用于制造用于電磁輻射的散射層的方法和用于散射電磁輻射的散射層的制作方法

用于制造用于電磁輻射的散射層的方法和用于散射電磁輻射的散射層的制作方法
【專利摘要】在不同的實施例中提出一種用于制造用于電磁輻射的散射層(106)的方法，其中該方法具有：將散射中心(306)施加到載體(102，104)上；將玻璃(312)施加到散射中心(306)上；和將玻璃(312)液化，使得液化的玻璃(312)的一部分在散射中心(306)之間朝向載體(302)的表面流動，使得液化的玻璃(312)的一部分仍保留在散射中心(306)上方。
【專利說明】用于制造用于電磁輻射的散射層的方法和用于散射電磁輻射的散射層

【技術領域】
[0001 ] 在不同的實施方式中提供一種用于制造用于電磁福射的散射層的方法和一種用于散射電磁輻射的散射層。

【背景技術】
[0002]載體上的有機發光二極管(organic light emitting d1de-OLED)在第一電極和第二電極之間具有有機功能層結構，其中第一電極與載體接觸并且在第二電極上或上方能夠沉積封裝層。電極之間的電流引起在有機功能層系統中產生電磁輻射。電磁輻射由于器件之內的全反射在沒有技術輔助機構的情況下通常能夠僅以至大約20%從OLED中耦合輸出。
[0003]OLED中的內部的全反射能夠借助于應用散射層來降低，例如借助第一電極和載體之間的散射層。由此，更高份額的所產生的電測輻射、例如光能夠耦合輸出。
[0004]在常規的散射層中應用有機基體，在所述有機基體中嵌入具有不同折射率的散射中心(WO 02/37580A1)。然而，有機散射層在與水和/或氧氣接觸時能夠老化或退化進而減小OLED的穩定性。有機散射層的另一個缺點是其小的折射率(η?1.475)。因為有機功能層結構通常具有大約1.7的折射率，所以在有機散射層的折射率小的情況下，得到對于在第一電極與散射層的邊界面上的全反射的標準適度的入射角。
[0005]此外常規地，散射層由具有嵌入的散射中心的高折射的玻璃焊料構成。散射中心的數量密度通常從內向外減小(EP 2 178 343Α1, US2010/0187987A1, WO 2011/046190Α1)或者在層橫截面中是均勻的。所述層橫截面由用于制造下述層的常規的方法引起，所述層由散射中心和基體物質、例如玻璃焊料構成的懸浮物或膏狀物構成。然而，散射層的粗糙度或散射中心的形狀能夠引起在散射層表面上形成釘狀物。在將散射顆粒用作為散射中心的情況下，在散射層表面上，沒有完全由玻璃包圍的散射顆粒同樣能夠構成釘狀物。釘狀物理解為具有高的縱橫比的局部的表面粗糙部。尤其在OLED的薄的設計方案中，釘狀物能夠引起第一電極與第二電極短路。此外，在制造OLED時，在散射層的釘狀物直接的周圍，能夠出現在散射層上或上方的層、例如第一電極或有機功能層的局部的扭曲或者解交聯。如果在器件上施加薄膜封裝件，那么由于釘狀物存在下述風險:薄膜封裝件局部不是密封的，這能夠導致構件退化。
[0006]表面特性、例如小的表面粗糙度或限定的波紋通常借助于附加施加的玻璃層來調整(EP 2 278 852Α1, WO 2010/084922，W02010/084923)。所述玻璃層也降低下述風險:在散射表面上存在沒有完全由玻璃包圍的散射顆粒。然而，附加的層通常需要附加的退火步驟進而延長處理過程。


【發明內容】

[0007]在不同的實施方式中提供一種方法，借助所述方法能夠以唯一的退火步驟制造具有可調整的散射橫截面和平滑的表面的散射層。
[0008]在本說明書的范圍內，在不考慮相應的聚集態的情況下，能夠將有機物質理解成以化學統一的形式存在的、特征在于特征性的物理和化學特性的碳化合物。此外，在本說明書的范圍內，在不考慮相應的聚集態的情況下，能夠將無機物質理解成以化學統一的形式存在的、特征在于特征性的物理和化學特性的不含碳的化合物或簡單的碳化合物。在本說明書的范圍內，在不考慮相應的聚集態的情況下，能夠將有機-無機物質(混合物質)理解成以化學統一的形式存在的、特征在于特征性的物理和化學特性的具有包含碳的或不含碳的化合物部分的化合物。在本說明書的范圍內，術語“物質”包括全部上述物質，例如有機物質、無機物質和/或混合物質。此外，在本說明書的范圍內，將物質混合物理解為其組成部分由兩種或更多種不同物質構成，其組成部分例如非常細地分布。將由一種或多種有機物質、一種或多種無機物質或一種或多種混合物質構成的物質混合物或物質理解為物質分類。術語“材料”能夠與“物質”同義地使用。
[0009]在不同的實施方式中，提出一種用于制造用于電磁福射的散射層的方法，其中所述方法具有:將散射中心施加到載體上；將玻璃施加到散射中心上和將玻璃液化，使得液化的玻璃的一部分在散射中心之間朝向載體的表面流動，使得在散射中心上方仍保留液化的玻璃的一部分。
[0010]散射層在散射中心之上的部分在此應當具有大于或等于沒有玻璃的散射中心的最靠上的層的粗糙度的厚度，使得構成至少一個平滑的表面，即表面具有小的RMS粗糙度(root mean square-均方根)，例如小于10nm。散射中心的最靠上的層的粗糙度取決于散射中心的實際大小，即不僅取決于平均粒度、還取決于平行于載體的平面中的散射中心濃度。
[0011]對于該方法重要的是，在施加散射中心之后液化玻璃。由此能夠調整散射中心在散射層中的分布并且在玻璃的唯一的液化工藝中、例如在退火工藝中構成散射層的平滑的表面。借助玻璃粉末或由玻璃顆粒制造懸浮物或者膏狀物就此而言不能夠理解為液化，因為玻璃顆粒的形態沒有通過懸浮物發生變化。
[0012]在方法的一個設計方案中，載體能夠具有玻璃，例如軟玻璃，例如鈉鈣玻璃。
[0013]在方法的又一個設計方案中，載體能夠構成為是機械柔性的。
[0014]在方法的又一個設計方案中，載體能夠面狀地構成。
[0015]在方法的又一個設計方案中，散射中心能夠具有選自下述物質組的物質或物質混合物或者由其形成:無機物質。
[0016]散射中心能夠具有無機物質或無機物質混合物或由其形成,例如由Ti02、CeO2>Bi203、Y203、Zr02、Si02、Al203、Zn0、SnO2構成的顆粒或者發光物質。然而，散射中心也能夠構成為玻璃顆粒，所述玻璃顆粒具有與玻璃基體不同的折射率，并且與玻璃基體相比更高地軟化，即具有更高的軟化溫度。
[0017]在又一個設計方案中，在將發光物質用作為散射中心的情況下，散射層同時構成用于對電磁輻射進行波長轉換。在此，發光物質能夠具有斯托克斯位移并且發射具有更高的波長的入射的電磁輻射。
[0018]在方法的又一個設計方案中，散射中心能夠具有拱起的表面。
[0019]散射中心的幾何形狀能夠是任意的，例如構成為是球形的、非球形的、例如棱柱形的、橢圓的、和空心的或緊湊的。
[0020]在方法的又一個設計方案中，散射中心能夠具有大約0.Ιμπι至大約3μπι的平均粒度。
[0021]在方法的又一個設計方案中，(甚至完全不同的)散射中心的多個層能夠彼此相疊地施加在載體上。
[0022]在方法的又一個設計方案中，散射中心的各個層具有平均粒度不同的散射中心。
[0023]在方法的又一個設計方案中，散射中心的平均粒度能夠從載體的表面起減小。
[0024]在方法的又一個設計方案中，施加在載體上的散射中心能夠構成具有大約0.1 μ m至大約10 μ m的厚度的層。
[0025]在方法的又一個設計方案中，在散射中心上的玻璃能夠具有下述物質或物質混合物，所述物質或物質混合物的折射率大于或大約等于層橫截面中的其他層的折射率。由此，射入散射層的邊界面上的電磁輻射在任何入射角下都不會全反射。這對從器件中耦合輸出電磁輻射是有利的。
[0026]在方法的又一個設計方案中，散射層在玻璃固化之后能夠具有散射中心的折射率與玻璃的折射率的大于大約0.05的差。
[0027]在方法的又一個設計方案中，將由鈉鈣玻璃構成的載體與玻璃粉末組合使用，所述玻璃粉末在至最大600°C的溫度下能夠玻璃化，這應當意味著玻璃粉末軟化至其平滑行進。
[0028]在方法的又一個設計方案中，玻璃能夠構成為玻璃粉末并且在至最大大約600°C的溫度下能夠玻璃化，即玻璃粉末軟化，使得其能夠構成平滑的表面。載體的物質或物質混合物、例如鈉鈣玻璃在玻璃粉末的玻璃化溫度下應當是熱穩定的，即具有不改變的層橫截面。
[0029]在方法的又一個設計方案中，玻璃能夠具有玻璃焊料或者由其形成，所述玻璃焊料選自下述玻璃體系:
[0030]例如含PbO的體系:
[0031]PbO-B2O3,
[0032]PbO-S12,
[0033]PbO-B2O3-S12,
[0034]PbO-B2O3-ZnO2,
[0035]PbO-B2O3-Al2O3,
[0036]其中含PbO的玻璃焊料也能夠具有Bi2O3 ；
[0037]或者無鉛的玻璃體系:
[0038]例如含Bi2O3的體系:
[0039]Bi2O3-B2O3,
[0040]Bi203_B203_Si02，
[0041 ] Bi203_B203_Zn0，
[0042]Bi203_B203_Zn0_Si02。
[0043]含Bi2O3的體系也能夠具有其他的玻璃組分，例如A1203、堿土金屬氧化物、堿金屬氧化物、ZrO2, Ti02、HfO2, Nb2O5' Ta2O5' Te02、W03、MO3> Sb2O3' Ag2O, SnO2 和稀土氧化物。
[0044]在方法的又一個設計方案中，散射層能夠以大約0.1 μ m至大約40 μ m的厚度、例如以大約10 μ m至大約30 μ m的厚度施加在載體上。
[0045]在方法的又一個設計方案中，能夠由散射中心懸浮物或膏狀物將散射中心施加到載體上或上方。
[0046]用于由懸浮物或膏狀物制造層的方法例如是絲網印刷、模板印刷、刮涂或者還有噴射方法。
[0047]在方法的又一個設計方案中，散射中心懸浮物或膏狀物除了散射中心之外能夠具有液態的蒸發性的和/或有機的組成部分。所述組成部分能夠是不同的添加物、所謂的添加劑，例如溶劑、粘合劑、例如纖維素、纖維素衍生物、硝化纖維、醋酸纖維素、丙烯酸酯，并且能夠添加給散射中心或玻璃顆粒以用于為相應的方法和為相應尋求的層厚度而調整粘度。
[0048]通常能夠是液態的和/或易揮發的有機添加物能夠以熱學的方式從層中移除，即能夠將層熱干燥。不易揮發的有機添加物能夠借助于熱解移除。在此，溫度提高能夠加速或能夠實現干燥或熱解。
[0049]在方法的又一個設計方案中，在載體上或上方的散射中心懸浮物或膏狀物能夠借助于組成部分蒸發來干燥。
[0050]在方法的又一個設計方案中，玻璃能夠以作為玻璃粉末的顆粒的方式涂覆到散射中心上。
[0051]在方法的又一個設計方案中，玻璃顆粒能夠以懸浮物或膏狀物的方式涂覆到散射中心上。
[0052]在方法的又一個設計方案中，玻璃顆粒能夠具有大約0.1 μ m至大約30 μ m的直徑。
[0053]在方法的又一個設計方案中，玻璃顆粒懸浮物或玻璃顆粒膏狀物除玻璃顆粒或玻璃粉末之外還能夠具有液態的蒸發性的和/或有機的成分，例如粘合劑。
[0054]在方法的又一個設計方案中，玻璃顆粒懸浮物或玻璃顆粒膏狀物以及散射中心懸浮物或散射中心膏狀物能夠具有可彼此混合的液態的蒸發性的和/或有機的組分。由此能夠防止經過干燥的散射中心懸浮物或散射中心膏狀物或者經過干燥的玻璃層懸浮物或散射中心膏狀物之內的添加物的脫落或相分離。
[0055]在方法的又一個設計方案中，在散射中心上或上方的玻璃顆粒懸浮物或散射中心膏狀物能夠借助于組成部分蒸發來干燥。
[0056]在方法的又一個設計方案中，能夠借助于提高溫度基本上完全地從經過干燥的散射中心層以及從經過干燥的玻璃粉末層移除有機的組成部分(粘合劑)。
[0057]在方法的又一個設計方案中，借助于將溫度提高到第二數值上，玻璃或玻璃粉末軟化，使得其能夠流動、例如變成液態，其中第二溫度遠大于干燥的第一溫度。
[0058]用于液化或玻璃化玻璃粉末層的第二溫度值的最大值能夠取決于載體。溫度狀況(溫度和時間)能夠選擇成，使得載體不變形，但是玻璃粉末層的玻璃焊料已經具有使其平滑行進、即流動并且能夠構成非常平滑的玻璃狀的表面的粘性。
[0059]玻璃粉末層的玻璃能夠具有第二溫度、即玻璃化溫度，例如低于載體的、如載體玻璃的轉變溫度，(載體的粘性η = 10145dPa.S)，并且最大為載體玻璃的軟化溫度(載體的粘性n = 107 6dPa.S)、例如低于軟化溫度并且大約為上冷卻點(載體的粘性η =1013 0dPa.s).
[0060]在方法的又一個設計方案中，在將鈉鈣玻璃用作為載體的情況下，玻璃粉末能夠在至最大大約600 °C的溫度下玻璃化。
[0061]在方法的又一個設計方案中，在散射中心上或上方的玻璃能夠具有下述物質或物質混合物，所述物質或物質混合物的折射率大于或大約等于層橫截面中的其他層的層厚度加權的折射率。
[0062]層厚度加權的折射率為以相應的層厚度份額加權的折射率的平均值。
[0063]在方法的又一個設計方案中，能夠借助于液化的玻璃，在散射中心之間構成載體與散射中心之上的液化的玻璃的無間隙的連續的玻璃連接。
[0064]在方法的又一個設計方案中，載體能夠具有鈉鈣玻璃或由其形成，其中用于玻璃化玻璃粉末或玻璃粉末層的溫度最大應當為大約600°C的數值。
[0065]在方法的又一個設計方案中，在借助于局部加熱的固化之后，能夠再次附加地平滑散射中心之上的液化的玻璃的表面。
[0066]在方法的又一個設計方案中，能夠借助于等離子或激光輻射構成局部加熱。
[0067]在方法的又一個設計方案中，散射層能夠構成為有機發光二極管的層橫截面的一部分。
[0068]在不同的實施例中提供一種光學器件，所述光學器件具有:載體、例如軟玻璃；和散射層，其中散射層具有:基體和嵌入所述基體中的至少一種第一類型的光學的散射中心，所述散射中心具有高于基體或低于基體的折射率；其中載體與散射層的邊界面具有大于0%的基體體積濃度；散射層的表面具有100%的基體體積濃度；散射層的基體具有從載體的表面到散射層的表面的無間隙的連續的連接；并且至少一種類型的散射中心的體積濃度從載體的表面起減小。
[0069]在一個設計方案中，基體的折射率與散射中心的折射率的差能夠至少為大約0.05。
[0070]在又一個設計方案中，基體能夠具有大于大約1.5的折射率。
[0071]在又一個設計方案中，基體能夠構成為是無定形的。
[0072]在又一個設計方案中，基體能夠具有玻璃焊料或由其形成，所述玻璃焊料具有選自下述玻璃體系的物質或物質混合物:
[0073]例如含PbO的體系:
[0074]PbO-B2O3,
[0075]PbO-S12,
[0076]PbO-B2O3-S12,
[0077]PbO-B2O3-ZnO2,
[0078]PbO-B2O3-Al2O3,
[0079]其中含PbO的玻璃焊料也能夠具有Bi2O3 ；
[0080]或者無鉛的玻璃體系:
[0081]例如含Bi2O3的體系:
[0082]Bi2O3-B2O3,
[0083]Bi2O3-B2O3-S12,
[0084]Bi2O3-B2O3-ZnO,
[0085]Bi203_B203_Zn0_Si02。
[0086]含Bi2O3的體系也能夠具有其他的玻璃組分，例如Al2O3、堿土金屬氧化物、堿金屬氧化物、ZrO2, Ti02、HfO2, Nb2O5' Ta2O5' Te02、W03、MO3> Sb2O3' Ag2O, SnO2 和稀土氧化物。
[0087]在又一個設計方案中，第一類型的散射中心能夠具有基體和/或物質或物質混合物中的腔或者化學計量的化合物或者由其形成，其選自下述物質:Ti02、CeO2, Bi203、Y2O3>Zr02、Si02、Al203、Zn0、Sn02或者發光物質或者玻璃顆粒或還有金屬納米顆粒，所述玻璃顆粒具有與玻璃基體不同的折射率并且與玻璃基體相比更高地軟化。
[0088]在又一個設計方案中，第一散射中心的平均粒度能夠從載體的表面起減小。
[0089]在又一個設計方案中，散射層能夠具有至少Iym至大約ΙΟΟμπι的、優選10 μ m-30 μ m 的厚度。
[0090]在又一個設計方案中，散射層能夠作為發光二極管中的層制造。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0091 ] 在附圖中示出并且在下文中詳細闡述本發明的實施例。
[0092]附圖示出:
[0093]圖1示出根據不同實施例的有機發光二極管的示意橫截面圖；
[0094]圖2示出根據不同實施例的用于制造散射層的方法的流程圖；
[0095]圖3示出在根據不同實施例的用于制造散射層的方法中的散射層的示意橫截面圖；和
[0096]圖4示出在根據不同實施例的用于制造散射層的方法中的散射層的示意橫截面圖。

【具體實施方式】
[0097]在下面詳細的描述中參考附圖，所述附圖形成所述描述的一部分，并且在所述附圖中示出能夠實施本發明的具體的實施方式以用于說明。在此方面，相關于所描述的一個(多個)附圖的定向而使用方向術語例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因為實施方式的組成部分能夠以多個不同的定向來定位，所以方向術語僅用于說明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能夠使用其他的實施方式并且能夠進行結構上的或邏輯上的改變，而不偏離本發明的保護范圍。要理解的是，只要沒有特殊地另外說明，就能夠將在此描述的不同的示例性的實施方式的特征互相組合。因此，下面詳細的描述不能夠理解為受限制的意義，并且本發明的保護范圍不通過附上的權利要求來限定。
[0098]在所述描述的范圍內，術語“連接”、“聯接”以及“耦合”用于描述直接的和間接的連接、直接的或間接的聯接以及直接的或間接的耦合。在附圖中，只要是適當的，相同的或類似的元件就設有相同的附圖標記。
[0099]圖1不出根據不同實施例的有機發光二極管100的不意橫截面圖.
[0100]有機發光二極管100的形式的發光器件100能夠具有載體102。載體102例如能夠用作為用于電子元件或層的、例如用于發光元件的承載元件。載體102例如能夠是玻璃(軟玻璃或硬玻璃，優選為軟玻璃)、石英玻璃。此外，載體102能夠具有塑料薄膜或帶有一個或多個塑料薄膜的疊層。載體102能夠構成為是半透明的或甚至是透明的。
[0101]術語“半透明”或“半透明層”在不同的實施例中能夠理解為:層對于光是可穿透的，例如對于由發光器件所產生的例如一個或多個波長范圍的光是可穿透的，例如對于可見光的波長范圍中的光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波長范圍的子范圍中)。術語“半透明層”在不同的實施例中例如理解為:全部的耦合輸入到結構(例如層)中的光量基本上也從所述結構(例如層)中耦合輸出，其中光的一部分在此能夠被散射。
[0102]術語“透明”或“透明層”在不同的實施例中能夠理解為:層對于光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波長范圍的子范圍中)，其中耦合輸入到結構(例如層)中的光基本上在沒有散射或光轉換的情況下也從所述結構(例如層)中耦合輸出。因此，“透明”在不同的實施例中能夠視作為“半透明”的特殊情況。
[0103]對于例如應當提供單色發光的或發射光譜受限的電子器件的情況而言足夠的是:光學半透明的層結構至少在期望的單色光的波長范圍的子范圍中或者對于受限的發射光譜是半透明的。
[0104]在不同的實施例中，有機發光二極管100(或還有根據在上文中或還要在下文中描述的實施例的發光器件)能夠設計成所謂的頂部和底部發射器。頂部和底部發射器也能夠稱作為光學透明器件，例如透明有機發光二級管。
[0105]在不同的實施例中，能夠可選地在載體102上或上方設置有阻擋層104。阻擋層104能夠具有下述材料中的一種或多種或者由其制成:氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭、氧化鑭、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、招摻雜的氧化鋅、以及它們的混合物和合金。此外，阻擋層104在不同的實施例中能夠具有在大約
0.1nm(原子層)至大約5000nm的范圍中的層厚度,例如在大約1nm至大約200nm的范圍中的層厚度，例如為大約40nm的層厚度。
[0106]因此，在不同的實施例中，在阻擋層104上或上方(或者，當阻擋層104不存在時，在載體102上或上方)能夠施加散射層106。
[0107]在不同的實施例中，散射層106能夠具有大約14111至大約4(^111的厚度，例如大約I μ m至大約30 μ m的厚度,例如3 μ m至大約20 μ m的厚度,例如5 μ m至大約15 μ m的厚度。散射層106的其他規格能夠從對圖2、圖3、圖4和圖5的描述中得出。
[0108]在不同的實施例中，在散射層104上或上方能夠施加第一電極110(例如以第一電極層110的形式)。第一電極110(在下文中也稱作為下部電極110)能夠由能導電的材料形成或者是能導電的材料，例如由金屬或透明導電氧化物(transparent conductiveoxide, TC0)形成或由相同金屬的或不同金屬的和/或相同TCO的或不同TCO的多個層的層堆形成。透明導電氧化物是透明的、導電的材料，例如金屬氧化物，例如氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦或銦錫氧化物(IT0)。除了二元的金屬氧化物化合物、例如ZnO、SnO2或In2O3 以外，三元的金屬氧化物化合物、例如 AlZn0、Zn2Sn04、CdSn03、ZnSn03、Mgln204、GaIn03、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明導電氧化物的混合物也屬于TCO族并且能夠在不同的實施例中使用。此外，TCO不強制符合化學計量的組分并且還能夠是P型摻雜的或η型摻雜的。
[0109]在不同的實施例中，第一電極110能夠具有金屬；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca、Sm或L1、以及這些材料的化合物、組合或合金。
[0110]在不同的實施例中，能夠由在TCO層上的金屬層的組合的層堆形成第一電極110，或者反之。一個實例是施加在銦錫氧化物層(ITO)上的銀層(ΙΤ0上的Ag)或ITO-Ag-1TO復層。
[0111]在不同的實施例中，替選于或附加于上述材料，第一電極110能夠設有下述材料中的一種或多種:由例如由Ag制成的金屬的納米線和納米微粒構成的網絡；由碳納米管構成的網絡；石墨微粒和石墨層；由半導體納米線構成的網絡。
[0112]此外，第一電極110能夠具有導電聚合物或過渡金屬氧化物或導電透明氧化物。
[0113]在不同的實施例中，第一電極110和載體102能夠構成為是半透明的或透明的。在第一電極110由金屬形成的情況下，第一電極110例如能夠具有小于或等于大約25nm的層厚度、例如小于或等于大約20nm的層厚度、例如小于或等于大約18nm的層厚度。此外，第一電極110例如能夠具有大于或等于大約1nm的層厚度、例如大于或等于大約15nm的層厚度。在不同的實施例中，第一電極110能夠具有在大約1nm至大約25nm的范圍內的層厚度、例如在大約1nm至大約18nm的范圍內的層厚度、例如在大約15nm至大約18nm的范圍內的層厚度。
[0114]此外，對于第一電極110由透明導電氧化物(TCO)形成的情況而言，第一電極110例如具有在大約50nm至大約500nm的范圍內的層厚度、例如在大約75nm至大約250nm的范圍內的層厚度、例如在大約10nm至大約150nm的范圍內的層厚度。
[0115]此外，對于第一電極110由例如由如Ag構成的能夠與導電聚合物組合的金屬的納米線構成的網絡形成、由能夠與導電聚合物組合的碳納米管構成的網絡或者由石墨層和復合材料形成的情況而言，第一電極I1例如能夠具有在大約Inm至大約500nm的范圍內的層厚度、例如在大約1nm至大約400nm的范圍內的層厚度、例如在大約40nm至大約250nm的范圍內的層厚度。
[0116]第一電極110能夠構成為陽極、即構成為注入空穴的電極，或者構成為陰極、即構成為注入電子的電極。
[0117]第一電極110能夠具有第一電端子,第一電勢(由能量源(未不出)、例如電流源或電壓源提供)能夠施加到所述第一電端子上。替選地，第一電勢能夠施加到載體102上或是施加到載體102上的并且然后能夠經由此間接地輸送給第一電極110或是輸送給第一電極110的。第一電勢例如能夠是接地電勢或者不同地預設的參考電勢。
[0118]此外，發光器件100的電有源區域108能夠具有有機電致發光層結構112或有機功能層結構112,所述有機電致發光層結構或有機功能層結構施加在第一電極110上或上方或是施加在第一電極110上或上方的。
[0119]有機電致發光層結構112能夠包含一個或多個發射體層118、例如具有發熒光的和/或發磷光的發射體的發射體層，以及一個或多個空穴傳導層120 (也稱作空穴傳輸層120)。在不同的實施例中，替選地或附加地，能夠設有一個或多個電子傳導層122(也稱作電子傳輸層122)。
[0120]能夠在根據不同實施例的發光器件100中用于發射體層118的發射體材料的實例包括:有機的或有機金屬的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亞苯基的衍生物(例如2-或2，5-取代的聚-對-亞苯基乙烯撐)；以及金屬絡合物，例如銥絡合物，如發藍色磷光的FIrPic(雙(3，5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基_(2_羧基吡啶基)-銥III)、發綠色磷光的Ir (ppy) 3 (三(2-苯基卩比唳)銥III)、發紅色磷光的Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6))(三[4，4’-二-叔-丁基-(2，2’)_聯吡啶]釕(III)絡合物)、以及發藍色熒光的DPAVBi (4, 4-雙[4-(二-對-甲苯基氨基)苯乙烯基]聯苯)、發綠色熒光的TTPA(9，10-雙[隊^二-(對_甲苯基)-氨基]蒽)和發紅色熒光的DCM2(4-二氰基亞甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作為非聚合物發射體。這種非聚合物發射體例如能夠借助于熱蒸鍍來沉積。此外，能夠使用聚合物發射體，所述聚合物發射體尤其能夠借助于濕法化學法、例如旋涂法(也稱作Spin Coating)來沉積。
[0121 ] 發射體材料能夠以適合的方式嵌在基體材料中。
[0122]需要指出的是，在其他的實施例中同樣設有其他適合的發射體材料。
[0123]發光器件100的發射體層118的發射體材料例如能夠選擇為，使得發光器件100發射白光。(多個)發射體層118能夠具有多種發射不同顏色(例如藍色和黃色或者藍色、綠色和紅色)的發射體材料，替選地，(多個)發射體層118也能夠由多個子層構成，如發藍色熒光的發射體層118或發藍色磷光的發射體層118、發綠色磷光的發射體層118和發紅色磷光的發射體層118。通過不同顏色的混合，能夠得到具有白色的色彩印象的光的發射。替選地，也能夠提出，在通過這些層產生的初級發射的光路中設置有轉換材料，所述轉換材料至少部分地吸收初級輻射并且發射其他波長的次級輻射，使得從(還不是白色的)初級輻射通過將初級輻射和次級輻射組合得到白色的色彩印象。
[0124]有機電致發光層結構112通常能夠具有一個或多個電致發光層。一個或多個電致發光層能夠具有有機聚合物、有機低聚物、有機單體、有機的、非聚合物的小分子(“smallmolecules")或這些材料的組合。有機電致發光層結構112例如能夠具有構成為空穴傳輸層120的一個或多個電致發光層，使得例如在OLED的情況下能夠實現將空穴有效地注入到進行電致發光的層或進行電致發光的區域中。替選地，在不同的實施例中，有機電致發光層結構112能夠具有構成為電子傳輸層122的一個或多個功能層，使得例如在OLED中能夠實現將電子有效地注入到進行電致發光的層或進行電致發光的區域中。例如能夠使用叔胺、咔唑衍生物、導電的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作為用于空穴傳輸層120的材料。在不同的實施例中，一個或多個電致發光層能夠構成為進行電致發光的層。
[0125]在不同的實施例中，空穴傳輸層120能夠施加、例如沉積在第一電極110上或上方，并且發射體層118能夠施加、例如沉積在空穴傳輸層120上或上方。在不同的實施例中，電子傳輸層122能夠施加、例如沉積在發射體層118上或上方。
[0126]在不同的實施例中，有機電致發光層結構112(即例如(多個)空穴傳輸層120和(多個)發射體層118和(多個)電子傳輸層122的厚度的總和)具有最大為大約1.5μπι的層厚度、例如最大為大約1.2 μ m的層厚度、例如最大為大約Iym的層厚度、例如最大為大約800nm的層厚度、例如最大為大約500nm的層厚度、例如最大為大約400nm的層厚度、例如最大為大約300nm的層厚度。在不同的實施例中，有機電致發光層結構112例如能夠具有多個直接彼此相疊設置的有機發光二極管(OLED)的堆，其中每個OLED例如能夠具有最大為大約1.5 μ m的層厚度、例如最大為大約1.2 μ m的層厚度、例如最大為大約I μ m的層厚度、例如最大為大約800nm的層厚度、例如最大為大約500nm的層厚度、例如最大為大約400nm的層厚度、例如最大為大約300nm的層厚度。在不同的實施例中，有機電致發光層結構112例如能夠具有兩個、三個或四個直接彼此相疊設置的OLED的堆，在此情況下，有機電致發光層結構112例如能夠具有最大為大約3 μ m的層厚度。
[0127]發光器件100可選地通常能夠具有另外的有機功能層，所述另外的有機功能層例如設置在一個或多個發射體層118上或其上方或設置在(多個)電子傳輸層122上或其上方，其用于進一步改進發光器件100的功能性進而改進效率。
[0128]在有機電致發光層結構112上或上方或者必要時在一個或多個另外的有機功能層上或上方能夠施加第二電極114 (例如以第二電極層114的形式)。
[0129]在不同的實施例中，第二電極114能夠具有與第一電極110相同的材料或者由其形成，其中在不同的實施例中金屬是尤其適合的。
[0130]在不同的實施例中，第二電極114(例如對于金屬的第二電極114的情況而言)例如能夠具有小于或等于大約50nm的層厚度、例如小于或等于大約45nm的層厚度、例如小于或等于大約40nm的層厚度、例如小于或等于大約35nm的層厚度、例如小于或等于大約30nm的層厚度、例如小于或等于大約25nm的層厚度、例如小于或等于大約20nm的層厚度、例如小于或等于大約15nm的層厚度、例如小于或等于大約1nm的層厚度。
[0131]第二電極114通常能夠以與第一電極110類似的或不同的方式構成或者是這樣構成的。第二電極114在不同的實施例中能夠由一種或多種材料并且以相應的層厚度構成或者是這樣構成的，如在上文中結合第一電極110所描述的那樣。在不同的實施例中，第一電極110和第二電極114這兩者都透明地或半透明地構成。因此，在圖1中示出的發光器件100能夠設計成頂部和底部發射器(換言之作為雙向放射的發光器件100)。
[0132]第二電極114能夠構成為陽極、即構成為注入空穴的電極，或者構成為陰極、即構成為注入電子的電極。
[0133]第二電極114能夠具有第二電端子，由能量源提供的第二電勢(所述第二電勢與第一電勢不同)能夠施加到所述第二電端子上。第二電勢例如能夠具有一定數值，使得與第一電勢的差具有在大約1.5V至大約20V的范圍內的數值、例如在大約2.5V至大約15V的范圍內的數值、例如在大約3V至大約12V的范圍內的數值。
[0134]在第二電極114上或上方進而在電有源區域108上或上方可選地還能夠形成或形成有封裝件116,例如阻擋薄層/薄層封裝件116的形式的封裝件。
[0135]“阻擋薄層”或“阻擋薄膜”116在本申請的范圍中例如能夠理解為下述層或層結構，所述層或層結構適合于形成相對于化學雜質或大氣物質、尤其相對于水(濕氣)和氧氣的阻擋。換言之，阻擋薄層116構成為，使得其不能夠或至多極其少部分由損壞OLED的物質例如水、氧氣或溶劑穿過。
[0136]根據一個設計方案，阻擋薄層116能夠構成單獨的層(換言之，構成為單層)。根據一個替選的設計方案，阻擋薄層116能夠具有多個彼此相疊構成的子層。換言之，根據一個設計方案，阻擋薄層116能夠構成為層堆(Stack)。阻擋薄層116或阻擋薄層116的一個或多個子層例如能夠借助于適合的沉積方法來形成，例如根據一個設計方案借助于原子層沉積方法(Atomic Layer Deposit1n(ALD))、例如等離子增強的原子層沉積方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposit1n(PEALD))或無等離子的原子層沉積方法(Plasma-less Atomic Layer Deposit1n(PLALD))來形成，或根據另一個設計方案借助于化學氣相沉積方法(Chemical Vapor Deposit1n (CVD))、例如等離子增強的氣相沉積方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n(PECVD))或無等離子的氣相沉積方法(Plasma-less Chemical Vapor Deposit1n(PLCVD))來形成，或者替選地借助于另外適合的沉積方法來形成。
[0137]通過應用原子層沉積方法(ALD)能夠沉積極其薄的層。特別地，能夠沉積層厚度位于原子層范圍內的層。
[0138]根據一個設計方案，在具有多個子層的阻擋薄層116中，能夠借助于原子層沉積方法形成全部子層。僅具有ALD層的層序列也能夠稱作為“納米疊層(Nanolaminat) ”。
[0139]根據一個替選的設計方案，在具有多個子層的阻擋薄層116中，能夠借助于不同于原子層沉積方法的沉積方法來沉積阻擋薄層116的一個或多個子層，例如借助于氣相沉積方法來沉積。
[0140]阻擋薄層116根據一個設計方案能夠具有大約0.1nm (原子層)至大約100nm的層厚度，例如根據一個設計方案為大約1nm至大約10nm的層厚度，例如根據一個設計方案為大約40nm的層厚度。
[0141]根據阻擋薄層116具有多個子層的設計方案，全部子層能夠具有相同的層厚度。根據另一個設計方案，阻擋薄層116的各個子層能夠具有不同的層厚度。換言之，至少一個子層能夠具有不同于一個或多個其他子層的層厚度。
[0142]根據一個設計方案，阻擋薄層116或阻擋薄層116的各個子層能夠構成為半透明的或透明的層。換言之，阻擋薄層116 (或阻擋薄層116的各個子層)能夠由半透明的或透明的材料(或半透明的或透明的材料組合)制成。
[0143]根據一個設計方案，阻擋薄層116或(在具有多個子層的層堆的情況下)阻擋薄層116的一個或多個子層具有下述材料中的一種或由下述材料中的一種制成:氧化鋁、氧化鋅、氧化錯、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭、氧化鑭、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁摻雜的氧化鋅、以及它們的混合物和合金。在不同的實施例中，阻擋薄層116或(在具有多個子層的層堆的情況下)阻擋薄層116的一個或多個子層能夠具有一種或多種聞折射率的材料，換目之具有一種或多種具有聞折射率的材料，例如具有至少為2的折射率的材料。
[0144]在阻擋薄層116上或上方能夠設有粘接劑和/或保護漆124，借助于所述粘接劑和/或保護漆例如將覆蓋件126 (例如玻璃覆蓋件126)固定、例如粘貼在阻擋薄層116上。在不同的實施例中，由粘接劑和/或保護漆124構成的光學半透明層能夠具有大于I μ m的層厚度，例如幾μ m的層厚度。在不同的實施例中，粘接劑能夠具有層壓粘接劑或是層壓粘接劑。
[0145]在不同的實施例中，在粘接劑的層(也稱作為粘接層)中還能夠嵌有散射光的顆粒，所述散射光的顆粒能夠引起進一步改進色角畸變和耦合輸出效率。在不同的實施例中，例如能夠將介電的散射顆粒設為散射光的顆粒，例如金屬氧化物，如氧化硅(S12)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鋁或氧化鈦。其他顆粒也是適合的，只要其具有與半透明的層結構的基體的有效折射率不同的折射率，例如為氣泡、丙烯酸鹽或玻璃空心球。此外，例如能夠將金屬的納米顆粒，金屬、如金、銀，鐵納米顆粒等設為散射光的顆粒。
[0146]在不同的實施例中，在第二電極114和由粘接劑124和/或保護漆124構成的層之間還施加或施加有電絕緣層(未示出)，例如為SiN，例如具有在大約300nm至大約1.5 μ m的范圍內的層厚度，例如具有在大約500nm至大約Iym的范圍內的層厚度，以便例如在濕法化學工藝期間保護電學不穩定的材料。
[0147]在不同的實施例中，粘接劑能夠設計成，使得其本身具有比覆蓋件126的折射率小的折射率。這種粘接劑例如能夠是低折射率的粘接劑，例如如丙烯酸鹽，丙烯酸鹽具有大約1.3的折射率。此外,能夠設有形成粘接劑層序列的多種不同的粘接劑。
[0148]還需要指出的是，在不同的實施例中也能夠完全地棄用粘接劑124，例如在將由玻璃制成的覆蓋件126借助于等離子噴射施加到阻擋薄層116上的實施例中。
[0149]在不同的實施例中，覆蓋件126和/或粘接劑124能夠具有為1.55的折射率(例如在波長為633nm的情況下)。
[0150]此外，在不同的實施例中，能夠在發光器件100中附加地設有一個或多個抗反射層(例如與封裝件116、如薄層封裝件116組合)。
[0151]圖2示出根據不同實施例的用于制造散射層106的方法的流程圖200。
[0152]所示出的是:制備載體202，施加散射中心前體204，干燥散射中心前體206，施加玻璃層前體208，干燥玻璃前體210，從散射中心層和玻璃層212中移除不易揮發的有機組成部分(脫膠(Entbindern))，液化玻璃層前體214或者液化(玻璃化)玻璃粉末層214，固化玻璃216和調整表面特性218，其中對表面特性的調整218能夠是可選的。
[0153]制備202載體、例如折射率大約為1.5的鈉鈣玻璃例如能夠具有施加阻擋層104、例如S12，清潔載體102的或阻擋層104的表面或調整載體102的或阻擋層104的表面302上的表面粗糙度或者化學基團。
[0154]在制備202載體102之后，能夠將散射中心前體304施加到載體102的或阻擋層104的表面302上。施加散射中心前體204例如能夠具有將由散射中心306和易揮發的和不易揮發的有機組成部分構成的懸浮物或膏狀物施加到表面302上。
[0155]在不能夠視作為限制性的設計方案中，由用氧化的散射顆粒306、例如KRONOS2056 (T12, d50 = 0.45 μ m)或CRlO (Al2O3, d50 = 0.45 μ m)構成的能絲網印刷的膏狀物或懸浮物以及市售的絲網印刷介質(例如乙酸乙酯中的硝化纖維或者乙二醇醚中的纖維素衍生物)構成具有例如大約30 μ m濕層厚度的散射中心前體304或薄的絲網印刷層304。
[0156]在借助于易揮發的溶劑例如以懸浮物或膏狀物施加散射中心前體304之后，進行對散射中心前體304的干燥206。絲網印刷層304例如能夠在70°C下干燥三個小時。在干燥206期間移除絲網印刷層304的易揮發的組成部分。然而，絲網印刷層304仍具有不易揮發的有機組成部分，例如粘合劑，所述粘合劑將散射顆粒彼此連接以及與載體連接，并且由此給予層用于后面的工藝步驟的一定的機械強度。
[0157]在干燥206絲網印刷層304之后，例如能夠借助絲網印刷或者模板印刷施加玻璃層前體310,例如借助能夠具有由硼酸鉛玻璃顆粒或者硼娃酸鉛玻璃顆粒構成的粉末的玻璃粉末懸浮物或玻璃粉末膏狀物來施加。玻璃粉末懸浮物或玻璃粉末膏狀物同樣包含市售的絲網印刷介質(例如乙酸乙酯中的硝化纖維或者乙二醇醚中的纖維素衍生物)。玻璃粉末印刷層310例如能夠具有大約30 μ m的濕層厚度。硼酸鉛玻璃顆粒或者硼硅酸鉛玻璃顆粒例如能夠具有在大約1.7至大約1.9的范圍內的折射率。硼酸鉛玻璃顆粒或者硼娃酸鉛玻璃顆粒例如能夠具有D90〈12 μ m和D50〈3 μ m的粒度分布。硼酸鉛玻璃顆粒或者硼硅酸鉛玻璃顆粒的熱膨脹系數例如對于大約50°C至大約400°C的溫度范圍能夠為大約7.5.10_61/K，并且具有鈉鈣玻璃的載體的熱膨脹系數例如大約為8.5-9.10_61/K。
[0158]玻璃層前體310的厚度能夠為，使得玻璃層前體310中的玻璃312的總體積大于散射中心306和易揮發的和不易揮發的有機物質、例如粘合劑、溶劑的體積之間的自由體積，換言之，大于散射中心前體304中的散射中心306之間的中間空間308的總共可占據的體積。
[0159]在施加208玻璃層前體310之后，該方法能夠具有干燥210玻璃層前體310，例如在70°C下干燥三個小時，以便移除易揮發的組成部分。
[0160]在干燥210玻璃層前體310之后，干燥的絲網印刷層304和干燥的玻璃層前體310中的不易揮發的有機組成部分能夠借助于移除不易揮發的有機組成部分212以熱學的方式移除，例如借助于熱解。絲網印刷介質應當選擇成，在玻璃粉末軟化之前，結束脫膠。因為所應用的硼硅酸鉛玻璃能夠自大約500°C起開始軟化，所以上述這兩種粘合劑溶劑體系良好地適合于所述玻璃，因為其根據體系在大約200°C至大約400°C之間已經能夠燒盡。
[0161]移除散射中心前體304和玻璃層前體310中的不易揮發的有機組成部分212能夠構成散射中心前體304和玻璃層前體310中的自由體積308。
[0162]在移除不易揮發的有機組成部分212之后，能夠進行液化214玻璃層前體310。
[0163]在將上述硼硅酸鉛玻璃焊料作為玻璃粉末層310的情況下，玻璃化能夠在大約500°C之上的溫度下進行。在將鈉鈣玻璃在上冷卻溫度大約為550°C的情況下作為載體102的實例中，根據加熱方法，溫度上限能夠具有大約600°C的數值，以便將載體的變形保持得小或者避免載體的變形。在玻璃化時，玻璃層前體310或玻璃顆粒312的粘性降低。由此，玻璃層前體310或玻璃顆粒312能夠占據干燥的絲網印刷層304的散射中心306之間的自由體積308。該工藝也稱作為玻璃化。如果玻璃化在載體102的或載體玻璃102的轉變溫度之下進行，那么在所述載體或載體玻璃中沒有形成熱應力。這兩個聯接配對物、即載體102和玻璃焊料312的熱膨脹系數的差別不應過大，以便避免載體312和散射層106之間的強的聯接應力進而確保持久的連接。因為散射層106能夠類似于阻擋層作用，所以能夠棄用阻擋薄層104，例如當玻璃基體312是無堿時棄用阻擋薄層104。
[0164]借助于玻璃化，關于散射中心前體304的或絲網印刷層304的厚度和玻璃層前體310的層厚度的厚度能夠減小，例如減小到大約10 μ m的厚度。借助于該設計方案，能夠顯著地提高光耦合輸出。不能夠由液化的玻璃占據的自由體積308、所謂的腔410除了散射中心306之外能夠在玻璃基體408或玻璃層408中構成另外的散射中心410。
[0165]在液化玻璃層前體214并且液態的玻璃流入到散射中心306之間的空間308中之后，能夠進行固化216玻璃408，例如借助于冷卻、例如被動地冷卻。借助于固化216玻璃408能夠構成散射層106。
[0166]在固化216散射層106之后，能夠對散射層106的表面特性進行調整216，例如拋光、即平滑散射層106的表面502，例如借助于短暫的局部的溫度升高、例如借助于定向的等離子、例如作為火拋光或者也作為激光拋光。
[0167]在又一個設計方案中，能夠將硼酸鉛玻璃顆粒或者硼硅酸鉛玻璃顆粒用于玻璃層前體310，所述硼酸鉛玻璃顆粒或者硼硅酸鉛玻璃顆粒例如能夠具有D90〈15 μ m和050〈6μπι的粒度分布。硼酸鉛玻璃顆粒或者硼硅酸鉛玻璃顆粒能夠具有例如大約為12.5.10_61/Κ的熱膨脹系數。在應用所述玻璃的情況下，能夠在低于大約500°C的溫度下構成玻璃化，因為所述玻璃的軟化能夠在大約360°C時開始。
[0168]在另一個設計方案中，也能夠將無鉛的玻璃顆粒用于玻璃層前體310，所述無鉛的玻璃顆粒例如能夠具有在大約1.7和大約2.1之間的折射率。所述無鉛的玻璃顆粒例如能夠是硼酸鉍玻璃顆粒或者硼硅酸鉍玻璃顆粒，具有大約I μ m的粒度分布D50并且對于大約50°C至大約350°C的溫度范圍具有大約8.5.10_61/K的熱膨脹系數。替選地，也能夠選擇硼酸鋅鉍玻璃顆粒或者硼硅酸鉍鋅玻璃顆粒，具有大約7 μ m的粒度分布D50并且對于大約50°C至大約300°C的溫度范圍具有大約10.10_61/K的熱膨脹系數。
[0169]圖3示出根據不同實施例的用于制造散射層200的方法中的散射層106的示意橫截面圖，這在移除載體102的或阻擋層104的表面302上的具有玻璃顆粒312的玻璃層前體310的和具有散射中心306的散射中心前體304的不易揮發的有機組成部分212之后示出的。借助于移除散射中心前體306的和玻璃層前體310的不易揮發的有機組成部分，能夠在散射中心306之間和玻璃顆粒312之間構成自由體積308。前體層304、310在此描述散射中心306的和玻璃顆粒312的具有或不具有易揮發的和/或不易揮發的有機組成部分的所施加的層。
[0170]圖4示出根據不同實施例的用于制造散射層200的方法中的散射層106的示意橫截面圖，這是在玻璃312液化212并且流入到散射中心306之間的自由體積308中之后示出的。
[0171]散射層106的所示出的層橫截面例如對應于固化216液化的玻璃顆粒308和構成玻璃層408或玻璃基體408之后的層橫截面。玻璃408能夠具有空出的表面402并且與載體102或阻擋層104共有共同的邊界面404。此外，玻璃層408能夠與散射中心306共有一個共同的邊界面406或多個共同的邊界面406。
[0172]除散射中心306之外，能夠在玻璃基體408中構成腔410，例如借助于液態玻璃不可進入的自由的體積308構成。
[0173]在不同的實施方式中提供方法，借助該方法可行的是，借助唯一的退火步驟制造具有可調整的散射橫截面和平滑的表面的散射層。尤其地，由沒有PbO的高折射率的玻璃構成的無定形的散射層能夠借助所提供的方法制造進而有助于實現光電子器件中的規定2002/95/EG。所述方法極其好地適合于具有無鉛的玻璃的散射層。與由散射顆粒和玻璃顆粒組成的均勻的混合物構成的散射層相比，所述方法允許更大的工藝窗口，以便能夠以無定形的方式凝固高折射率的玻璃基體。
【權利要求】
1.一種用于制造用于電磁輻射的散射層(106)的方法，其中所述方法具有: ?將散射中心(306)施加到載體(102，104)上； ?將玻璃(312)施加到所述散射中心(306)上；和 ?將所述玻璃(312)液化，使得液化的所述玻璃(312)的一部分在所述散射中心(306)之間朝向所述載體(302)的表面流動，使得在所述散射中心(306)上方仍保留液化的所述玻璃(312)的一部分。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述散射中心(306)具有拱起的表面。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述散射中心(306)具有大約0.1 μ m至大約3μπ?的平均粒度。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中施加在所述載體(102，104)上的所述散射中心(306)構成具有大約0.1 μ m至大約10 μ m的厚度的層(304)。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中所述玻璃(312)具有大于大約1.7的折射率。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中在所述散射中心(302)上或上方的所述玻璃(312)具有下述物質或物質混合物，所述物質或物質混合物的折射率大于或大約等于層橫截面(110，112，114)中的其他層的層厚度加權的折射率。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中在所述玻璃(312)固化之后，所述散射層(106)具有所述散射中心(306)的折射率與所述玻璃(312)的折射率的大于大約0.05的差。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其中在將鈉鈣玻璃用作為載體(102)的情況下，玻璃粉末(312)在直至最高大約600°C的溫度下玻璃化。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的方法，其中將所述散射層(106)以大約Iym至大約40 μ m的厚度施加在所述載體(102，104)上。
10.根據權利要求1至9中任一項所述的方法，其中由散射中心懸浮物或散射中心膏狀物將所述散射中心(306)施加到所述載體(102，104)上或上方。
11.根據權利要求10所述的方法，其中將在所述載體(102，104)上或上方的所述散射中心懸浮物借助于蒸發的組成部分來干燥。
12.根據權利要求1至11中任一項所述的方法，其中將所述玻璃(312)以作為玻璃粉末(312)的顆粒(312)的方式涂覆到所述散射中心上。
13.根據權利要求12所述的方法，其中所述玻璃顆粒(312)具有大約0.1μπι至大約30 μ m的直徑。
14.一種光學器件，所述光學器件具有: 載體(102，104);和 散射層(106)，其中所述散射層(106)具有: ?基體(408)和嵌入所述基體中的至少一種第一類型的光學的散射中心(306，410)，所述散射中心具有高于所述基體(408)或低于所述基體的折射率； ?其中所述載體(102，104)與所述散射層(106)的邊界面(404)具有所述基體(408)的大于O%的體積濃度； ?所述散射層(106)的表面(402)具有所述基體(408)的100%的體積濃度； ?所述散射層(106)的所述基體(408)具有從所述載體(102，104)的表面(404)到所述散射層(106)的表面(402)的至少一個無間隙的連續的連接；和 ?至少一種類型的散射中心(306，410)的體積濃度從所述載體(102，104)的表面(404)起減小。
15.—種具有根據權利要求14所述的光學器件的有機發光二極管。
【文檔編號】H01L51/52GK104364216SQ201380022264
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2013年4月11日 優先權日:2012年4月26日
【發明者】丹尼爾·斯特芬·塞茨, 安杰拉·埃貝哈特, 曼弗雷德·戴森霍費爾, 克里斯蒂娜·威爾 申請人:歐司朗Oled股份有限公司