復合銅導電薄膜及其制備方法以及金屬布線電路的制作方法
【專利摘要】一種復合銅導電薄膜及其制備方法以及通過該復合導電薄膜制備而成的金屬布線電路，復合銅導電薄膜自下而上依次設有增粘層、作為中間導電層的銅基薄膜及用于保護銅基薄膜的保護層，銅基薄膜為銅或者銅合金薄膜，增粘層和所述保護層均為非晶金屬氧化物薄膜。其制備方法包括在襯底上依次沉積增粘層、導電層和保護層，形成復合銅導電薄膜，復合銅導電薄膜經過圖形化制成復合導電薄膜導線。本發明的復合銅導電薄膜粘附性好、耐氧化性優良。
【專利說明】復合銅導電薄膜及其制備方法以及金屬布線電路
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種復合銅導電薄膜及其制備方法以及通過該復合導電薄膜制備而成的金屬布線電路。
【背景技術】
[0002]銅以及銅合金等銅基導電材料具有非常低的電阻率，在工業中被認為是最理想的金屬布線材料。但是銅基導電材料材料在多種襯底上黏附性較差，容易發生擴散和氧化的現象，因此，銅基導電材料在實際中難以被應用。 [0003]現有技術中，通常采用金屬T1、Mo或者氮化物TiN、MoN或者使用銅合金作為銅基導電材料的保護膜。但是這些保護膜為多晶薄膜，內部存在大量的晶界。由于晶界的存在，使得銅離子和外界腐蝕性離子能夠以晶界作為擴散的通道，因此現有技術中的多晶薄膜在實際使用中并不能完好地保護銅基導電薄膜。
[0004]因此，針對現有技術不足，提供一種能夠有效提高銅或銅合金薄膜的黏附性和抗氧化性以及防止Cu離子擴散的復合銅導電薄膜及其制備方法以及通過該復合導電薄膜制備而成的金屬布線電路以克服現有技術不足甚為必要。
【發明內容】
[0005]本發明的目的之一是提供了一種復合銅導電薄膜，該復合銅導電薄膜既能與基板有效粘附，又具有良好的抗氧化性及環境穩定性。
[0006]本發明的上述目的通過如下技術手段實現。
[0007]—種復合銅導電薄膜，自下而上依次設有增粘層、作為中間導電層的銅基薄膜以及用于保護銅基薄膜的保護層，所述銅基薄膜為銅或者銅合金薄膜，所述增粘層和所述保護層均為非晶金屬氧化物薄膜。
[0008]上述非晶金屬氧化物薄膜的材料為(In2O3) x (MO) y (ZnO) z，其中O≤x≤I，
O< y < 0.8,0 < z < I,且x+y+z=l, M為錫、磷、鑰;、砷、鈦、鉛、鉀、鎂的任意一種或兩種以上的任意組合。
[0009]上述非晶金屬氧化物薄膜的載流子濃度為IO16 —102° cm_3，遷移率為5—100 cm2/Vs。
[0010]上述銅基薄膜為由單質Cu、CuMn合金、CuAl合金、CuCa合金或者CuSn合金中的任意一種材料制備而成的單層薄膜；或者
所述銅基薄膜為由單質Cu、CuMn合金、CuAl合金、CuCa合金或者CuSn合金中的任意一種材料制備而成的多層薄膜；或者
所述銅基薄膜為由CuMn、CuAl、CuCa或CuSn合金中的任意兩種以上材料制備而成的多層薄膜；或者
所述銅基薄膜為由CuMn、CuAlXuCa或CuSn合金中的任意一種或者兩種以上材料制備而成的薄膜與由單質Cu制備而成的單層薄膜疊層構成的多層薄膜。[0011]上述銅基薄膜的厚度為IOOnm — 2000nm。
[0012]上述增粘層的厚度為5nm — IOOnm,優選為7nm — lOOnm。
[0013]上述保護層的厚度為5nm — 50nm。
[0014]本發明的另一目的是提供了上述復合銅導電薄膜的制備方法，所制備的復合銅導電薄膜既能與基板有效粘附，又具有良好的抗氧化性及環境穩定性。
[0015]本發明的上述目的通過如下技術手段實現:
提供一種上述復合銅導電薄膜的制備方法，包括下列步驟，
(1)在襯底上沉積非晶金屬氧化物薄膜作為增粘層；
(2)在增粘層上沉積銅或銅合金薄膜作為導電層；
(3)在導電層上沉積非晶金屬氧化物薄膜作為保護層，形成復合銅導電薄膜，所述復合銅導電薄膜經過圖形化制成復合導電薄膜導線。
[0016]上述步驟(3)中的圖形化采用濕法刻蝕或者干法刻蝕通過一步刻蝕方式或者通過多步刻蝕進行；
所述步驟(I)中采用物理氣相沉積法、原子層沉積法或金屬有機化學氣相沉積法制備增粘層；
所述步驟(2)中采用物理氣相沉積法、原子層沉積法或金屬有機化學氣相沉積法制備導電層；
所述步驟(3)中采用物理氣相沉積法、原子層沉積法或金屬有機化學氣相沉積法制備保護層。
[0017]本發明的復合銅導電薄膜，自下而上依次設有增粘層、作為中間導電層的銅基薄膜和保護層，所述銅基薄膜為銅或者銅合金薄膜，所述增粘層和所述保護層均為非晶金屬氧化物薄膜。該復合銅導電薄膜采用非晶金屬氧化物薄膜作為銅基薄膜與基板的增粘層，能夠大大增強銅基薄膜與基板的粘附性。同時采用非晶金屬氧化物作為銅基薄膜的保護層，大大提高銅基薄膜在熱或氧化環境中的穩定性，降低其對后續工藝氧化環境的敏感性。故本發明的復合銅導電薄膜與基板粘附性好，且穩定性好，適合作為導電布線材料使用。
[0018]本發明提供的復合銅導電薄膜的制備方法能夠制備出與基板粘附性好，且耐熱、耐氧化穩定性好的復合銅導電薄膜。
[0019]本發明同時提供一種金屬布線電路，采用上述復合銅導電薄膜并通過上述復合銅導電薄膜的制備方法制備而成。該金屬布線電路具有粘附性好，耐氧化性強，穩定性好的特點。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0020]利用附圖對本發明作進一步的說明，但附圖中的內容不構成對本發明的任何限制。
[0021]圖1是本發明一種復合銅導電薄膜的結構示意圖。
[0022]圖2是實施例4中樣品I和樣品2的粘附性測試前后的顯微鏡圖片；圖2(a) 是樣品I測試前的顯微鏡圖片，圖2 (b)是樣品I測試前的顯微鏡圖片，圖2(C)是樣
品2測試前的顯微鏡圖片，圖2(d)是樣品2測試后的顯微鏡圖片。
[0023]圖3是實施例4中樣品2和樣品3退火前后的掃描電鏡平面圖片；圖3 (a) 是樣品2剛生長的測試圖片，圖3 (b)是樣品2在氧氣中退火后的測試圖片，圖3(C)是樣品3剛生長的測試圖片，圖3(d)是樣品3在氧氣中退火后的測試圖片。
[0024]圖4是實施例4中在樣品2和樣品3上生長Si02的掃描電鏡剖面圖片；圖4(a)是樣品2剛生長Si02的測試圖片，圖4 (b)是樣品2生長Si02后在氧氣中400 °C退火后的測試圖片，圖4(C)是樣品3剛生長Si02的測試圖片，圖4(d)是樣品3生長Si02后在氧氣中400 °C退火后的測試圖片。
[0025]圖5是利用本發明制備的一種金屬氧化物薄膜晶體管的結構示意圖。
[0026]圖6為圖5中金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法中沉積緩沖層的示意圖；
圖7為圖5中金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法中的沉積柵極金屬層的示意圖；
圖8為圖5中金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法中的沉積柵極絕緣層的示意圖；
圖9為圖5中金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法中的連續沉積下層金屬氧化物薄膜/銅基薄膜/上層金屬氧化物薄膜的示意圖；
圖10為圖5中金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法中中沉積光刻膠和使用灰度掩膜版對光刻膠進行曝光的原理示意圖；
圖11為圖5中金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法中曝光后光刻膠圖形的示意圖；
圖12為圖5中金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法中對上層金屬氧化物薄膜/銅基薄膜/下層金屬氧化物薄膜進行第一次刻蝕后所得圖形的示意圖；
圖13為圖5中金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法中對光刻膠進行減薄處理后的光刻膠圖形的示意圖；
圖14為圖5中金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法中對上層金屬氧化物薄膜/銅基薄膜/下層金屬氧化物薄膜進行第二次刻蝕后所得圖形的示意圖；
圖15為圖5中金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法中去除光刻膠后得到的金屬氧化物薄膜晶體管的示意圖。
[0027]在圖1中包括:
基板100、
增粘層200、
銅基薄膜300、
保護層400。
[0028]在圖5至圖15中，包括:
I為玻璃襯底、
2為緩沖層、
3柵極金屬層、
4柵極絕緣層、
5為下層金屬氧化物薄膜、
6為銅基薄膜、
7為上層金屬氧化物薄膜、
8為光刻膠、
9為灰度掩模版、
10為鈍化層。【具體實施方式】 [0029]結合以下實施例對本發明作進一步描述。
[0030]實施例1。
[0031]一種復合銅導電薄膜，如圖1所示，自下而上依次設有增粘層200、作為中間導電層的銅基薄膜300以及用于保護銅基薄膜300的保護層400。在實際制備過程中，該復合銅導電薄膜通常設置于基板100上。
[0032]其中，銅基薄膜3003為銅或者銅合金薄膜，增粘層200和保護層400均為非晶金
屬氧化物薄膜。
[0033]作為增粘層200和保護層400的非晶金屬氧化物薄膜的材料為(In2O3) x (MO)y (ZnO)z,其中LO^yi^0.1,且 x+y+z=l, M 為錫、磷、鑰;、砷、鈦、鉛、鉀、鎂的任意一種或兩種以上的任意組合。非晶金屬氧化物薄膜的載流子濃度為IO16 —102°cm3,遷移率為 5—100 cm2/Vs0
[0034]銅基薄膜300為由單質Cu、CuMn合金、CuAl合金、CuCa合金或者CuSn合金中的任意一種材料制備而成的單層薄膜；或者銅基薄膜300為由單質Cu、CuMn合金、CuAl合金、CuCa合金或者CuSn合金中的任意一種材料制備而成的多層薄膜；或者銅基薄膜300為由CuMn> CuAl、CuCa或CuSn合金中的任意兩種以上材料制備而成的多層薄膜；或者銅基薄膜300為由CuMn、CuAl、CuCa或CuSn合金中的任意一種或者兩種以上材料制備而成的薄膜與由單質Cu制備而成的單層薄膜疊層構成的多層薄膜。
[0035]銅基薄膜300的厚度優選為IOOnm — 2000nm，增粘層200的厚度優選為5nm—IOOnm,保護層400的厚度優選為5nm—50nm。
[0036]該復合銅導電薄膜由于在銅基導電膜的下層設置有非晶金屬氧化物薄膜作為增粘層200，故能夠與基板100良好粘附。由于增粘層200具有特性，使得該復合銅導電薄膜在作為導線時與下層金屬能夠保持良好的電氣連接。
[0037]由于在銅基導電膜的上層設置有非晶金屬氧化物薄膜作為保護層400，故其抗氧化能力好，在熱或氧化環境中的穩定性好，對后續工藝的氧化環境不敏感。由于保護層400具有特性，使得該復合銅導電薄膜在作為導線時，其它金屬導線與其搭接時能夠保持良好的電氣連接。
[0038]實施例2。
[0039]一種復合銅導電薄膜的制備方法，包括如下步驟:
(1)在襯底上采用物理氣相沉積法、原子層沉積法或金屬有機化學氣相沉積法沉積非晶金屬氧化物薄膜作為增粘層；
(2)在增粘層上采用物理氣相沉積法、原子層沉積法或金屬有機化學氣相沉積法沉積銅或銅合金薄膜作為導電層；
(3)在導電層上采用物理氣相沉積法、原子層沉積法或金屬有機化學氣相沉積法沉積非晶金屬氧化物薄膜作為保護層，形成復合銅導電薄膜，復合銅導電薄膜經過圖形化即可制成復合導電薄膜導線。圖形化可以采用濕法刻蝕或者干法刻蝕通過一步刻蝕方式或者通過多步刻蝕進行。
[0040]該復合銅導電薄膜的制備方法，所制備的復合銅導電薄膜與基板的粘附性好，在氧化環境中的穩定性高，對后續工藝氧化環境不敏感。
[0041]實施例3。
[0042]提供一種金屬布線電路，采用如實施例1的復合銅導電薄膜并通過實施例2的復合銅導電薄膜的制備方法制備而成。該金屬布線電路具有粘附性好，耐氧化性強，穩定性好的特點。
[0043]實施例4。
[0044]為了驗證本發明的效果，具體制備如下樣品，并對其進行測試分析。
[0045]制備如圖1所示的復合銅導電薄膜，采用型號為corning:eagle2000,厚度0.5 mm的硬質玻璃基板作為基板。
[0046]采用PVD法沉積厚度為20 nm的氧化銦鋅(ΙΖ0)薄膜作為銅薄膜的增粘層。
[0047]再采用PVD法在制備好的IZO薄膜上沉積厚度為200 nm的銅膜。銅膜的濺鍍條件為功率:500 w, Ar:30 sccm，氣壓:0.5 Pa。將所制備的樣品標記為樣品2。
[0048]同時在上述玻璃基板上制備無增粘層的銅膜作為參考樣品，標記為樣品I。
[0049]再采用PVD法在樣品2上沉積厚度為10 nm的氧化銦鋅(IZO, (In2O3):(ZnO)=1:1)薄膜作為保護層，將所制備的樣品標記為樣品3。
[0050]對以上制備的樣品I和樣品2進行膠帶法粘附性測試，結果如圖2 (a)至(d)所示。根據膠帶法粘附性測試結果，沒有增粘層的樣品I在經過粘附性測試后薄膜脫落大約75%;相比之下，有增粘層的樣品2在經過粘附性測試后薄膜脫落0%。可見，非晶金屬氧化物薄膜作為增粘層能夠增強銅膜與基板的粘附性。
[0051]對以上制備的樣品2和樣品3在氧氣氣氛下進行加熱處理，然后通過掃描電鏡觀察加熱處理前后的樣品表面情況，結果如圖3 (a)至(d)所示。根據測算結果，沒有保護層的樣品2經歷400 X、30分鐘熱處理后表面出現纖維狀顆粒，粗糙度增大，方阻測試表明其導電性變差。相比之下，增加了保護層的樣品3經歷400 0C、30分鐘熱處理后表面沒有變化。這表面非晶氧化物保護層能夠很好地保護銅膜不被氧化。
[0052]采用PECVD法在以上制備的樣品2和樣品3上生長厚度為300 nm的SiO2薄膜。通過掃描電鏡觀察樣品剖面，結果如圖4 (a)至(d)所示。測試結果表明，沒有保護層的樣品2生長完SiO2薄膜后，在IZO和SiO2薄膜的界面存在一些空洞，并且可見擴散層。經歷400 0C、30分鐘熱處理后，樣品表面出現一些大的突起。相比之下，有保護層的樣品3生長完SiO2薄膜后，IZO和SiO2薄膜的界面清晰、平整。經歷400 0C、30分鐘熱處理后復合薄膜結構未觀察到任何變化。這表明非晶氧化物保護層能夠很好地保護銅膜不被氧化，與SiO2薄膜的生長工藝兼容。
[0053]實施例5。
[0054]制備如圖1所示的復合銅導電薄膜,采用型號為corning:eagle2000,厚度0.5 mm的硬質玻璃基板作為基板。
[0055]采用PVD法沉積厚度為40 nm的氧化銦鎵鋅(IGZO, In2O3: Ga2O3: ZnO=1: 1:1)薄膜作為銅膜的增粘層。
[0056]再采用PVD法在制備好的IGZO薄膜上沉積厚度為200 nm的銅鑰合金薄膜。銅合金薄膜的濺鍍條件為功率:500 w, Ar:30 sccm，氣壓:0.5 Pa。
[0057]再采用PVD法在銅合金薄膜上沉積厚度為10 nm的氧化銦鎵鋅(IGZ0)薄膜作為保護層。
[0058]對本實施例所述復合薄膜做膠帶法粘附性測試和氧化氣氛退火測試，得到與實施例4類似的結果。可見該復合銅合金薄膜對基板具有好的粘附性和具有好的抗氧化性。
[0059]更換不同的基板、更換不同的金屬氧化物薄膜及銅基薄膜的材料，進行大量實驗發現，本發明的復合薄膜與基板的粘合性好，且具有良好的抗氧化性能，穩定性好。具體的材料選擇可以根據需要靈活選擇，在此不再一一贅述。
[0060]實施例6。
[0061]利用本發明的復合銅導電薄膜及其制備方法制備如圖5所示的金屬氧化物薄膜晶體管，該金屬氧化物薄膜晶體管的制備工藝如下:
(I)在襯底I上沉積緩沖層2。優選在襯底I上沉積厚度為50 nm—200 nm的SiO2或Si3N4作為緩沖層2。
[0062](2)在緩沖層2上沉積導電薄膜并圖形化形成柵極金屬層3。柵極金屬層3是由一層或一層以上的導電薄膜構成，每層導電薄膜的材料為Al、Al合金、Cu、Mo、T1、Ag、Au、Ta、Cr或者ITO薄膜中的任意一種，柵極金屬層3厚度為100 nm — 2000 nm。
[0063](3)沉積柵極絕緣層4并圖形化。
[0064]優選的，柵極絕緣層4由一層或一層以上的絕緣層構成，每層絕緣層的材料為SiO2, Si3N4、Al203、Ta203或Y2O3中的任意一種，柵極絕緣層4厚度為50 nm—300 nm。
[0065](4)在柵極絕緣層4上依次采用物理氣相沉積法、原子層沉積法或金屬有機化學氣相沉積法分別沉積下層金屬氧化物薄膜5、銅基薄膜6和上層金屬氧化物薄膜7制得復合銅基薄膜。
[0066]( 5 )定義有源層、源漏電極及金屬電路布線，具體是，
(5.1)在所述復合銅基薄膜的表面涂布光刻膠8。
[0067]首先制備一塊灰度掩膜版9，灰度掩膜版對應光刻膠8的有源溝道區域為灰度區域，對應光刻膠8的源漏電極及金屬電路布線區域為不透明區域，對應光刻膠8的其它區域為透明區域。
[0068]再使用所述灰度掩膜版9對光刻膠8進行曝光、顯影后得到光刻膠8圖形，光刻膠8圖形的有源溝道區域的厚度薄于光刻膠8圖形的源漏電極及金屬電路布線區域的厚度，光刻膠8圖形的其它區域在顯影過程中被去除。
[0069](5.2)進行第一次刻蝕，形成復合銅基薄膜的布線，在第一次刻蝕過程中，保留復合銅基薄膜對應源漏電極區域及有源溝道區域的結構不被刻蝕。
[0070]其中，第一次刻蝕為濕法刻蝕或者干法刻蝕，第一次刻蝕通過一步刻蝕或者多步刻蝕完成。
[0071](5.3)對光刻膠8進行減薄處理，減薄后有源溝道區域的光刻膠8被完全去除，而源漏電極及金屬電路布線區域的光刻膠8被保留。
[0072](5.4)進行第二次刻蝕，去除有源溝道區域上的上層金屬氧化物薄膜7和銅基薄膜6，形成源漏電極和溝道，下層金屬氧化物薄膜5不作刻蝕，保留作為有源層。
[0073]第二次刻蝕為濕法刻蝕或者干法刻蝕，第二次刻蝕通過一步刻蝕或者多步刻蝕完成。
[0074]( 5.5 )去除剩余的光刻膠8，完成有源層、源漏電極及金屬電路布線的定義。[0075](6)沉積鈍化層10，制得如圖1所示的金屬氧化物薄膜晶體管。鈍化層10材料為Si02、Si3N4、Al203、聚酰亞胺、光刻膠8、苯丙環丁烯或者聚甲基丙烯酸甲酯中的任意一種，鈍化層10厚度優選為200nm — 5000nm。
[0076]該金屬氧化物薄膜晶體管的制備方法利用了上層金屬氧化物薄膜7/銅基薄膜6和下層金屬氧化物薄膜5的刻蝕特性，結合使用灰度掩膜版，通過對光刻步驟的設計，通過一次光刻工藝完成了有源層、源漏電極及金屬電路布線的定義，大大減化了薄膜晶體管的制備工藝。
[0077]同時，使用銅基薄膜6作為源漏電極及電路布線材料，具有布線電阻低的特點。
[0078]所制備的金屬氧化物薄膜晶體管使用復合銅基薄膜作為源漏電極及其電路布線材料，以下層金屬氧化物薄膜5作為有源層兼銅基薄膜6的粘附層，在銅基薄膜6表面覆蓋一層上層金屬氧化物作為保護層。使用下層金屬氧化物作為銅基薄膜6的粘附層，能夠改善銅基薄膜6在基板上的粘附性。銅基膜薄膜表面覆蓋的上層金屬氧化物保護層可以提高其在熱或氧化環境中的穩定性，降低其對后續工藝氧化環境的敏感性。
[0079]所制備的金屬氧化物薄膜晶體管為背溝道刻蝕型結構，能夠實現小尺寸化，在高分辨率顯示用驅動背板中應用前景廣闊并且與傳統的非晶硅TFT工藝兼容，具有設備投入低，生產成本低的特點。
[0080]最后應當說明的是，以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非對本發明保護范圍的限制，盡管參照較佳實施例對本發明作了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發明技術方案的實質和范圍。
【權利要求】
1.一種復合銅導電薄膜，其特征在于:自下而上依次設有增粘層、作為中間導電層的銅基薄膜以及用于保護銅基薄膜的保護層，所述銅基薄膜為銅或者銅合金薄膜，所述增粘層和所述保護層均為非晶金屬氧化物薄膜。
2.根據權利要求1所述的復合銅導電薄膜，其特征在于: 所述非晶金屬氧化物薄膜的材料為(In2O3) x (MO) y (ZnO) 2，其中0≤x≤1，0≤7≤0.8，O < z < I,且x+y+z=l,M為錫、磷、f凡、砷、鈦、鉛、鉀、鎂的任意一種或兩種以上的任意組合。
3.根據權利要求2所述的復合銅導電薄膜，其特征在于:所述非晶金屬氧化物薄膜的載流子濃度為IO16 —102° cnT3，遷移率為5—100 cm2/Vs0
4.根據權利要求1或2或3所述的復合銅導電薄膜，其特征在于: 所述銅基薄膜為由單質Cu、CuMn合金、CuAl合金、CuCa合金或者CuSn合金中的任意一種材料制備而成的單層薄膜；或者 所述銅基薄膜為由單質Cu、CuMn合金、CuAl合金、CuCa合金或者CuSn合金中的任意一種材料制備而成的多層薄膜；或者 所述銅基薄膜為由CuMn、CuAl、CuCa或CuSn合金中的任意兩種以上材料制備而成的多層薄膜；或者 所述銅基薄膜為由CuMruCu Al、CuCa或CuSn合金中的任意一種或者兩種以上材料制備而成的薄膜與由單質Cu制備而成的單層薄膜疊層構成的多層薄膜。
5.根據權利要求4所述的復合銅導電薄膜，其特征在于:所述銅基薄膜的厚度為IOOnm—2000nmo
6.根據權利要求4所述的復合銅導電薄膜，其特征在于:所述增粘層的厚度為5nm—IOOnm0
7.根據權利要求4所述的復合銅導電薄膜，其特征在于:所述保護層的厚度為5nm—50nmo
8.根據權利要求1至7任意一項所述的復合銅導電薄膜的制備方法，其特征在于:包括下列步驟， (1)在襯底上沉積非晶金屬氧化物薄膜作為增粘層； (2)在增粘層上沉積銅或銅合金薄膜作為導電層； (3)在導電層上沉積非晶金屬氧化物薄膜作為保護層，形成復合銅導電薄膜，所述復合銅導電薄膜經過圖形化制成復合導電薄膜導線。
9.根據權利要求8所述的復合銅導電薄膜的制備方法，其特征在于: 所述步驟(3 )中的圖形化采用濕法刻蝕或者干法刻蝕通過一步刻蝕方式或者通過多步刻蝕進行； 所述步驟(1)中采用物理氣相沉積法、原子層沉積法或金屬有機化學氣相沉積法制備增粘層； 所述步驟(2)中采用物理氣相沉積法、原子層沉積法或金屬有機化學氣相沉積法制備導電層； 所述步驟(3)中采用物理氣相沉積法、原子層沉積法或金屬有機化學氣相沉積法制備保護層。
10.一種金屬布線電路，其特征在于:具有如權利要求1至7任意一項所述的復合銅導電薄膜并通過權利要求 8至9任意一項所述的復合銅導電薄膜的制備方法制備而成。
【文檔編號】H01B5/00GK103730190SQ201410020227
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2014年1月16日 優先權日:2014年1月16日
【發明者】徐苗, 趙銘杰, 陳子凱, 彭俊彪, 鄒建華, 陶洪, 王磊 申請人:廣州新視界光電科技有限公司