用于濕法刻蝕工藝的酸槽的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種用于濕法刻蝕工藝的酸槽，包括用于放置半導體襯底的襯底支架，所述襯底支架包括：支架底座；多個支撐柱，設置于所述支架底座上，所述支撐柱上設置有旋轉裝置，所述半導體襯底設置于所述旋轉裝置上，所述半導體襯底能夠隨著所述旋轉裝置進行轉動。本發明通過在酸槽的襯底支撐架上設置旋轉裝置，使得半導體襯底能夠隨著旋轉裝置進行轉動，使得半導體襯底上的圖形能夠在某段時間內平行于水流方向，更有效的去除位于圖形附近的顆粒缺陷，提高了濕法刻蝕的清洗效果和最終形成的半導體襯底的良率。
【專利說明】用于濕法刻蝕工藝的酸槽
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體【技術領域】，特別涉及一種用于濕法刻蝕工藝的酸槽。
【背景技術】
[0002]在半導體制造工藝中，為了將晶圓上的掩膜上的圖形轉移到下埋層上，需要對進行刻蝕工藝。下埋層的某些部分經過與刻蝕機發生化學反應被去除，而其余部分由于掩膜層的保護沒有接觸刻蝕劑從而得以保留。目前，最主要的刻蝕方法有兩種:濕法刻蝕和干法等離子刻蝕。在濕法刻蝕中，刻蝕劑是液態化學混合物，它與晶圓襯底發生化學反應，產生可溶性物質，從而溶解于溶液中。酸槽作為濕法刻蝕工藝的主要設備，通常晶圓放置于酸槽中，利用酸槽的刻蝕級中浸沒一段特定的時間，便可刻蝕晶圓上不需要的材料層。
[0003]隨著半導體期間的關鍵尺寸節點從90nm持續縮減到45nm，甚至到32nm以下，對酸槽來說，去缺陷能力尤其對去顆粒缺陷的能力越來越是一個大的挑戰。
[0004]現有的酸槽為了提高清洗能力，增加了兆聲清洗，利用兆聲在酸槽里產生氣泡增加清洗效果。另外也有直接往酸槽里吹入N2，通過N2氣泡在芯片表面破裂時產生的水流力來增加清洗效果等等。但是，由于半導體襯底上的圖形的某些特殊位置(比如PolyLine附近)的顆粒缺陷，采用現有技術卻難以去除。這些位置的顆粒缺陷會影響最終制作的半導體器件的電學性能測試和良率。如何在不損傷半導體襯底以及半導體襯底上的圖形的基礎上，將半導體襯底和半導體襯底上的顆粒缺陷去除，成為本領域亟待解決的技術問題之一。
【發明內容】
[0005]本發明解決的問題是提供一種酸槽，能夠在不損傷半導體襯底和半導體襯底上形成的圖形的基礎上，去除顆粒缺陷。
[0006]為解決上述問題，本發明提供一種用于濕法刻蝕工藝的酸槽，包括用于放置半導體襯底的襯底支架，所述襯底支架包括:支架底座；多個支撐柱，設置于所述支架底座上，所述支撐柱上設置有旋轉裝置，所述半導體襯底設置于所述旋轉裝置上，所述半導體襯底能夠隨著所述旋轉裝置進行轉動。
[0007]可選地，所述旋轉裝置為滾輪，所述滾輪內設置有卡槽，所述半導體襯底設置于所述卡槽內。
[0008]可選地，所述支撐柱的數目3個。
[0009]與現有技術相比，本發明具有以下優點:
[0010]本發明通過在酸槽的襯底支撐架上設置旋轉裝置，使得半導體襯底能夠隨著旋轉裝置進行轉動，使得半導體襯底上的圖形能夠在某段時間內平行于水流方向，更有效的去除位于圖形附近的顆粒缺陷，提高了濕法刻蝕的清洗效果和最終形成的半導體襯底的良率。
【專利附圖】
【附圖說明】[0011]圖1是現有技術的酸槽的襯底支架結構示意圖；
[0012]圖2是現有技術的半導體襯底在酸槽中清洗的原理示意圖。
[0013]圖3是本發明一個實施例的酸槽的襯底支架結構示意圖。
【具體實施方式】
[0014]現有的酸槽無法將半導體襯底上的圖形的某些特殊位置(比如PolyLine附近)的顆粒缺陷去除。請結合圖1所示的現有技術的酸槽的襯底支架結構示意圖。所述酸槽內設置有襯底支架，所述襯底支架用于支撐半導體襯底30，所述襯底支架包括:支架底座10和設置于支架底座10上的多個支撐柱20，半導體襯底30的下邊緣的一周固定于支撐柱20的頂部。請參考圖2所示的現有技術的半導體襯底在酸槽中清洗的原理示意圖，并結合圖1，在進行濕法刻蝕工藝時，刻蝕劑沿平行于半導體襯底30的表面的方向A流過，半導體襯底30上由于有圖形31的阻擋，該圖形31附近的顆粒無法被去除。
[0015]為了解決上述問題，本發明提供一種酸槽，本發明解決的問題是提供一種酸槽，能夠在不損傷半導體襯底和半導體襯底上形成的圖形的基礎上，去除顆粒缺陷。
[0016]為解決上述問題，本發明提供一種用于濕法刻蝕工藝的酸槽，包括用于放置半導體襯底的襯底支架，所述襯底支架包括:支架底座；多個支撐柱，設置于所述支架底座上，所述支撐柱上設置有旋轉裝置，所述半導體襯底設置于所述旋轉裝置上，所述半導體襯底能夠隨著所述旋轉裝置進行轉動。
[0017]具體地，請參考圖3所示的本發明一個實施例的酸槽的襯底支架結構示意圖。本發明所述的酸槽包括襯底支架，所述襯底支架包括:支架底座100 ;多個支撐柱200，設置于所述支架底座100上，所述支撐柱200上設置有旋轉裝置400，半導體襯底300設置于所述旋轉裝置400上，所述半導體襯底300能夠隨著所述旋轉裝置400進行轉動。
[0018]作為本發明的一個實施例，所述旋轉裝置400為滾輪，所述滾輪內設置有卡槽，所述半導體襯底300設置于所述卡槽內。在所述滾輪的帶動下，半導體襯底300能夠在酸槽內轉動，
[0019]作為本發明的一個實施例，所述支撐柱的數目為3個。在其他的實施例中，所述支撐柱還可以為2個、4個或者更多個。
[0020]綜上，本發明通過在酸槽的襯底支撐架上設置旋轉裝置，使得半導體襯底能夠隨著旋轉裝置進行轉動，使得半導體襯底上的圖形能夠在某段時間內平行于水流方向，更有效的去除位于圖形附近的顆粒缺陷，提高了濕法刻蝕的清洗效果和最終形成的半導體襯底的良率。
[0021]因此，上述較佳實施例僅為說明本發明的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本發明的內容并據以實施，并不能以此限制本發明的保護范圍。凡根據本發明精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種用于濕法刻蝕工藝的酸槽，包括用于放置半導體襯底的襯底支架，其特征在于，所述襯底支架包括: 支架底座； 多個支撐柱，設置于所述支架底座上，所述支撐柱上設置有旋轉裝置，所述半導體襯底設置于所述旋轉裝置上，所述半導體襯底能夠隨著所述旋轉裝置進行轉動。
2.如權利要求1所述的酸槽，其特征在于，所述旋轉裝置為滾輪，所述滾輪內設置有卡槽，所述半導體襯底設置于所述卡槽內。
3.如權利要求1所述的酸槽，其特征在于，所述支撐柱的數目3個。
【文檔編號】H01L21/02GK103839773SQ201410060590
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2014年2月21日 優先權日:2014年2月21日
【發明者】宋振偉, 徐友峰, 陳晉 申請人:上海華力微電子有限公司