選擇性去除灰化旋涂玻璃的方法

選擇性去除灰化旋涂玻璃的方法
【專利摘要】本發明涉及用于從上面具有旋涂玻璃和金屬柵極和/或ILD材料的微電子器件上相對于所述金屬柵極和/或ILD材料來選擇性去除所述旋涂玻璃的半水性去除組合物和工藝。所述半水性去除組合物可以是含氟組合物或堿性組合物。
【專利說明】選擇性去除灰化旋涂玻璃的方法

【技術領域】
[0001] 本發明設及用于從包含兩種金屬柵極材料的基板上相對于第二金屬柵極材料來 選擇性去除一種金屬柵極材料的組合物和方法。所述基板優選包含高k/金屬柵極整合方 案。

【背景技術】
[000引旋涂玻璃（spin-on glass, SOG)膜已被用于半導體器件中的多種用途，包括（但 不限于）多層金屬鍛層之間的絕緣；用于改進的階梯覆蓋的氧化物或金屬中的輪廓加工步 驟；用于自動滲雜的預防劑；回填包裝；擴散面罩；W及平坦化。
[0003] 旋涂玻璃組合物是一種液態的二氧化娃基組合物，其可W涂覆于半導體晶片的表 面并與晶片一起旋轉W提供具有流平頂表面的涂層。利用該種技術，旋涂玻璃組合物將填 充在半導體晶片的表面中由各種絕緣和導電區產生的任何谷地或凹入區域。然后將旋涂玻 璃涂層干燥W形成固體層并且隨后在高溫下固化W形成硬質二氧化娃基（玻璃狀）層。該 種硬質層可被蝕刻W準備進一步加工。
[0004] 不利的是，迄今為止，旋涂玻璃相對于可被暴露的其他層如層間介電質（ILD)和 金屬柵極材料的去除選擇性一直相當低。更具體地，旋涂玻璃相對于ILD和柵極金屬的選 擇性蝕刻充滿挑戰性，因為已知蝕刻劑容易攻擊S0G、ILD和柵極金屬。
[0005] 因此，提供可W相對于微電子器件表面上存在的其他材料如ILD和柵極金屬來選 擇性去除旋涂玻璃和相關材料的組合物將是本領域中的顯著進步。


【發明內容】

[0006] 本發明大體設及用于相對于基板上存在的其他材料層來選擇性去除旋涂玻璃的 組合物和方法。本發明更優選設及用于相對于基板上存在的其他材料層來選擇性去除經過 處理的旋涂玻璃的組合物和方法。其他材料層包括層間介電質層和金屬柵極材料如TiNy和 I'aNx。
[0007] 在一個方面，描述了相對于選自由金屬柵極材料、ILD材料和其組合組成的群組的 材料來選擇性去除旋涂玻璃的方法，所述方法包括使包含旋涂玻璃和所述材料的基板與去 除組合物接觸，其中所述去除組合物相對于所述材料來選擇性去除旋涂玻璃。
[000引根據隨后的公開內容和所附權利要求，本發明的其他方面、特征和優點將更完全 顯現。

【具體實施方式】
[0009] 本發明大體設及用于相對于基板上存在的其他材料層來選擇性去除旋涂玻璃的 組合物和方法。本發明更優選設及用于相對于基板上存在的其他材料層來選擇性去除經過 處理的旋涂玻璃的組合物和方法。其他材料層包括層間介電質層和金屬柵極材料如TiNy和 T'aNx。
[0010] 為便于參考，"微電子器件"對應于半導體基板、平板顯示器、相變存儲器件、太陽 能面板和包括太陽能電池器件、光伏電池和微機電系統（MEM巧在內的其他產品，其被制造 用于微電子、集成電路、能量收集或計算機巧片應用中。應理解，術語"微電子器件"、"微電 子基板"和"微電子器件結構"并不意味著W任何方法限制并包括最終將變成微電子器件或 微電子組件的任何基板或結構。微電子器件可W是圖案化、毯覆、控制和/或測試器件。
[0011] 如本文所定義，"旋涂玻璃"（SOG)對應于娃酸鹽、聚娃氧燒或其他有機娃玻璃樹 月旨，其是使用廉價的常規旋涂沉積技術來沉積的。旋涂玻璃（SOG)是含有溶解于各種溶劑 或醇中的娃氧燒、娃酸鹽或有機娃類單體的專用液體溶液。在涂布和固化期間，單體通過縮 合聚合并釋放水、醇和其他溶劑。已固化材料是具有機械、化學和電學特性的固體薄膜，所 述特性取決于起始溶液W及涂布和固化工藝。用于本發明目的的有機娃玻璃樹脂是具有非 晶結構的聚合物，其包括娃、氧、碳和氨。聚娃氧燒可W包含不同濃度的甲基和苯基。在烘烤 后，該些旋涂玻璃樹脂具有基本上等效于二氧化娃的蝕刻特征，例如，它們容易在例如CHF3 和化（或空氣）等離子體中進行等離子體或反應性離子蝕刻。
[0012] 如本文所定義，"經過處理的旋涂玻璃"對應于已經過加工W使得玻璃層在加工后 比其加工前具有更多孔隙的旋涂玻璃。例如，在等離子體蝕刻工藝期間，旋涂玻璃層失去其 大部分的剩余碳并且剩余層是多孔的。旋涂玻璃優選被等離子體蝕刻。
[0013] 如本文所定義，"金屬柵極材料"對應于具有相當于半導體基板的中間能隙的費米 能級的材料，例如1'1、13、￥、1〇、師、41、1^3、氮化鐵、氮化粗、碳化粗、碳化鐵、氮化鋼、氮化鶴、 氧化釘（IV)、氮化粗娃、氮化鐵娃、氮化粗碳、氮化鐵碳、侶化鐵、侶化粗、氮化鐵侶、氮化粗 侶、氧化銅或其組合。應理解，作為金屬柵極材料所公開的化合物可具有不同的化學計量。 因此，氮化鐵將在本文表示為TiNy，氮化粗將在本文表示為TaNy，等。
[0014] 圖案化金屬層內的金屬線通過被稱為"層間介電質"或"夾層介電質"（都使用ILD 縮寫）的層絕緣。層間介電質將來自任何不期望的電接觸的金屬線與在相同或另一個金屬 層中的其他金屬線W及與其他電路元件該二者絕緣。ILD優選包含低k介電材料。如本文 所定義，"低k介電材料"對應于在層狀微電子器件中用作介電材料的任何材料，其中所述材 料具有小于約3. 5的介電常數。低k介電材料優選包括低極性材料如含娃有機聚合物、含 娃雜化有機/無機材料、有機娃酸鹽玻璃（OSG)、TEOS、氣化娃酸鹽玻璃（FSG)、二氧化娃和 碳滲雜氧化物（CDO)玻璃。應理解，低k介電材料可具有不同的密度和不同的孔隙率。
[0015] 如本文所用，"蝕刻后殘余物"和"等離子體蝕刻后殘余物"對應于在氣相等離子體 蝕刻工藝（例如，BE化雙鑲嵌加工）后殘留的材料。蝕刻后殘余物可W是有機、有機金屬、 有機娃或無機性質的，例如，含娃材料、含鐵材料、含氮材料、含氧材料、聚合物殘余材料、含 銅殘余材料（包括氧化銅殘余物）、含鶴殘余材料、含鉆殘余材料、蝕刻氣體殘余物如氯和 氣，W及其組合。
[0016] 如本文所用，"約"意欲對應于所述值的±5%。
[0017] "基本上不含"在本文定義為小于2重量％，優選小于1重量％，更優選小于0. 5重 量％，甚至更優選小于0. 1重量％并且最優選為0重量％。
[0018] 如本文所用，"去除組合物相對于金屬柵極材料來選擇性去除旋涂玻璃"對應于蝕 刻速率選擇性為約2:1至約1000:1、優選約2:1至約100:1并且最優選約3:1至約50:1。 換句話說，當旋涂玻璃的蝕刻速率為2 Amin-i (或高達1000 Amin-i:)時，金屬柵極材料 的蝕刻速率為1 A min-i。
[0019] 如本文所用，"去除組合物相對于ILD材料來選擇性去除旋涂玻璃"對應于蝕刻速 率選擇性為約2:1至約1000:1、優選約2:1至約100:1并且最優選約3:1至約50:1。換句 話說，當旋涂玻璃的蝕刻速率為2 A miifi (或高達1000 A mirf 1 )時，ILD材料的蝕刻速 率為 1 A min-i。
[0020] 本發明的組合物可W如下文更充分描述的多種具體配方實施。
[0021] 在所有該些組合物中，其中組合物的具體成分是參考包括零下限的重量百分比范 圍進行了討論，應理解，在組合物的各種【具體實施方式】中該些成分可能存在或不存在，并且 在存在該些成分的情況下，W使用該些成分的組合物的總重量計，它們可W低至0. 001重 量百分比的濃度存在。
[0022] 在第一方面，描述了相對于金屬柵極材料來選擇性去除旋涂玻璃的方法，所述方 法包括使包含旋涂玻璃和金屬柵極材料的基板與去除組合物接觸，其中去除組合物相對于 金屬柵極材料來選擇性去除旋涂玻璃。在一個實施方式中，旋涂玻璃已經過處理。在另一 個實施方式中，金屬柵極材料包含鐵。在另一個實施方式中，旋涂玻璃已經過處理并且金屬 柵極材料包含鐵。在另一個實施方式中，旋涂玻璃已經過等離子體蝕刻并且金屬柵極材料 包含鐵。在另一個實施方式中，旋涂玻璃已經過等離子體蝕刻并且金屬柵極材料包含氮化 鐵。
[0023] 在第二方面，描述了相對于ILD材料來選擇性去除旋涂玻璃的方法，所述方法包 括使包含旋涂玻璃和ILD材料的基板與去除組合物接觸，其中去除組合物相對于ILD材料 來選擇性去除旋涂玻璃。在一個實施方式中，旋涂玻璃已經過處理。在另一個實施方式中， ILD材料包含低k介電質。在另一個實施方式中，旋涂玻璃已經過處理并且ILD材料包含低 k介電質。在另一個實施方式中，旋涂玻璃已經過等離子體蝕刻并且ILD材料包含低k介電 質。
[0024] 在第=方面，描述了相對于金屬柵極材料和ILD材料來選擇性去除旋涂玻璃的方 法，所述方法包括使包含旋涂玻璃、金屬柵極材料和ILD材料的基板與去除組合物接觸，其 中去除組合物相對于金屬柵極材料和ILD材料來選擇性去除旋涂玻璃。在一個實施方式 中，旋涂玻璃已經過處理。在另一個實施方式中，金屬柵極材料包含鐵、更優選氮化鐵。在 另一個實施方式中，ILD包含低k介電質。在另一個實施方式中，旋涂玻璃已經過等離子體 蝕刻并且金屬柵極材料包含鐵。在另一個實施方式中，旋涂玻璃已經過等離子體蝕刻并且 金屬柵極材料包含氮化鐵。ILD優選包含低k介電質。
[0025] 第一至第S方面的方法在大約室溫至約100°C、優選約20°C至約60°C范圍內的溫 度下相對于金屬柵極和/或ILD材料來選擇性去除旋涂玻璃。熟練技術人員應理解，去除 時間根據在單個晶片工具或多個晶片工具中進行去除而改變，其中時間優先在約10秒至 約30分鐘的范圍內。該些接觸時間和溫度是說明性的，并且可使用可有效地從基板上相對 于金屬柵極和/或ILD材料來選擇性去除旋涂玻璃的任何其他合適時間和溫度條件。
[0026] 金屬柵極材料的去除速率優選小于約2 A min 1，更優選小于約lA min 1。ILD 的去除速率優選小于約50 A min~i，更優選小于約20 A mm 1，甚至更優選小于約 10 A min 1。該些優選的速率與約500-2000 A min-i的經過處理的SOG蝕刻速率組合，得 到在約10:1至大于約100:1范圍內的選擇性。
[0027] 在第四方面，描述了包含蝕刻劑的去除組合物。包含蝕刻劑的去除組合物優選用 于第一至第=方面的方法中。從廣義上講，蝕刻劑包含氣源。因此，在一個實施方式中，去 除組合物是含氣的去除組合物，所述含氣的去除組合物包括至少一種氣化物、至少一種金 屬腐蝕抑制劑、水和任選地至少一種有機溶劑，用于相對于金屬柵極和/或ILD材料來選擇 性去除旋涂玻璃。在一個優選實施方式中，含氣的去除組合物經過緩沖。在一個實施方式 中，含氣的去除組合物包含W下，由W下組成，或基本上由W下組成：至少一種氣化物、至少 一種金屬腐蝕抑制劑和水。在另一個實施方式中，含氣的去除組合物包含W下，由W下組 成，或基本上由W下組成：至少一種氣化物、至少一種金屬腐蝕抑制劑、至少一種有機溶劑 和水。在另一個實施方式中，含氣的去除組合物包含W下，由W下組成，或基本上由W下組 成；緩沖氣化物、至少一種金屬腐蝕抑制劑、至少一種有機溶劑和水。在另一個實施方式中， 含氣的去除組合物包含W下，由W下組成，或基本上由W下組成：緩沖氣化物、至少一種金 屬腐蝕抑制劑和水。含氣的去除組合物的抑優選小于7。
[002引水優選被去離子化。在本發明的一個優選實施方式中，在去除組合物與基板接 觸之前，含氣的去除組合物基本上不含化學機械拋光的磨料或其他無機顆粒材料、娃酸、 表面活性劑、氧化劑、選自由聚丙締亞胺樹枝狀聚合物、聚（己締胺）、聚胺、聚酷亞胺-胺 (polyimidamine)、聚己基亞胺、聚酷胺-胺（polyamidamine)、聚季胺、聚己締酷胺、聚丙締 酷胺、線性或分枝聚己締亞胺和可包含前述均聚物或由前述均聚物組成的共聚物組成的群 組的聚合物質，或其任何組合。
[0029] 至少一種氣源包括（但不限于）氨氣酸、氣化錠、氨氣化錠、六氣娃酸（HFSA)、六氣 娃酸錠、四氣棚酸、四氣棚酸錠、四氣棚酸四了錠（TBA-BF4)、六氣粗酸、六氣粗酸錠、六氣鐵 酸、六氣鐵酸錠W及其組合。氣源優選包含氣化錠或HFSA。應注意到，可W從HF和細Si〇2 或四燒氧基娃燒如四己氧基娃燒（TE0巧原位生成HFSA。
[0030] 金屬腐蝕抑制劑優選相對于旋涂玻璃抑制金屬柵極材料的去除并包括（但不限 于）棚酸、棚酸錠、抗壞血酸、L(+)-抗壞血酸、異抗壞血酸、抗壞血酸衍生物、沒食子酸、甘 氨酸、絲氨酸、脯氨酸、亮氨酸、丙氨酸、天冬酷胺、天冬氨酸、谷氨酷胺、鄉氨酸、賴氨酸、亞 氨基二己酸（IDA)、棚酸、次氮基S己酸、蘋果酸、己酸、馬來酸、2, 4-戊二酬、麟酸如1-哲基 亞己基-1，1-二麟酸（肥DP)、1-哲基己燒-1，1-二麟酸、次氮基S (亞甲基麟酸）（NTMP)、 N，N，N'，N' -己二胺四（亞甲基麟）酸巧DTMP)、1，5, 9- S氮雜環十二燒-N，N'，N"- S (亞 甲基麟酸）值0TRP)、1，4, 7, 10-四氮雜環十二燒-N，N'，N"，N' 四（亞甲基麟酸）值0T巧、 二己締S胺五（亞甲基麟酸）OETAP)、氨基S (亞甲基麟酸）、雙（六亞甲基）S胺麟酸、 1，4, 7- S氮雜環壬燒-N，N'，N"- S (亞甲基麟酸）（N0TP)、磯酸醋；5-氨基-1，3, 4-唾二 挫-2-硫醇（ATDT)、苯并S挫炬TA)、巧樣酸、己二胺、草酸、單寧酸、己二胺四己酸巧DTA)、 尿酸、1，2,4-S挫（TA幻、甲苯基S挫、5-苯基-苯并S挫、5-硝基-苯并S挫、3-氨 基-5-琉基-1，2, 4- S挫、1-氨基-1，2, 4- S挫、哲基苯并S挫、2- (5-氨基-戊基）-苯并 S挫、1-氨基-1，2, 3- S挫、1-氨基-5-甲基-1，2, 3- S挫、3-氨基-1，2, 4- S挫、3-琉 基-1，2, 4- S挫、3-異丙基-1，2, 4- S挫、5-苯基硫醇-苯并S挫、面基-苯并S挫（面基 =F、C1、化或I)、蒙并S挫、2-琉基苯并咪挫（MBI)、2-琉基苯并唾挫、4-甲基-2-苯基 咪挫、2-琉基唾挫咐、5-氨基四挫、2, 4-二氨基-6-甲基-1，3, 5- S嗦、唾挫、S嗦、甲基四 挫、1，3-二甲基-2-咪挫咐酬、1，5-五亞甲基四挫、1-苯基-5-琉基四挫、二氨基甲基S嗦、 咪挫咐硫酬、琉基苯并咪挫、4-甲基-4H-1，2, 4- S挫-3-硫醇、苯并唾挫、磯酸S甲苯醋、 咪挫、苯并異二挫（indiazole)、苯甲酸、丙二酸、苯甲酸錠、兒茶酪、4-叔了基兒茶酪、鄰苯 S酪、間苯二酪、氨釀、氯尿酸、己比妥酸和衍生物如1，2-二甲基己比妥酸、a -酬酸如丙酬 酸、腺嚷嶺、嚷嶺、甘氨酸/抗壞血酸、Dequest2000、Dequest7000、對甲苯基硫脈、班巧酸、 麟酷基了燒S甲酸（PBTCA) W及其組合。如果微電子器件的表面包含侶（例如，化合 金），則可添加磯酸醋化合物W抑制其腐蝕。所涵蓋的侶金屬腐蝕抑制劑包括（但不限于） 磯酸燒基醋（例如，磯酸S異了醋、單（2-己基己基）磯酸醋、S (2-己基己基）磯酸醋、雙 (2-己基己基）磯酸醋、磯酸S了醋、磯酸2-己基己醋、磯酸氨二了醋）和磯酸W及其衍生 物。應理解，侶金屬腐蝕抑制劑可W與至少一種其他所列舉的金屬腐蝕抑制劑組合。金屬 腐蝕抑制劑優選包含肥DP、NTMP、IDA或其任何組合。
[0031] 用于第四方面的組合物的至少一種有機溶劑可包含選自由己二醇、丙二醇、二己 二醇、二丙二醇、甘油、單甘油醋、二甘油醋、二醇離W及其組合組成的群組的二醇溶劑，其 中二醇離包含選自由W下組成的群組的物質：二己二醇單甲離、S己二醇單甲離、二己二 醇單己離、S己二醇單己離、己二醇單丙離、己二醇單了離、二己二醇單了離（目P，了基卡必 醇）、S己二醇單了離、己二醇單己離、二己二醇單己離、己二醇苯離、丙二醇甲離、二丙二 醇甲離、=丙二醇甲離、二丙二醇二甲離、二丙二醇己離、丙二醇正丙離、二丙二醇正丙離 值PGP巧、S丙二醇正丙離、丙二醇正了離、二丙二醇正了離、S丙二醇正了離、丙二醇苯離 W及其組合。第四方面的至少一種有機溶劑優選包含己二醇。
[0032] 當含氣的去除組合物被緩沖時，優選將緩沖劑如氣源的共輛堿的鹽或氨添加至組 合物。例如，當氣源是HFSA時，可添加六氣娃酸鹽，例如六氣娃酸錠、六氣娃酸鋼或六氣娃 酸鐘。當氣源是HF時，可W添加氣化物鹽，例如氣化錠或氨氣化錠。可添加氨或季錠氨氧 化物（例如，TMAH、TEAH等）來緩沖組合物。應理解，緩沖劑不限于此處所列舉的那些并且 容易由熟練技術人員根據所選氣源來確定。
[0033] 在第四方面的組合物的第一實施方式中，含氣的去除組合物包含W下，由W下組 成，或基本上由W下組成：緩沖氣化物、二醇溶劑、至少一種金屬腐蝕抑制劑和水。含氣的去 除組合物可W包含W下，由W下組成，或基本上由W下組成：緩沖氣化物、二醇溶劑、麟酸和 水。可選地，含氣的去除組合物可W包含W下，由W下組成，或基本上由W下組成：緩沖氣化 錠、二醇溶劑、麟酸和水。在另一個替代方案中，含氣的去除組合物可W包含W下，由W下組 成，或基本上由W下組成：緩沖氣化錠、二醇溶劑、麟酸、至少一種其他腐蝕抑制劑和水。緩 沖氣化錠優選包括氣化錠與氨的組合。因此，在另一個替代方案中，含氣的去除組合物可W 包含W下，由W下組成，或基本上由W下組成；N&F、NH3或TMAH、肥DP、IDA、二醇和/或二醇 離溶劑和水。在另一個替代方案中，含氣的去除組合物可W包含W下，由W下組成，或基本 上由W下組成；N&F、畑3或TMAH、肥DP、IDA、己二醇和水。在另一個替代方案中，含氣的去 除組合物可W包含W下，由W下組成，或基本上由W下組成；N&F、NH3或TMAH、肥DP、IDA、丙 二醇和水。該些實施方式各自的含氣的去除組合物優選基本上不含磨料或其他無機顆粒材 料、娃酸、表面活性劑、氧化劑和如上所述的聚合物質。該些實施方式各自的含氣的去除組 合物的抑優選在約3至約7的范圍內。該種第一實施方式的去除組合物優選具有約0. 01 重量％至約10重量％的至少一種氣化物、約0. 01重量％至約2重量％的緩沖劑、約0. 01重 量％至約10重量％的至少一種金屬腐蝕抑制劑、約10重量％至約90重量％的至少一種有 機溶劑和約10重量％至約95重量％的水。該個實施方式的去除組合物更優選具有約0. 5 重量％至約8重量％的至少一種氣化物、約0. 01重量％至約1. 5重量％的緩沖劑、約0. 5 重量％至約5重量％的至少一種金屬腐蝕抑制劑、約45重量％至約75重量％的至少一種 有機溶劑和約10重量％至約50重量％的水。
[0034] 在第四方面的組合物的第二實施方式中，含氣的去除組合物包含W下，由W下組 成，或基本上由W下組成：緩沖氣化物、至少一種金屬腐蝕抑制劑和水。含氣的去除組合物 可W包含W下，由W下組成，或基本上由W下組成：緩沖氣化物、麟酸和水。可選地，含氣的 去除組合物可W包含W下，由W下組成，或基本上由W下組成；緩沖六氣娃酸、麟酸和水。在 另一個替代方案中，含氣的去除組合物可W包含W下，由W下組成，或基本上由W下組成： HFSA、AHFS、肥DP和水。在另一個替代方案中，含氣的去除組合物可W包含W下，由W下組 成，或基本上由W下組成；HFSA、AHFS、NTMP和水。該些實施方式各自的含氣的去除組合物 優選基本上不含磨料或其他無機顆粒材料、娃酸、表面活性劑、氧化劑、季錠氨氧化物和如 上所述的聚合物質。該些實施方式各自的含氣的去除組合物的抑優選小于約2,更優選小 于約1。該種第二實施方式的去除組合物優選具有約0. 01重量％至約10重量％的至少一 種氣化物、約0. 01重量％至約10重量％的緩沖劑、約0. 01重量％至約10重量％的至少一 種金屬腐蝕抑制劑和約50重量％至約99重量％的水。該個實施方式的去除組合物更優選 具有約1重量％至約8重量％的至少一種氣化物、約1重量％至約5重量％的緩沖劑、約1 重量％至約5重量％的至少一種金屬腐蝕抑制劑和約75重量％至約90重量％的水。
[0035] 在一個優選實施方式中，第四方面的去除組合物包含W下，由W下組成，或基本上 由W下組成：約0. 01重量％至約10重量％的至少一種氣化物、約0. 01重量％至約20重 量％的至少一種金屬氮化物腐蝕抑制劑、任選地至少一種氧化劑、任選地至少一種表面活 性劑和約55重量％至約99重量％的水。第四方面的去除組合物更優選包含W下，由W下組 成，或基本上由W下組成：約0. 01重量％至約2重量％的至少一種氣化物、約0. 01重量％ 至約10重量％的至少一種金屬氮化物腐蝕抑制劑、任選地至少一種氧化劑、任選地至少一 種表面活性劑和約84重量％至約99. 5重量％的水。當存在時，至少一種氧化劑的量為約 0. 01重量％至約10重量％、優選約0. 5重量％至約3重量％。當存在時，至少一種表面活 性劑的量為約0. 01重量％至約5重量％、優選約0. 01重量％至約1重量％。
[0036] 在第五方面，描述了包含蝕刻劑的去除組合物。包含蝕刻劑的去除組合物優選用 于第一至第=方面的方法中。從廣義上講，蝕刻劑包含氨氧化物源或胺。因此，在一個實施 方式中，堿性去除組合物包括至少一種季錠氨氧化物或胺、至少一種有機溶劑、至少一種堿 或堿±金屬鹽（包括氨氧化物）、水和任選地至少一種金屬腐蝕抑制劑，用于相對于金屬柵 極和/或ILD材料來選擇性去除旋涂玻璃。在一個實施方式中，堿性去除組合物包含W下， 由W下組成，或基本上由W下組成；至少一種季錠氨氧化物或胺、至少一種有機溶劑、至少 一種堿或堿±金屬鹽和水。在另一個實施方式中，堿性去除組合物包含W下，由W下組成， 或基本上由W下組成；至少一種季錠氨氧化物或胺、至少一種有機溶劑、至少一種堿或堿± 金屬鹽、至少一種金屬腐蝕抑制劑和水。堿性去除組合物的抑優選大于10,更優選大于12， 并且最優選大于13。
[0037] 水優選被去離子化。在本發明的一個優選實施方式中，堿性去除組合物基本上不 含磨料或其他無機顆粒材料、表面活性劑、氧化劑、氣源或其任何組合。金屬腐蝕抑制劑在 上文描述。
[0038] 至少一種季錠氨氧化物包含式[NR1R2R3的OH的化合物，其中R1、R 2、R嘴R句能彼 此相同或不同并且選自由W下組成的群組：氨、直鏈或支鏈Ci-Ce燒基（例如，甲基、己基、 丙基、了基、戊基和己基），和被取代或未被取代的Ce-Ci。芳基（例如，節基），所述季錠氨氧 化物包括氨氧化四甲錠（TMAH)、氨氧化四丙錠（TPAH)、氨氧化四了錠、氨氧化四己錠、氨氧 化節基S己錠、氨氧化節基S甲錠、氨氧化S了基甲錠、氨氧化錠、氨氧化四了基鱗（TBPH)、 氨氧化（2-哲基己基甲錠、氨氧化（2-哲基己基己錠、氨氧化（2-哲基己基丙 錠、氨氧化（1-哲基丙基）S甲錠、氨氧化己基S甲錠、氨氧化二己基二甲錠值邸MAH) W及 其組合。所述至少一種胺包含選自由W下組成的群組的化合物；1，1，3, 3-四甲基脈（TMG)、 碳酸脈、精氨酸、單己醇胺（MEA)、二己醇胺值EA)、S己醇胺（TEA)、己二胺、半脫氨酸W及 其組合。
[0039] 用于第五方面的組合物的至少一種有機溶劑可包含甲醇、己醇、異丙醇和更高級 醇（包括二醇、S醇等）、四氨快喃（THF)、N-甲基化咯燒酬（NMP)、環己基化咯燒酬、N-辛 基化咯燒酬、N-苯基化咯燒酬、甲酸甲醋、二甲基甲酷胺值MF)、二甲亞諷值MSO)、四亞甲 基亞諷、亞硫酸二甲醋、3-氯-1，2-丙二醇、四亞甲基諷（環了諷）、己離、苯氧基-2-丙醇 (P化）、苯丙酬、乳酸己醋、己酸己醋、苯甲酸己醋、己膳、丙酬、己二醇、丙二醇、二氧六環、了 內醋化utyryl lactone)、碳酸了締醋、碳酸己締醋、碳酸丙締醋或如上文所述的二醇溶劑。 對于本領域技術人員來說顯而易見的是，當選擇醋或酷胺來充當組合物中的有機溶劑時， 其在加工之前不久優選與堿混合W使兩者之間的反應最小化。第五方面的至少一種有機溶 劑優選包含DMS0。
[0040] 至少一種堿或堿±金屬鹽可W包括鋼、鐘、鋼、飽、儀、巧、鎖或領的任何鹽。所涵蓋 的鹽包括氯化物、漠化物、艦化物、碳酸鹽、氨氧化物、硫酸鹽、磯酸鹽、己酸鹽、硝酸鹽、亞硝 酸鹽和亞硫酸鹽。至少一種堿或堿±金屬鹽優選包含氯化飽或氨氧化飽。
[0041] 第五方面的組合物優選包含W下，由W下組成，或基本上由W下組成：季錠氨氧化 物或胺、至少一種有機溶劑、堿或堿±金屬鹽和水。堿性去除組合物可W包含W下，由W下 組成，或基本上由W下組成；季錠氨氧化物或胺、至少一種有機溶劑、CsCl或CsOH和水。可 選地，堿性去除組合物可W包含W下，由W下組成，或基本上由W下組成：季錠氨氧化物或 胺、DMS0、CsCl或CsOH和水。在另一個替代方案中，堿性去除組合物可W包含W下，由W下 組成，或基本上由W下組成；BTMAH、DMS0、CsCl或CsOH和水。該些實施方式各自的堿性去 除組合物優選基本上不含磨料或其他無機顆粒材料、表面活性劑、氧化劑、氣源或如上文所 述的其任何組合。該個方面的去除組合物優選具有約0. 01重量％至約40重量％的至少一 種季錠氨氧化物或胺、約1重量％至約30重量％的至少一種有機溶劑、約0. 01重量％至約 5重量％的至少一種堿或堿±金屬鹽和約10重量％至約95重量％的水。該個方面的去除 組合物更優選具有約0. 1重量％至約20重量％的至少一種季錠氨氧化物或胺、約5重量％ 至約20重量％的至少一種有機溶劑、約0. 1重量％至約3重量％的至少一種堿或堿±金屬 鹽和約50重量％至約90重量％的水。
[0042] 在本發明的另一個方面，本文所述的任何去除組合物可進一步包括溶解的旋涂玻 璃。例如，含氣的去除組合物可包含w下，基本上由w下組成，或由w下組成；至少一種氣化 物、至少一種金屬腐蝕抑制劑、水、溶解的旋涂玻璃和任選地至少一種有機溶劑。在另一個 實施方式中，含氣的去除組合物可包含W下，基本上由W下組成，或由W下組成：緩沖氣化 物、至少一種金屬腐蝕抑制劑、水、溶解的旋涂玻璃和任選地至少一種有機溶劑。在另一個 實施方式中，堿性去除組合物可包含W下，由W下組成，或基本上由W下組成：至少一種季 錠氨氧化物或胺、至少一種有機溶劑、至少一種堿或堿±金屬鹽、水、溶解的旋涂玻璃和任 選地至少一種金屬腐蝕抑制劑。
[0043] 應理解，常見的做法是制備有待在使用前稀釋的第四或第五方面的去除組合物的 濃縮形式。例如，去除組合物可制造成更濃縮形式，并且其后在制造商處、在使用前和/或 在晶片廠使用期間用水和/或有機溶劑稀釋。稀釋比率可在約0. 1份稀釋劑：1份去除組 合物濃縮物至約100份稀釋劑：1份去除組合物濃縮物的范圍內。
[0044] 第四或第五方面的去除組合物可容易地通過簡單添加各種成分并混合成均質狀 態來配制。此外，去除組合物可容易配制成單包裝配制物或在使用時或使用之前混合的多 組分配制物，優選多組分配制物。多組分配制物的單獨組分可在工具處或在混合區/區域 如管線內混合器中或在工具上游的儲存槽中混合。預期多組分配制物的多個組分可含有當 混合在一起時形成所期望的去除組合物的成分/組分的任何組合。各種成分的濃度在特定 多種去除組合物中可廣泛改變，即在本發明的廣泛實踐中更加稀釋或更加濃縮，并且應理 解，本發明的去除組合物可W不同地且可選地包含與本文的公開內容一致的成分的任何組 合，由與本文的公開內容一致的成分的任何組合組成或基本上由與本文的公開內容一致的 成分的任何組合組成。
[0045] 因此，第六方面設及在一個或多個容器中包括適于形成第四或第五方面的組合物 的一種或多種成分的試劑盒。試劑盒的容器必須適于儲存和裝運所述去除組合物，例如， NOWPak? 容器（Advanced Technology Materials, Inc. , Danbuir, Conn. , USA)。含有各 去除組合物的成分的一個或多個容器優選包括用于使所述一個或多個容器中的成分流體 連通W進行滲合和分配的構件。例如，關于NOWPak?容器，可向所述一個或多個容器中 的襯套的外部施加氣體壓力W造成所述襯套的內含物的至少一部分排出并且因此實現流 體連通W進行滲合和分配。可選地，可向常規可加壓容器的頂空施加氣體壓力或者可使用 累來實現流體連通。另外，系統優選包括分配口 W將經過滲合的去除組合物分配至加工工 具。
[0046] 優選使用基本上化學惰性、不含雜質的柔性和彈性聚合物膜材料如高密度聚己締 來制造用于所述一個或多個容器的襯套。所期望的襯套材料無需共擠出或屏障層并且在不 存在任何顏料、UV抑制劑或可能不利影響待配置于襯套中的成分的純度要求的加工劑的情 況下加工。所期望的襯套材料的列表包括包含原始（無添加劑）聚己締、原始聚四氣己締 (PTFE)、聚丙締、聚氨醋、聚偏二氯己締、聚氯己締、聚縮醒、聚苯己締、聚丙締膳、聚了締等 的膜。該些襯套材料的優選厚度在約5密耳（0. 005英寸）至約30密耳（0. 030英寸）的 范圍內，例如20密耳（0. 020英寸）的厚度。
[0047] 關于試劑盒的容器，W下專利和專利申請的公開內容特此W各自全文引用的方 式并入本文中；名稱為"APPARATUS AND MET冊D FOR MINIMIZING T肥 GE肥RATION OF PARTICLES IN ULTRAPURE LI卵IDS(用于使超純液體中的顆粒生成最小化的裝置和方 法）"的美國專利 No. 7, 188, 644 ;名稱為"RETURNABLE AND REUSABLE, BAG-IN-DRUM FLUID STORAGE AND DIS陽NSING CONTAI肥R SYSTEM(可退回和可重復使用的桶中袋的液體儲存和 分散容器系統）"的美國專利No. 6, 698, 619 ;和W化hn E. Q.化曲es名義在2007年5月9 日提交的名稱為"SYSTEMS AND MET冊DS FOR MATERIAL BLENDING AND DISTRI腳TI0N(用 于材料混合及分散的系統和方法）"的美國專利申請No. 60/916, 966, W及在2008年5月9 日提交的名稱為"SYSTEMS AND MET冊DS FOR MATERIAL BLENDING AND DISTRI腳TI0N(用 于材料混合及分散的系統和方法）"的PCT/US08/63276。
[0048] 在去除應用中，將去除組合物（例如，第四或第五方面的去除組合物）W任何合適 方式涂覆于器件基板，例如，通過將去除組合物噴霧于器件基板的表面上，通過將器件基板 浸潰于靜態或動態體積的去除組合物中，通過使器件基板與上面已經吸收了去除組合物的 另一種材料（例如，墊或纖維狀吸收劑施用器元件）接觸，或通過使去除組合物與具有旋涂 玻璃、柵極金屬材料和/或ILD材料的器件基板進行去除接觸的任何其他合適手段、方式或 技術。此外，本文涵蓋分批或單個晶片加工。
[0049] 在實現了所期望的去除作用之后，去除組合物容易從其先前所涂覆的器件基板去 除，例如，通過可能期望和有效的沖洗、洗漆或其他去除步驟。例如，器件基板可用包括去離 子水的沖洗溶液沖洗和/或干燥（例如，旋轉干燥、馬、溶劑（例如IPA)蒸氣干燥等）。 [0化0] 本發明的另一個方面設及根據本發明的方法制造的改進型微電子器件W及含有 該種微電子器件的產品。
[0化1 ] 本發明的另一個方面設及制造包含微電子器件的物品的方法，所述方法包括使微 電子器件與去除組合物接觸足夠長時間W從上面具有旋涂玻璃和金屬柵極和/或ILD材料 的微電子器件上相對于金屬柵極和/或ILD材料來選擇性去除旋涂玻璃，W及將所述微電 子器件并入所述物品中。去除組合物可W包含W下，由W下組成，或基本上由W下組成：至 少一種氣化物、至少一種金屬腐蝕抑制劑、水和任選地至少一種有機溶劑。可選地，去除組 合物可W包含W下，基本上由W下組成，或由W下組成；緩沖氣化物、至少一種金屬腐蝕抑 制劑、水和任選地至少一種有機溶劑。在另一個替代方案中，去除組合物可W包含W下，由 W下組成，或基本上由W下組成；至少一種季錠氨氧化物或胺、至少一種有機溶劑、至少一 種堿或堿±金屬鹽、水和任選地至少一種金屬腐蝕抑制劑。
[0052] 在另一個方面，描述了去除蝕刻后殘余物的方法，所述方法包括使包含所述蝕刻 后殘余物的基板與第四方面的去除組合物接觸，其中去除組合物可用于從基板上去除蝕刻 后殘余物。例如，多晶娃可被蝕刻并且可W使用第四方面的組合物來去除剩余的殘余物。第 四方面第一實施方式的組合物優選具有在約3至約7范圍內的pH。
[0053] 本發明的特征和優點可通過W下非限制性實施例得到更充分說明，除非另外明確 指出，否則其中所有份數和百分比都是W重量計。
[0化4] 連施例1
[005引制備W下組合物。
[0056] 紀合物A:62. 50重量％己二醇、30. 80重量％去離子水、4. 00重量％ NH 4F、1. 00重 量％肥0?(60重量％水溶液）、1. 50重量％ IDA、0. 20重量％畑3(濃）
[0057] 組合物A的抑被測定為約6. 4。將具有氮化鐵層、氮化粗層、S0G層和ILD的毯 覆晶片分別在30°C下在組合物A中單獨浸潰5分鐘、5分鐘、0. 75分鐘和2分鐘。每種氮 化物的蝕刻速率被測定為小于2 A min 1。SOG和ILD的蝕刻速率分別為959 A min 1和 123 A min 1，其中S0G相對于ILD的選擇性為7. 8:1。當用去離子水W 1:1的重量比稀釋 同一組合物時，S0G和ILD在與上述相同條件下的各自的蝕刻速率分別降至688 A/min和 56 A/min，得到改進的選擇性12. 4:1。
[005引 連施例2
[0059] 制備W下組合物。
[0060] 紀合物B:71. 43重量％去離子水、17. 86重量％BTMAH(20重量％水溶液）、9. 92重 量％ DMS0、0. 79 重量 ％ CsCl
[0061] 組合物B的抑被測定為約14。將具有氮化鐵層、氮化粗層、S0G層和ILD的毯 覆晶片在60°C下在組合物B中單獨浸潰1. 5分鐘。每種氮化物的蝕刻速率被測定為小于 2 A min 1。S0G和ILD的蝕刻速率分別為約1800 A min-i和約9 A min-1。有利的是，S0G 相對于ILD的選擇性為約200:1。
[0062] 連施例3
[0063] 制備W下組合物。
[0064] 紀合物C:3. 50重量％六氣娃酸錠、1. 72重量％HFSA、1重量％NTMP、93. 78重量％ 去離子水。
[00化]組合物C的抑被測定為小于1。將具有氮化鐵層、S0G層和ILD的毯覆晶片分 別在25°C下在組合物C中單獨浸潰0. 75分鐘和2分鐘。氮化鐵的蝕刻速率被測定為 0.7 A min-i。S0G和ILD的蝕刻速率分別為650 A min-i和巧.4 A min-i，其中S0G相對 于ILD的選擇性為17.4:1。
[0066] 一組密切相關的數據顯示，可W在遠遠更低的抑制劑濃度下獲得具有略微較好 SOG^LD選擇性的合理的TiN蝕刻速率。特別地，組合物包含3. 50% AHFS、1. 72% HFSA、 0.25%饑￥?和94.03 %去離子水。806蝕刻速率為689 乂/111妃并且比0蝕刻速率為 36 8 A/min，S0G相對于ILD的選擇性為18. 7:1，并且TiN的蝕刻速率為2.2 A/min。
[0067] 連施例4
[0068] 制備具有W下成分的組合物D :
[00?]紀合物D
[0070] 去離子水： 28.28重量％ 氣化倭(96%) 3.67重量％ IDA 1.43 重量％ HEDP (60%) 1.59 巫巧。/〇 丙二醇 59.65重量％ 兒茶酷 0.48重量％ 憐酸婉基醋(KC-212) 0.24重量％ TMAH (25%) 4.66 巫巧％
[007U pH =約 5. 2 至約 5. 5
[007引在25°C下將旋涂玻璃（SOG)、TiN、TaN和A1/A10,的試樣浸潰于配制物中并測定其 蝕刻速率。SOG的蝕刻速率為880-900 A/min，TiN為<0.3A/min，對TaN無明顯破壞。 關于Al/AlOy試樣，在對A1無任何破壞的情況下去除A10 y。因此，已經配制了可相對于金 屬柵極材料來選擇性去除S0G并且不會腐蝕侶的去除組合物。
[0073] 相對于金屬柵極材料來選擇性去除S0G并且不會腐蝕侶的其他去除組合物具有 W下一般配方；約25重量％至約35重量％ DIW、約3重量％至約5重量％氣化錠、約1重 量％至約2重量％ IDA、約0. 5重量％至約1. 5重量％肥0?、約57重量％至約70重量％二 醇溶劑（例如，EG或PG)、約0. 5重量％至約2重量％季錠堿（例如，畑禪或TMAH)、約0. 1 重量％至約0. 5重量％磯酸燒基醋和任選地約0. 1重量％至約1重量％兒茶酪。抑在約 5. 2至約5. 5的范圍內。
[0074] 連施例5
[0075] 制備了具有W下通式的蝕刻后殘余物去除組合物：約15重量％至約35重量％ DIW、約0. 5重量％至約1. 5重量％氣化錠、約0. 25重量％至約2重量％ IDA、約0. 1重量％ 至約1重量％肥〇?、約55重量％至約80重量％二醇和/或二醇離溶劑（例如，EG、PG、二 醇離）、約0. 1重量％至約1重量％季錠堿（例如，N&OH或TMAH)和約0. 1重量％至約0. 5 重量％磯酸燒基醋。抑在約5. 2至約5. 5的范圍內。該些組合物將用于去除多晶娃蝕刻后 殘余物。
[0076] 雖然本文已參考說明性實施方式和特征來多樣地公開本發明，但應理解，上文所 述的實施方式和特征不欲限制本發明，并且本領域普通技術人員根據本文的公開內容將聯 想到其他變化、修改和其他實施方式。因此，本發明應寬泛理解為涵蓋在權利要求的精神和 范圍內的所有該些變化、修改和可選實施方式。
【權利要求】
1. 一種相對于選自由金屬柵極材料、ILD材料及其組合組成的群組的材料來選擇性去 除旋涂玻璃的方法，所述方法包括使包含所述旋涂玻璃和所述材料的基板與去除組合物接 觸，其中所述去除組合物相對于所述材料來選擇性去除所述旋涂玻璃。
2. 根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬柵極材料包含鈦。
3. 根據權利要求1或2所述的方法，其中所述ILD材料包含低k介電材料。
4. 根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述金屬柵極材料的去除速率為小于 約 2Amirf1〇
5. 根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述ILD的去除速率小于約 50Amin'1a
6. 根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中SOG的去除速率在約500Amin_i至 約2000Amin1的范圍內。
7. 根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述去除組合物包含至少一種氟化 物、至少一種金屬腐蝕抑制劑、水和至少一種有機溶劑。
8. 根據權利要求7所述的方法，其中所述去除組合物的pH小于約7。
9. 根據權利要求7至8中任一項所述的方法，其中至少一種氟源包含選自由氫氟酸、 氟化銨、氫氟化銨、六氟硅酸（HFSA)、六氟硅酸銨、四氟硼酸、四氟硼酸銨、四氟硼酸四丁銨 (TBA-BF4)、六氟鉭酸、六氟鉭酸銨以及其組合組成的群組的物質。
10. 根據權利要求7至8中任一項所述的方法，其中所述至少一種氟源包含氟化銨。
11. 根據權利要求7至10中任一項所述的方法，其中所述至少一種金屬腐蝕抑制劑包 含選自由以下組成的群組的物質：硼酸、硼酸銨、抗壞血酸、L(+)_抗壞血酸、異抗壞血酸、 抗壞血酸衍生物、沒食子酸、甘氨酸、絲氨酸、脯氨酸、亮氨酸、丙氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、 谷氨酰胺、纈氨酸、賴氨酸、亞氨基二乙酸（IDA)、硼酸、次氮基三乙酸、蘋果酸、乙酸、馬來 酸、2,4-戊二酮、1-羥基亞乙基-1，1-二膦酸（冊0?)、1-羥基乙烷-1，1-二膦酸、次氮基三 (亞甲基膦酸）（階1^)、^^州'-乙二胺四（亞甲基膦）酸伍0了1^)、1，5,9-三氮雜環十二 烷4州'，化-三（亞甲基膦酸）（0(^1^)、1，4,7，10-四氮雜環十二烷4州'，『州'〃-四（亞 甲基膦酸）（D0TP)、二乙烯三胺五（亞甲基膦酸）（DETAP)、氨基三（亞甲基膦酸）、雙（六亞 甲基）三胺膦酸、1，4,7_三氮雜環壬烷-N，N'，N〃-三（亞甲基膦酸）（N0TP)、磷酸酯；5-氨 基-1，3, 4-噻二唑-2-硫醇（ATDT)、苯并三唑（BTA)、檸檬酸、乙二胺、草酸、單寧酸、乙二胺 四乙酸（EDTA)、尿酸、1，2, 4-三唑（TAZ)、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三 唑、3-氨基-5-巰基-1，2, 4-三唑、1-氨基-1，2, 4-三唑、羥基苯并三唑、2-(5-氨基-戊 基）_苯并三唑、1-氨基-1，2, 3-三唑、1-氨基-5-甲基-1，2, 3-三唑、3-氨基-1，2, 4-三唑、 3-巰基-1，2, 4-三唑、3-異丙基-1，2, 4-三唑、5-苯基硫醇-苯并三唑、鹵基-苯并三唑、 萘并三唑、2-巰基苯并咪唑（MBI)、2_巰基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巰基噻唑啉、 5_氨基四唑、2, 4-二氨基-6-甲基-1，3, 5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、1，3-二甲基-2-咪 唑啉酮、1，5-五亞甲基四唑、1-苯基-5-巰基四唑、二氨基甲基三嗪、咪唑啉硫酮、巰基苯并 咪唑、4-甲基-4H-1，2, 4-三唑-3-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、咪唑、苯并異二唑、苯甲 酸、丙二酸、苯甲酸銨、兒茶酚、4-叔丁基兒茶酚、鄰苯三酚、間苯二酚、氫醌、氰尿酸、巴比妥 酸和衍生物如1，2-二甲基巴比妥酸、a-酮酸如丙酮酸、腺嘌呤、嘌呤、甘氨酸/抗壞血酸、Dequest2000、Dequest7000、對甲苯基硫脲、琥珀酸、膦酰基丁烷三甲酸（PBTCA)、磷酸烷 基酯、磷酸以及其組合。
12. 根據權利要求7至10中任一項所述的方法，其中所述至少一種金屬腐蝕抑制劑包 含HEDP、NTMP、IDA或其任何組合。
13. 根據權利要求7至11中任一項所述的方法，其中所述去除組合物進一步包含選自 由所述氟源的共軛堿的鹽、氨和季銨堿組成的群組的至少一種緩沖劑。
14. 根據權利要求7至13中任一項所述的方法，其中所述至少一種有機溶劑包含選自 由乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、甘油、單甘油酯、二甘油酯、二醇醚以及其組合組成 的群組的二醇溶劑。
15. 根據權利要求7至13中任一項所述的方法，其中所述二醇溶劑包含乙二醇。
16. 根據權利要求7至15中任一項所述的方法，其中所述去除組合物包含緩沖氟化物、 二醇溶劑、膦酸和水。
17. 根據權利要求7至15中任一項所述的方法，其中所述去除組合物包含NH4F、HEDP、 IDA、乙二醇和水。
18. 根據權利要求7至17中任一項所述的方法，其中所述去除組合物的pH在約3至約 7的范圍內。
19. 根據權利要求7至18中任一項所述的方法，其中所述去除組合物基本上不含磨料 或其他無機顆粒材料、硅酸、表面活性劑、氧化劑、聚合物質或其任何組合。
20. 根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述去除組合物進一步包含溶解的 旋涂玻璃。
【文檔編號】H01L21/306GK104488068SQ201380020219
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2013年3月12日 優先權日:2012年3月12日
【發明者】吳幸臻, 涂勝宏 申請人:安格斯公司