由II1-V族元素的化合物半導體組成的阱層和勢壘層的堆疊結構。例如，有源層120可以具有InGaN阱層/GaN勢壘層、InGaN阱層/AlGaN勢壘層、InGaN阱層/InGaN勢壘層的堆疊結構，但是實施例不限于此。
[0064]導電包覆層可以形成在有源層120上和/或下面。導電包覆層可以包括AlGaN基半導體。
[0065]第二導電半導體層130形成在有源層120上。第二導電半導體層130包括被摻雜有第二導電摻雜物的II1-V族化合物半導體。例如，第二導電半導體層130可以包括從由GaN、AIN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs, GaP、GaAs, GaAsP、以及 AlGaInP 組成的組中選擇的至少一個。如果第二導電半導體層130是P型半導體層，那么第二導電摻雜物包括諸如Mg或者Ze的P型摻雜物。第二導電半導體層130能夠被制備為單層或者多層，但是實施例不限于此。
[0066]第一導電半導體層110、有源層120、以及第二導電半導體層130可以被定義為發光結構135。另外，第二導電半導體層130在其上被提供有第三導電半導體，例如，具有與第二導電類型的極性相反的極性的N型半導體。因此，發光結構135可以包括N-P結結構、P-N結結構、N-P-N結結構、以及P-N-P結結構中的至少一個。
[0067]參考圖3和圖4，保護層140形成在與具有尺寸Tl的單個芯片的邊界相對應的溝道區域處。通過使用掩模圖案在單個芯片區域周圍形成保護層140。保護層140可以具有環形、帶形、或者框架形狀的連續圖案或者不連續的圖案。保護層140可以包括具有低于II1-V族元素的化合物半導體的折射率的折射率的材料(例如，氧化物、氮化物、或者絕緣材料)。保護層 140 可以包括從由 IT0、IZ0、IZT0、IAZ0、IGZ0、IGT0、AZ0、AT0、GZ0、Si02、Si0x、SiOxNy> Si3N4, A1203>以及TiO2組成的組中選擇的一個。通過光刻工藝通過使用掩模對保護層140進行圖案化和掩模化。使用上述材料通過濺射方案或者沉積方案可以形成保護層140。如果保護層140是導電氧化物，那么保護層140可以用作電流擴散層或者電流注入層。
[0068]在一個芯片尺寸Tl內，保護層140的下表面的內部可以以預定的寬度接觸第二導電半導體層130的頂表面的外部。在這樣的情況下，寬度處于數微米(μ m)(例如，I μ m或者更多)到數十微米(μ m)(例如，90 μ m或者更少)的范圍內，并且可以根據芯片尺寸而變化。
[0069]開口部分141形成在兩個相鄰的芯片的保護層140之間的區域的中心處，S卩，形成在兩個芯片之間的區域的中心處，并且沿著保護層140打開。通過開口部分141，化合物半導體層，例如，第二導電半導體層130或者第三導電半導體層可以被暴露。在下文中，根據實施例，第二導電半導體層130將會被描述為發光結構135的最高層。
[0070]參考圖5和圖6，緩沖層155形成在保護層140上。緩沖層155形成在兩個芯片之間的溝道區域處以接觸第二導電半導體層130的頂表面。
[0071]通過濺射方案、鍍方案或者沉積方案通過使用掩模圖案可以形成緩沖層155。在下文中，將會描述其中通過濺射方案或者沉積方案來形成緩沖層155的情況。緩沖層155形成在保護層140的外橫向表面和頂表面上。
[0072]緩沖層155全部地或者部分地形成在保護層140的頂表面上，并且沿著保護層140的外橫向表面可以形成與芯片邊界相對應的緩沖層155的外部156。緩沖層155可以覆蓋保護層140的外部。緩沖層155的外部156接觸第二導電半導體層130，使得能夠提高緩沖層155的粘附強度。
[0073]形成緩沖層155以提高與保護層140的粘附強度，并且包括從由是具有優秀的與氧化物的粘附強度的金屬材料的T1、N1、W、Pt、Pd、Cu、Mo、In、Sn、以及其合金組成的組中選擇的一個。
[0074]歐姆層145形成在第二導電半導體層130上。歐姆層145可以包括像電流阻擋層一樣改變電阻的材料，并且可以被以層或者圖案的形式提供。歐姆層145形成在發光結構135的第二導電半導體層130和反射層150之間。歐姆層145可以包括從由是導電氧化物基材料的ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、ΑΖΟ、ΑΤ0、以及GZO組成的組中選擇的一個，并且可以通過上述材料進行歐姆接觸。歐姆層145可以具有至少一個圖案并且可以包括從由SiO2, SiOx, SiOxNy> Si3N4, Α1203、以及TiO2組成的組中選擇的一個。如果歐姆層145包括與保護層140的材料相同的材料，那么通過與保護層140的工藝相同的工藝可以形成歐姆層145，但是實施例不限于此。
[0075]通過濺射方案(例如，射頻磁電管濺射)或者沉積方案可以在第二導電半導體層130的頂表面上形成歐姆層145，但是實施例不限于此。歐姆層145的厚度可以根據電流阻擋層而變化，但是實施例不限于此。
[0076]反射層150可以形成在歐姆層145上使得反射層150可以覆蓋歐姆層145的整個區域。另外，反射層150可以延伸到保護層140或者緩沖層155的頂表面，但是實施例不限于此。
[0077]反射層150可以以單層結構或者多層結構包括從由Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、以及其組合組成的組中選擇的一個。反射層150可以通過使用上述材料和諸如ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、ΑΖ0、以及ATO的導電氧化物材料具有多重結構。例如，反射層150可以具有IZO/N1、AZO/Ag、IZO/Ag/N1、或者AZO/Ag/Ni的堆疊結構。通過電子束(電子束)方案可以沉積反射層150或者通過濺射方案可以形成反射層150，但是實施例不限于此。如果反射層150包括與緩沖層155的材料相同的材料，那么通過與緩沖層155的工藝相同的工藝可以形成反射層150，但是實施例不限于此。
[0078]例如，反射層150可以具有第一粘附層/反射層/第二粘附層/晶種層的堆疊結構。第一和第二粘附層包括Ni，反射層包括Ag，并且晶種層包括Cu。第一粘附層可以具有數納米或者更少的厚度，并且反射層可以具有數百納米或更少的厚度。第二粘附層可以具有數十納米的厚度，并且晶種層可以具有Iym或者更少的厚度，但是實施例不限于此。
[0079]反射層150可以完全地或者部分地覆蓋保護層140。由于反射層150包括反射金屬，因此反射層150可以用作電極。反射層150和反射層150上方的金屬材料可以用作電極。
[0080]參考圖6和圖7，粘附層160形成在反射層150上。粘附層160可以包括阻擋金屬或者結合金屬。例如，粘附層160可以包括從由T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In, Bi, Cu, Ag以及Ta組成的組中選擇的至少一個，但是實施例不限于此。
[0081]粘附層160用作結合層，并且可以與被提供在粘附層160上的導電支撐構件170結合。導電支撐構件170用作基底襯底，并且可以包括Cu、Ag、N1、Mo、Cu-W、或者諸如S1、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe、或者GaN的載具晶圓。導電支撐構件170可以與粘附層160結合，涂覆在粘附層160上，或者以導電片的形式附著到粘附層160。根據實施例，導電支撐構件170可以在沒有粘附層160的情況下形成在反射層150上。
[0082]參考圖7和圖8，導電支撐構件170被提供在基底處。在襯底101被提供在發光結構135上之后，襯底101被去除。
[0083]通過激光剝離(LLO)工藝可以去除襯底101。根據LLO工藝，具有預定的波長帶的激光束被照射到襯底101上以分離襯底101。如果在襯底101和第一導電半導體層110之間存在另一半導體層(例如，緩沖層)或者空隙，那么可以通過使用濕法蝕刻劑去除襯底101。可以通過實施例的技術范圍內的各種方案去除襯底101。盡管在上述實施例中已經描述去除襯底101的方案，但是當具有特定折射率的半導體層形成在襯底101和第一導電半導體層110之間時，能夠從該半導體層分離襯底101。
[0084]另外，緩沖層155的一部分通過保護層140接觸第一導電半導體層110，從而防止在LLO工藝中在保護層140和粘附層160之間或者在保護層140和第二導電半導體層130之間分層。
[0085]參考圖8和圖9，在隔離蝕刻工藝期間去除芯片之間的發光結構以形成溝道區域105。換言之，對芯片之間的邊界區域執行隔離蝕刻工藝使得緩沖層155和保護層140的一部分可以被暴露在溝道區域105處。發光結構135的橫向表面可以傾斜或者垂直地形成。
[0086]當保護層140是透明材料時，保護層140允許激光束在激光劃片工藝或者隔離蝕刻工藝中從其通過，能夠防止諸如粘附層160和導電支撐構件170的金屬材料在激光束的照射方向上突出或者被損壞。
[0087]保護層140允許激光束從其通過以防止由于激光束導致在溝道區域105中出現金屬碎片并且保護發光結構135的每層的外壁。
[0088]當執行隔離蝕刻工藝時，保護層140被支撐直到在溝道區域105的第二導電半導體層130已經被蝕刻之后緩沖層155被暴露。另外，因為通過緩沖層155增加保護層140、緩沖層155、以及粘附層160之間的粘附強度，所以能夠防止保護層140分層。
[0089]然后，對第一導電半導體層110的頂表面執行蝕刻工藝以形成粗糙和/或圖案112。粗糖和/或圖案112可以提聞光提取效率。
[0090]電極115形成在第一導電半導體層110上，并且電極115可以包括具有預定的形狀的分支圖案和焊盤。
[0091]絕緣層190可以形成在發光結構135周圍。絕緣層190形成在芯片周圍。絕緣層190的下端形成在保護層140上，并且絕緣層190的上端194形成在第一導電半導體層110的頂表面周圍。絕緣層190形成在發光結構135周圍以防止半導體層110、120以及130之間的短路。絕緣層190和保護層140能夠防止濕氣滲透到芯片中。另外，絕緣層190可以延伸到保護層140或者緩沖層155的一部分。
[0092]絕緣層190可以包括具有低于化合物半導體的折射率(GaN具有大約2.4的折射率)的折射率的絕緣材料。例如，絕緣層190可以包括從由Si02、SiOx, SiOxNy> Si3N4、Al203、以及TiO2組成的組中選擇的一個。
[0093]可以在分離芯片之前或者之后形成絕緣層190以及電極115，但是實施例不限于此。
[0094]另外，通過芯片邊界形成單個芯片。在這樣的情況下，通過切割工藝、激光工藝、或者斷裂工藝可以形成單個芯片單元。在這樣的情況下，因為緩沖層155被提供在兩個相鄰的芯片之間的邊界線處，所以能夠圍繞緩沖層155將相鄰的兩個芯片彼此分開。在這樣的情況下，緩沖層155能夠減少施加在保護層140上的影響。換言之，緩沖層155能夠防止保護層140被損壞。
[0095]緩沖層155可以具有大約Iym至大約10 μ m的厚度,并且可以具有大約Inm至大約100 μ m的寬度。緩沖層155的寬度可以根據隔離蝕刻寬度而變化。
[0096]圖10是示出根據第二實施例的發光器件100A的側截面圖。在下文中，將會主要描述第二實施例與第一實施例之間的不同來描述第二實施例以避免解釋的重復。
[0097]參考圖10，發光器件100A具有其中反射層150A接觸第二導電半導體層130的下部的結構。
[0098]反射層150可以包括歐姆層，并且以單層結構或者多層結構包括從由Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、以及其組合組成的組中選擇的一個。通過使用上述金屬材料和諸如ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZ0、IGT0, ΑΖ0,以及ATO的導電氧化物材料可以以多層形成反射層150A。例如，反射層150A可以具有IZO/N1、AZO/Ag、IZO/Ag/N1、以及AZO/Ag/Ni的堆疊結構。
[0099]反射層150A可以形成為超出保護層140和緩沖層155。
[0100]電流阻擋層146形成在反射層150A和第二導電半導體層130之間，并且電流阻擋層146可以包括具有低于反射層150A的導電性的導電性的非金屬材料。電流阻擋層146可以包括 ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、ΑΖΟ、ATO、ZnO、SiO2, SiOx、SiOxNy、Si3N4' Al2O3'以及TiO2中的至少一個。在這樣的情況下，當反射層150Α包括Ag時，電流阻擋層146可以包括ΙΤ0、Ζη0、或者SiO2，但是實施例不限于此。
[0101]電流阻擋層146可以包括與保護層140的材料相同的材料，或者包括不同于保護層140的材料的材料。
[0102]電流阻擋層146可以具有相對于發光結構135的厚度方向面對電極115的圖案和位置，并且電流阻擋層146的大小可以根據電流擴散而變化。電流阻擋層146可以具有多邊形圖案或者圓形圖案，并且被提供為面向電極115和/或焊盤的結構中，使得電流能夠在芯片的整個區域上擴散。電流阻擋層146以電流阻擋層146相對于發光結構135的厚度方向部分地重疊電極115的方式形成在發光結構145下面。電流阻擋層146可以包括具有低于反射層150的導電性的導電性的材料。
[0103]圖11是示出根據第三實施例的發光器件100B的側截面圖。在下文中，將會主要描述上述實施例與第三實施例之間的不同來描述第三實施例以避免解釋的重復。
[0104]參考圖11，發光器件100B具有其中歐姆層145A被設置在電流阻擋層146和第二導電半導體層130下面的結構。另外，歐姆層145A可以形成為超出保護層140和緩沖層155。
[0105]反射層150A可以形成在歐姆層145A下面。反射層150A可以全部地或者部分地覆蓋歐姆層145A的下表面，但是實施例不限于此。
[0106]通過濕法蝕刻工藝可以移除被暴露在保護層140的外部之外的緩沖層155的部分。在這樣的情況下，緩沖層155和保護層140的外部可以被提供在同一平面上或者形成為臺階結構。
[0107]圖12和圖13是示意性地示出根據第四實施例的發光器件的制造方法的側截面圖。在下文中，將會主要描述第一實施例與第四實施例之間的不同來描述第四實施例以避
免重復。
[0108]參考圖12，第一導電半導體層110、有源層120、以及第二導電半導體層130被堆疊在襯底101上。
[0109]緩沖層155B形成在第二導電半導體層130上的溝道區域中。通過濺射方案通過使用掩模圖案可以以形成環形、回路形狀、或者框架形狀形成緩沖層155B。緩沖層155B可以包括在第一實施例中公開的材料。緩沖層155B可以具有比保護層140的厚度小的厚度。緩沖層155B可以具有大約14 111至104 111的厚度。
[0110]保護層140形成在緩沖層155B上。保護層140以環形、回路形狀、或者框架形狀形成同時覆蓋緩沖層155B的外部。保護層140在溝道區域中接觸第二導電半導體層130的頂表面的外圍部分。
[0111]緩沖層155B被設置在芯片之間的邊界線上，并且被設置在保護層140和第二導電半導體層130之間。保護層140可以具有較薄的厚度。因此，緩沖層155B緩沖在LLO工藝、隔離蝕刻工藝、或者芯片斷裂工藝中出現的沖擊以防止沖擊被轉移到保護層140。因此，能夠防止保護層140分層。
[0112]參考圖13，在發光器件100C中，緩沖層155B保持在保護層140上或者可以通過濕法蝕刻工藝去除。當已經去除緩沖層155B時，保護層140可以具有臺階狀頂表面。
[0113]圖14是示出根據第五實施例的發光器件100D的側截面圖，在下文中，將會主要描述第五實施例和上述實施例之間的不同來描述第五實施例以避免解釋的重復。
[0114]參考圖14，在發光器件100D中，緩沖層155C被提供在保護層140的下表面和頂表面的外部上，使得防止保護層140由于溝道區域中的沖擊而分層。
[0115]被提供在保護層140的頂表面和下表面上的緩沖層155C可以通過芯片邊界線相互連接或者通過濕法蝕刻工藝去除。在這樣的情況下，由于緩沖層155C使得能夠更好地提高保護層140的粘附效率。[0116]圖15是示出根據實施例的發光器件封裝30的截面圖。
[0117]參考圖15，發光器件封裝30包括:主體20 ;第一和第二引線電極31和32，該第一和第二引線電極31和32形成在主體20上；根據實施例的發光器件100，該發光器件100被安裝在主體20中并且被電氣地連接到第一和第二電極31和32 ;以及成型構件40，該成型構件40圍繞發光器件100。
[0118]主體20可以包括:包括硅的導電襯底、包括PPA的合成樹脂、陶瓷襯底、絕緣襯底、或者金屬襯底(例如，MCPCB)。傾斜表面可以形成在發光器件100的周圍。主體20可以具有貫通孔結構，但是實施例不限于此。
[0119]第一和第二引線電極31和32相互電氣地絕緣，并且將電力提供給發光器件100。第一和第二引線電極31和32可以反射從發光器件100發射的光以增加光效率,并且可以將從發光器件100發射的熱發散到外部。
[0120]發光器件100能夠被安裝在主體20上，或者第一引線電極31或第二引線電極32上。
[0121]發光器件100可以通過布線電氣連接到第一引線電極31，并且可以通過貼片方案與第二引線電極32連接。
[0122]成型構件40可以保護發光器件100同時圍繞發光器件100。另外，成型構件40可以包括熒光體以改變從發光器件100發射的光的波長。透鏡可以被提供在成型構件40上，并且可以以與成型構件40接觸或非接觸的結構實現透鏡。
[0123]經由貫通孔，發光器件100可以與主體20或者襯底的下表面電氣地連接。
[0124]根據實施例的上述發光器件中的至少一個可以被安裝在發光器件封裝中，但是實施例不限于此。
[0125]盡管已經描述了發光器件封裝具有頂視型的實施例，但是發光器件封裝可以具有側視型。因此，能夠提高散熱特性、導電性、以及反射特性。在樹脂層中封裝此頂視型或者側視型發光器件之后，透鏡可以形成在樹脂層上或者透鏡可以與樹脂層結合，但是實施例不限于此。
[0126]〈照明系統〉
[0127]根據實施例的發光器件和發光器件封裝可以被應用于照明單元。照明單元可以具有包括多個發光器件或者多個發光器件封裝的陣列結構。除了照明燈、信號燈、車輛大燈、電子顯示等等之外，照明系統可以包括圖16和圖17中所示的顯示設備、圖18中所示的照明單元。
[0128]圖16是根據實施例的顯示設備的分解透視圖。
[0129]參考圖16,根據實施例的顯不設備1000可以包括:導光面板1041 ;發光模塊1031,該發光模塊1031將光提供給導光面板1041 ;在導光面板1041的下方的反射構件1022 ;在導光面板1041上的光學片1051 ;在光學片1051上的顯示面板1061 ；以及底蓋1011，該底蓋1011容納導光面板1041、發光模塊1031、以及反射構件1022，但是本公開不限于此。
[0130]底蓋1011、反射片1022、導光面板1041、以及光學片可以被定義為照明單元1050。
[0131]導光面板1041用于通過擴散線性光來將線性光變為平面光。導光面板1041可以由透明材料制成，并且可以包括諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、COC、以及聚萘二甲酸乙二酯樹脂中的一個。
[0132]發光模塊1031將光提供給導光面板1041的至少側表面，并且最終用作顯示設備的光源。
[0133]發光模塊1031可以包括至少一個發光模塊,并且從導光面板1041的一側表面直接或者間接地提供光。發光模塊1031可以包括板1033，和根據上述的實施例的發光器件封裝30，并且發光器件封裝30可以布置在板1033上并且以預定間隔相互隔開。
[0134]板1033可以是包括電路圖案(未示出)的印制電路板(PCB)。板1033可以包括金屬核PCB(MCPCB)、柔性PCB (FPCB)等等以及普通PCB，但是本公開不限于此。在發光器件封裝30被安裝在側表面或散熱板上的情況下，板1033可以被移除。在此，一些散熱板可以接觸底蓋1011的上表面。
[0135]多個發光器件封裝30可以被安裝在板1033上從而多個發光器件封裝30的發光表面與導光面板1041隔開預定距離，但是本公開不限于此。發光器件封裝30可以將光直接或者間接地提供給是導光面板1041的一側表面的光入射部分，但是本公開不限于此。
[0136]反射構件1022可以被設置在導光面板1041下面。反射構件1022反射從導光面板1041的下表面入射的光以允許反射光朝著上方向被導向，從而能夠增強照明單元1050的亮度。反射構件1022可以由例如PET、PC、PVC樹脂等等形成，但是本公開不限于此。
[0137]底蓋1011可以容納導光面板1041、發光模塊1031、反射構件1022等等。為此，底蓋1011可以具有以其頂表面開口的盒形狀形成的容納部分1012，但是本公開不限于此。底蓋1011可以耦接到頂蓋，但是本公開不限于此。
[0138]底蓋1011可以由金屬材料或者樹脂材料形成，并且可以通過使用諸如壓制成型或者擠出成型的工藝來制造。而且，底蓋1011可以包括具有高熱導率的金屬或者非金屬材料，但是本公開不限于此。
[0139]例如，顯示面板1061是IXD面板，并且包括相互面對的第一和第二透明基板，和被插入在第一和第二基板之間的液晶層。偏振板可以附著在顯示面板1061的至少一個表面上，但是本公開不限于此。顯示面板1061通過使用通過光學片1051的光來顯示信息。顯示設備1000可以被應用于各種移動終端、用于筆記本電腦的監視器、用于膝上電腦的監視器、電視等等。
[0140]光學片1051被布置在顯不面板1061和導光面板1041之間，并且包括至少一個透明片。光學片1051可以包括例如擴散片、水平和/或垂直棱鏡片、以及亮度增強片中的至少一個。擴散片擴散入射光，水平和/或垂直棱鏡片將入射光聚集在顯示區域上，并且亮度增強片通過重新使用丟失的光來增強亮度。而且，保護片可以被布置在顯示面板1061上，但是本公開不限于此。在此，顯示設備1000可以包括導光面板1041和光學片1051作為放置在發光模塊1031的光路徑上的光學構件，但是本公開不限于此。
[0141]圖17是根據實施例的顯示設備的橫截面圖。
[0142]參考圖17，顯示設備1100包括底蓋1152 ;板1120，在其上排列上面所述的發光器件封裝30 ;光學構件1154、以及顯示面板1155。
[0143]板1120和發光器件封裝30可以被定義為發光模塊1060。底蓋1152、至少一個發光模塊1060、以及光學構件1154可以被定義為照明單元。
[0144]底蓋1152可以被提供有容納部分，但是本公開不限于此。[0145]在此，光學構件1154可以包括透鏡、導光面板、擴散片、水平和垂直棱鏡片、以及亮度增強片中的至少一個。導光面板可以由聚碳酸酯(PC)或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)形成，并且可以被去除。擴散片擴散入射光，水平和垂直棱鏡片將入射光聚集在顯示區域上，并且亮度增強片通過重新使用丟失的光增強亮度。
[0146]光學構件1154被布置在發光模塊1060上。光學構件1154將從發光模塊1060發射的光變為平面光，并且執行擴散、聚光等等。
[0147]圖18是根據實施例的照明單元的透視圖。
[0148]參考圖18，照明單元1500可以包括外殼1510 ;發光模塊1530，該發光模塊1530被裝備在外殼1510中；以及連接端子1520，該連接端子1520被裝備在外殼1510中并且被提供有來自于外部電源的電力。
[0149]外殼1510可以優選地由具有良好的熱屏蔽特性的材料形成，例如，可以由金屬材料或者樹脂材料形成。
[0150]發光模塊1530可以包括板1532,和安裝在板1532上的至少一個根據實施例的發光器件封裝30。發光器件封裝30可以包括多個發光器件封裝，其以矩陣構造排列并且彼此隔開預定的距離。
[0151]板1532可以是其上印制電路圖案的絕緣體基板，并且可以包括例如印制電路板(PCB)、金屬核PCB、柔性PCB、陶瓷PCB、FR-4基板等等。
[0152]而且，板1532可以由有效地反射光的材料形成，并且其表面可以以例如白色、或者銀色的能夠有效地反射光的顏色形成。
[0153]至少一個發光器件封裝30可以安裝在板1532上。發光器件封裝30中的每一個可以包括至少一個發光二極管(LED)芯片。LED芯片可以包括發射紅、綠、藍或者白色光的彩色LED，和發射紫外線(UV)的UV LED。
[0154]發光模塊1530可以具有各種發光器件封裝的組合以獲得想要的顏色和亮度。例如，發光模塊1530可以具有白色LED、紅色LED、以及綠色LED的組合以獲得高顯色指數(CRI)0
[0155]連接端子1520可以電氣地連接到發光模塊1530以提供電力。連接端子1520可以螺紋耦合到插座類型的外部電源，但是本公開不限于此。例如，連接端子1520可以是插頭型并且被插入到外部電源，或者可以通過電源線連接到外部電源。
[0156]根據實施例，包括發光器件100的發光器件封裝可以被布置在襯底上以形成發光模塊。另外，如圖1中所示的發光器件被布置在襯底上并且然后被封裝以形成發光模塊。
[0157]根據實施例的發光器件的制造方法包括下述步驟:在襯底上形成包括第一導電半導體層、有源層、以及第二導電半導體層的多個化合物半導體層；在化合物半導體層的溝道區域中形成保護層；在化合物半導體層的溝道區域中形成與第二導電半導體層電氣地連接的緩沖層；在化合物半導體層上形成反射層；在基底處提供反射層以去除襯底；蝕刻化合物半導體層的溝道區域以暴露保護層和緩沖層；以及在化合物半導體層上形成電極。
[0158]如上所述，根據實施例，能夠防止保護層的損壞，并且能夠解決芯片的溝道區域中的層之間的粘附問題，能夠解決在用于芯片的溝道區域的制造工藝中的金屬和非金屬之間的分層問題，并且能夠防止芯片的保護層的損壞。因此，能夠提高發光器件的可靠性。
[0159]在本說明書中對于“一個實施例”、“實施例”、“示例性實施例”等的引用意味著結合實施例描述的特定特征、結構或特性被包括在本發明的至少一個實施例中。在說明書中，在各處出現的這類短語不必都表示相同的實施例。此外，當結合任何實施例描述特定特征、結構或特性時，都認為結合實施例中的其它實施例實現這樣的特征、結構或特性也是本領域技術人員所能夠想到的。
[0160]雖然已經參照本發明的多個示例性實施例描述了實施例，但是應該理解，本領域的技術人員可以想到多個其它修改和實施例，這將落入本發明原理的精神和范圍內。更加具體地，在本說明書、附圖和所附權利要求的范圍內的主要內容組合布置的組成部件和/或布置中，各種變化和修改都是可能性。除了組成部件和/或布置中的變化和修改之外，對于本領域的技術人員來說，替代使用也將是顯而易見的。
【權利要求】
1.一種發光器件，包括: 發光結構，所述發光結構包括第一導電半導體層、在所述第一導電半導體層之下的第二導電半導體層、以及在所述第一導電半導體層和所述第二導電半導體層之間的有源層；電極，所述電極被布置在所述第一導電半導體層上； 反射層，所述反射層在所述第二導電半導體層的下表面之下； 粘附層，所述粘附層被布置在所述反射層之下； 保護層，所述保護層被布置在所述第二導電半導體層的下表面的周圍；以及 緩沖層，所述緩沖層被布置在所述保護層的下表面之下， 其中，所述緩沖層被布置在所述保護層和所述粘附層之間， 其中，所述緩沖層包括金屬材料，以及 其中，所述保護層的頂表面的內部與所述第二導電半導體層的下表面的外圍部分接觸。
2.一種發光器件，包括: 發光結構，所述發光結構包括第一導電半導體層、在所述第一導電半導體層之下的第二導電半導體層、以及在所述第一導電半導體層和所述第二導電半導體層之間的有源層；電極，所述電極被布置在所述第一導電半導體層上； 反射層，所述反射層在所述第二導電半導體層的下表面之下； 粘附層，所述粘附層被布置在所述反射層之下； 保護層，所述保護層被布置在所述第二導電半導體層的下表面的周圍； 緩沖層，所述緩沖層被布置在所述保護層的下表面之下；以及 導電支撐構件，所述導電支撐構件在所述粘附層之下， 其中，所述緩沖層被布置在所述保護層和所述導電支撐構件之間， 其中，所述緩沖層包括金屬材料， 其中，所述保護層的頂表面的內部與所述第二導電半導體層的下表面的外圍部分接觸， 其中，所述保護層具有0.02 μ m至5 μ m的厚度，以及 其中，所述緩沖層具有比所述保護層的厚度薄的厚度或者具有在I μ m至10 μ m的范圍內的厚度。
3.一種發光器件，包括: 發光結構，所述發光結構包括第一導電半導體層、在所述第一導電半導體層之下的第二導電半導體層、以及在所述第一導電半導體層和所述第二導電半導體層之間的有源層；電極，所述電極被布置在所述第一導電半導體層上； 反射層，所述反射層在所述第二導電半導體層的下表面之下； 粘附層，所述粘附層被布置在所述反射層之下； 保護層，所述保護層被布置在所述第二導電半導體層的下表面的周圍；以及 緩沖層，所述緩沖層被布置在所述保護層的下表面之下； 其中，所述緩沖層被布置在所述保護層和所述粘附層之間， 其中，所述緩沖層包括金屬材料， 其中，所述保護層的頂表面的內部與所述第二導電半導體層的下表面的外圍部分接觸， 其中，所述反射層與所述第二導電半導體層的下表面接觸， 其中，所述反射層被延伸到所述保護層的下表面或者所述緩沖層的下表面中的至少一個。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中，所述緩沖層被布置到所述保護層的下表面的外部， 其中，所述保護層包括透射氧化物材料。
5.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中，所述粘附層與所述保護層的下表面接觸。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中，所述反射層覆蓋所述保護層的下表面的一部分。
7.根據權利要求4所述的發光器件，其中，所述緩沖層被布置到所述保護層的外橫向表面。
8.根據權利要求1或3所述的發光器件，進一步包括在所述粘附層之下的導電支撐構件。
9.根據權利要求4所述的發光器件，進一步包括在所述發光結構的外表面上形成的絕緣層。
10.根據權利要求8所述的發光器件，其中，所述絕緣層與所述保護層的頂表面部分地接觸。
11.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，進一步包括在所述第二導電半導體層和所述反射層之間形成的歐姆層。
12.根據權利要求11所述的發光器件，其中，所述反射層部分地覆蓋所述歐姆層的下表面。
13.根據權利要求11所述的發光器件，其中，所述反射層在所述歐姆層的圖案之間的區域中與所述第二導電半導體層接觸。
14.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中，所述保護層的頂表面具有粗糖。
15.根據權利要求14所述的發光器件，其中，所述粗糙被形成在所述保護層的頂表面的外部處。
16.根據權利要求14所述的發光器件，其中，所述粗糙包括與所述保護層的材料不同的材料。
17.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中，所述保護層包括具有比II1-V族元素的化合物半導體的折射率低的折射率的材料。
18.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中，所述緩沖層的一部分被暴露在所述保護層的下表面的外部之外。
19.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中，所述緩沖層包括從由T1、N1、W、Pt、Pd、Cu、Mo、In、以及Sn組成的組中選擇的至少一個。
20.根據權利要求1或3所述的發光器件，其中，所述保護層具有0.02 μ m至5 μ m的厚度，其中，所述緩沖層具有 比所述保護層的厚度薄的厚度或者具有在1μ m至10 μ m的范圍內的厚度。
【文檔編號】H01L33/44GK103928586SQ201410083845
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2011年2月9日 優先權日:2010年2月9日
【發明者】丁煥熙 申請人:Lg伊諾特有限公司