顯示單元及其制造方法和電子設備的制作方法

顯示單元及其制造方法和電子設備的制作方法
【專利摘要】本發明提供了一種顯示單元及其制造方法和電子設備。該顯示單元包括：顯示層，其包括像素電極；半導體層，其設置在所述顯示層下方的層中，所述半導體層包括配線層，其包括由所述像素電極也可由其移除的蝕刻劑移除的材料；和端子部，其被配置為將所述半導體層電連接到外部電路，所述端子部包括由與所述配線層的材料相同的材料制成的第一導電層。
【專利說明】顯示單元及其制造方法和電子設備
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年I月28日提交的日本在先專利申請JP2013-13555的權益，其全部內容通過引用的方式并入本文。
【技術領域】
[0003]本技術涉及一種具有設有例如薄膜晶體管(TFT)的半導體層的顯示單元及其制造方法，和包括該顯示單元的電子設備。
【背景技術】
[0004]顯示單元(諸如有機電致發光(EL)顯示單元)是輝度由有機發光二極管中流動的電流控制的顯示裝置。因此，在這樣的顯示單元中，存在的缺點是通常用作開關元件的低溫多晶硅TFT的特性的不均勻性很容易被表現為顯示不均勻。
[0005]為了解決上述缺點，在近年來的有機EL顯示單元中，已經報告了通過設計驅動電路來提高顯示性能從而解決TFT的特性的不均勻的方法。與此相反，出于諸如以下原因，例如，與液晶顯示單元相比，在有機EL顯示單元中所使用的TFT的數量和其中所使用的配線電路的數量增加，電容器的面積增加，由此，有機EL顯示單元的電路復雜化。因此，在有機EL顯示單元中，存在的缺點是布局空間密集，短路故障的數量增加，且產量降低。
[0006]由于干法蝕刻形成比較厚的配線層以便減少電阻從而引入灰塵導致短路故障。因此，例如，如在日本未經審查的專利申請特開H09-127555號中所描述的，已經公開了使用濕法蝕刻的方法作為配線層的加工技術。

【發明內容】

[0007]配線層也用作用于與外部電路(諸如柔性印刷電路)連接的端子部，并通過安裝構件連接到外部電路。然而，由于直到層壓安裝構件為止，配線層被暴露為端子部的最上表面，所以存在的缺點是，在其它濕法蝕刻步驟(諸如加工顯示元件的像素電極的步驟)中配線層被破壞，從而導致顯示性能的變化。
[0008]期望提供一種能夠抑制顯示性能變化的顯示單元及其制造方法，和電子設備。
[0009]根據本技術的實施方式，提供了一種顯示單元，包括:顯示層，包括像素電極；半導體層，設置在顯示層下方的層中，半導體層包括配線層，配線層包括可由蝕刻劑移除的材料，像素電極也能由蝕刻劑移除；以及端子部，被配置為將半導體層電連接到外部電路，端子部包括由與配線層的材料相同的材料制成的第一導電層。
[0010]根據本技術的實施方式，提供了一種制造顯示單元的方法，該方法包括:(A)在基板上的半導體層中形成配線層，以及在端子部中形成第一導電層，第一導電層由與配線層的材料相同的材料制成；(B)在半導體層和第一導電層上形成作為連續膜的像素電極，像素電極構成顯示層，且像素電極由能夠被蝕刻劑移除的材料制成，配線層也能由蝕刻劑移除；以及(C)移除第一導電層上的部分或全部像素電極以形成端子部。[0011]根據本技術的實施方式，提供了一種具有顯示單元的電子設備，顯示單元包括:顯示層，包括像素電極；半導體層，設置在顯示層下方的層中，半導體層包括配線層，該配線層包括由蝕刻劑能夠移除的材料，像素電極也可由該蝕刻劑移除；以及端子部，被配置為將半導體層電連接到外部電路，端子部包括由與配線層的材料相同的材料制成的第一導電層。
[0012]在根據本技術的上述實施方式的顯示單元、及其制造方法和電子設備中，配線層和像素電極由可被相同的蝕刻劑移除的材料形成。端子部包括至少形成在與形成配線層的步驟相同的步驟中形成的第一導電層。在形成端子部的步驟中，成為像素電極的金屬膜形成在第一導電層上，且隨后移除第一導電層上的部分或全部金屬膜。因此，減少了由于構成端子部的導電層的蝕刻而引起的損壞。
[0013]根據本技術的上述實施方式的顯示單元、及其制造方法和電子設備，構成端子部的導電層(第一導電層)形成在與其中形成配線層的步驟相同的步驟中，要成為顯示層的像素電極的金屬膜形成在導電層上，且隨后移除部分或全部金屬膜。因此，減少了由于端子部的蝕刻而引起的損壞，且抑制了顯示性能的變化。因此，提供了高可靠的電子設備。
[0014]應理解，前面的一般描述和下面的詳細描述兩者都是示例性的，且旨在提供所要求保護的技術的進一步解釋。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]附圖被包括在內以提供對本公開內容的進一步理解，并且被并入并構成本說明書的一部分。附圖示出實施方式，并與說明書一起用于解釋本技術的原理。
[0016]圖1是示出顯示單元的配置的示圖。
[0017]圖2示出圖1中所示的像素驅動電路的實例的示圖。
[0018]圖3A是示出根據本公開內容的第一實施方式的顯示單元的配置的平面示圖。
[0019]圖3B是圖3A中所示的顯示單元的橫截面示圖。
[0020]圖4A是示出按步驟制造圖3A和圖3B中所示的顯示單元的方法的橫截面示圖。
[0021]圖4B是示出圖4A的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0022]圖4C是示出圖4B的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0023]圖4D是示出圖4C的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0024]圖5A是示出圖4D的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0025]圖5B是示出圖5A的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0026]圖5C是示出圖5B的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0027]圖6是示出根據本公開第二實施方式的顯示單元的端子部的配置的橫截面示圖。
[0028]圖7A是示出按步驟制造圖6中所示的顯示單元的方法的橫截面示圖。
[0029]圖7B是示出圖7A的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0030]圖7C是示出圖7B的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0031]圖8A是示出圖7C的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0032]圖8B是示出圖8A的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0033]圖8C是示出圖8B的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0034]圖9是示出根據第一實施方式的變形例I的顯示單元的配置的橫截面示圖。
[0035]圖1OA是示出按步驟制造圖9中所示的顯示單元的方法的橫截面示圖。[0036]圖1OB是示出圖1OA的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0037]圖1OC是示出圖1OB的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0038]圖11是示出根據第二實施方式的變形例2的顯示單元的端子部的配置的橫截面示圖。
[0039]圖12A是示出按步驟制造圖11中所示的顯示單元的方法的橫截面示圖。
[0040]圖12B是示出圖12A的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0041]圖12C是示出圖12B的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0042]圖12D是示出圖12C的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0043]圖13是示出根據第二實施方式的變形例3的顯示單元的端子部的配置的橫截面示圖。
[0044]圖14A是示出按步驟制造圖13中所示的顯示單元的方法的橫截面示圖。
[0045]圖14B是示出圖14A的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0046]圖14C是示出圖14B的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0047]圖15A是示出圖14C的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0048]圖15B是示出圖15A的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0049]圖15C是示出圖15B的步驟之后的步驟的橫截面示圖。
[0050]圖16A是示出從使用根據前述實施方式等的像素的顯示單元的應用實例I的前側觀看的外觀的透視示圖。
[0051]圖16B是示出從使用根據前述實施方式等的像素的顯示單元的應用實例I的后側觀看的外觀的透視示圖。
[0052]圖17是示出應用實例2的外觀的透視示圖。
[0053]圖18A是示出從應用實例2的前側觀看的外觀的透視示圖。
[0054]圖18B是示出從應用實例2的背側觀看的外觀的透視示圖。
[0055]圖19是示出應用實例3的外觀的透視示圖。
[0056]圖20是示出應用實例4的外觀的透視示圖。
[0057]圖21A不出關閉狀態下的應用實例5的正視圖、左視圖、右視圖、俯視圖和仰視圖。
[0058]圖21B示出打開狀態下的應用實例5的正視圖和側視圖。
【具體實施方式】
[0059]將在下面參照附圖詳細描述本公開內容的一些實施方式。將按照以下順序給出描述。
[0060]1.顯示單元的整體配置
[0061]2.第一實施方式(其中端子部由配線層構成且保護膜形成在其端部的實例)
[0062]2-1.端子部的配置
[0063]2-2.制造方法
[0064]2-3.功能和效果
[0065]3.第二實施方式(其中端子部具有由配線層和像素電極構成的層壓結構的實例)
[0066]4.變形例I (其中包括多層配線的實例)
[0067]5.變形例2 (其中包括多層配線的另一實例)[0068]6.變形例3(其中配線層具有由具有不同蝕刻特性的材料制成的層壓結構的實例)
[0069]7.應用實例(每個都包括電路基板的顯示單元和電子裝置的實例)
[0070][1.顯示單元的整體配置]
[0071]圖1示出根據本公開內容的實施方式的顯示單元(顯示單元I)的平面配置的實例。顯示單元I可用于例如檢查監視器等，并且例如可具有在顯示區域IlOA中以矩陣狀態布置的多個像素(紅色像素10R、綠色像素IOG和藍色像素10B)的配置。像素部10 (參見圖3B)可具有例如發射紅色單色光的紅色發光元件30R(紅色像素10R)、發射綠色單色光的綠色發光元件30G (綠色像素10G)和發射藍色單色光的藍色發光元件30B (藍色像素10B)(對于任何組件，參見圖3A)。發光元件30R、30G和30B可由例如后面提到的有機EL元件構成。可替換地，發光元件30R、30G和30B可由無機EL元件、半導體激光器、LED (發光二極管)等構成。在顯示區域IlOA周圍(在周邊區域IlOB中)，設置了作為用于顯示圖像的驅動器的信號線驅動電路120和掃描線驅動電路130。
[0072]在顯示區域IlOA中，設置了像素驅動電路140。圖2示出像素驅動電路140的實例。像素驅動電路140是形成在后面提到的像素電極31下方的層中的有源型驅動電路。即，像素驅動電路140具有驅動晶體管Trl、寫入晶體管Tr2、晶體管Trl和Tr2之間的電容器(保持電容)Cs，和串聯連接到第一電源線(Vcc)和第二電源線(GND)之間的驅動晶體管Trl的發光元件30R (或30G和30B之一)。驅動晶體管Trl和寫入晶體管Tr2中的每個都由普通薄膜晶體管構成。它們的配置沒有特別限制，且可以是例如逆交錯結構(所謂的底柵型，即，其中柵電極、溝道層和源-漏電極對依次層壓的結構)，或交錯結構(頂柵型，即，其中溝道層、柵電極和源-漏電極對依次層壓的結構)。
[0073]在像素驅動電路140中，多條信號線120A被布置在列方向上，且多條掃描線130A被布置在行方向上。每條信號線120A與每條掃描線130A的每個交點對應于發光兀件30R、30G和30B之一。每條信號線120A連接到信號線驅動電路120，且圖像信號通過信號線120A從信號線驅動電路120供給到寫入晶體管Tr2的源電極。每條掃描線130A連接到掃描線驅動電路130，且掃描信號通過掃描線130A順序地從掃描線驅動器電路130供給到寫入晶體管Tr2的柵電極。
[0074]圖3A示出后面提到的第一實施方式中的像素部10和端子部40的平面配置。圖3B示出沿構成圖3A中所示的端子部40和像素部10的一個像素(諸如紅色像素10R)的虛線1-1截取的橫截面配置。半導體層20可設有例如前面提到的驅動晶體管Trl、前面提到的寫入晶體管Tr2等。顯示層30設置在半導體層20上，且具有前述發光元件30R、30G和30B。
[0075]在根據本公開內容的該實施方式的顯示單元I中，端子部40可由導電層42(第一導電層)構成，該導電層形成在與形成構成例如驅動晶體管Trl的配線層的步驟的相同步驟中，具體地，形成柵電極21或源-漏電極對25 (源電極25A和漏電極25B)的步驟。端子部40是顯示單元I中的引線與外部電路(諸如柔性印刷電路)之間的連接部。
[0076]下面將給出構成像素部10的半導體層20和顯示層30，和端子部40的描述。
[0077][半導體層的配置]
[0078]在基板11上的半導體層20中，形成前述驅動晶體管Trl和前述寫入晶體管Tr2。在晶體管Trl和Tr2上，設置平坦化絕緣膜26。雖然晶體管Trl和Tr2(下面稱為薄膜晶體管20A)可以是頂柵型或底柵型，但是在該實施方式中，將通過采用底柵型薄膜晶體管20A作為實例給出描述。在薄膜晶體管20A中，從基板11依次設置柵電極21、柵極絕緣膜22、形成溝道區的有機半導體膜(溝道層23)、層間絕緣膜24，和源-漏電極對(源電極25A和漏電極25B)。
[0079]對于基板11，除玻璃基板之外，例如還可使用由例如聚醚砜、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚酰胺、聚縮醛、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醚醚酮、聚烯烴等制成的塑料基板；由例如表面經絕緣處理的鋁(Al)、鎳(Ni)、銅(Cu)、不銹鋼等制成的金屬箔基板；紙；或類似物。此外，可在基板上形成提高粘附性和平坦性的功能膜(諸如緩沖層)和提高阻氣特性的阻擋膜。此外，如果允許例如通過濺射法或類似方法在不加熱基板11的情況下形成溝道層23，則廉價的塑料膜可用于基板11。
[0080]柵電極21具有對薄膜晶體管20A施加柵極電壓和通過柵極電壓來控制溝道層23中的載流子密度的作用。柵電極21設置在基板11上的選擇區域中，且可由例如金屬(諸如鉬(Pt)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鑰(Mo)、Cu、鎢(W)、鎳(Ni)、Al和鉭(Ta))單質或它們的合金制成。此外，柵電極21可具有其中兩種以上層壓的結構。
[0081]柵極絕緣膜22設置在柵電極21和溝道層23之間，且厚度可，例如，從50nm到I μπι(包括兩個端點)。柵極絕緣膜22可由例如絕緣膜(包括氧化硅膜(SiO)、氮化硅膜(SiN)、氮氧化硅膜(SiON)、氧化鉿膜(Η--)、氧化鋁膜(AL0)、氮化鋁膜(A1N)、氧化鉭膜(TaO)、氧化鋯膜(ZrO)、氮氧化鉿膜、氮氧化鉿硅膜、氮氧化鋁膜、氮氧化鉭膜和氧氮化鋯膜中的一種或多種)形成。柵極絕緣膜22可具有單層結構，或者使用兩種以上材料(諸如SiN和SiO)的層壓結構。在柵極絕緣膜22具有層壓結構的情況下，提高了相對于溝道層23的界面特性，且可有效地抑制來自周 圍空氣的雜質(諸如濕氣)混合到溝道層23中。在涂布后通過蝕刻以預定形狀圖案化柵極絕緣膜22。可替換地，根據材料，可通過印刷技術(諸如噴墨印刷、絲網印刷、膠印印刷和凹版印刷)進行柵極絕緣膜22的圖案形成。
[0082]溝道層23以島的形狀設置在柵極絕緣膜22上且在相對源電極25A和漏電極25b之間的柵電極21的位置處具有溝道區域。溝道層23的厚度可為例如5nm至IOOnm (包括兩端點)。溝道層23可由例如有機半導體材料(諸如，外周黃原膠氧雜蒽(PXX)衍生物)制成。有機半導體材料的實例可包括聚噻吩、通過將己基群引入聚噻吩獲得的聚3-己基噻吩[P3HT]、并五苯[2，3,6, 7-二苯并蒽]、聚蒽、并四苯、并六苯、并七苯、二苯并并五苯、四苯并并五苯、茈、暈苯、滌綸、卵苯、對庚基聯苯、循環蒽、苯并芘、二苯并芘、苯并菲、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔、聚二乙炔、聚亞苯基、聚呋喃、聚吲哚、聚乙烯基咔唑、聚硒吩、聚碲吩、聚異硫茚、聚咔唑、聚亞苯基硫醚、聚苯乙炔、聚苯硫醚、聚噻吩乙炔、聚噻吩乙烯、聚萘、聚芘、聚甘菊環、由銅酞菁表示的酞菁、部花青、半花青、聚乙烯二氧噻吩、噠嗪、萘四羧酸二酰亞胺、聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸[PED0T/PSS]、4，4’ -聯苯二硫醇(BPDT)、4，4’ - 二異丙胺氰基聯苯(diisocyanobiphenyl)、4, 4’ - 二異丙胺氰基-對三聯苯、2，5_ 二(5’ -硫代乙酰基-2，-苯硫基)噻吩、2，5- 二(5，-thioacetoxyl-2’ -苯硫基)噻吩、4，4’ - 二異丙胺苯腈(diisocyanophenyl)、聯苯胺(聯苯基_4，4’ - 二胺)、TCNQ (四氰基)、由硫富瓦烯(TTF ) -TCNQ絡合物表示的電荷轉移絡合物、雙亞乙基硫富瓦烯(BEDTTTF )-高氯酸絡合物、BEDTTTF-碘絡合物和TCNQ-碘絡合物、聯苯基_4，4’ - 二羧酸、24- 二( 4-苯硫基乙炔基)-2-乙基苯、24- 二(4-異苯腈乙炔基)-2-乙基苯、樹枝狀聚合物、富勒烯，諸如C60、C70、C76、C78 和 C84、24_ 二(4-苯乙炔基氧化鈦(tiohphenylethynyl)) -2-乙基苯、2，2”-二輕基_1，I’:4’，I” _ 二聯苯、4，4’-聯苯二甲醒、4，4’-聯苯二酌.、4，4’-聯苯基、24- 二 乙塊基苯(diacetynyIbenzene)、二乙基聯苯氰(diethyIbiphenyI) _4，4’ - 二羧酸、苯并[22-c;3，4-c，5，6-c，，]三[22] 二磺酚-24，7-三磺酚、α-六噻吩、四硫化并四苯(tetrathiotetracene)、四娃化并四苯(tetraselenotetracene)、四氯化并四苯(tetrateI Iurtetracene )、聚(3_燒基噻吩)、聚(3_噻吩基-β -乙磺酸)、聚(N-燒基批咯)、聚(3-烷基吡咯)、聚(3，4- 二烷基吡咯)、聚(2，2’ -三乙基吡咯)、聚(二苯并噻吩硫醚)和喹吖啶酮。除此之外，可使用選自由稠合多環芳族化合物、葉啉類衍生物、苯基亞乙烯基系共軛系低聚物和噻吩基共軛系低聚物組成的化合物。此外，可使用有機半導體材料和絕緣聚合物材料的混合物。
[0083]溝道層23可通過真空蒸鍍法形成。然而，溝道層23可優選例如通過例如在有機溶劑中溶解任何前述材料并使用所得物作為油墨溶液的涂布和印刷工藝形成。其中一個原因是涂布和印刷工藝可比真空蒸鍍法更加降低成本并可有效地提高生產量。涂布和印刷工藝的具體實例可包括以下方法，諸如澆涂、旋涂、噴涂、噴墨印刷、凸版印刷、柔版印刷、絲網印刷、凹版印刷、凹版膠版印刷。
[0084]源電極25Α和漏電極25Β彼此分離地設置在溝道層23上并電連接到溝道層23。作為構成源電極25Α和漏電極25Β的材料，可使用金屬材料、非金屬材料、無機半導體材料等。其具體實例可包括針對前述柵電極21提及的導電薄膜材料；鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、氧化銦錫(ITO)和氧化鑰(MoO);和任何這些種類的金屬的合金。源電極25Α和漏電極25Β由任何前述金屬的單質或它們的合金構成。源電極25Α和漏電極25Β可具有單層結構，或者可具有通過層壓兩種以上前述材料獲得的結構。層壓結構的實例可包括諸如鈦[Ti/Al/Ti]和[Mo/Al]的層壓結構。
[0085]平坦化絕緣膜26平坦化薄膜晶體管20A形成在其上的基板11的表面。平坦化絕緣膜26的構成材料的實例可包括諸如聚酰亞胺的有機材料，和諸如氧化硅(SiO2)的無機材料。
[0086][顯示層的配置]
[0087]顯示層30包括紅色發光元件30R (或綠色發光元件30G和藍色發光元件30B之一)并設置在半導體層20上，具體地，設置在平坦化絕緣膜26上。紅色發光元件30R是以下發光元件，其中，作為陽極的像素電極31、電極間絕緣膜32 (分隔壁)、包括發光層的有機層33和作為陰極的對向電極34依次自半導體層20層疊。密封基板36利用介于其間的密封層35接合到對向電極34。薄膜晶體管20A和紅色發光元件30R通過設置在平坦化絕緣膜26中的連接孔26A電連接到像素電極31。
[0088]像素電極31也具有作為反射層的功能，且可理想地具有盡可能高的反射率以提高發光效率。特別而言，在像素電極31用作陽極的情況下，像素電極31可優選由例如具有高空穴注入特性的材料制成。像素電極31的這種材料的實例可包括金屬元素(諸如鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鎢(W)和銀(Ag))的單質，以及它們的合金。在像素電極31的表面上，具有大功函數的透明電極可優選分層。在本公開內容的實施方式中，將在下面給出作為實例的一種情況的描述，在該情況下，像素電極31具有由具有反射功能的上述材料(諸如Al)制成的層(反射電極膜31A)和由透明導電材料(諸如氧化銦錫(ITO))制成的層(透明電極膜31B)構成的層壓結構。
[0089]電極間絕緣層32被配置為確保像素電極31與對向電極34之間絕緣，并允許發光區域具有期望的形狀。電極間絕緣層32可由例如光敏樹脂制成。電極間絕緣膜32僅設置在像素電極31周圍。從電極間絕緣膜32露出的像素電極31的區域是發光區域。需注意，雖然有機層33和對向電極34也設置在電極間絕緣膜32上，但是僅從發光區域發射光。
[0090]例如，有機層33可具有以下配置:其中，空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層自像素電極31依次層壓。這些層可根據需要設置。形成有機層33的各個層的配置可根據發光元件30R、30G和30B的發光顏色而不同。空穴注入層提高了空穴注入效率，且是防止泄漏的緩沖層。空穴傳輸層提高了空穴到發光層的傳輸效率。在發光層中，當施加電場時，發生電子和空穴的復合，因此產生光。電子傳輸層提高了電子到發光層的傳輸效率。電子注入層提高了電子注入效率。
[0091]對向電極34由例如鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)或鈉(Na)的合金制成。特別而言，鎂和銀的合金(Mg-Ag合金)可以是優選的，因為這種合金在薄膜中同時具有導電性和小吸收性。雖然Mg-Ag合金中鎂和銀之間的比率沒有限制，但是Mg和Ag之間的膜厚度比率可優選在20:1至1:1的范圍內(包括兩個端點)。此外，作為對向電極34的材料，可使用鋁(Al)和鋰(Li)的合金(Al-Li合金)。
[0092]密封層35可具有例如由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、金屬氧化物或類似物制成的層和由熱固性樹脂、紫外線固化性樹脂或類似物制成的層構成的層壓結構。例如，設有遮光膜和濾色器的密封基板36可接合到密封層35。
[0093][端子部的配置]
[0094]如上所述，端子部40將顯示單元I中的各種配線連接到外部電路。在該實施方式中，端子部40可由在與形成設置在半導體層20中的配線層(諸如柵電極21或源電極25A和漏電極25B)的步驟相同的步驟中形成的導電層42 (第一導電層)構成。換言之，在該實施方式中，端子部40可由在與設置在半導體層20中的配線層(諸如柵電極21或源電極25A和漏電極25B)的材料相同的材料形成的導電層42 (第一導電層)構成。可替換地，端子部40可具有以下配置:其中，在與形成像素電極31的步驟相同的步驟中形成的導電層(第二導電層)層壓在導電層42上的。
[0095]需注意，在根據本公開內容的該實施方式的顯示單元I中，在與在端子部40中形成導電層42的步驟相同的步驟中形成的配線層(柵電極21或源電極25A和漏電極25B之一)中所包含的材料和包含在顯示層30中的像素電極31中的材料可由相同的蝕刻劑(這些材料具有相同的蝕刻特性)移除。蝕刻劑類型的實例可包括乙酸-磷酸-硝酸基水溶液、氫氟酸-硝酸基水溶液和氨-氫過氧化物基水溶液。例如，鋁(Al)、銀(Ag)或鑰(Mo)可由乙酸-磷酸-硝酸基水溶液移除。例如，鉭(Ta)或鎢(W)可由氫氟酸-硝酸基水溶液移除。例如，鈦(Ti )、氮化鈦(TiN)或者銅(Cu )可由氨-氫過氧化物基水溶液移除。
[0096][2.第一實施方式]
[0097][2-1.端子部的配置]
[0098]本公開內容的第一實施方式的顯示單元I具有以下配置，其中，如示圖3B所示，端子部40由與形成在設置于半導體層20中的配線層(即，在這個實例中，源電極25A和漏電極25B)的步驟相同的步驟中形成的導電層42構成。在該實施方式中，在端子部40中，絕緣膜41、導電層42和具有開口 43A的絕緣膜43從基板11依次層壓。導電層42的端部(具體是從頂表面的圓周邊緣部分到導電層42的側表面的部分)覆蓋有保護膜44。
[0099]該實施方式中的顯示單元I的端子部40可如下制造。
[0100][2-2.制造方法]
[0101]如圖4A所示，半導體層20和端子部40通過常規方法形成在基板11上。首先，要成為柵電極21的金屬膜可例如通過濺射法、真空蒸鍍法或類似方法形成在基板11的整個表面上。接下來，金屬膜可例如由光刻和蝕刻被圖案化，因此形成柵電極21。接下來，柵極絕緣膜22、絕緣膜41和溝道層23依次形成在基板11和柵電極21的整個表面上。具體而言，在基板11的整個表面上可例如通過旋涂法涂布前述柵極絕緣膜的材料，諸如PVP(聚乙烯吡咯烷酮)溶液，并將所得物干燥。因此，形成像素部10中的柵極絕緣膜22和端子部40中的絕緣膜41。接下來，有機半導體材料(諸如PXX化合物溶液)被涂覆到該柵極絕緣膜22上。此后，將所涂覆的有機半導體材料加熱，因此溝道層23形成在柵極絕緣膜22上。
[0102]隨后，層間絕緣膜24形成在溝道層23上。此后，金屬膜形成在溝道層23、層間絕緣膜24和絕緣膜41上。具體而言,例如,可例如通過派射法形成具有[Mo/Al/Mo]的配置的層壓膜。接下來，可例如通過使用光刻方法進行蝕刻形成源電極25A、漏電極25B和導電層42。
[0103]接下來，如圖4B所示，例如，可通過濺射法在層間絕緣膜24、源電極25A、漏電極25B和導電層42上將SiN形成為連續膜44P。此后，如圖4C所示，通過干法蝕刻移除形成在像素部10上的連續薄膜44P的部分形成保護膜44。隨后，如圖4D所示，光敏樹脂(諸如聚酰亞胺)被涂覆到像素部10上，平坦化絕緣膜26形成并通過曝光和顯影被圖案化為預定的形狀，形成連接孔26A，并將所得物燒制。接下來，具有例如[A1/IT0]的配置的金屬膜31P可例如通過濺射法形成在端子部40中的平坦化絕緣膜26和保護膜44上。
[0104]隨后，如圖5A所示，端子部40的整個表面和像素部10的一部分上的部分金屬薄膜31P通過濕法蝕刻被選擇地移除以形成與發光元件30R、30G和30B中的每個分離的像素電極31。接下來，如圖5B所示，端子部40中的保護膜44可使用例如SF6通過干法蝕刻被移除以形成將要成為相對于外部電路的連接部的開口 43A。隨后，如圖5C所示，絕緣膜形成在像素部10和端子部40的整個表面上，隨后，絕緣膜被加工以形成限定發光區域的窗狀電極間絕緣膜32和絕緣膜43。此后，包括發光層的有機層33和對向電極34例如通過蒸鍍法形成在像素部10中。此后，密封基板36利用介于其間的密封層35接合至此。最后，用于與外部電路連接的FPC安裝在端子部40上，并因此完成顯示單元I。
[0105]這樣的顯示單元I適用于任何領域的用于將從外部輸入的圖像信號或內部產生的圖像信號顯示為圖像或視頻的電子裝置的顯示單元，諸如，除了檢查監視器之外，電視機、數碼相機、筆記本式個人計算機、便攜式終端設備(諸如移動電話)和視頻攝像機。
[0106][2-3.作用及效果]
[0107]在一般情況下，作為構成顯示單元的驅動晶體管Trl (或寫入晶體管Tr2)的柵電極、源電極和漏電極或類似電極的配線材料，在配線材料的體積電阻率和加工性能方面可優選使用包含Al作為主要成分的金屬。此外，通過使用具有高反射率的金屬材料(諸如Al和Ag)作為頂部發射型有機EL顯示單元中的發光元件的像素電極的材料，可獲得高發光效率。然而，在前述配線層和像素電極由可在相同蝕刻劑中溶解的相同材料或材料制成且將各種配線連接到外部電路的端子部由與構成像素部的配線層的材料相同的材料制成的情況下，形成端子部的導電層的表面在加工配線層的步驟中被損壞或蝕刻。因此，端子部尚未被允許正常地形成，而安裝故障、端子部的電阻值增加等已經發生。因此，存在以下一些缺點，諸如由于性能變化引起的制造成品率降低和可靠性降低。
[0108]與此相反，在該實施方式中，在與形成形成半導體層20的配線層(在這種情況下是源電極25A和漏電極25B)的步驟相同的步驟中形成的金屬膜被形成為端子部40中的導電層42，且此后，保護膜44形成在導電層42上。使用不可由用于蝕刻導電層42的蝕刻劑移除的材料形成保護膜44。因此，在加工可由與源電極25A、漏電極25B和導電層42的蝕刻劑相同的蝕刻劑移除的材料(即，該材料具有與源電極25A、漏電極25B和導電層42的蝕刻特性相同的蝕刻特性)形成的像素電極31的步驟中，可防止導電層42的損壞。
[0109]如上所述，在該實施方式中的顯示單元I和顯示單元I的制造方法中，在與形成在半導體層20中的配線層的那些相同的步驟中形成并由與其相同的材料制成的金屬膜被形成為構成端子部40的導電層42，且此后，保護膜44形成在導電層42上。因此，在隨后的蝕刻步驟中，可防止導電層42的損壞，且形成正常端子部40。因此，降低了特性的變化，且提高了制造成品率。即，提供了高可靠性的顯示單元。
[0110]下面將給出第二實施方式和變形例I至3的描述。需注意，在以下的描述中，對于與第一實施方式中的元件相同的組件，相同的附圖標記附于其上，且將適當地省略其描述。
[0111][3.第二實施方式]
[0112]圖6示出本公開內容的第二實施方式的顯示單元2中的端子部50的橫截面配置。端子部50與前述第一實施方式的不同之處在于:將與形成像素電極31的步驟相同的步驟中形成的導電層52層壓在在與形成在半導體層20中所形成的配線層的步驟相同的步驟中形成的導電層51上。
[0113]如在第一實施方式中，端子部50具有在與形成配線層(在該實例中是源電極25A和漏電極25B)相同的步驟中形成的導電層51。在導電層51上，在與形成像素電極31的步驟相同的步驟中形成的導電層52層壓。如在第一實施方式中，該實施方式中的像素電極31具有由具有與配線層(諸如源電極25A和漏電極25B)的那些相同的蝕刻特性的材料(例如Al和Al合金)制成的層(反射電極膜31A)和使用透明導電材料(諸如ΙΤ0)形成的層(透明電極膜31B)構成的層壓結構。因此，與像素電極31 —樣，端子部50中的導電層52具有以下配置:其中，由具有與源電極25A和漏電極25B的那些相同的蝕刻特性的材料(S卩，具有與導電層51的那些相同的蝕刻特性的材料)制成的層(導電層52A)，和由透明導電材料制成的層(透明電極層52B)依次層壓。然而，在該實施方式中的端子部50中，其表面上的透明電極材料層52B的一部分,具體是相對于外部電路要成為連接表面的在開口部分53A中的一部分被移除，且導電層52A暴露。
[0114]該實施方式中的顯示單元2的端子部50可如下制造。首先，通過類似于前述第一實施方式中的方法，如圖7A所示，形成直至源電極25A、漏電極25B和導電層51的層。隨后，如圖7B所示，在形成平坦化絕緣膜26之后，具有例如[Al (52A)/IT0 (52B)]的配置的金屬薄膜31P和52形成在漏電極25B和平坦化絕緣膜26的表面上和端子部50中的導電層51上。
[0115]接下來，選擇地移除ITO以獲得如圖7C中所示的預定形狀。此時，不移除端子部50中的ITO (52B)的部分。隨后，如圖8A所示，加工像素電極31和導電層52 (52A和52B)。此后，如圖SB所示，形成限定發光區域的窗狀電極間絕緣膜32和具有開口 53A的絕緣膜53。接下來，如圖8C所示，開口 53A中的導電層52B被蝕刻，具體地，將其移除以獲得具有與開口 53A的形狀大致相同形狀的開口，且因此，導電層52電導通到外部電路。此后，包括發光層的有機層33通過蒸鍍法形成在像素部10中。然后，密封基板36由介于其間的密封層35接合到此。最后，用于與外部電路連接的FPC安裝在端子部40上，并因此完成顯示單元2。
[0116]在像素電極具有由金屬膜和透明電極膜構成的層壓結構的顯示單元中，在該像素電極用作連接到外部電路的端子部的情況下，存在以下缺點，即，與不使用像素電極作為端子部的顯示單元相比，平均安裝電阻值增加更多，且電阻值的變化顯著增加且會發生顯示不均勻。其中一個原因是，在反射電極膜和透明電極(例如，Al-Ni合金和ΙΤ0)直接接觸的情況下，通過A13Ni層顆粒的局部歐姆接觸部分和通過氧化鋁膜的非歐姆接觸部分以混合方式存在。另一個原因可能是安裝的構件的導電性填料和端子部的表面是點接觸。
[0117]與此相反，在本實施方式中，端子部50具有以下層壓結構，該結構由在與形成配線層的步驟相同的步驟中形成的導電層51和在與形成像素電極31的步驟相同的步驟中形成的導電層52構成。在其制造步驟中，在加工像素電極31時，設置在端子部50中的導電層52中的透明電極膜52B被留下并且在蝕刻反射電極膜52A時用作保護膜。因此，可防止構成端子部50的導電層51和導電層52 (反射電極膜52A)由于蝕刻而損壞。此外,在圖案化像素電極31之后，移除端子部50的頂表面上的透明電極膜52B。因此，可防止端子部50的電阻值增加。
[0118]如上所述，在該實施方式中的顯示單元2和顯示單元2的制造方法中，通過使用透明電極膜52B作為在加工反射電極膜52A時的保護膜，正常地形成端子部50。此外，通過最后移除端子部50中的透明電極膜52B，可防止端子部50的電阻值增加。由此，可降低特性的變化，并且提高制造成品率。即，允許提供可靠性高的顯示裝置。
[0119][4.變形例 I]
[0120]圖9示出前述第一實施方式的變形例中的顯示單元3的像素部60和端子部40的橫截面配置。顯示單元3與前述第一實施方式中的顯示單元的不同之處在于，構成像素部60的半導體層20由多層配線構成。該半導體層20可具有以下配置:其中，例如由樹脂材料(諸如聚酰亞胺)形成的層間絕緣膜61和由類似于柵電極21、源電極25A和漏電極25B的材料的金屬材料形成的配線層62在構成薄膜晶體管20A和平坦化絕緣膜26的各個層之間分層。需注意，為了形成構成該變形例中的端子部40的導電層42，除了柵電極21或源電極25A和漏電極25B之外，可使用配線層62。在這種情況下，配線層62由具有與像素電極31 (具體為反射電極膜31A)的那些相同的蝕刻特性的材料制成。
[0121]該變形例中的顯示裝置3可如下制造。首先，如圖1OA所示，源電極25A、漏電極25B和導電層42通過類似于前述第一實施方式中的方法形成，且此后，保護膜44形成在端子部40中。隨后，如圖1OB所示，層間絕緣膜61和配線層62形成在層間絕緣膜24、源電極25A和漏電極25B上，此后，平坦化絕緣膜26和像素電極薄膜3IP依次形成。此外，像素電極薄膜3IP也形成在端子部40中的保護膜44上。
[0122]接下來，如圖1OC所示，端子部40的整個表面上的像素電極膜31P的一部分通過濕法蝕刻移除，且像素部10被加工。此后，通過使用例如SF6等的干法蝕刻可選擇地移除要成為相對于外部電路的連接部分的端子部40中的保護膜44的一部分。隨后，如圖1OC所示，絕緣膜43形成在限定發光區域的窗狀電極間絕緣膜32和端子部40上。此后，包括發光層的有機層33通過蒸鍍方法形成在像素部60中，且此后，密封基板36由介于其間的密封層35接合至此。最后，用于與外部電路連接的FPC安裝在端子部40上，并因此完成顯示單元3。
[0123][5.變形例 2]
[0124]圖11示出前述第二實施方式的變形例中的顯示單元4的端子部70的橫截面配置。顯示單元4與前述第二實施方式中的顯示單元的不同之處在于，半導體層20具有如前述變形例I中的多層配線結構，且構成端子部70的導電層具有三層結構。該導電層可具有例如以下配置:其中，在與形成源電極25A和漏電極25B的步驟相同的步驟中形成的導電層72、在與形成配線層62的步驟相同的步驟中形成的導電層75，和在與形成像素電極31的步驟相同的步驟中形成的導電層73依次層疊。需注意，也可在與柵電極21的步驟相同的步驟中形成導電層72。
[0125]該變形例中的顯示裝置4可如下制造。首先，如圖12A所示，源電極25A、漏電極25B和絕緣膜71上的導電層72通過類似于前述第二實施方式中的方法形成。隨后，如圖12B所示，層間絕緣膜61和配線層62形成在層間絕緣膜24、源電極25A、漏電極25B和導電層51上；且導電層75形成在端子部70中的導電層72上。
[0126]接下來，如圖12C所示，形成平坦化絕緣膜26、像素電極31和導電層73。此后，如圖12D所示，形成限定發光區域的窗狀電極間絕緣膜32和絕緣膜74。此外，在與端子部70中的像素電極31同時形成的導電層73 (反射電極膜73A和透明電極膜73B)中，移除曾作為保護膜的透明電極膜73B。此后，包含在像素部60中的有機層33通過蒸鍍法形成，且此后，密封基板36利用介于其間的密封層35接合至此。最后，用于與外部電路連接的FPC安裝在端子部70上，并因此完成顯示單元4。
[0127]期望顯示單元的尺寸進一步變大并具有較高分辨率。在顯示單元的尺寸變大的情況下，由于配線電阻和寄生電容而產生的負載，會發生信號延遲。此外，在實現更高分辨率的情況下，隨著像素的數量增加，驅動配線和信號線形成在其中的配線層的密度(特別在有機EL顯示單元中)增加，且因此，短路故障的數量增加，且制造成品率不利地降低。解決前述缺點的一個方法可以是以下方法，其允許其中形成各種配線的層具有多層結構。在實現本技術的實施方式中的配線層的多層結構的情況下，光敏樹脂(諸如具有低介電常數的聚酰亞胺)用于具有多層結構的配線層之間以便避免信號延遲。然而，前述樹脂為基礎的材料對于干法蝕刻具有低耐性。由此，在感光層間絕緣樹脂上的配線層通過干法蝕刻加工的情況下，例如，可在絕緣膜中產生空洞，從而導致上配線層和下配線層之間的短路，或由于絕緣膜的表面的粗糙度，可能會發生外觀不均勻。由此，例如，會易于降低制造成品率，且易于發生質量變化等。
[0128]因此，為了實現多層配線結構而加入的配線層62可優選由可通過濕法蝕刻加工的材料(諸如具有[Mo/Al]的配置的層壓金屬)制成。根據變形例I和2，例如，在變形例I中，端子部40中的導電層42形成在與形成柵電極21的步驟、形成源電極25A和漏電極25B的步驟、或形成配線層62的步驟相同的步驟中形成，且此后，保護膜44形成在導電層42上。在變形例2中，構成端子部70的導電層具有三層結構(由導電層72、75和73構成)，并在形成其的步驟中，透明電極膜73B形成在最上層。由此，在半導體層20具有包括由光敏樹脂材料形成的層間絕緣膜61的多層配線結構的情況下，可防止端子部40的導電層42(或端子部70中的導電層72、75和73)因蝕刻而損壞。由此，可提供具有高制造成品率和優異可靠性的大尺寸和高清晰度的顯示單元。
[0129][6.變形例 3]
[0130]圖13示出前述第二實施方式的變形例中的顯示單元5的端子部80的橫截面配置。顯示單元5具有以下配置:其中，源電極25A和漏電極25B中的每個都由由具有不同蝕刻特性的不同金屬材料制成的層壓結構構成。具體而言，在源電極25A和漏電極25B中，例如，Al合金和Ti (或W)可從基板11依次層壓。在與形成源電極25A和漏電極25B的步驟相同的步驟中形成的端子部80中的導電層中，由Al合金制成的導電層82A和由Ti (或W)制成的導電層82B也以該順序層壓。
[0131]該變形例中的顯示單元5可如下進行制造。首先，如圖14A所示，源電極25A、漏電極25B和導電層82 (導電層82A和82B)通過類似于前述第一實施方式中的方法形成。此時，源電極25A、漏電極25B和導電層82 (導電層82A和82B)中的每個都具有由具有不同于配線層62的材料的那些的蝕刻特性的金屬材料制成的層壓結構，即，可以是例如[Ti/Al]的層壓結構。隨后，如圖14B所示，層間絕緣膜61和金屬膜62A形成在層間絕緣膜24、源電極25A、漏電極25B和導電層82上。接下來，如圖14C所示，像素部60中的金屬膜62A被加工以形成配線層62，且移除端子部80中的金屬膜62A。此時，導電層82B ([Ti/Al]層壓結構中的Ti層)用作蝕刻保護膜。
[0132]隨后，如圖15A所示，在形成平坦化絕緣膜26之后，像素電極膜3IP形成在平坦化絕緣膜26和端子部80的整個表面上。接下來，如圖15B所示，像素電極膜31P被圖案化以形成像素電極31，且移除像素電極膜31P在端子部80中的部分。隨后，如圖15C所示，限定發光區域的窗狀電極間絕緣膜32和端子部80上的絕緣膜83通過形成和加工絕緣膜而形成。此后，包括發光層的有機層33通過蒸鍍法形成在像素部60中，且此后，密封基板36由其間的密封層35接合到其上。最后，用于與外部電路連接的FPC安裝在端子部80上，并因此完成顯示單元5。
[0133]如上所述，在形成在半導體層20中的任何配線層(柵電極21、源電極25A、漏電極25B和配線層62)具有由具有不同蝕刻特性的材料制成的層壓結構的情況下，特別是，在其上層的材料具有不同于像素電極31的那些的蝕刻特性的情況下，在沒有如前述第一實施方式和變形例I中單獨形成保護膜的情況下，正常地形成端子部80。
[0134][7.應用實例]
[0135]在上面第一和第二實施方式和變形例I至3中解釋的顯示單元I至5可適當用作例如下面的電子設備。
[0136][應用實例I]
[0137]圖16A示出從其正側觀看的智能手機的外觀，且圖16B示出從其背側觀看的外觀。智能電話可包括例如顯示部610 (顯示單元I)、非顯示部(殼)620和操作部630。操作部630可設置在非顯示部620的前表面上，如圖16A所示，或者可設置在非顯示部620的頂表面上，如圖16B所示。[0138][應用實例2]
[0139]圖17示出根據應用實例2的電視機的外觀。電視機可具有例如包括前面板210和濾光玻璃220的圖像顯示屏幕部200。圖像顯示屏幕部200對應于任何前述顯示單元。
[0140][應用實例3]
[0141]圖18A不出從正側觀看的根據應用實例3的數碼相機的外觀，且圖18B不出從后側觀看的其外觀。數碼相機可具有例如閃光燈的光發射部310、作為任何前述顯示單元的顯示部320、菜單開關330和快門按鈕340。
[0142][應用實例4]
[0143]圖19示出根據應用實例4的筆記本式個人計算機的外觀。筆記本式個人計算機可具有例如主體410、用于輸入字符等的操作的鍵盤420，和作為任何前述顯示單元的顯示部 430。
[0144][應用例5]
[0145]圖20示出根據應用實例5的視頻攝像機的外觀。視頻攝像機可具有例如主體510、用于拍攝設置在主體510的前側表面上的被攝體的透鏡520、用于拍攝的開始-停止開關530，和作為任何前述顯示單元的顯示部540。
[0146][應用實例6]
[0147]圖21A示出閉合狀態下的根據應用實例6的正視圖、左視圖、右視圖、俯視圖和仰視圖。圖21B示出打開狀態下的移動電話的正視圖和側視圖。在移動電話中，例如，上部殼710和下部殼720可通過連接部(鉸鏈部)730連接。移動電話可具有顯示器740、子顯示器750、畫面燈760和相機770。顯示器740和子顯示器750中的一個對應于任何前述顯示單
J Li ο
[0148]雖然已經參考第一和第二實施方式、變形例I至3和應用實例描述了本公開，但是本公開不限于前述實施方式等，并且可進行各種變形例。例如，每個層的材料、厚度、成膜方法、成膜條件等不限于前述實施方式等中所描述的那些，可采用其它材料、其它厚度、其它成膜方法和其它成膜條件。
[0149]根據本公開的上述示例性實施方式和變形例可能實現至少以下配置。
[0150](I) 一種顯示單元，包括:
[0151]顯示層，包括像素電極；
[0152]半導體層，設置在所述顯示層下方的層中，所述半導體層包括配線層，所述配線層包括能夠被蝕刻劑移除的材料，所述像素電極也能夠被所述蝕刻劑移除；以及
[0153]端子部，被配置為將所述半導體層電連接到外部電路，所述端子部包括由與所述配線層的材料相同的材料制成的第一導電層。
[0154](2)根據(I)所述的顯示單元，其中:
[0155]所述半導體層包括柵電極和源-漏電極對，以及
[0156]所述端子部由與所述柵電極和所述源-漏電極對之一的材料相同的材料制成的所述第一導電層構成。
[0157](3)根據(2)所述的顯示單元，其中:
[0158]所述半導體層包括多層配線層，以及
[0159]所述端子部由與構成所述多層配線層的金屬膜的材料相同的[0160]材料制成的所述第一導電層構成。
[0161](4)根據(3)所述的顯示單元，其中，所述端子部由所述第一導電層和包括所述第一導電層和第二導電層的層壓結構之一構成，所述第一導電層由與所述柵電極的材料、所述源-漏電極對的材料、和所述金屬膜的材料中的至少一種相同的材料制成，所述第二導電層包括構成所述像素電極的材料。
[0162](5)根據(4)所述的顯示單元，其中:
[0163]所述像素電極和所述端子部中的所述第二導電層中的每個都
[0164]具有包括透明電極膜和反射電極膜的層壓結構，以及
[0165]構成所述端子部的所述第二導電層中的所述透明電極膜包括開口。
[0166](6)根據(I)至(5)中任一項所述的顯示單元，其中，所述端子部至少在所述端子部的兩端具有保護膜。
[0167](7)根據(I)至(6沖任一項所述的顯示單元，其中，所述蝕刻劑是乙酸-磷酸-硝酸基水溶液、氫氟酸-硝酸基水溶液、和氨-氫過氧化物基水溶液之一。
[0168](8)根據(I)至(7)中任一項所述的顯示單元，其中，所述端子部包括鋁(Al)、銀(Ag)、和鑰(Mo)中的一種或多種。
[0169](9)根據(I)至(8)中任一項所述的顯示單元，其中，所述端子部包括鉭(Ta)和鎢(W)中的一種或兩種。
[0170](10)根據(I)至(9)中任一項所述的顯示裝置，其中，所述端子部包括鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、和銅(Cu)中的一種或多種。
[0171](11)根據(I)至(10)中任一項所述的顯示裝置，其中，所述像素電極和所述配線層之一或兩者具有以下配置:在所述配置中，層壓具有不同蝕刻特性的層。
[0172](12)根據(I)至(11)中任一項所述的顯示裝置，其中，所述像素電極具有以下配置:在所述配置中，層壓鋁(Al)和鋁合金之一以及氧化銦錫(ITO)。
[0173](13)根據(I)至(12)中任一項所述的顯示裝置，其中，所述配線層具有Ti層、Al層和Ti層依次層壓的層壓結構。
[0174](14)根據(I)至(13)中任一項所述的顯示裝置，其中，所述半導體層依次包括柵電極、半導體膜、和源-漏電極對，或者依次包括半導體膜、柵電極、和源-漏電極對。
[0175](15) 一種制造顯示單元的方法，所述方法包括:
[0176]在基板上的半導體層中形成配線層，并且在端子部中形成第一導電層，所述第一導電層由與所述配線層的材料相同的材料制成；
[0177]在所述半導體層和所述第一導電層上形成作為連續膜的像素電極，所述像素電極構成顯示層，且所述像素電極由能夠被蝕刻劑移除的材料制成，所述配線層也能夠被所述蝕刻劑移除；以及
[0178]移除所述第一導電層上的部分或全部所述像素電極以形成所述端子部。
[0179](16)根據(15)所述的方法，其還包括:在所述配線層和所述第一導電層的形成與所述像素電極的形成之間，
[0180]在所述配線層和所述第一導電層上形成作為連續膜的保護膜；以及
[0181]移除所述配線層上的所述保護膜。
[0182](17)根據(15)或(16)所述的方法，其中，在所述第一導電層上形成所述像素電極作為第二導電層，且隨后移除部分或全部所述像素電極。
[0183](18)根據(17)所述的方法，其中:
[0184]所述像素電極由反射電極膜和透明電極膜構成，以及
[0185]所述第二導電層是通過從所述像素電極中移除部分或全部所述透明電極形成的。
[0186](19) 一種具有顯示單元的電子設備，所述顯示單元包括:
[0187]顯示層，包括像素電極；
[0188]半導體層，設置在所述顯示層下方的層中，所述半導體層包括配線層，所述配線層包括能夠被蝕刻劑移除的材料，所述像素電極也能夠被所述蝕刻劑移除；以及
[0189]端子部，被配置為將所述半導體層電連接到外部電路，所述端子部包括由與所述配線層的材料相同的材料制成的第一導電層。
[0190]本領域技術人員應理解可根據設計要求和其它因素發生各種變形例、組合、子組合和替換，只要它們在所附權利要求或其等同物的范圍之內即可。
【權利要求】
1.一種顯示單元，包括: 顯示層，包括像素電極； 半導體層，設置在所述顯示層下方的層中，所述半導體層包括配線層，所述配線層包括能夠被蝕刻劑移除的材料，所述像素電極也能夠被所述蝕刻劑移除；以及 端子部，被配置為將所述半導體層電連接到外部電路，所述端子部包括由與所述配線層的材料相同的材料制成的第一導電層。
2.根據權利要求1所述的顯示單元，其中: 所述半導體層包括柵電極和源-漏電極對，以及 所述端子部由與所述柵電極和所述源-漏電極對之一的材料相同的材料制成的所述第一導電層構成。
3.根據權利要求2所述的顯示單元，其中: 所述半導體層包括多層配線層，以及 所述端子部由與構成所述多層配線層的金屬膜的材料相同的材料制成的所述第一導電層構成。
4.根據權利 要求3所述的顯示單元，其中，所述端子部由所述第一導電層和包括所述第一導電層和第二導電層的層壓結構之一構成，所述第一導電層由與所述柵電極的材料、所述源-漏電極對的材料、和所述金屬膜的材料中的至少一種相同的材料制成，所述第二導電層包括構成所述像素電極的材料。
5.根據權利要求4所述的顯示單元，其中: 所述像素電極和所述端子部中的所述第二導電層中的每個都具有包括透明電極膜和反射電極膜的層壓結構，以及 構成所述端子部的所述第二導電層中的所述透明電極膜包括開口。
6.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述端子部至少在所述端子部的兩端具有保護膜。
7.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述蝕刻劑是乙酸-磷酸-硝酸基水溶液、氫氟酸-硝酸基水溶液、和氨-氫過氧化物基水溶液之一。
8.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述端子部包括鋁(Al)、銀(Ag)、和鑰(Mo)中的一種或多種。
9.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述端子部包括鉭(Ta)和鎢(W)中的一種或兩種。
10.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述端子部包括鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、和銅(Cu)中的一種或多種。
11.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述像素電極和所述配線層之一或兩者具有以下配置:在所述配置中，層壓具有不同蝕刻特性的層。
12.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述像素電極具有以下配置:在所述配置中，層壓鋁(Al)和鋁合金之一以及氧化銦錫(ITO)。
13.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述配線層具有Ti層、Al層和Ti層依次層壓的層壓結構。
14.根據權利要求1所述的顯示單元，其中，所述半導體層依次包括柵電極、半導體膜、和源-漏電極對，或者依次包括半導體膜、柵電極、和源-漏電極對。
15.根據權利要求4所述的顯示單元，其中，所述第二導電層層壓在所述第一導電層上。
16.—種顯示單元的制造方法,所述方法包括: 在基板上的半導體層中形成配線層，并且在端子部中形成第一導電層，所述第一導電層由與所述配線層的材料相同的材料制成； 在所述半導體層和所述第一導電層上形成作為連續膜的像素電極，所述像素電極構成顯示層，且所述像素電極由能夠被蝕刻劑移除的材料制成，所述配線層也能夠被所述蝕刻劑移除；以及 移除所述第一導電層上的部分或全部所述像素電極以形成所述端子部。
17.根據權利要求16所述的方法，還包括:在所述配線層和所述第一導電層的形成與所述像素電極的形成之間， 在所述配線層和所述第一導電層上形成作為連續膜的保護膜；以及 移除所述配線層上的所述保護膜。
18.根據權利要求16所述的方法，其中，在所述第一導電層上形成所述像素電極作為第二導電層，且隨后移除部分或全部所述像素電極。
19.根據權利要求18所述的方法，其中: 所述像素電極由反射電極膜和透明電極膜構成，以及 所述第二導電層是通過從所述像素電極中移除部分或全部所述透明電極形成的。
20.一種具有顯示單元的電子設備,所述顯示單元包括: 顯示層，包括像素電極； 半導體層，設置在所述顯示層下方的層中，所述半導體層包括配線層，所述配線層包括能夠被蝕刻劑移除的材料，所述像素電極也能夠被所述蝕刻劑移除；以及 端子部，被配置為將所述半導體層電連接到外部電路，所述端子部包括由與所述配線層的材料相同的材料制成的第一導電層。
【文檔編號】H01L27/32GK103972263SQ201410028412
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年1月21日 優先權日:2013年1月28日
【發明者】永澤耕一, 藤岡弘文, 佐藤友基, 西川智孝 申請人:索尼公司