一種低溫多晶硅薄膜晶體管、陣列基板及其制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種低溫多晶硅薄膜晶體管、陣列基板及其制作方法，用以簡化薄膜晶體管的制作工藝流程。所述方法包括：在襯底基板上形成有源層和歐姆接觸層的過程；其中，形成所述有源層和歐姆接觸層，具體為：在襯底基板上形成非晶硅層；采用離子注入法對所述非晶硅層至少在待形成歐姆接觸層的區域進行雜質離子的注入，待形成的歐姆接觸層的區域形成初始歐姆接觸層；對雜質離子注入工藝后的非晶硅層進行準分子激光退火工藝；準分子激光退火工藝后的非晶硅層晶化為多晶硅層，初始歐姆接觸層形成最終的歐姆接觸層；對準分子激光退火工藝后的多晶硅層進行構圖工藝，形成所述有源層。
【專利說明】一種低溫多晶硅薄膜晶體管、陣列基板及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及薄膜晶體管工藝制作領域，尤其涉及一種低溫多晶硅薄膜晶體管、陣列基板及其制作方法。
【背景技術】
[0002]在各種顯示裝置的像素單元中，通過施加驅動電壓來驅動顯示裝置的薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)被大量使用。在TFT的有源層一直使用穩定性和加工性較好的非晶硅(a-Si)材料，但是a-Si材料的載流子遷移率較低，不能滿足大尺寸、高分辨率顯示器件的要求，特別是不能滿足下一代有源矩陣式有機發光顯示器件(Active MatrixOrganic Light Emitting Device, AMOLED)的要求。與非晶娃(a_Si)薄膜晶體管相比，多晶硅尤其是低溫多晶硅薄膜晶體管具有更高的電子遷移率、更好的液晶特性以及較少的漏電流，已經逐漸取代非晶硅薄膜晶體管，成為薄膜晶體管的主流。
[0003]現有技術，形成有源區的步驟在形成多晶硅的步驟之后，形成有源區的過程經離子注入工藝完成，離子注入后，有源區的摻雜雜質通常位于晶格的間隙，無法起到提供載流子的作用。還需要采用熱退火工藝使得注入多晶硅層中的離子激活，同時進行晶格完整性的恢復。由此可見，本發明實施例形成多晶硅、有源區，通過三個步驟形成，形成工藝較復雜。現有技術采用熱退火工藝溫度較高，不適用于在柔性基板上形成薄膜晶體管。
【發明內容】
[0004]本發明實施例提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管、陣列基板及其制作方法，用以簡化低溫多晶硅薄膜晶體管的制作工藝流程。
[0005]本發明實施例提供的一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法包括:
[0006]在襯底基板上形成有源層和歐姆接觸層的過程；
[0007]其中，形成所述有源層和歐姆接觸層，具體為:
[0008]在襯底基板上形成非晶硅層；
[0009]采用離子注入法對所述非晶硅層至少在待形成歐姆接觸層的區域進行雜質離子的注入，待形成的歐姆接觸層的區域形成初始歐姆接觸層；
[0010]對雜質離子注入工藝后的非晶硅層進行準分子激光退火工藝；準分子激光退火工藝后的非晶硅層晶化為多晶硅層，初始歐姆接觸層形成最終的歐姆接觸層；
[0011 ] 對準分子激光退火工藝后的多晶硅層進行構圖工藝，形成所述有源層。
[0012]較佳地，所述準分子激光退火工藝的條件為:激光脈沖頻率為100?400Hz，激光重疊率為90%?98%，激光脈沖寬度<100ns，激光能量密度為100?600mJ/cm2。
[0013]較佳地，在形成所述非晶硅層之后，雜質離子注入之前，還包括:對所述非晶硅層進行熱退火工藝處理。
[0014]較佳地，在形成所述非晶硅層之前還包括:在所述襯底基板上形成一層覆蓋整個襯底基板的緩沖層。[0015]較佳地，所述采用離子注入法對所述非晶硅層待形成歐姆接觸層的區域進行雜質離子的注入，具體為:采用離子注入法對所述非晶硅層待形成歐姆接觸層的區域進行硼或磷雜質離子的注入，形成初始歐姆接觸層。
[0016]本發明實施例提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0017]在襯底基板上形成低溫多晶硅薄膜晶體管的過程以及形成存儲電容的下電極的過程；
[0018]所述低溫多晶硅薄膜晶體管的形成過程包括如下步驟:
[0019]在襯底基板上形成有源層和歐姆接觸層的過程；
[0020]其中，形成所述有源層和歐姆接觸層，具體為:
[0021]在襯底基板上形成非晶硅層；
[0022]采用離子注入法對所述非晶硅層至少在待形成歐姆接觸層的區域進行雜質離子的注入，待形成的歐姆接觸層的區域形成初始歐姆接觸層；
[0023]對雜質離子注入工藝后的非晶硅層進行準分子激光退火工藝；準分子激光退火工藝后的非晶硅層晶化為多晶硅層，初始歐姆接觸層形成最終的歐姆接觸層；
[0024]對準分子激光退火工藝后的多晶硅層進行構圖工藝，形成所述有源層。
[0025]較佳地，所述采用離子注入法對所述非晶硅層的待形成歐姆接觸層的區域進行雜質離子的注入的同時，還包括:在非晶硅層上待形成的存儲電容的下電極對應的區域進行雜質離子的注入，待形成的存儲電容的下電極對應的區域形成初始存儲電容的下電極。
[0026]本發明實施例提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管，采用上述低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法制作而成。
[0027]本發明實施例提供一種陣列基板，采用上述陣列基板的制作方法制作而成。
[0028]本發明實施例提供的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，在形成多晶硅層之前進行離子注入工藝，在形成多晶硅層的過程中同時形成歐姆接觸層，即進行準分子激光退火工藝時形成歐姆接觸層，簡化了制作工藝，并且形成歐姆接觸層的摻雜離子通過準分子激光退火驅入的方式形成，避免了通過離子注入引起薄膜晶體管的相關缺陷和不良現象，提高了薄膜晶體管的性能。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0029]圖1為本發明實施例提供的陣列基板的制作方法流程示意圖；
[0030]圖2為本發明實施例提供的形成有緩沖層的襯底基板的結構示意圖；
[0031]圖3為本發明實施例提供的形成有非晶硅的襯底基板的結構示意圖；
[0032]圖4為本發明實施例提供的形成有初始歐姆接觸層的襯底基板的結構示意圖；
[0033]圖5為本發明實施例提供的形成有有源層的襯底基板的結構示意圖；
[0034]圖6為本發明實施例提供的形成有柵極絕緣層、柵極和存儲電容的上電極的襯底基板的結構不意圖；
[0035]圖7為本發明實施例提供的形成有第一絕緣層、歐姆接觸層、下電極引線的襯底基板的結構不意圖；
[0036]圖8為本發明實施例提供的形成有第二絕緣層和像素電極的襯底基板的結構示意圖。【具體實施方式】
[0037]本發明實施例提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管、陣列基板及其制作方法，用以簡化低溫多晶硅薄膜晶體管的制作工藝流程，同時提高低溫多晶硅薄膜晶體管的性能。
[0038]本發明實施例提供的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，在非晶硅層形成多晶硅層之前，對非晶硅進行離子注入形成初始歐姆接觸層，在由非晶硅層形成多晶硅層的過程中同時形成離子激活后的歐姆接觸層，簡化了制作工藝流程。
[0039]本發明所述的歐姆接觸層也稱源漏極摻雜層，歐姆接觸層包括兩個相互獨立的區域，分別用于與后續形成的源極和漏極電性相連。
[0040]本發明提供的方法整體包括以下步驟:
[0041]在襯底基板上形成有源層、歐姆接觸層的過程；
[0042]其中，形成所述有源層、歐姆接觸層，具體為:
[0043]在襯底基板上形成非晶硅層；
[0044]采用離子注入法對所述非晶硅層至少在待形成歐姆接觸層的區域進行雜質離子的注入，待形成的歐姆接觸層的區域形成初始歐姆接觸層；
[0045]對雜質離子注入工藝后的非晶硅層進行準分子激光退火工藝；準分子激光退火工藝后的非晶硅層晶化為多晶硅層，初始歐姆接觸層形成最終的歐姆接觸層；
[0046]對準分子激光退火工藝后的多晶硅層進行構圖工藝，形成所述有源層。
[0047]需要說明的是，本領域技術人員能夠明白，形成所述薄膜晶體管至少還包括:在襯底基板上形成柵極絕緣層和柵極的過程，這里不再詳述。
[0048]本發明實施例還提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0049]在襯底基板上形成低溫多晶硅薄膜晶體管的過程以及形成存儲電容的下電極的過程；
[0050]所述低溫多晶硅薄膜晶體管的形成過程至少包括如下步驟:
[0051]在襯底基板上形成有源層和歐姆接觸層的過程；
[0052]其中，形成所述有源層和歐姆接觸層，具體為:
[0053]在襯底基板上形成非晶硅層；
[0054]采用離子注入法對所述非晶硅層至少在待形成歐姆接觸層的區域進行雜質離子的注入，待形成的歐姆接觸層的區域形成初始歐姆接觸層；
[0055]對雜質離子注入工藝后的非晶硅層進行準分子激光退火工藝；準分子激光退火工藝后的非晶硅層晶化為多晶硅層，初始歐姆接觸層形成最終的歐姆接觸層；
[0056]對準分子激光退火工藝后的多晶硅層進行構圖工藝，形成所述有源層。
[0057]較佳地，所述采用離子注入法對所述非晶硅層的待形成歐姆接觸層的區域進行雜質離子的注入的同時，還包括:在非晶硅層上待形成的存儲電容的下電極對應的區域進行雜質離子的注入，待形成的存儲電容的下電極對應的區域形成初始存儲電容的下電極。
[0058]由于陣列基板上存儲電容的下電極的制作過程與薄膜晶體管制作過程中的部分工藝在同一次制圖工藝中形成，以下將具體說明陣列基板上的薄膜晶體管以及存儲電容的下電極的制作過程。
[0059]參見圖1，為陣列基板制作過程的其中一種較佳的實施例。[0060]SI 1、在襯底基板上形成緩沖層。
[0061]當襯底基板的潔凈度不滿足要求時，首先對襯底基板進行預清洗。通過鍍膜工藝在襯底基板上形成一層覆蓋整個襯底基板的緩沖層。
[0062]具體地，參見圖2，在襯底基板I上形成一層緩沖層11。
[0063]該步驟Sll為可選項，步驟Sll形成的緩沖層可以提高待形成的非晶硅與襯底基板之間的附著程度。同時，還可以防止襯底基板中的金屬離子擴散至歐姆接觸層降低缺陷中心，并且可以減少漏電流的產生。
[0064]襯底基板的材質不限，可以為玻璃基板或柔性基板等。
[0065]其中一種實施方式為，在玻璃基板上利用等離子體化學氣相沉積法(PECVD)沉積一層厚度在2000?3000 A范圍內的緩沖層(Buffer);沉積材料可以為單層的氧化硅(SiOx)膜層或氮化硅(SiNx)膜層，或者為氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的疊層。
[0066]形成SiNx膜層的反應氣體可以為硅烷(SiH4)、氨氣(NH3)、氮氣(N2)的混合氣體，或者為二氯化硅(SiH2Cl2)、NH3、N2的混合氣體；形成SiOx膜層的反應氣體可以為SiH4、NH3、氧氣(O2)的混合氣體，或者為SiH2Cl2、NH3、02的混合氣體。
[0067]S12、形成非晶硅層。
[0068]通過鍍膜工藝在襯底基板上形成覆蓋整個襯底基板的非晶硅層。
[0069]具體地，通過鍍膜工藝在圖2所示的緩沖層11上，形成如圖3所示的覆蓋整個襯底基板I的非晶硅層(a-Si層)12 ；
[0070]具體地，沉積厚度為300?1000入的a-Si層，對應的反應氣體可以為SiH4和H2的混合氣體或者SiH2Cl2和H2的混合氣體。
[0071]步驟S12形成的非晶硅層用于在以下步驟S15中形成多晶硅層。
[0072]S13、對非晶硅層進行熱退火工藝。
[0073]對襯底基板上的非晶硅層進行熱退火工藝，以實現去除非晶硅層中的氫氣的目的，防止在后續步驟在激光退火時發生氫爆。
[0074]上述除氫步驟采用熱退火工藝，熱退火工藝的溫度范圍可以根據實際需求設定，如果襯底基板為玻璃基板，熱退火工藝的溫度可適當高一些，如果襯底基板為柔性基板，熱退火工藝的溫度范圍可適當低一些，保證不影響柔性基板的作為正常的基板即可。
[0075]步驟S13為可選項。
[0076]S14、離子注入法對待形成的歐姆接觸層的區域進行離子注入。
[0077]通過構圖工藝在圖3所示的非晶硅上形成η型或P型摻雜區圖形，通過離子注入法對所述η型或P型摻雜區進行離子注入，形成圖4所示的第一初始歐姆接觸層14和第二初始歐姆接觸層15圖形；
[0078]離子注入法注入的離子可以為硼(B)或磷(P)離子。圖4中箭頭所示的方向為離子注入時的注入方向。
[0079]此時注入非晶硅層中的離子為未激活的離子，即離子不能夠起到施主或受主的作用。
[0080]具體地，參見圖4，通過光刻膠層29作為掩膜，對待形成的第一初始歐姆接觸層和第二初始歐姆接觸層進行離子注入。
[0081]本發明所述對應區域為正對的區域。[0082]S15、同時形成多晶硅層、歐姆接觸層。
[0083]對形成有所述非晶硅層以及第一初始歐姆接觸層和第二初始歐姆接觸層，或者還包括初始存儲電容的下電極的襯底基板進行準分子激光退火工藝，第一初始歐姆接觸層和第二初始歐姆接觸層統稱為初始歐姆接觸層，使得所述非晶硅層轉化為多晶硅層，所述初始歐姆接觸層中的離子激活，形成歐姆接觸層。
[0084]該步驟S15通過一次準分子激光退火工藝實現多晶硅層和離子激活，避免準分子激光退火后采用熱退火工藝造成工藝步驟復雜的問題，以及避免熱退火工藝進行離子激活導致襯底基板整體受熱限制形成柔性顯示裝置的問題，此外準分子激光退火工藝局部高溫還可以提聞多晶娃的晶格完整性。
[0085]通過該步驟簡化了低溫多晶硅薄膜晶體管制作工藝流程，還提高了 TFT的性能，還可以實現柔性顯示裝置。
[0086]本發明實施例提供的準分子激光退火可以采用例如氯化氙(XeCl )、氟化氪KrF、氟化氬ArF等準分子激光器(波長308nm)來進行準分子激光退火。激光光束經過光學系統后為線性光源。
[0087]優選地，所述準分子激光退火工藝的條件為:激光脈沖頻率為100~400Hz，激光重疊率為90%~98%，激光脈沖寬度<100ns，激光能量密度為100~600mJ/cm2。
[0088]相比較通過熱退火工藝，本發明經準分子激光退火工藝進行非晶硅向多晶硅的轉化，可以實現柔性基板上制作低溫多晶硅晶體管，且晶體管的性能穩定性較好。
[0089]具體ELA實施過程中，激光光束位置固定，基板固定在位移臺上，通過基板移動控制激光照射的范圍，使得激光束在基板的預設位置掃描。非晶硅及硼(B)分子或磷(P)分子在激光輻照下，吸收激光能量發生熔融，硼(B)分子或磷(P)分子擴散進熔融的硅中，在冷卻的過程中，非晶硅變成多晶硅的同時，完成激光輔助摻雜，形成摻雜硼(B)或磷(P)離子的多晶硅區。摻雜硼(B)或磷(P)離子的多晶硅區為歐姆接觸層區域。該過程由于非晶硅及硼(B)分子或磷(P)分子在激光輻照下，吸收激光能量發生熔融，硼(B)分子或磷(P)分子擴散進熔融的硅中的速率較快，且靠近硅表層的硼(B)分子或磷(P)分子的分布密度與遠離硅表層的硼(B)分子或磷(P)分子的分布密度相近，即硼(B)分子或磷(P)分子從硅表層到底層的分布密度梯度較小，形成的歐姆接觸層的導電性較好。
[0090]S16、形成有源層。
[0091]對步驟S15形成的多晶硅層進行圖形化工藝(即構圖工藝)形成設定區域的有源層。
[0092]具體實施時，參見圖5，將采用光刻的方式形成對應有源層17 ;在實施過程中，利用光刻膠作為掩膜，進行干法刻蝕及光刻膠剝離后，形成有源層17。
[0093]本發明所述的有源層也稱為多晶硅島狀物。
[0094]S17、形成柵極絕緣層。
[0095]參見圖6，采用PECVD沉積一層柵極絕緣層18 (Gate Insulator, GI)，厚度為1000-2000A,材料可以是SiNx的單層或者是SiNj^P SiOx的疊層。
[0096]S18、柵極的形成過程。
[0097]參見圖6,采用派射法(Sputter)沉積一層柵極(Gate)金屬或合金層，厚度為1500 -2500 A。所述金屬或合金層可以由金屬鑰(Mo)、金屬鋁(Al)、金屬銅(Cu)、金屬鎢(W)或者金屬鑰(Mo)、金屬鋁(Al)、金屬銅(Cu)、金屬鎢(W)中至少兩種合金形成，然后通過構圖工藝形成柵極19圖形。
[0098]S19、形成第一絕緣層。
[0099]位于柵極上方覆蓋整個襯底基板的第一絕緣層，如圖7所示的第一絕緣層21。
[0100]具體地，采用PECVD沉積一層絕緣層，厚度為丨000 -3000A，絕緣層成分可以是
SiNx, SiOx ;然后進行光刻，干法刻蝕，最終形成用于與第一歐姆接觸層14和第二歐姆接觸層15相連的過孔。
[0101]步驟Sll至步驟S19為薄膜晶體管的形成過程。
[0102]進一步地，在上述步驟Sll至步驟S19薄膜晶體管的形成過程之后，陣列基板的形成過程還包括:
[0103]形成存儲電容的下電極16和存儲電容的上電極圖形20的過程。
[0104]優選地，在步驟S14中對待形成的第一初始歐姆接觸層和第二初始歐姆接觸層進行離子注入之后，進一步地，還對待形成的存儲電容的下電極對應區域進行離子注入，形成初始存儲電容的下電極16。
[0105]所述存儲電容的下電極通過在非晶硅中摻雜實現，即在非晶硅層中對應區域注入雜質離子(硼(B)或磷(P)離子)，使得半導體性質的非晶硅層變為導電層。
[0106]優選地，在步驟S18中，通過構圖工藝形成柵極19圖形的過程中，進一步地還可以同時形成位于存儲電容的下電極正上方用于與存儲電容的下電極形成存儲電容的上電極圖形20。
[0107]S20、還包括用于與第一歐姆接觸層14和第二歐姆接觸層15電性相連的源極、漏極的形成過程。
[0108]通過濺射或者熱蒸鍍的方法沉積金屬或合金層，厚度為2000 -3000 A,材料可以選用Mo、Al、Cu、W等金屬，或者是幾種金屬的合金，經過光刻并刻蝕以后形成如圖7所示的源極22、漏極23、存儲電容的下電極引線24。
[0109]S21、形成第二絕緣層。
[0110]如圖8所示，還包括位于源極22、漏極23、存儲電容的下電極引線24上方的第二絕緣層25。具體地，利用PECVD沉積第二層絕緣層，厚度為1000 -3000 A,成分可以是SiNx, SiOx，然后進行光刻，干法刻蝕，最終形成與漏極23和下電極引線24相接觸的過孔。第二絕緣層也可以用感光的絕緣樹脂代替。
[0111]S22、形成像素電極。
[0112]參見圖8，位于第二絕緣層25上方通過過孔與漏極和存儲電容的下電極相連的像素電極26。具體地，利用磁控濺射設備(Sputter)沉積一層透明導電膜，成分可以是氧化銦錫(ιτο)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料，厚度為500-1500 A,然后用普通的掩模板進行曝光工藝，顯影并濕法刻蝕后，生成像素電極。
[0113]本發明實施例提供一種薄膜晶體管，采用上述實施例提供的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法制作而成。
[0114]本發明實施例還提供一種陣列基板，采用上述陣列基板的制作方法制作而成。
[0115]本發明實施例提供的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，在形成多晶硅層之前進行離子注入工藝，在形成多晶硅層的過程中同時形成歐姆接觸層，即進行準分子激光退火工藝時形成歐姆接觸層，簡化了制作工藝，并且形成歐姆接觸層的摻雜離子通過準分子激光退火驅入的方式形成，避免了通過離子注入引起薄膜晶體管的相關缺陷和不良現象，提高了薄膜晶體管的性能。
[0116]顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括:在襯底基板上形成有源層和歐姆接觸層的過程； 其中，形成所述有源層和歐姆接觸層，具體為: 在襯底基板上形成非晶硅層； 采用離子注入法對所述非晶硅層至少在待形成歐姆接觸層的區域進行雜質離子的注入，待形成的歐姆接觸層的區域形成初始歐姆接觸層； 對雜質離子注入工藝后的非晶硅層進行準分子激光退火工藝；準分子激光退火工藝后的非晶硅層晶化為多晶硅層，初始歐姆接觸層形成最終的歐姆接觸層； 對準分子激光退火工藝后的多晶硅層進行構圖工藝，形成所述有源層。
2.根據權利要求 1所述的制作方法，其特征在于，所述準分子激光退火工藝的條件為:激光脈沖頻率為100~400Hz，激光重疊率為90%~98%，激光脈沖寬度<100ns，激光能量密度為 100 ~600mJ/cm2。
3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述非晶硅層之后，雜質離子注入之前，還包括:對所述非晶硅層進行熱退火工藝處理。
4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述非晶硅層之前還包括:在所述襯底基板上形成一層覆蓋整個襯底基板的緩沖層。
5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用離子注入法對所述非晶硅層待形成歐姆接觸層的區域進行雜質離子的注入，具體為:采用離子注入法對所述非晶硅層待形成歐姆接觸層的區域進行硼或磷雜質離子的注入，形成初始歐姆接觸層。
6.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成低溫多晶硅薄膜晶體管的過程以及形成存儲電容的下電極的過程; 所述低溫多晶硅薄膜晶體管的形成過程至少包括如下步驟: 在襯底基板上形成有源層和歐姆接觸層的過程； 其中，形成所述有源層和歐姆接觸層，具體為: 在襯底基板上形成非晶硅層； 采用離子注入法對所述非晶硅層至少在待形成歐姆接觸層的區域進行雜質離子的注入，待形成的歐姆接觸層的區域形成初始歐姆接觸層； 對雜質離子注入工藝后的非晶硅層進行準分子激光退火工藝；準分子激光退火工藝后的非晶硅層晶化為多晶硅層，初始歐姆接觸層形成最終的歐姆接觸層； 對準分子激光退火工藝后的多晶硅層進行構圖工藝，形成所述有源層。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述采用離子注入法對所述非晶硅層的待形成歐姆接觸層的區域進行雜質離子的注入的同時，還包括:在非晶硅層上待形成的存儲電容的下電極對應的區域進行雜質離子的注入，待形成的存儲電容的下電極對應的區域形成初始存儲電容的下電極。
8.根據權利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜晶體管的形成過程還包括權利要求2-5任一所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法。
9.一種低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，采用權利要求1-5任一權項所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法制作而成。
10.一種陣列基板，其特征在于，采用權利要求6-8任一所述的陣列基板的制作方法制作而成。
【文檔編號】H01L29/45GK103839825SQ201410062345
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2014年2月24日 優先權日:2014年2月24日
【發明者】毛雪 申請人:京東方科技集團股份有限公司