透光性導電圖案部件及使用了其的透光性電磁屏蔽·天線部件的制作方法
【專利摘要】本發明提供通過金屬圖案部自身具有透光性而難以見到金屬圖案部、減少波紋、衍射導致的散射、且兼具充分的導電性的透光性導電圖案部件。通過具備使用含有氮原子的化合物構成的基底層、使用銀或以銀為主要成分的合金而在上述基底層上的至少一部分上設置的具有透光性的導電圖案部的具有透光性的導電圖案部件來達到。
【專利說明】透光性導電圖案部件及使用了其的透光性電磁屏蔽?天線 部件
【技術領域】
[0001] 本發明涉及導電部自身也具有透光性的透光性導電圖案部件、及其制造方法、進 而使用了其的透光性電磁屏蔽部件、透光性頻率選擇性電磁波屏蔽部件、透光性天線部件、 觸摸面板。
【背景技術】
[0002] 透光性導電圖案部件，在例如等離子體顯示面板的電磁波屏蔽等中得到利用。
[0003] 進而，因最近的無線環境的擴展，為了維持無線數據的安全、或者為了防止利用 了維持通信品質的、例如多個的IC標記時的混臺等，嘗試對窗玻璃、處理帶有IC標記的 商品的收銀機間、商品分類道的透明分離板附加電磁波屏蔽功能。在單純的屏蔽中，連 手機、公共無線的電波也屏蔽了，因此可頻率選擇性地進行電磁波屏蔽的FSS (Frequency Selective Surface)正備受關注。FSS的特征在于在基材表面形成根據要屏蔽的電磁波的 頻率的導電性的獨立圖案。該圖案在面內不連續地接合，因此表面電阻變高，但為了反射電 磁波，各自的圖案自身需要高的導電性。
[0004] 另外，透光性導電圖案部件可作為電視、收音機、無線LAN的透明接收天線而利 用，例如可在窗玻璃上附加這樣的透明接收天線。進而，如果在非接觸IC卡的天線、無線標 記的接收發送天線也利用透光性導電圖案部件，則可在IC卡表面具有天線，或制作透明的 無線標記。
[0005] 作為這樣的透光性導電圖案部件，已知通過以下的方法而形成了的透光性導電圖 案部件：應用鹵化銀照片感光材料的技術而將銀核形成為圖案狀來進行物理顯像、鍍敷的 方法（專利文獻1)，用噴墨、絲網等的印刷法將含有鈀催化劑的墨涂布成圖案狀、進行化學 鍍敷的方法（專利文獻2)，在形成為圖案狀的含有導電性高分子的涂膜上進行化學鍍敷的 方法（專利文獻3)，進而用光刻將金屬薄膜形成為圖案狀的方法。
[0006] 但是，在用鍍敷、光刻而制作了的金屬圖案部件中，沒有金屬圖案的部分具有透光 性，金屬圖案部本身沒有透光性。因此，進行將金屬圖案部細化，盡管如此，仍可見到圖案 部，或者，根據圖案形狀在圖案部發生光的衍射，外光在選擇的方向被強烈地散射，或產生 波紋。另外，如果金屬圖案部自身將金屬部減薄至通過光的水平，則不出現導電性。
[0007] 作為減薄金屬而金屬部自身一邊具有透光性一邊呈現導電性的方法，已知層疊了 ITO/銀/ITO而成的電磁波屏蔽部件（專利文獻4)。
[0008] 現有技術文獻
[0009] 專利文獻
[0010] 專利文獻1 :日本特開2008-277675號公報 [0011] 專利文獻2 :日本特開平11-170420號公報
[0012] 專利文獻3 :日本特開2009-16496號公報
[0013] 專利文獻4 :日本特開2005-277228號公報
【發明內容】
[0014] 發明要解決的課題
[0015] 但是，ITO使用稀有金屬的銦，因此材料成本高，另外為了降低電阻，需要在成膜后 在300°C左右下進行退火處理。因此，需要用于高溫退火的大規模的裝置、用于處理的能量， 進而，由于一般的膜基材沒有耐熱性而不能應用。進而，即使以這樣的層疊 ITO/銀/ITO的 構成也難以謀求充分的導電性和透光性的并存。
[0016] 因此，本發明的目的在于，提供通過金屬圖案部自身具有透光性而難以見到金屬 圖案部、減少波紋（干涉條紋）及衍射導致的散射、且兼具充分的導電性的透光性導電圖 案部件、及提供通過使用該透光性導電圖案部件來謀求了性能的提高的透光性電磁屏蔽部 件、透光性頻率選擇性電磁波屏蔽部件、透光性天線部件、觸摸面板。
[0017] 用于解決課題的手段
[0018] 本發明的上述課題，通過以下的構成而達到。
[0019] 即，本發明通過透光性導電圖案部件而達到，所述透光性導電圖案部件具備使用 含有氮原子的化合物而構成的基底層、使用銀或以銀為主要成分的合金而在上述基底層上 的至少一部分上設置的具有透光性的導電圖案部。
[0020] 另外，本發明通過透光性導電圖案部件的制造方法來實現，其特征在于，其為具備 使用含有氮原子的化合物而構成的基底層和使用銀或以銀為主要成分的合金而在上述基 底層上的至少一部分上設置的具有透光性的導電圖案部而成的透光性導電圖案部件的制 造方法，其中，在所述基底層上形成了的銀或以銀為主要成分的合金是經由形成了圖案的 掩模而通過蒸鍍法來形成為導電圖案部的。
[0021] 進而，本發明通過透光性電磁屏蔽部件、透光性頻率選擇性電磁屏蔽部件、透光性 天線部件而達到，其特征在于，使用上述透光性導電圖案部件。
[0022] 如以上構成了的本發明的透光性導電圖案部件為以下構成：在使用含有氮原子的 化合物而構成了的基底層上的至少一部分上設置使用了銀或以銀為主要成分的合金的具 有透光性的導電圖案部。
[0023] -般而言，如果要形成銀的薄膜層，貝U銀由于成為核生長型（Volumer-Weber :VW 型）的膜生長而形成以島狀孤立了的微小銀部的集合體。因此，微小銀部形成比推測的還 厚的膜厚，微小銀部的透光性大大降低。另外，由于為各自孤立了的狀態，導電圖案部沒有 呈現導電性。為了使導電性呈現，需要使銀生長至以島狀孤立了的微小銀部進行連接，若使 其生長至該水平，則銀層自身的透射率進一步大大地降低。
[0024] 在本發明中，在基底層的上部成膜導電圖案部時，構成導電圖案部的銀原子與構 成基底層的含有氮原子的化合物相互作用，銀原子在基底層表面的擴散距離減少，銀的凝 聚受到抑制。因此，銀層通過單層生長型（Frank-van der Merwe :FW型）的膜生長而成膜。 因此，可得到雖然為薄的膜厚但均勻的膜厚的導電圖案部。其結果，可形成更薄的膜厚、具 有透光性的同時確保了導電性的導電圖案部。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0025] 圖IA是表示本發明的透光性導電圖案部件的一實施方式的構成的平面示意圖； 圖IB是沿圖IA的1B-1B線的剖面示意圖。
[0026] 圖2A是表示本發明的透光性導電圖案部件的其它的實施方式的構成的剖面示意 圖；圖2B是表示將圖2A的透光性導電圖案部件與基體側（對方側）粘接而轉印、剝下具有 脫模性的基材的情形的剖面示意圖。
[0027] 圖3是對于導電圖案部的形狀示出了幾個例子的附圖。其中，圖3A是表示直線狀 的導電圖案的附圖。圖3B是表示網眼狀的圖案中、示出了三角形狀的導電圖案的附圖。圖 3C是示出了圓形狀的導電圖案的附圖。
[0028] 圖4示出了作為導電圖案部的形狀開放了端部的天線圖案例。
[0029] 圖5是表示將本發明的實施方式的透光性導電圖案部件作為觸摸面板用透明電 極1-1、1-2而使用了的觸摸面板21的示意構成的透視圖。
[0030] 圖6是表示觸摸面板21的電極構成的2張透明電極（本發明的實施方式的透光 性導電圖案部件）1-1、1-2的俯視圖。
[0031] 圖7是表不在構成各y電極圖案5yl、5y2、…的菱形的圖案部分相對于構成X電 極圖案5xl、5x2、…的菱形的圖案部分配置而在俯視地沒有重疊的位置上配置、形成在沒有 重疊的范圍盡量占大的范圍的形狀的情形的透明電極（本發明的實施方式的透光性導電 圖案部件）1-1、1-2的俯視圖。
[0032] 圖8是表示將本發明的實施方式的透光性導電圖案部件作為觸摸面板用透明電 極1-1U-2而使用了的觸摸面板21的概略構成的剖面圖。
[0033] 圖9是表示使用鋁掩模的圖案而在由設于上述PET基材上的上述TH)構成的基底 層上形成了的、由試樣101的銀構成的網眼形狀的導電圖案部和在評價用中形成了的由銀 構成的實體部（?夕部）的平面示意圖。
[0034] 圖IOA是用于說明網眼狀（格子狀）的圖案部的L/S的平面示意圖；圖IOB是用 于示出比較試樣205的圖案部的構成的沿圖IOA(鍍敷后）的10B-10B線的剖面示意圖。
[0035] 圖11是表示衰減率的評價裝置的配置的示意圖。
【具體實施方式】
[0036] 以下，對本發明的優選的方式進行說明。
[0037]〈透光性導電圖案部件〉
[0038] 本發明一方式涉及的透光性導電圖案部件，其特征在于，具備使用含有氮原子的 化合物而構成的基底層和使用銀或以銀為主要成分的合金而在上述基底層上的至少一部 分上設置的具有透光性的導電圖案部。通過采用上述構成，根據本發明的透光性導電圖案 部件，可在透光性導電圖案部件中金屬圖案部自身具有透光性的同時，謀求與金屬圖案部 的導電性的并存，另外，可謀求使用了該透光性導電圖案部件的透光性電磁屏蔽部件、透光 性頻率選擇性電磁波屏蔽部件、透光性天線部件的性能的提高。
[0039] 以下，一邊參照附圖，一邊對本發明的實施方式進行說明。予以說明，在附圖的說 明中，對同一技術特征賦予同一符號，省略重復的說明。另外，附圖的尺寸比率，為了方便說 明而進行夸張，有時與實際的比率不同。
[0040] 圖IA是表示本發明的透光性導電圖案部件的一實施方式的構成的平面示意圖。 圖IB是沿圖IA的1B-1B線的剖面示意圖。圖2A是表示本發明的透光性導電圖案部件的其 它的實施方式的構成的剖面示意圖。圖2B是表示將圖2A的透光性導電圖案部件粘接于基 體側（配對側）而轉印、剝下具有脫模性的基材的情形的剖面示意圖。如圖1A、B中所示， 透光性導電圖案部件11為層疊了基底層15和在其上部的至少一部上成膜了的具有透光性 的導電圖案部17的結構，例如，在基材13的上部依次設有基底層15、具有透光性的導電圖 案部17。其中基底層15為使用含有氮原子的化合物而構成了的層，具有透光性的導電圖案 部17為使用銀或以銀為主要成分的合金而構成了的層。另外，如圖2A、B中所示，透光性導 電圖案部件11例如可以為在具有脫模性的基材13上依次設置保護層14、基底層15、具有 透光性的導電圖案部17、粘接層18而轉印到適當的基體19(被轉印體，例如窗玻璃車的后 面玻璃等）來使用的構成。優選這些基材13、保護層14、基底層15、具有透光性的導電圖案 部17、粘接層18、進而基體19均具有高的透光性。
[0041] 接著，對在這樣的透光性導電圖案部件11中使用的基材13、基底層15及導電圖案 部17以該順序說明詳細的構成。
[0042] (基材）
[0043] 在本發明的透光性導電圖案部件11中，優選使用基材13。基材13為透明基材。 作為透明基材，只要具有高的透光性就沒有特別限制。例如，可以使用透明樹脂膜、玻璃，但 從撓性等的觀點考慮，更優選為透明樹脂膜。特別是由于在本發明中不需要層疊 ITO/銀/ ITO這樣的高溫處理，因此可優選應用。
[0044] 對上述透明樹脂膜沒有特別限制，對于其材料、形狀、結構、厚度等可以從公知的 物質中適宜選擇。例如可以舉出：聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、改 性聚酯等雙軸拉伸聚酯系膜；聚乙烯（PE)樹脂膜、聚丙烯（PP)樹脂膜、聚苯乙烯樹脂膜、 環狀烯烴系樹脂等聚烯烴類樹脂膜；聚氯乙烯、聚偏氯乙烯等乙烯基系樹脂膜；聚醚醚酮 (PEEK)樹脂膜、聚砜（PSF)樹脂膜、聚醚砜（PES)樹脂膜、聚碳酸酯（PC)樹脂膜、聚酰胺樹 脂膜、聚酰亞胺樹脂膜、丙烯酸類樹脂膜、三乙酰纖維素（TAC)樹脂膜等。
[0045] 〈基底層〉
[0046] 基底層15為使用含有氮原子的化合物而構成的層。在這樣的基底層15為在基材 13上所成膜的層的情況下、作為其成膜方法，可以舉出：使用涂布法、噴墨法、涂敷法、浸漬 法等的濕法的方法、及使用蒸鍍法（電阻加熱、EB法（電子束蒸鍍法）等）、濺射法、CVD法 (化學氣相蒸鍍法）等干法的方法等。其中，可優選使用蒸鍍法。
[0047] 基底層15的厚度只要可起到本發明的效果即可，優選可為0. Inm以上（1分子膜 以上）。基底層15的厚度的上限沒有特別限制，但優選為1 μ m以下，更優選為IOOnm以下。 若基底層15的厚度為0. Inm以上（1分子膜以上），則構成導電圖案部的銀原子與構成基 底層的含有氮原子的化合物相互作用，銀原子在基底層表面中的擴散距離減少，銀的凝聚 受到抑制。因此，銀層可通過單層生長型（FW型）的膜生長而成膜。若基底層15的厚度為 1 μ m以下，則可以在不損傷高的透光性的情況下，起到上述效果。
[0048] 構成基底層15的含有氮原子的化合物只要為分子內含有氮原子的化合物就沒有 特別限定，但優選具有以氮原子作為雜原子的雜環的化合物。作為以氮原子作為雜原子的 雜環，可以舉出：吖丙啶、吖丙因、吖丁啶、吖丁、氮雜環戊烷、唑、六氫吡啶、吡啶、氮雜環庚 烷、氮卓、咪唑、吡唑、噁唑、噻唑、咪唑啉、吡嗪、嗎啉、噻嗪、噴哚、異吲哚、苯并咪唑、嘌呤、 喹啉、異喹啉、喹喔啉、噌啉、蝶陡、η 丫陡、咔唑、苯并-C-噌啉、嚇啉、二氫嚇酚、膽堿等。其 中，優選具有吡啶環的化合物。另外，更優選在化合物的末端具有以氮原子作為雜原子的雜 環。
[0049] 另外，作為如以上的具有以氮原子作為雜原子的雜環的化合物，特別優選為由下 述通式⑴?⑶表示的化合物。
[0050] [通式⑴]
[0051] 通式（1)
[0052] (Arl) n I-Yl
[0053] 在通式（1)的式中，nl表示1以上的整數，Yl在nl為1的情況下表示取代基，在 nl為2以上的情況下表示單純的連接鍵或nl價的連接基團。Arl表示由后述的通式（A) 表示的基團，在nl為2以上的情況下，多個Arl可以相同，也可以不同。其中，由上述通式 (1)表示的化合物在分子內具有至少2個由3環以上的環進行稠合而成的稠合芳香族雜環，
[0054] 在通式⑴中，作為由Yl表示的取代基的例子，可以舉出：燒基（例如：甲基、乙 基、丙基、異丙基、叔丁基、戊基、己基、半基、十-燒基、十二燒基、十四燒基、十五燒基等）、 環燒基（例如：環戊基、環己基等）、稀基（例如：乙稀基、稀丙基等）、塊基（例如：乙塊基、 炔丙基等）、芳香族烴基（也稱為芳香族碳環基、芳基等，例如：苯基、對氯苯基、均三甲苯 基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基、奧基、苊基、芴基、菲基、茚基、芘基、聯苯基）、芳香族雜環 基（例如：呋喃基、噻吩基、吡啶基、噠嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、咪唑基、吡唑基、噻唑 基、喹唑啉基、咔唑基、咔啉基、二氮雜咔唑基（表示上述咔啉基的構成咔啉環的任意的碳 原子之一用氮原子替換了的基團）、酞嗪基等）、雜環基（例如：吡咯烷基、咪唑烷基、嗎啉 基、卩惡唑燒基等）、燒氧基（例如：甲氧基、乙氧基、丙氧基、戊氧基、己氧基、半氧基、十_燒 氧基等）、環烷氧基（例如、環戊氧基、環己氧基等）、芳氧基（例如：苯氧基、萘氧基等）、烷 硫基（例如：甲硫基、乙硫基、丙硫基、戊硫基、己硫基、半硫基、十-燒硫基等）、環燒硫基 (例如：環戊硫基、環己硫基等）、芳硫基（例如：苯硫基、奈硫基等）、燒氧基撰基（例如：甲 氧基撰基、乙氧基撰基、丁氧基撰基、半氧基撰基、十-燒氧基撰基等）、芳氧基撰基（例如： 苯氧基羰基、萘氧基羰基等）、氨磺酰基（例如：氨基磺酰基、甲基氨基磺酰基、二甲基氨基 磺酰基、丁基氨基磺酰基、己基氨基磺酰基、環己基氨基磺酰基、辛基氨基磺酰基、十二烷基 氨基磺酰基、苯基氨基磺酰基、萘基氨基磺酰基、2-吡啶基氨基磺酰基等）、酰基（例如：乙 醜基、乙基撰基、丙基撰基、戊基撰基、環己基撰基、半基撰基、2_乙基己基撰基、十_燒基撰 基、苯基撰基、蔡基撰基、批陡基撰基等）、醜氧基（例如、乙醜氧基、乙基撰基氧基、丁基撰 基氧基、辛基羰基氧基、十二烷基羰基氧基、苯基羰基氧基等）、酰胺基（例如：甲基羰基氨 基、乙基撰基氣基、-甲基撰基氣基、丙基撰基氣基、戊基撰基氣基、環己基撰基氣基、2_乙 基己基羰基氨基、辛基羰基氨基、十二烷基羰基氨基、苯基羰基氨基、萘基羰基氨基等）、氨 基甲醜基（例如：氣基撰基、甲基氣基撰基、-甲基氣基撰基、丙基氣基撰基、戊基氣基撰 基、環己基氣基撰基、半基氣基撰基、2_乙基己基氣基撰基、十_燒基氣基撰基、苯基氣基撰 基、蔡基氣基撰基、2 -批陡基氣基撰基等）、脈基（例如：甲基脈基、乙基脈基、戊基脈基、環 己基脲基、辛基脲基、十二烷基脲基、苯基脲基、萘基脲基、2-吡啶基氨基脲基等）、亞磺酰 基（例如：甲基亞磺酰基、乙基亞磺酰基、丁基亞磺酰基、環己基亞磺酰基、2-乙基己基亞磺 酰基、十二烷基亞磺酰基、苯基亞磺酰基、萘基亞磺酰基、2-吡啶基亞磺酰基等）、烷基磺酰 基（例如：甲基磺酰基、乙基磺酰基、丁基磺酰基、環己基磺酰基、2-乙基己基磺酰基、十二 烷基磺酰基等）、芳基磺酰基或雜芳基磺酰基（例如：苯基磺酰基、萘基磺酰基、2-吡啶基磺 酰基等）、氨基（例如：氨基、乙基氨基、二甲基氨基、丁基氨基、環戊基氨基、2-乙基己基氨 基、十二烷基氨基、苯胺基、萘基氨基、2-吡啶基氨基、哌啶基（也稱為哌啶基）、2, 2, 6, 6-四 甲基哌啶基等）、鹵素原子（例如：氟原子、氯原子、溴原子等）、氟代烴基（例如：氟甲基、 三氟甲基、五氟乙基、五氟苯基等）、氰基、硝基、羥基、巰基、甲硅烷基（例如：三甲基甲硅烷 基、二異丙基甲娃燒基、二苯基甲娃燒基、苯基-乙基甲娃燒基等）、憐酸醋基（例如：-己 基憐醜基等）、亞憐酸醋基（例如：-苯基氧勝基等）、勝醜基等。
[0055] 這些取代基可以被上述的取代基進一步取代。另外，這些取代基可以多個互相鍵 合而形成環。
[0056] 在通式⑴中，作為由Yl表示的nl價的連接基團，具體而言，可以舉出2價的連 接基團、3價的連接基團、4價的連接基團等。
[0057] 在通式⑴中，作為由Yl表示的2價的連接基團，可以舉出：亞烷基（例如：亞乙 基、三亞甲基、四亞甲基、亞丙基、乙基亞乙基、五亞甲基、六亞甲基、2, 2, 4-三甲基六亞甲 基、七亞甲基、八亞甲基、九亞甲基、十亞甲基、i^一亞甲基、十二亞甲基、亞環己基（例如： 1，6-環己烷二基等）、亞環戊基（例如：1，5-環戊烷二基等）等）、亞烯基（例如：亞乙烯基、 亞丙烯基、亞丁烯基、亞戊烯基、1-甲基亞乙烯基、1-甲基亞丙烯基、2-甲基亞丙烯基、1-甲 基亞戊烯基、3-甲基亞戊烯基、1-乙基亞乙烯基、1-乙基亞丙烯基、1-乙基亞丁烯基、3-乙 基亞丁烯基等）、亞炔基（例如：亞乙炔基、1-亞丙炔基、1-亞丁炔基、1-亞戊炔基、1-亞己 炔基、2-亞丁炔基、2-亞戊炔基、1-甲基亞乙炔基、3-甲基-1-亞丙炔基、3-甲基-1-亞丁 炔基等）、亞芳基（例如：鄰亞苯基、對亞苯基、萘二基、蒽二基、丁省二基、芘二基、萘基萘二 基、聯苯二基（例如：[1，1' _聯苯]_4, 4' -二基、3, 3' -聯苯二基、3, 6_聯苯二基等）、二 聯苯二基、四聯苯二基、五聯苯二基、六聯苯二基、七聯苯二基、八聯苯二基、九聯苯二基、十 聯苯二基等）、亞雜芳基（例如：從由咔唑環、咔啉環、二氮雜咔唑環（也稱為一氮雜咔啉 環，表示構成咔啉環的碳原子之一以氮原子替換了的構成的環構成）、三唑環、吡咯環、吡啶 環、吡嗪環、喹喔啉環、噻吩環、噁二唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、吲哚環構成的組衍 生的2價的基團等）、由氧及硫等硫屬元素原子、3環以上的環進行稠合而成的稠合芳香族 雜環衍生的基團等（在此，作為3環以上的環進行稠合而成的稠合芳香族雜環，優選為含有 選自N、0及S的雜原子作為構成稠合環的元素的芳香族雜稠合環，具體而言，吖啶環、苯并 喹啉環、咔唑環、吩嗪環、菲陡環、鄰二氮菲環、咔啉環、哌嗪環、喹叨啉環、哌唑嗪環、喹寧叨 啉環、三苯二噻嗪環、三苯二噁嗪環、菲咯啉環、二蒽并噠嗪環、伯啶環、二氮雜咔唑環（表 示構成咔啉環的碳原子的任意一個以氮原子替換了的基團）、鄰二氮菲環、二苯并呋喃環、 二苯并噻吩環、萘并呋喃環、萘并噻吩環、苯并二呋喃環、苯并二噻吩環、萘并二呋喃環、萘 并二噻吩環、蒽并呋喃環、蒽并二呋喃環、蒽并噻吩環、蒽并二噻吩環、噻嗯環、吩噁嗪環、萘 并噻吩環（萘并噻吩環）等）。
[0058] 在通式（1)中，作為Yl表示的3價的連接基團，例如可以舉出：乙烷三基、丙烷三 基、丁烷三基、戊烷三基、己烷三基、庚烷三基、辛烷三基、壬烷三基、癸烷三基、十一烷三基、 十二燒二基、環己燒二基、環戊燒二基、苯二基、蔡二基、批陡二基、咔唑二基等。
[0059] 在通式（1)中，作為由Yl表示的4價的連接基團，為對上述的3價的基團進一步 賦予一個鍵合基而成的基團，例如可以舉出：丙烷二亞基、1，3-丙烷二基-2-亞基、丁烷二 亞基、戊烷二亞基、己烷二亞基、庚烷二亞基、辛烷二亞基、壬烷二亞基、癸烷二亞基、i^一烷 二亞基、十二烷二亞基、環己烷二亞基、環戊烷二亞基、苯四基、萘四基、吡啶四基、咔唑四基 等。
[0060] 予以說明，上述的2價的連接基團、3價的連接基團、4價的連接基團可以分別進一 步具有在通式（1)中由Yl表示的取代基。
[0061] 作為由通式（1)表示的化合物的優選的方式，優選Yl表示由3環以上的環進行稠 合而成的稠合芳香族雜環衍生的基團，作為該3環以上的環進行稠合而成的稠合芳香族雜 環，優選二苯并呋喃環或二苯并噻吩環。另外，優選nl為2以上。
[0062] 進而，由通式（1)表示的化合物在分子內具有至少2個上述的3環以上的環進行 稠合而成的稠合芳香族雜環。
[0063] 另外，在Yl表示nl價的連接基團的情況下，為了高地保持由通式（1)表示的化合 物的三重態激發能量，Yl優選為非共軛，進而，從提高Tg(也稱為玻璃化轉變點、玻璃化轉 變溫度）的觀點考慮，優選由芳香環（芳香族烴環+芳香族雜環）構成。
[0064] 在此，所謂非共軛，是指連接基團無法由單鍵（也稱為單鍵）和雙鍵的重復來表 記、或構成連接基團的芳香環彼此的共軛被空間上切割的情況。
[0065] [由通式㈧表示的基團]
[0066] 通式（1)中的Arl表示由下述通式⑷表示的基團。
[0067] [化學式1]
[0068] 通式⑷
[0069]
【權利要求】
1. 一種透光性導電圖案部件，其具備： 使用含有氮原子的化合物而構成的基底層、 使用銀或以銀為主要成分的合金而在所述基底層上的至少一部分上設置的具有透光 性的導電圖案部。
2. 如權利要求1所述的透光性導電圖案部件，其中，所述導電圖案部的膜厚為4nm以上 且9nm以下。
3. 如權利要求1或2所述的透光性導電圖案部件，其特征在于，所述含有氮原子的化合 物具有以氮原子作為雜原子的雜環。
4. 如權利要求1?3的任一項所述的透光性導電圖案部件，其特征在于，所述含有氮原 子的化合物含有具有吡啶環的基團。
5. 如權利要求1?4的任一項所述的透光性導電圖案部件，其特征在于，所述含有氮原 子的化合物為由下述通式（1)表示的化合物； [化學式1] 通式（1) (Arl)nl-Yl 在通式（1)的式中，nl表示1以上的整數，Yl在nl為1的情況下表示取代基、在nl為 2以上的情況下表示單純的連接鍵或nl價的連接基團；Arl表示由下述通式（A)表示的基 團，在nl為2以上的情況下，多個Arl可以相同也可以不同；其中，所述由通式⑴表示的 化合物在分子內具有至少2個由3環以上的環進行稠合而成的稠合芳香族雜環， [化學式2] 通式⑷
在通式⑷的式中，X表示-N(R)-、-0-、-S-或-Si (R) (R'）-，El?E8表示-C (Rl)= 或-N =，R、R'及Rl表示氫原子、取代基或與Yl的連接部位；*表示與Yl的連接部位，Y2 表示單純的連接鍵或2價的連接基團；Y3及Y4分別表示由5元或6元的芳香族環衍生的 基團，至少一者表示由含有氮原子作為環構成原子的芳香族雜環衍生的基團；n2表示1?4 的整數。
6. 如權利要求5所述的透光性導電圖案部件，其中，所述由通式（1)表示的化合物為由 下述通式（2)表示的化合物； [化學式3] 通式（2)
在上述通式（2)的式中，Y5表示亞芳基、亞雜芳基或由這些的組合構成的2價的連接 基團；Ε51?Ε66分別表示-C(R3)=或-N =，R3表示氫原子或取代基；Υ6?Υ9分別表示 由芳香族烴環衍生的基團或由芳香族雜環衍生的基團，Y6或Y7的至少一者及Y8或Y9的至 少一者表示由含有N原子的芳香族雜環衍生的基團；n3及n4表示O?4的整數，但n3+n4 為2以上的整數。
7. 如權利要求6所述的透光性導電圖案部件，其中，所述由通式（2)表示的化合物為由 下述通式（3)表示的化合物； [化學式4] 通式（3)
在上述通式（3)的式中，Y5表示亞芳基、亞雜芳基或由這些的組合構成的2價的連接 基團；E51?E66、E71?E88分別表示-C(R3)=或-N=，R3表示氫原子或取代基；其中， E71?E79的至少1個及E80?E88的至少1個表示-N = ;n3及n4表示O?4的整數，但 n3+n4為2以上的整數。
8. 如權利要求1?7的任一項所述的透光性導電圖案部件，其特征在于，其形成于透明 樹脂膜上。
9. 一種透光性導電圖案部件的制造方法，其特征在于，其為具備使用含有氮原子的化 合物而構成的基底層、和使用銀或以銀為主要成分的合金而在所述基底層上的至少一部分 上設置的具有透光性的導電圖案部的透光性導電圖案部件的制造方法，其中， 在所述基底層上通過蒸鍍法而形成銀或以銀為主要成分的合金層。
10. -種透光性導電圖案部件的制造方法，其特征在于，其為具備使用含有氮原子的化 合物而構成的基底層、和使用銀或以銀為主要成分的合金而在所述基底層上的至少一部分 上設置的具有透光性的導電圖案部的透光性導電圖案部件的制造方法， 在所述基底層上形成了的銀或以銀為主要成分的合金層是經由形成了圖案的掩模而 通過蒸鍍法來形成為導電圖案部的。
11. 一種透光性導電圖案部件的制造方法，其特征在于，其為具備使用含有氮原子的 化合物而構成的基底層、和使用銀或以銀為主要成分的合金而在所述基底層上的至少一部 分上設置的具有透光性的導電圖案部的透光性導電圖案部件的制造方法， 在所述基底層上形成銀或以銀為主要成分的合金層后， 在所述導電圖案部以外的區域將脫銀液進行圖案印刷， 接著，進行水洗，由此形成導電圖案部。
12. -種透光性電磁屏蔽部件，其特征在于，使用有權利要求1?8的任一項所述的透 光性導電圖案部件。
13. -種透光性頻率選擇性電磁屏蔽部件，其特征在于，使用有權利要求1?8的任一 項所述的透光性導電圖案部件。
14. 一種透光性天線部件，其特征在于，使用有權利要求1?8的任一項所述的透光性 導電圖案部件。
【文檔編號】H01Q17/00GK104396358SQ201380020451
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2013年4月5日 優先權日:2012年4月18日
【發明者】小山博和 申請人:柯尼卡美能達株式會社