發光器件封裝的制作方法
【專利摘要】本文公開了一種具有改善的光提取效率的發光器件封裝。該發光器件封裝包括：襯底，發光器件，設置在該襯底上，以及光傳導單元，設置在該發光器件上方，該光傳導單元與該發光器件隔開，其中在該發光器件的上表面與該光傳導單元之間的距離是0.15mm到0.35mm。
【專利說明】發光器件封裝
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求在2013年I月8日于韓國申請的韓國專利申請號10-2013-0002145的優先權，其全部內容通過參考合并于此，如同在本文完整闡述一樣。
【技術領域】
[0003]本申請實施例涉及一種發光器件封裝。
【背景技術】
[0004]基于對薄膜生長方法和器件材料的研發，使用II1-V族或I1-VI族化合物半導體材料的發光器件(例如發光二極管(LED)或激光二極管(LD))呈現諸如紅、綠、藍和紫外線等多種顏色，通過使用熒光物質或通過進行多種顏色的組合而實現了具有高效率的白光，與諸如熒光燈和白熾燈等傳統光源相比，其具有諸如低功耗、半永久性壽命、高反應速度、安全和環境友好等優點。
[0005]這種發光器件的應用范圍已被引伸到光通信系統的傳送模塊、取代冷陰極熒光燈(CCFL)構成諸如液晶顯示器(LCD)等顯示器件的背光的發光二極管、以及取代熒光燈或白熾燈用作車頭燈和交通燈的白光發光二極管發光器件。
[0006]當制造包括發光器件的發光器件封裝時，需要通過呈現發光器件產生的光以發射至外部，而不會被發光器件封裝中的其他組件局限或吸收，來改善發光器件封裝的光提取效率。
【發明內容】
[0007]本申請實施例提供一種具有改善的光提取效率的發光器件封裝。
[0008]在一個實施例中，一種發光器件封裝包括:襯底；發光器件，設置在該襯底上；以及光傳導(light transmission)單元,設置在該發光器件上方,該光傳導單元與該發光器件隔開，其中在該發光器件的上表面與光傳導單元之間的距離是0.15mm到0.35mm。
[0009]該發光器件封裝還可以包括支撐單元，沿著襯底的外周設置在該襯底上，其中該光傳導單元由該支撐單元支撐。
[0010]該支撐單元可包括:第一區域，沿與光傳導單元平行的第一方向設置；以及第二區域，沿不同于第一方向的第二方向設置，其中該第一區域接觸該光傳導單元。
[0011]該第一區域可以從第二區域的端部沿第一方向延伸。
[0012]該第一區域可以從該第二區域的中部沿第一方向延伸。
[0013]該光傳導單元可以接觸第一區域的朝向襯底底面的一側。
[0014]該發光器件發光的波長范圍可以是260nm到405nm。
[0015]該襯底可包括陶瓷材料。
[0016]該發光器件可以被導線接合至該襯底。
[0017]該發光器件封裝還可以包括副底座，設置在該襯底與該發光器件之間。【專利附圖】
【附圖說明】
[0018]下面將參考以下附圖對設置和實施例進行具體描述，其中相同的附圖標記指代類似的元件，并且其中:
[0019]圖1和圖2是示出根據第一實施例的發光器件封裝的剖視圖；
[0020]圖3是示出可應用于根據本實施例的發光器件封裝的發光器件的示例的剖視圖；
[0021]圖4是示出可應用于根據本實施例的發光器件封裝的發光器件的另一示例的剖視圖；
[0022]圖5是示出發光器件封裝的光輸出功率(作為在發光器件的上表面與光傳導單元之間的距離的函數)的測試結果的圖表；
[0023]圖6是根據第二實施例的發光器件封裝的剖視圖；
[0024]圖7是根據第三實施例的發光器件封裝的剖視圖；
[0025]圖8是根據第四實施例的發光器件封裝的剖視圖；
[0026]圖9是根據第五實施例的發光器件封裝的剖視圖；以及
[0027]圖10是根據第六實施例的發光器件封裝的剖視圖。
[0028]圖11是示出包括根據實施例的發光器件封裝的車頭燈的實施例的視圖。
[0029]圖12是示出包括根據本實施例的發光器件封裝的顯示器件的實施例的視圖。
【具體實施方式】
[0030]下面，將參照附圖對實施例加以描述。
[0031]應當理解，當提到元件位于另一個元件“之上”或“之下”時，它能夠直接位于該元件之上/之下，并且也可以有一個或多個插入元件。當提到元件位于“之上”或“之下”時，能夠基于該元件而包括“在該元件之下”以及“在該元件之上”。
[0032]在圖中，為了便于描述和清楚起見，每一層的厚度或尺寸可以夸大、省略或示意性繪示。另外，每一組成元件的尺寸或面積并不完全反映其實際尺寸。
[0033]圖1和圖2是示出根據第一實施例的發光器件封裝的剖視圖。
[0034]參照圖1，根據第一實施例的發光器件封裝200A包括襯底210、發光器件100和光傳導單元230。
[0035]襯底210可包括陶瓷材料。例如，可以對襯底210執行高溫共燒陶瓷(cofiredceramic) (HTCC)或低溫共燒陶瓷(LTCC)方法。襯底210可包括諸如氮化物或氧化物等絕緣材料，其示例包括 Si02、Six0y、Si3Ny' SiOxNy、Al2O3 或 AlN0
[0036]襯底210可包括單層或多個層。當襯底210包括多個層時，各層的厚度可以相同或不同。當襯底210包括多個層時，各層在制造過程期間可以是彼此不同的單獨的層，并且可以在燒制完成之后被整體結合起來。如圖2所示是其中襯底210包括多個層的情形的一個示例。如圖2所示，是其中襯底210包括多個層210-1至210-6的情形，但構成襯底210的層數可以根據實施例而改變。
[0037]雖然圖未示出，但襯底210可以設置有通孔，且該通孔可以是包括導電材料的導電通孔。導電通孔可以被電連接至襯底210的電極圖案。
[0038]襯底210可以設置有具有側壁和底面的空腔212。發光器件100設置在空腔212中。空腔212的側壁可包括傾斜表面，以向上反射在發光器件100中產生的光并因此而提高光提取效率。
[0039]空腔212的至少部分側壁和底面可涂覆、電鍍或沉積有反射元件(未示出)。
[0040]發光器件100包括使用多個化合物半導體層(例如II1-V族或I1-VI族半導體層)的發光二極管(LED)，而LED可以是發出諸如藍、綠或紅光的彩色LED、白光LED或UV LED。通過改變構成半導體層的材料的類型和濃度，從LED發出的光可以實現改變，而本公開不限于此。當發光器件100是發出UV的UV LED時，其發光波長是260nm到405nm。
[0041]圖3是示出可應用于根據本實施例的發光器件封裝的發光器件的示例的剖視圖。
[0042]參照圖3，根據該示例的發光器件100A包括:襯底110 ;發光結構120，設置在該襯底110上且包括第一半導體層122、有源層124和第二半導體層126 ;第一電極150,設置在該第一半導體層122的一側上；以及第二電極155，設置在第二半導體層126的一側上。
[0043]根據該示例的發光器件100A可以是橫向型(lateral)發光器件。
[0044]該橫向型發光器件意指這樣的結構，其中第一電極150和第二電極155相對于發光結構120在相同的方向上形成。例如，參照圖3,第一電極150和第二電極155在發光結構120的上部方向上形成。[0045]生長襯底110可以由適用于半導體材料生長且具有優良的導熱率的材料形成。例如，生長襯底 110 可以是藍寶石(Al2O3)' SiC, GaAs, GaN, Zn。、S1、GaP、InP, Ge 和 Ga2O3 中的至少一種。出現在生長襯底110表面的雜質可以通過濕洗或等離子體處理而被移除。
[0046]例如，發光結構120可以通過包括金屬有機化學氣相沉積(M0CVD)、化學氣相沉積(CVD)、等離子體增強型化學氣相沉積(PECVD)、分子束外延(MBE)或氫化物氣相外延(HVPE)的方法來形成，但本公開不限于此。
[0047]緩沖層112可以設置在發光結構120與生長襯底110之間。緩沖層112用以減小在發光結構120與生長襯底110的材料之間的晶格失配和熱膨脹系數的差異。用于緩沖層112的材料可以是II1-V族化合物半導體或I1-VI族化合物半導體，例如是GaN、InN, AlN,InGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一種。可以在低于發光結構120生長溫度的溫度下生長緩沖層112。
[0048]發光結構120沿遠離生長襯底110的方向而包括第一半導體層122、有源層124和第二半導體層126。
[0049]第一半導體層122可以由半導體化合物(例如II1-V族或I1-VI族半導體化合物)形成。另外，第一半導體層122可以摻雜有第一導電類型摻雜劑。當第一半導體層122是η型半導體層時，第一導電類型摻雜劑是η型摻雜劑。η型摻雜劑的示例包括但不限于S1、Ge、Sn、Se、Te等。當第一半導體層122是ρ型半導體層時，第一導電類型摻雜劑是P型摻雜劑。P型摻雜劑的示例包括但不限于Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等。
[0050]第一半導體層122可包括具有經驗性分子式AlxInyGa(1_x_y)N(0≤X≤1，0≤y≤1，O≤x+y≤I)的半導體材料。第一半導體層122可包括Ga、N、In、Al、As和P中的至少一種元素，并且可以由 GaN、InN、AIN、InGaN, AlGaN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、InGaAs、Al InGaAs、GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP和InP至少之一形成。當發光器件100A是發出UV光的UV發光器件時，第一半導體層122可包括Al。
[0051]非摻雜半導體層114可以設置在生長襯底110與第一半導體層122之間。非摻雜半導體層114用以改善第一半導體層122的結晶性，并由與第一半導體層122相同或不同的材料形成。由于非摻雜半導體層114沒有摻雜第一導電類型摻雜劑，所以其導電性低于第一半導體層122。非摻雜半導體層114設置在緩沖層112上以與第一半導體層122接觸。在高于緩沖層112生長溫度的溫度下生長非摻雜半導體層114，非摻雜半導體層114的結晶性好于緩沖層112。
[0052]第二半導體層126由半導體化合物(例如，II1-V族或I1-VI族半導體化合物)形成。另外，第二半導體層126可以摻雜有第二導電類型摻雜劑。當第二半導體層126是ρ型半導體層時，第二導電類型摻雜劑是P型摻雜劑，且P型摻雜劑的示例包括但不限于Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等。當第二半導體層126是η型半導體層時，第二導電類型摻雜劑是η型摻雜劑，且η型摻雜劑的示例包括但不限于S1、Ge、Sn、Se和Te。
[0053]第二半導體層126可包括具有經驗性分子式AlxInyGa(1_x_y)N(0≤X≤1，0≤y≤1，O≤x+y≤1)的半導體材料。第二半導體層126可包括Ga、N、In、Al、As和P中的至少一種元素，并且由 GaN、InN、AIN、InGaN, AlGaN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、InGaAs、Al InGaAs、GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP和InP至少之一形成。當發光器件100A是發出UV光的UV發光器件時，第二半導體層126可包括Al。
[0054]下文中，將借助于示例來描述其中第一半導體層122是η型半導體層而第二半導體層126是ρ型半導體層的情形。
[0055]可以在第二半導體層126上形成具有與第二導電類型相對的極性的半導體。例如，當第二半導體層126是ρ型半導體層時，在第二半導體126上形成η型半導體層(未示出)。因此，發光結構120可以被實現為η-ρ結、ρ-η結、η-ρ-η結和ρ_η_ρ結結構之一。
[0056]有源層124設置在第一半導體層122與第二半導體層126之間。有源層124的發光能量由有源層(發光層)材料的基于電子和空穴的重新結合的固有能帶而確定。當第一半導體層122是η型半導體層而第二半導體層126是ρ型半導體層時，電子從第一半導體層122注入而空穴從第二半導體層126注入。當發光器件100Α是UV LED時，有源層124可以發出波長為約260nm至約405nm的光。
[0057]有源層124可以具有單量子阱結構、多量子阱(MQW)結構、量子線結構和量子點結構至少之一。例如，有源層124可以具有通過注入三甲基鎵氣體(TMGa)、氨氣(NH3)、氮氣(N2)、或三甲基銦氣體(TMIn)而形成的多量子阱結構。然而，有源層124的材料和結構不限于此。
[0058]當有源層124具有多量子阱(MQW)結構時，有源層124的阱層/勢壘層可以具有InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs (InGaAs)AlGaAs和 GaP (InGaP)/AlGaP中的至少一對結構，而不限于此。阱層可以由帶隙比勢壘層小的材料制成。
[0059]應力緩沖層130可以設置在第一半導體層122與有源層124之間。應力緩沖層130減少在第一半導體層122與有源層124之間的晶格失配。應力緩沖層130可以具有超晶格結構，其中多個阱層和多個勢壘層交替層疊。應力緩沖層130的阱層/勢壘層可以具有InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs (InGaAs)AlGaAs和 GaP (InGaP)/AlGaP中的至少一對結構，而不限于此。應力緩沖層130的阱層可以由帶隙大于有源層124的材料制成。
[0060]電子阻擋層140可以設置在第二半導體層126與有源層124之間。根據實施例，電子阻擋層140可以設置在第二半導體層126中而相鄰于有源層124。電子阻擋層140用作這樣的勢壘，其防止從第一半導體層122供應的電子由于高遷移率逃逸至有源層124上方的第二半導體層126并導致電流泄漏而無助于發光的現象。電子阻擋層140由能量帶隙大于有源層124的材料形成,并由分子式為InxAlyGa (1_x_y)N (O ( x<y<l)的半導體材料形成。電子阻擋層140可以摻雜有第二導電類型摻雜劑。
[0061]通過局部蝕刻第二半導體層126、有源層124和第一半導體層122,發光結構120包括暴露表面S以暴露出第一半導體層122的一部分。第一電極150設置在暴露表面S上。第二電極155設置在第二半導體層126的非暴露部分中。
[0062]第一電極150和第二電極155可以采用包括鑰(Mo)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、金(Au)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Pt)、釩(V)、鎢(W)、鉛(Pd)、銅(Cu)、銠(Rh)和銥(Ir)中至少一種的單層或多層結構。
[0063]在形成第二電極155之前，導電層157可以形成在第二半導體層126上。根據實施例，導電層157部分開口，使得第二半導體層126被暴露且第二半導體層126因此而接觸第二電極155。可選地，如圖3所示，第二半導體層126經由導電層157被電連接至第二電極 155。
[0064]導電層157改善第二半導體層126的電氣性能，并且加強在第二半導體層126與第二電極155之間的電接觸,其形成為一層或多個圖案。導電層157可以被形成為透光電極層。
[0065]導電層157可選擇自光傳導導電層和金屬，且導電層157的材料示例包括但不限于氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、銦鋅錫氧化物(ΙΖΤ0)、銦鋁鋅氧化物(ΙΑΖ0)、銦鎵鋅氧化物(IGZ0)、銦鎵錫氧化物(IGT0)、氧化鋁鋅(ΑΖ0)、氧化銻錫(ΑΤ0)、氧化鎵鋅(GZO)、IZO氮化物(ΙΖ0Ν)、Al-Ga ZnO (AGZO)、In-Ga ZnO (IGZ0)、Zn。、IrOx、RuOx、NiO, RuOx/1Τ0,Ni/IrOx/Au、或 Ni/Ir0x/Au/IT0、Ag、N1、Cr、T1、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf和其組合。
[0066]圖4是示出可應用于根據本實施例的發光器件封裝的發光器件的另一示例的剖視圖。這里將省略與以上描述相同的特征，并將基于它們之間的不同點來加以描述。
[0067]參照圖4，發光器件100B包括:發光結構120，包括第一半導體層122、有源層124和第二半導體層126 ;第一電極150，設置在第一半導體層122的一側；以及第二電極層160，設置在第二半導體層126的一側。
[0068]根據示例的發光器件100B可以是垂直型發光器件。
[0069]該垂直型發光器件是這樣的結構，其中第一電極150和第二電極層160在發光結構120的不同方向上形成。例如，如圖4所示，第一電極150在發光結構120的向上方向上形成，而第二電極層160在發光結構120的向下方向上形成。
[0070]在第一半導體層122中可以設置光提取圖案R。光提取圖案R可以通過光增強型化學(PEC)蝕刻或使用掩模圖案的蝕刻而形成。光提取圖案R改善在有源層124中產生的光的外部提取效率，并且可以具有規則圖案或被不規則地形成。
[0071]第二電極層160可包括導電層160a和反射層160b至少之一。導電層160a用以改善第二半導體層126的電氣性能并接觸第二半導體層126。
[0072]導電層160a可以是透明電極層或不透明電極層，且用于形成導電層160a的材料的示例包括但不限于氧化銦錫ατο)、氧化銦鋅αζο)、銦鋅錫氧化物αζτο)、銦鋁鋅氧化物(ΙΑΖ0)、銦鎵鋅氧化物(IGZ0)、銦鎵錫氧化物(IGT0)、氧化鋁鋅(ΑΖ0)、氧化銻錫(ΑΤΟ)、氧化鎵鋅(GZO)、IZO 氮化物(IZON)、Al-Ga ZnO (AGZO)、In-Ga ZnO (IGZ0)、Zn。、IrOx,RuOx、NiO, RuOx/1 TO, Ni/Ir0x/Au、或 Ni/Ir0x/Au/IT0、Ag、N1、Cr、T1、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf 及其組合。
[0073]反射層160b反射在有源層124中產生的光，并因此而減少發光器件中光衰減的劑量，并改善發光器件的外部量子效率。
[0074]反射層160b可包括Ag、T1、N1、Cr和Cu至少之一,并且可以是AgCu,但用于形成反射層160b的材料不限于此。當反射層160b由歐姆接觸第二半導體層126的材料形成時，導電層160a可以不用分開形成。
[0075]發光結構120由支撐襯底170支撐。
[0076]支撐襯底170由具有高導電性和高熱導性的材料形成，其例如是具有預定厚度的基礎襯底，且由選自以下群組的金屬形成，所述群組包括鑰(Mo)、硅(Si)、鎢(W)、銅(Cu)和鋁(Al)、或其合金。另外，支撐襯底170可以可選地包括金(Au)、Cu合金、鎳(Ni)、銅-鎢(Cu-W)、載體晶片(例如，GaN、S1、Ge、GaAs, ZnO、SiGe, SiC、SiGe 或 Ga2O3)或導電板。
[0077]發光結構120可以通過接合層175而被接合至支撐襯底170。設置在發光結構120下方的第二電極層160和接合層175可以相互接觸。
[0078]接合層175包括阻擋金屬或接合金屬，用于接合層175的材料的示例包括但不限于 T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Ta 及其組合。
[0079]接合層175包括鄰近發光結構120的反擴散層(未示出)，用以防止用于接合層175的諸如金屬等的材料擴散到位于其上的發光結構120中。
[0080]鈍化層180可以設置在發光結構120的側面和上表面的至少一部分中。
[0081]鈍化層180由氧化物或氮化物形成，并保護發光結構120。例如，鈍化層180可以是諸如氧化硅Si02層、氮化硅層、氮氧化物層或氧化鋁層等的非導電材料層，但不限于此。
[0082]雖然未示出，但當鈍化層180也設置在發光結構120的上表面上時，光提取圖案R可以被形成在鈍化層180中。
[0083]參照圖1，可以在發光器件100與襯底210之間設置副底座(sub_mount)220。即，發光器件100設置在副底座220上從而被安裝在襯底210上。
[0084]副底座220可以是導電襯底或絕緣襯底。用于形成副底座220的材料可以通過考慮熱導率和熱膨脹系數而確定，可以是具有介于發光器件100與襯底210之間的中等熱膨脹系數的材料，且上述材料的示例包括S1、SiC和AlN等。因為發光器件100產生的熱量在通過副底座220之后經由襯底210被散至外部，所以副底座220可以由具有良好熱導率的材料形成。
[0085]發光器件100可以經由接合層240而被固定在副底座220上。接合層240例如是Ag膏或Au-Sn焊料。
[0086]發光器件100可以通過導線250接合而被電連接至襯底210。雖然未示出，但導線250可以被接合至襯底210上的電極圖案。
[0087]光傳導單兀230設置在發光器件100上方以與發光器件100分隔開。光傳導單兀230可以由透明材料和非反射性(non-refIective)涂層膜形成，以傳導發光器件100中產生的光，而不會吸收光，且上述材料的示例包括Si02 (石英，UV石英玻璃)、A1203 (藍寶石)、LiF、MgF2、CaF2、低鐵透明玻璃或B2O3等。光傳導單元230保護發光器件100和導線250，根據不同的表面涂層控制基于波長的光透射特性，并因此而改善特定波長的發光效率。當發光器件100是UV LED時，光傳導單元230防止發光器件封裝200A的有機物質因自發光器件100發出的UV光而導致的損壞或變性(degeneration)。
[0088]在光傳導單元230與發光器件100之間的空間可以是真空的，或者可以充有氮氣(N2)或合成氣體(forming gas)。
[0089]光傳導單元230由襯底210直接或間接支撐。光傳導單元230被固定至襯底210，使得光傳導單元230的一側被粘附至襯底210，且光傳導單元230的固定方法不限于此。
[0090]在發光器件100的上表面與光傳導單元230之間的距離D是0.15mm至0.35mm。SP，在發光器件100的發光表面與光傳導單兀230之間的距離D是0.15mm至0.35mm。
[0091]在發光器件100的發光表面與光傳導單元230之間的距離D應該考慮光提取效率和可加工性(processability)而確定。當距離D小于0.15mm時,用于導線接合的最小裕度(margin)不能得到保證,而當距離D超出0.35mm時,在光傳導單元230與發光器件100之間的空間中，可能會由于內部材料或在光傳導單元230上的光入射角度可能沒有處在最佳范圍內而導致光損失，且因為部分在發光器件100中產生的光被支撐光傳導單元230的襯底210的邊緣C捕獲且因此而不會發射至外部，而使得光提取效率惡化。
[0092]圖5是示出發光器件封裝的光輸出功率(作為在發光器件的上表面與光傳導單元之間的距離的函數)的測試結果的圖表。下表1示出圖4的實際值。
[0093]表1
[0094]
【權利要求】
1.一種發光器件封裝，包括: 襯底； 發光器件，設置在該襯底上；以及 光傳導單元，設置在該發光器件上方，該光傳導單元與該發光器件隔開， 其中在該發光器件的上表面與該光傳導單元之間的距離是0.15mm到0.35mm。
2.根據權利要求1所述的發光器件封裝，還包括支撐單元，沿著該襯底的外周設置在該襯底上， 其中該光傳導單元由該支撐單元支撐。
3.根據權利要求2所述的發光器件封裝，其中該支撐單元包括:第一區域，沿與該光傳導單元平行的第一方向設置；以及第二區域，沿不同于該第一方向的第二方向設置， 其中該第一區域接觸該光傳導單元。
4.根據權利要求3所述的發光器件封裝，其中該第一區域從該第二區域的端部沿該第一方向延伸。
5.根據權利要求3所述的發光器件封裝，其中該第一區域從該第二區域的中部沿該第一方向延伸。
6.根據權利要求4所述的發光器件封裝，其中該光傳導單元接觸該第一區域的朝向該襯底底面的一側。
7.根據權利要求1至6中任意一項所述的發光器件封裝，其中該發光器件的發光波長范圍為260nm到405nm。
8.根據權利要求1至6中任意一項所述的發光器件封裝，其中該襯底包括陶瓷材料。
9.根據權利要求1至6中任意一項所述的發光器件封裝，其中該發光器件被導線接合至該襯底。
10.根據權利要求1至6中任意一項所述的發光器件封裝，還包括副底座，設置在該襯底與該發光器件之間。
【文檔編號】H01L33/48GK103915543SQ201410008737
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年1月8日 優先權日:2013年1月8日
【發明者】金炳穆, 小平洋, 金夏羅, 反田祐一郎, 大關聰司 申請人:Lg 伊諾特有限公司