具有至少一個金屬生長層的電子結構以及用于制造電子結構的方法

具有至少一個金屬生長層的電子結構以及用于制造電子結構的方法
【專利摘要】在不同的實施方式中提供一種電子結構(100)，所述電子結構具有至少一個有機層(112)和至少一個生長到有機層(112)上的金屬生長層(114)和至少一個在金屬生長層(114)上生長的金屬層(116)，其中至少一個金屬生長層(114)包含鍺。
【專利說明】具有至少一個金屬生長層的電子結構以及用于制造電子結構的方法

【技術領域】
[0001 ] 不同的實施方式涉及一種電子結構以及一種用于制造這種電子結構的方法。

【背景技術】
[0002]具有導電的層結構的電子結構是已知的。導電的層結構例如用作為透明的OLED(有機發光二極管)構件中的陰極接觸部。對于這種應用而言，通常需要兩個透明的電極，例如透明的ITO(銦錫氧化物)陽極以用于空穴注入和透明的Ag(銀)陰極以用于電子注入。已知的是:Ag陰極例如借助于PVD (物理氣相沉積)作為Ag膜熱蒸鍍到有機電子傳輸層上。
[0003]根據N.Kaiser 等,Applied Optics, 41 卷，16 期，3053-3060 頁(2002)，經由核的構成以及經由生長行為來表征薄的金屬膜的生長。在此，根據在要用金屬膜覆層的表面物質的邊界面上的表面原子和所謂的吸附原子之間的原子間交互作用，大致以三種生長模式區分要覆層的表面的表面原子上的金屬膜的逐漸積聚的原子:
[0004].根據Frank-van-der-Merwe模式(層狀模式)(層生長)，新的層均勻地以單層的方式在表面上生長。表面原子和吸附原子之間的原子間交互作用大于相鄰的吸附原子之間的交互作用。滿足所述條件的表面是用于所給定的吸附原子的良好的所謂的助粘劑。
[0005]?根據Volmer-Weber模式(島狀模式)(島生長)，吸附原子島狀地生長。相鄰的吸附原子之間的原子間交互作用大于吸附原子和表面原子之間。
[0006]?根據Stransk1-Krastanow模式(層狀島狀模式)(層生長和島生長)，表面原子和吸附原子之間的原子間交互作用進而在吸附原子的第一單層上的附著力首先高于在純表面上。由此，初始形成至少一個完全閉合的單層。從臨界的層厚度起，向上進行島狀的生長，因為相鄰的吸附原子之間的原子間交互作用隨著金屬膜的層厚度增大。
[0007]三種生長模式能夠大致以熱力學的方式經由接觸角和表面能之間的相互作用借助于所謂的楊氏方程來描述。
[0008]
Yb = Y* + Ya cos φ(I)
[0009]在此，Yb表示要覆層的表面物質的表面能，Ya表示要涂覆的金屬膜的表面能，Y*表示要覆層的表面和金屬膜表面之間的邊界面能并且φ表示^八和Y*之間的接觸角。
[0010]對于層狀模式而言，對于每個位置適用的是φ = O進而
[0011]Y Β> Y *+ Y Α(2)
[0012]對于島狀模式而言，對于每個位置(單質外延體系)適用的是φ > O進而
[0013]Y Β< Y *+ Y Α(3)
[0014]對于層狀島狀模式而言，首先φ = O是適用的進而
[0015]Y B> Y *+ Y A(2)
[0016]并且最后自臨界位置起，隨著層厚度增大，邊界面能Y*也增大，Φ>0進而
[0017]Y Β< Y *+ Y Α(3)
[0018]已知的是，金屬膜在異質外延體系中原則上島狀地根據島狀模式在表面上生長。
[0019]表面上的吸附原子的這種島首先對于可見波長范圍中以及紅外范圍中的輻射是透明的。自達到所謂的滲透層厚度起、即達到島生長至使得其彼此接觸的層厚度起，金屬膜形成連續的層結構。該過程也稱作為聚結。金屬膜的層結構首先對于可見波長范圍中的輻射是透明的并且在紅外范圍中反射。然而，隨著層厚度增大，可見波長范圍中的輻射也被反射，因此，金屬膜的透明度隨著層厚度增大而顯著下降。
[0020]如果在相鄰的吸附原子之間存在突出的原子間交互作用，那么島生長還附加地通過內在的熱擴散來促進。這種熱擴散過程能夠借助于阿倫紐斯方程來描述。
[0021]D = D0^exp[_ΔΕ/Μ](4)
[0022]在此，D表示給定溫度T (以開爾文為單位)的情況下的擴散系數，D0表示所謂的指前因子，k表示玻爾茲曼常數并且△ E表示擴散過程所需要的活化能。
[0023]對于足夠低的溫度而言適用的是Λ E>kT，進而用于擴散過程的活化能(ΛΕ)大于表面的熱能(kT)，這使擴散變難并且吸附原子附著在其在表面上的吸附位置上。
[0024]然而如果AE〈kT適用，進而用于擴散過程的活化能(ΛΕ)小于表面的熱能(kT)，那么吸附原子能夠相對自由地在表面上運動，在該情況下涉及提高的擴散遷移率。在該情況下，兩個吸附原子碰撞的概率高于AE>kT的情況。如果兩個吸附原子相互碰撞，那么形成二聚物，所述二聚物作為穩定的晶核形成核留下，這種核素是用于形成島的核進而附加地促進島生長。
[0025]在此，能夠將下述情況視作為對于具有導電層結構的已知的電子結構是不利的:例如適合用于有機發光二級管(OLED)的有機層對于薄的金屬膜、例如對于薄的Ag陰極膜通常是差的助粘劑。由此，附加地促進由金屬示出的島生長。這種島生長限制Ag陰極膜的橫向電導率并且妨礙有效的均勻的電子注入。這又能夠不利地作用于構件性能、尤其是例如OLED的效率。首先隨著層厚度增加，這些島結合(聚結)并且自所謂的滲透層厚度起橫向電導率增大。然而如果層厚度增加，那么越來越多地促進對可見波長范圍的吸收和反射過程并且例如OLED的透明度顯著下降。
[0026]這能夠歸因于兩個相鄰的吸附原子、例如銀(Ag)之間的相對高的原子間交互作用和例如有機化合物的表面原子和吸附原子之間的與其相比較低的原子間交互作用。對于吸附原子和表面原子之間的突出的原子間交互作用，明顯地提供表面物質的相對高的表面能yb。表面物質的原子的表面能^材料特定地隨著相應的原子的結合能增大。原子的結合能與相應的特定的升華溫度成比例。然而，尤其OLED合適的有機表面的特征通常剛好在于相對低的升華溫度和與此相應相對低的分子結合能進而在于低的表面能YB。
[0027]不同的常規的電子結構具有透明導電層結構。因此，在金(Au)-鋁(Al)體系中描述所謂的堆放的電極設計。因此，US 7 796 320 B2描述堆放的電極，例如組成Al/Au，Au/Al/Au, Al/Cu, Cu/Al/Cu, Cu/Ag, Ag/Cu, Au/Ag, Ag/Au, Ca/Ag, Ag/Ca 和 Cr/Au。由在 US 7 796320 B2中描述的組成描述三層結構Au/Al/Au作為具有最好的透射特性的疊層化合物。然而，在US 7 796 320 B2中描述的層結構的結構的問題是堆放的電極的三層結構的高的復雜性和與此關聯的高的生產耗費。
[0028]C.J.Lee 等，R.，Appl.Phys.Lett.89 (2006)，123501 例如描述頂部發射的 OLED 構件，其中將鋇(Ba)層以1nm的層厚度在5nm厚的2，9- 二甲基-4，7-聯苯-1，10-菲咯啉(BCP)層上熱沉積。然而有問題的是，鋇(Ba)是對于濕氣和氧氣極其靈敏反應的電極材料，由此顯著地降低例如相應的OLED構件的可用性和壽命。
[0029]在R.B.Pode 等,Appl.Phys.Lett.84 (2004), 4614-4616 中，研究用于頂部發射的OLED構件的雙層金屬陰極。在此，研究熱蒸鍍的鈣(Ca)、鎂(Mg)或者氟化鋰(LiF)分別與銀(Ag)和鋁(Al)組合。對于1nm的鈣和1nm的銀的層而言，在面電阻相對小的情況下得到高的透射率。然而，鈣是對于濕氣和氧氣極其靈敏反應的電極材料，由此，顯著地降低例如為相應的OLED構件的電子構件的可用性和壽命。
[0030]S.Y.Kim等，Thin Solid Films 517 (2009)，2035-2038描述具有鍶(Sr)(具有8nm至1nm層厚度)/Ag(1nm)的層序列的半透明的陰極，所述陰極是熱蒸鍍的。在此，Sr作為所謂的潤濕促進劑用于改進Ag膜的生長特性。在此，在面電阻相對小的情況下也實現相對高的透射率。當然，在Ag膜的層厚度相對高的情況下才達到滲透層，其中甚至在20nm銀(Ag)的層厚度的情況下，膜不完全地閉合或者連貫。然而在所述Ag層厚度的情況下，已經顯著地促進對可見波長范圍的吸收和反射過程并且例如OLED的透明度顯著地下降。因此。Sr不適合于作為尤其用于透明的電子應用的潤濕促進劑。
[0031]此外，在G.Gu, V.Bulovic 等,Appl.Phys.Lett.68 (1996) 2606-2608 ;Ρ.E.Burrows等，J.Appl.Phys.87 (2000) ,3080 ;L.S.Hung 等，Thin Solid Films 410(2002), 101)中描述低逸出功的、熱蒸鍍的、半透明的金屬膜，最后借助于濺射工藝將透明的導電氧化物(例如ΙΤ0)施加到所述金屬膜上。然而，電極層的濺射涂覆在沒有另外的緩沖層的情況下能夠引起位于其下的層的損壞，進而需要附加的耗費的生產步驟從而顯著地提高生產耗費。
[0032]US 6794061 B2描述蒸鍍到潤濕促進劑層上的鎂(Mg)陰極。已證實的是:Mg陰極在有機層上具有差的附著特性。通過Al:Mg或Ag:Mg合金能夠改進潤濕并且沉積更加均勻的層。然而，純Mg陰極具有通過合金不再能夠實現的低的逸出功(?3.7eV)的優點。將原子數大于或等于19的周期表體系的主族I至15的全部金屬或金屬合金考慮作為潤濕促進劑。然而，鎂(Mg)是對于氧氣極其靈敏反應的電極材料并且還是極其易燃的。由此，顯著地降低例如為OLED構件的電子結構的壽命和可用性并且制造是明顯更耗費的。
[0033]在Weiqiang Chen 等，OPTICS EXPRESS 18 (2010)，5124 ;以及 Logeeswaran VJ等，NAN0LETTERS 9 (2009)，178-182中，為無機的硅酸鹽或S12表面上的銀原子描述作為潤濕促進劑的鍺(Ge)。因此，根據Weiqiang Chen等，在沒有銀原子的突出的島形成的情況下通過下述方式實現均勻的覆層:Ag_Ge之間的結合能高于Ag-Ag的結合能(Ag-GeAH =174.5±21kJ/mol和Ag-AgAH = 162.9 ±2.9kJ/mol)。較高的結合能減少表面擴散過程進而減少島狀的島式生長。因此，Logeeswaran VJ等報道:從Ag原子到Ge表面的表面擴散的活化能為0.45eV,而在S12表面上的所述活化能僅為0.32eV。因此，由Logeeswaran VJ等指出=S12表面上的幾單層厚的鍺膜促進薄的Ag膜的大面積閉合的層狀生長。然而，該研究僅限制于無機的S12表面。然而，S12作為絕緣體不適合作為電子結構中的導電的表面物質、尤其不適合作為用于導電結構的電極表面物質進而不適合用在電有源區域中。此外，對應于有機表面的用于膜沉積的受限的生產條件都不適用于不靈敏的無機的S12表面。
[0034]至今為止，對于OLED應用，已經描述僅作為同樣在硼硅酸鹽玻璃表面上的陽極設計的、具有通過鍺成核而大面積閉合的Ag膜的透明的Ge/Ag層序列(P.Melpignano, C.C1arecjR.Clergereauxj N.GherardijC.VilleneuvejL.Datasj Organic Electronics11(2010)，1111-1119)。在此，已經在硼硅酸鹽玻璃上熱蒸鍍5nm厚的鍺成核膜并且最后熱蒸鍍25nm厚的半透明的Ag膜作為陽極。最后在所述陽極上沉積底部發射的藍色0LED。然而，所描述的電極僅是半透明的并且又沉積在S12或硼硅酸鹽玻璃表面上，所述S12或硼硅酸鹽玻璃表面作為絕緣體又不適合作為電子結構的有源區域中的表面。
[0035]因此，根據現有技術的電子結構的施加到表面上的典型的金屬膜、例如銀膜(在下面也稱作Ag膜)在層厚度較大的情況下才完全地閉合。然而，增加的層厚度顯著地限制電子結構的透明度。其他的建議在制造中是極其耗費的并且特征在于復雜的層結構或者由于不利的材料特征在電子結構中僅具有極其受限的壽命和/或可用性和/或構件性能。
[0036]然而，例如用于在相應的表面上沉積相應的金屬膜的用于涂覆的PVD工藝的沉積速率的可設想的提高在考慮常見的生產條件的情況下僅可能是極其小的、不充分的程度的，其中所述表面能夠實現在第一單層中就已經在表面上產生多個晶核形成核。
[0037]用于降低襯底表面上的擴散過程的襯底表面溫度降低在考慮通常的生產條件的情況下僅可能是極其受限的程度的進而是不充分的。


【發明內容】

[0038]在不同的實施例中，提供一種電子結構，其中以簡單的方式實現具有低的面電阻的透明的、導電的層結構。
[0039]此外，在不同的實施例中，提供一種電子結構，其中能夠以簡單的方式改進電子結構的層結構的金屬膜的均勻性。
[0040]為了在給定金屬的島形的島狀生長的情況下實現薄的、閉合的、均勻的和透明的金屬膜，在金屬膜的第一單層中就已經降低相應的金屬膜的滲透層厚度。這在不同的實施方式中通過下述方式實現:通過例如借助等離子處理或者借助引入所謂的潤濕促進劑或者還有所謂的潤濕中間層(潤濕中間層或者還有增附層(adhes1n promoting layer)、核層(seed layer)、潤濕層(wetting layer))來提高表面的表面能YB,每單位面積的島的數量最大化。
[0041]在不同的實施例中，提供一種電子結構，其具有:至少一個有機層和至少一個生長到有機層上的金屬生長層和至少一個在金屬生長層上生長的金屬層，其中至少一個金屬生長層包含鍺。
[0042]直觀地，電子結構的層結構能夠在不同的實施方式中、例如在光學透明的發光器件中使用，換而言之例如在頂部和/或底部發射器中使用、例如在透明的有機發光二級管中使用，其中所述電子結構由至少一個有機層和至少一個生長到有機層上的包含鍺的金屬生長層和至少一個在金屬生長層上生長的金屬層構成，其中電子結構在不同的實施方式中能夠顯著地改進發光器件的透明度。這能夠在不同的實施方式中實現。
[0043]包含鍺的金屬生長層在不同的實施方式中用作為用于要沉積到有機層上的金屬層的潤濕促進劑并且在第一單層中已經能夠實現金屬層的滲透。由此，在不同的實施方式中實現具有低的面電阻的透明的、均勻的和導電的金屬膜。
[0044]換而言之，在不同的實施方式中，為透明的電子應用提供透明的導電的層序列。直觀地，在此例如在作為潤濕促進劑的所謂的鍺中間層(金屬生長層)上，將幾納米薄的Ag陰極膜(金屬膜)沉積在傳輸/注入載流子的有機層上。換而言之，由此例如提供具有第一電極、有機層和Ge/Ag陰極膜的電子結構。Ge/Ag陰極膜在此能夠理解為在鍺中間層上生長的Ag膜。在不同的實施方式中提出的薄的Ge/Ag陰極膜例如具有均勻的閉合的Ag陰極膜表面并且對于可見波長范圍顯示出高的透明度。Ge/Ag陰極膜具有低的面電阻。所述透明的層組合例如能夠用作為透明的有機發光二級管(Organic Light Emitting D1de, OLED)中的陰極接觸部。對于這種應用，在不同的實施方式中例如能夠提供兩個透明電極，例如透明的ITO陽極以用于空穴注入和透明的Ag陰極以用于電子注入。
[0045]在一個設計方案中，金屬的生長層能夠是純的鍺生長層(換而言之，金屬生長層能夠由100%純鍺構成)。在該設計方案中，鍺生長層能夠具有大約0.1nm至大約1nm范圍內的層厚度、例如大約0.1nm至大約3nm范圍內的層厚度、例如大約0.1nm至大約Inm范圍內的層厚度.
[0046]在一個設計方案中，金屬生長層是金屬的多元體系，例如是合金。所述合金例如是鍺銀體系的合金；在此，合金能夠具有帶有大約0.1 %和大約99.999 %范圍內的銀的物質量份額的組成。合金例如也能夠是鍺金體積的合金，并且合金在此能夠具有帶有大約0.1%和大約99.999%范圍內的金的物質量份額的組成。合金例如也能夠是鍺銅體系的合金。在此，合金例如能夠具有帶有大約0.1%和大約99.999%范圍內的銅的物質量份額的組成。
[0047]根據不同實施方式的這種多元體系層由于絕對地并且與100%的鍺生長層相比可能極其少的鍺份額而具有使通過鍺進行吸收最小化的潛力。在光在例如OLED的光電子器件的光學腔之內多次穿過期間能夠重要的是:未透射的光份額如何分配成吸收和反射。反射的份額能夠在再次穿過腔之后透射，而所吸收的份額不可用于透射進而不可用于外部的發射。相應地，與透射和反射相比，小的吸收能夠是最重要的。尤其對于應當不透明地構成的構件(例如對于頂部發射器或對于底部發射器)而言，因此，當多元體系電極在透射率稍微降低的同時提供更少的吸收時，多元體系電極例如能夠是有利的。
[0048]在又一個設計方案中，替選地，電子結構的金屬生長層能夠包含氧化鍺或者例如由氧化鍺構成。
[0049]在另一個設計方案中，金屬生長層能夠是鍺或者由其構成。
[0050]電子結構例如能夠具有金屬生長層，所述金屬生長層能夠構成為單層。
[0051]金屬生長層例如能夠具有大約0.1nm和1nm范圍內的層厚度。
[0052]在另一個設計方案中，金屬生長層能夠具有0.1nm的層厚度。
[0053]在又一個設計方案中，金屬生長層能夠具有0.5nm的層厚度。對于該層厚度而言，能夠實現尤其好的透明度和尤其低的面電阻。
[0054]在又一個設計方案中，金屬生長層能夠具有3nm的層厚度。在又一個設計方案中，金屬生長層也能夠具有1nm的層厚度。
[0055]對于所述層厚度范圍而言，同樣已經關于提高電子結構的透明度實現良好的結果O
[0056]在又一個設計方案中，在金屬生長層上生長的金屬層包含銀。例如，在金屬生長層上生長的金屬層能夠構成為銀陰極。在金屬生長層上生長的金屬層能夠構成為透明的銀陰極膜(Ag陰極膜)。
[0057]在又一個設計方案中，電子結構還能夠具有包含鍺的第二金屬生長層。
[0058]在又一個設計方案中，電子結構能夠構建為透明的電子結構。例如，電子結構能夠構建為發光的電子構件，例如構建為發光的電子半導體構件。
[0059]直觀地，發光的電子半導體構件在不同的實施例中能夠例如構建為發光二極管(LED)、例如構建為有機發光二極管(OLED)。有機發光二極管在此例如能夠至少局部地透明地構成。有機發光二極管在不同的實施方式中能夠附加地或替選地具有透明的覆蓋接觸部。在此，透明的覆蓋接觸部能夠具有包含鍺的金屬生長層，和生長到金屬生長層上的包含銀的金屬層。有機發光二極管在另一個實施方式中也能夠具有透明的中央接觸部。透明的中央接觸部在此例如能夠具有包含鍺的金屬生長層和生長到金屬生長層上的包含銀的金屬層。
[0060]在又一個設計方案中，有機發光二極管能夠具有透明的覆蓋接觸部和透明的中央接觸部。
[0061]在又一個設計方案中，有機發光二極管能夠構建為具有至少一個介電層，所述介電層能夠用作為抗反射覆層。
[0062]在又一個設計方案中，有機發光二極管能夠構建為頂部發射的有機發光二極管。所述有機發光二極管能夠具有透明的覆蓋接觸部。覆蓋接觸部例如能夠具有包含鍺的金屬生長層和生長到金屬生長層上的包含銀的金屬層。由此，附加地，能夠實現頂部發射的有機發光二極管的更小的視角相關性。附加地，在不同的實施方式中，能夠以簡單的方式實現發射白色的頂部發射器。
[0063]在又一個設計方案中，有機發光二極管能夠具有透明的中央接觸部。透明的中央接觸部例如能夠具有包含鍺的金屬生長層和生長到金屬生長層上的包含銀的金屬層。
[0064]在又一個設計方案中，有機發光二極管能夠構建為底部發射的有機發光二極管。有機發光二極管例如能夠具有透明的中央接觸部。透明的中央接觸部例如能夠具有包含鍺的金屬生長層和生長到金屬生長層上的包含銀的金屬層。
[0065]在又一個設計方案中，有機發光二極管能夠構建成例如具有載流子生成層(charge generat1n layer, CGL)。載流子生成層例如能夠具有包含鍺的金屬生長層。生長到金屬生長層上的金屬層例如能夠包含銀。
[0066]在又一個設計方案中，有機發光二極管能夠至少局部地柔性地構成。
[0067]有機發光二極管例如能夠構建為發射白光。
[0068]在又一個設計方案中，有機發光二極管能夠至少局部地構成為被動(非發光的)顯示器。
[0069]在另一個設計方案中，電子結構能夠構建為帶狀導線。這種帶狀導線例如能夠至少局部地透明地構成。
[0070]在另一個設計方案中，電子結構能夠構成為電極。這種電極例如能夠至少局部地透明地構成。電極在此例如能夠是中間電極。中間電極例如能夠至少局部地透明地構成。
[0071]在另一個設計方案中，電子結構能夠構建為晶體管。晶體管例如能夠至少局部地透明地構成。
[0072]在另一個設計方案中，電子結構能夠構建為電子電路。電子電路例如能夠至少局部地透明地構成。
[0073]在另一個設計方案中，電子結構能夠構建為太陽能電池。在此，太陽能電池例如能夠構成為半導體太陽能電池。在不同的實施方式中，半導體太陽能電池能夠是I1-VI族半導體太陽能電池，或者是II1-V族半導體太陽能電池或者是1-1I1-VI族半導體太陽能電池。
[0074]太陽能電池例如能夠構成為有機太陽能電池。在另一個實施例中，太陽能電池能夠構成為硅太陽能電池。
[0075]在又一個設計方案中，電子結構能夠具有用于有機材料的至少一個生長層；和至少一個在生長層上生長的有機層。
[0076]在又一個設計方案中，至少一個生長層能夠包含鍺。
[0077]在又一個設計方案中，有機層能夠構成為電子傳輸層。
[0078]在不同的實施例中提供一種電子器件，其具有至少一個根據不同實施例的電子結構。電子器件在不同的實施方式中例如能夠構建為顯示器。只要是有意義的，電子結構的設計方案相應地適用于電子器件。
[0079]發光器件在不同的實施例中能夠構建為有機發光二極管(organic lightemitting d1de, OLED)或者構成為有機發光晶體管。發光器件在不同的實施例中能夠是集成電路的一部分。
[0080]此外，能夠設有多個發光器件，例如安裝在共同的殼體中。
[0081]在不同的實施例中提供一種用于制造電子結構的方法。該方法能夠具有:形成至少一個有機層，和形成至少一個生長到有機層上的金屬生長層，和形成在金屬生長層上生長的金屬層；其中至少一個金屬生長層包含鍺。
[0082]只要是有意義的，電子結構的設計方案相應地適合于用于制造電子結構的方法。
[0083]此外，在不同的實施例中提供一種用于制造電子結構的方法。該方法能夠具有:形成至少一個用于有機材料的生長層；和形成至少一個在生長層上生長的有機層，其中至少一個生長層包含鍺。
[0084]只要是有意義的，電子結構的設計方案相應地適合于用于制造電子結構的方法。
[0085]此外，在不同的實施例中提供一種用于制造電子器件的方法。在此，該方法能夠具有:形成至少一個根據上述類型中的一個的電子結構，其中電子器件形成為顯示器。
[0086]只要是有意義的，電子結構的設計方案相應地適合于用于制造具有電子結構的電子器件的方法。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0087]在附圖中示出本發明的實施例并且在下面詳細闡明。
[0088]附圖示出:
[0089]圖1示出電子結構的具有不同層厚度的、在η型摻雜的有機基底上的常規的Ag陰極膜的REM照片；
[0090]圖2針對在η型摻雜的有機基底上的常規的Ag膜的不同層厚度示出面電阻和透射率的圖表；
[0091]圖3示出施加到作為有機潤濕促進劑的二萘嵌苯上的電子結構的常規的Ag陰極膜的REM照片；
[0092]圖4示出施加到作為潤濕促進劑的ZnO層上的常規的電子結構的Ag陰極膜的REM照片；
[0093]圖5示出根據不同實施例的具有鍺(Ge)作為金屬生長層的電子結構的Ag陰極膜的REM照片；
[0094]圖6示出根據不同實施例的具有鍺(Ge)作為η型摻雜的有機基底上的金屬生長層的電子結構的Ag陰極膜的REM照片；
[0095]圖7示出根據不同實施例的具有鍺(Ge)作為η型摻雜的有機基底上的金屬生長層的電子結構的Ag陰極膜的AFM照片；
[0096]圖8示出根據不同實施例的具有鍺(Ge)作為金屬生長層的電子結構的Ag陰極膜的REM照片；
[0097]圖9與常規的實施方案相比示出根據不同的實施例的穿過發光基準器件的光的透射率與所發射的光的波長的相關性的圖表；
[0098]圖10示出根據不同實施例的具有鍺(Ge)作為金屬生長層的電子結構的Ag陰極膜的電流電壓特性圖表；
[0099]圖11示出根據不同實施例的電子結構的橫截面圖；
[0100]圖12示出根據不同實施例的電子結構的橫截面圖；
[0101]圖13示出根據不同實施例的電子結構的橫截面圖；
[0102]圖14示出根據不同實施例的電子結構的橫截面圖；
[0103]圖15不出根據不同實施例的電子結構的橫截面圖；和
[0104]圖16示出用于制造根據不同實施例的發光器件的電子結構的方法的流程圖。

【具體實施方式】
[0105]在下面詳細的描述中參考附圖，所述附圖形成所述描述的一部分，并且其中示出能夠實施本發明的具體的實施方式以用于說明。在此方面，相關于所描述的一個(多個)附圖的定向而使用方向術語例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因為實施方式的組成部分能夠以多個不同的定向來定位，所以方向術語僅用于說明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能夠使用其他的實施方式并且能夠進行結構上的或邏輯上的改變，而不偏離本發明的保護范圍。要理解的是，只要沒有特殊地另外說明，就能夠將在此描述的不同的示例性的實施方式的特征互相組合。因此，下面詳細的描述不能夠理解為受限制的意義，并且本發明的保護范圍不通過附上的權利要求來限定。附圖中的簡圖僅用于說明本發明的思想并且不是符合比例的描述。
[0106]在所述描述的范圍內，術語“連接”、“聯接”以及“耦合”用于描述直接的和間接的連接、直接的或間接的聯接以及直接的或間接的耦合。在附圖中，只要是適當的，相同的或類似的元件就設有相同的附圖標記。
[0107]圖1示出根據現有技術的電子結構的具有不同層厚度的、在η型摻雜的有機基底上的Ag陰極膜的REM照片。為了說明具有薄的Ag陰極膜的常規的電子結構的實施方案，借助于PVD (physical vapour deposit1n)將具有90nm層厚度的有機電子注入/傳輸層熱蒸鍍到玻璃上。隨后，同樣借助于PVD分別熱蒸鍍具有9nm層厚度(第一 REM照片I)、Ilnm層厚度(第二 REM照片2)和18nm層厚度(第三REM照片3)的Ag陰極。典型的市售的有機電子注入/傳輸層例如是:8_羥基喹啉鋰(Liq)、2，2’，2”_(1，3，5_亞苯基)-三[1-苯基-1-H-苯并咪唑](TPBi)、2_ (4-聯苯基)-5- (4-叔丁基苯基)-1, 3，4-惡二唑、丁基PBD或者2-(4-三-丁苯基)-5-(4-聯苯基)-1，3，4_惡二唑(BCP)、4，7-聯苯-1, 10-菲咯啉(BPhen)、雙(2-甲基-8-喹啉-NI, 08) (1，I，_ 聯苯 ~4~ 根)鋁(BAlq)、1,3-雙[2，2，-聯吡啶-6-基)-1，3，4-惡二唑-5-基]-苯(Bpy-OXD)、6，6’ -雙[5_(聯苯-4-基)-1，3，4-惡二唑-2-基]-2，2 ’ -聯吡啶(BP-OXD-Bpy)、3- (4-聯苯基)~4~ 苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑(TAZ)、4_ (萘-1-基)-3，5- 二苯基-4H-1，2，4-三唑(NTAZ)、2，9-雙(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(NBphen), 2, 7-雙[2-(2，2，_ 聯啶-6-基)-1, 3，4-惡二唑-5-基 I] -9，9- 二甲基芴(PbyFOXD)、1，3-雙[2- (4-叔丁基苯基)-1，3，4_惡二唑-5-基]苯(0XD-7)、三(2，4，6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷(3TPYMB)、1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1Η_ 咪唑并[4，5f] [1，10]鄰二氮雜菲(2-NPIP)，2-苯基-9，10-雙(萘-2-基)-蒽(PADN)，2_(萘-2-基)_4，7-聯苯-1，10-鄰二氮雜菲(HNBphen)，苯基-雙芘基磷化氫氧化物(P0Py2)，3，3’，5，5’ -四[(m-吡啶基)-苯-3-基]聯苯(BP4mPy)，1，3，5-三[(3-吡啶基)-苯酚-3-基]苯(TmPyBP)，4，4’-雙(4，6-聯苯-1，3，5-三嗪-2-基)聯苯(BTB)。除了無機的電子注入/傳輸層，例如氟化鋰(LiF)、鈣(Ca)或鋇(Ba)之外，也能夠使用有機的電子注入層，例如上面提出的η型摻雜的有機電子注入/傳輸層與堿金屬、例如與鋰(Li)或銫(Cs)的組合，但是或者與有機化合物、例如與BEDT-TTF的組合。此外，能夠使用上述有機電子注入/傳輸層與鹽、例如與碳酸銫(Cs2CO3)的組合，或者與金屬有機化合物、例如與二茂鈷(CoCp2)的組合。所述材料能夠以相同的方式應用在下面描述的實施例中。
[0108]常規的電子結構的上述層厚度的所研究的Ag層不具有閉合的Ag電極膜，而是在有機層上具有滲透的島形結構。Ag陰極膜顯示出島狀生長。Ag陰極膜的這種島形生長提高Ag陰極的面電阻并且限制有效的均勻的電子注入。這又不利地作用于電子結構的功率、尤其是例如透明的OLED的效率。首先，隨著層厚度增大，可識別的島結合(聚結)。然而，如果層厚度增大，那么促進對可見波長范圍的吸收和反射過程并且OLED的透明度下降。透射率和面電阻與Ag層厚度的相關性在圖2中的圖表4中示出，所述圖2針對在η型摻雜的有機基底上的常規的Ag膜的不同的層厚度示出透射率相對于/和面電阻的圖表。
[0109]圖3示出常規的電子結構的Ag陰極膜的REM照片(第一 REM照片5、第二 REM照片6和第三REM照片7)，其中對所施加的二萘嵌苯對于其作為金屬膜的有機表面的特征進行研究。二萘嵌苯是在OLED領域中用作為典型的有機電子注入/傳輸層的另外的化合物。
[0110]然而，該REM照片沒有示出相對于另外的OLED典型的有機電子注入/傳輸層的顯著的改進。Ag陰極膜在層厚度為Ilnm的情況下在3nm厚的二萘嵌苯表面上具有滲透的結構。然而，能夠識別到Ag陰極膜非均勻地閉合并且顯示出隔離的溝道伸展。如上面描述的那樣，通過襯底的較高的表面能促進吸附原子的均勻閉合的層生長。例如用于OLED的典型的、常規的有機電子注入/傳輸層具有例如對于Ag陰極膜的差的潤濕特性。有機襯底的表面能對于實現閉合的透明的Ag陰極膜是過低的。作為經驗法則適用的是:所蒸鍍的膜的表面能隨著膜的材料物質的結合能增大，其中結合能隨著其升華溫度增大。尤其適合于OLED的有機材料、例如有機電子注入/傳輸層的特征通常并且剛好也在于與金屬相比相對低的結合能。所述有機材料由此能夠在升華溫度較低的情況下蒸發，然而僅具有小的表面能，所述表面能不適合于均勻地吸附施加到所述有機材料上的金屬膜。例如二萘嵌苯的升華溫度在壓強為3X l(T7mbar的情況下為大約400°C。在550nm波長下的透明度僅為大約46%。Ag陰極膜具有15.0Ohm/Squ的高的面電阻。在圖9中示出相應的透射率測量(在透射率圖表90中)和吸收率測量(在吸收率圖表91中)。因此，二萘嵌苯不適合于作為襯底或作為潤濕促進劑例如用于Ag吸附原子、尤其不適合于應用在OLED的透明層中。因此，通過應用二萘嵌苯層也不能夠提供下述電子結構，在所述電子結構中，以簡單的方式實現具有低的面電阻的透明的導電的均勻的層結構。
[0111]圖4示出常規的電子結構的Ag陰極膜的REM照片(第一 REM照片40、第二 REM照片41和第三REM照片42)，所述電子結構施加到作為潤濕促進劑的ZnO層上。與二萘嵌苯相反，ZnO在3X10_6bar的情況下具有大于1700°C的較高的升華溫度。REM照片清楚地示出Ag陰極膜與所研究的常規的有機基底相比的更均勻的潤濕性能。盡管在ZnO作為潤濕促進劑時Ag膜的滲透杰出，然而，Ag陰極膜沒有完全均勻地閉合。Ag陰極膜中的孔能夠作為暗部在右下方的圖像中(第三REM照片42)良好地識別。在此，作為潤濕促進劑研究的ZnO的層厚度為了比較目的(如在圖2中)為3nm。在λ = 550nm波長下的透明度為大約53%并且Ag陰極的面電阻為7.0Ohm/Squ。在圖9中又繪制相應的透射率和吸收率測量。因此，通過將ZnO作為潤濕促進劑尤其用于透明的應用、例如用于0LED，也不能夠提供下述電子結構，在所述電子結構中，以簡單的方式實現具有低的面電阻的透明的、閉合的、均勻的、導電的層結構。
[0112]圖5示出根據不同實施例的具有鍺(Ge)作為金屬生長層的電子結構的Ag陰極膜的REM照片(第一 REM照片50、第二 REM照片51、第三REM照片52和第四REM照片53)，其中電子結構具有至少一個金屬生長層和至少一個在金屬生長層上生長的金屬層，其中至少一個金屬生長層包含鍺。
[0113]電子結構的結構包括:有機的η型摻雜的基底，換而言之有機的電子注入/傳輸層，其中例如能夠應用上面在圖1中提出的化合物和材料；由0.5nm Ge或3nm Ge構成的金屬生長層；以及具有Ilnm層厚度的Ag陰極膜。電子結構的REM照片在圖5的下排中示出，參見第三REM照片52和第四REM照片53。附加地，在圖5的上排中為了比較示出沒有金屬生長層的根據現有技術的電子結構的REM照片。圖5的左列中的REM照片的比例尺為
5.0Oym0圖5的右列中的REM照片的比例尺為l.0Oym。Ag陰極膜以島狀模式生長，然而，對于0.5nm層厚度以及3nm層厚度的由鍺構成的金屬生長層而言完全均勻地閉合并且不顯不出缺陷結構。
[0114]因此，通過提供由鍺構成的金屬生長層作為潤濕促進劑，例如能夠在透明的應用中、對于在OLED中提供下述電子結構，在所述電子結構中，以簡單的方式實現具有低的面電阻的透明的、閉合的、均勻的、導電的層結構。
[0115]對于幾單層薄的Ge層已經觀察到所測試的Ag陰極膜的尤其好的潤濕性能。
[0116]沒有潤濕促進劑層或具有由二萘嵌苯構成的潤濕促進劑層的常規的電子結構的對λ = 550nm下的透射率的透射率測量的結果以及相應的面電阻以及具有層厚度為0.5nm的由鍺構成的金屬生長層的根據不同實施例的電子結構以及具有層厚度為3nm的根據不同實施例的由鍺構成的金屬生長層的電子結構在下面的表格中示出。
[0117]

0 + 11 nm Ag O + 0.5 nm Ge O + 3 nm Ge + 0 + 3 nm 二蔡

+ 11 nmAg 11 nm Ag嵌苯 + 11 nm



Ag
在λ 550 urn 下測 51%53%S3%46%
量的透射率
面電阻 5.95.15.0O
[ohms/squ]
[0118]圖6示出根據不同實施例的具有鍺(Ge)作為η型摻雜的有機層(或者還有基底)上的金屬生長層的電子結構的Ag陰極膜的REM照片(第一 REM照片60、第二 REM照片61、第三REM照片62和第四REM照片63)。
[0119]在此，例如能夠將用于3nm鍺的潤濕促進劑的至今所選擇的層厚度(第四REM照片63)降低到僅0.5nm(第一 REM照片60)，而沒有在Ag陰極膜中構成缺陷結構。
[0120]也經由圖7中的AFM照片確認Ag陰極膜的均勻的并且閉合的生長。為此，圖7示出根據不同實施例的具有鍺(Ge)作為η型摻雜的有機基底上的金屬生長層的電子結構的Ag陰極膜的AFM照片。在圖7中示出的實施例具有層厚度為0.5nm(第一 AFM照片70)、Inm(第二 AFM照片71)、2nm(第三AFM照片72)和3nm(第四AFM照片73)的作為金屬生長層的鍺。電子結構具有η型摻雜的有機基底，將相應的金屬生長層施加到所述有機基底上。Ag陰極膜具有Ilnm的層厚度并且生長到金屬生長層上。在AFM照片中能夠看到Ag陰極膜的表面的粗糙度值。所述粗糙度值不與Ge層厚度(0.5nm、lnm、2nm、3nm)相關并且對于金屬生長層的全部層厚度而言僅具有0.6-0.7nm RMS的數值。λ = 550nm波長下的透明度為大約53%并且Ag陰極膜的面電阻為5.0Ohm/squ。能夠觀察到:所研究的區域中的透明度和面電阻幾乎不由在0.5nm和3nm之間的范圍中的鍺層厚度所影響。在圖9中與另外的實施例、也與常規的實施方式相比較地示出相應的透射率和吸收率測量。
[0121]圖8示出根據不同實施例的具有鍺(Ge)作為金屬生長層的電子結構的Ag陰極膜的REM照片。金屬生長層具有Inm的層厚度，生長到金屬生長層上的Ag陰極膜具有5nm的層厚度(第一 REM照片80)、7nm的層厚度(第二 REM照片81)、9nm的層厚度(第三REM照片82)、llnm的層厚度(第四REM照片83)。REM照片顯示出:拍下來的Ag陰極膜在5nm和7nm的Ag陰極膜層厚度之間的范圍中已經滲透并且層厚度為Ilnm的Ag陰極膜完全地閉入口 ο
[0122]圖9示出圖表90、91，其中與常規的實施方式90nm有機層、I Inm銀層和90nm有機層、3nm 二萘嵌苯層、Ilnm銀層相比示出根據不同實施例的穿過發光基準器件的光的透射率和吸收率與所發射的光的波長的相關性。根據不同實施例的發光基準器件(90nm有機層112、由鍺構成的0.5nm的金屬生長層114、由銀構成的Ilnm金屬層116,和90nm有機層112、由鍺構成的0.5nm的金屬生長層114、由銀構成的Ilnm金屬層)的特征曲線在大約λ= 500nm和λ = 800nm的范圍中示出與常規的基準器件相比顯著更高的透射率或者顯著更低的吸收率。具有0.5nm層厚度的由鍺構成的金屬生長層114的特征曲線示出尤其好的數值。具有3nm 二萘嵌苯層的基準器件的特征曲線在大約λ = 500nm和λ = 800nm的范圍中示出最低的透射率值和最高的吸收率值。
[0123]圖10示出根據不同實施例的具有鍺(Ge)作為金屬生長層的電子結構的Ag陰極膜的電流電壓特性圖表95。
[0124]對電子結構示出電流電壓特性，其中襯底或有機電子注入/傳輸層ITO具有90nm的層厚度。由鍺構成的金屬生長層的層厚度為0.5nm和3nm。Ag陰極膜具有Ilnm的層厚度。為了比較，繪制兩個常規的電子結構的電流電壓特性。常規的電子結構不具有金屬生長層，第二常規的電子結構在襯底和Ag陰極膜之間具有層厚度為3nm的二萘嵌苯中間層作為潤濕促進劑。電流電壓特性示出:電子結構的這種堆疊結構的載流子注入能夠通過由鍺構成的薄的金屬生長層相對于常規的電子結構得到顯著改進。電荷注入的顯著改進通過生長的Ag陰極膜的借助于由鍺構成的金屬生長層而均勻的并且閉合的Ag表面和由此更高的并且更均勻的局部電流密度來實現。
[0125]在沒有金屬生長層的情況下，不均勻的溝道或島形結構能夠明顯地提高層電阻進而在預設電壓的情況下與具有生長層的器件相比由于附加的串聯電阻能夠引起降低的電流密度。然而，如果由鍺構成的金屬生長層的層厚度增大(在此針對5nm和1nm鍺示出)，那么電流密度能夠再次下降。所述相反的表現例如一方面能夠歸因于由鍺構成的金屬生長層的串聯電阻隨著層厚增大而增大，或者另一方面由于穿過生長層的載流子的不同的注入表現。在生長層極其薄的情況下，注入例如能夠通過從銀到鄰接的有機層中的所謂的隧道效應進行，相反，隧穿概率隨著層厚度增大而下降。最佳的構件配置從為了最小化層電阻和最佳地注入到鄰接的有機層中對隨后的層的生長表現的優化中得出。
[0126]圖11示出根據不同實施例的電子結構100的橫截面圖。電子結構100例如能夠是透明電極或帶狀導線，例如以用于如有機太陽能模塊的有機光伏應用。電子結構100例如能夠是透明的集成電路。
[0127]電子結構100也能夠構成為透明的TFT顯示器或者也能夠構成為透明的存儲芯片，也稱作“See Through Electronic Memory,透明電子存儲器”。
[0128]電子結構100也能夠構成為所謂的頂部發射的(或還有覆蓋玻璃側發射的)有機發光二級管(OLED)。電子結構100例如也能夠構成為兩側發射的(透明的)0LED。OLED在此也能夠是可控的。
[0129]電子結構100的另一個實施方式也能夠是具有所謂的載流子生成層(chargegenerat1n layer, CGL)的堆疊的 OLED。
[0130]為了說明不同的實施例，在圖11中，電子結構100例如能夠構成為呈有機發光二級管(OLED) 100形式的發光器件100。
[0131]電子結構100、在下文中即有機發光二級管100能夠具有襯底102。襯底102例如能夠用作為用于電子元件或層、例如用于發光元件的載體元件。例如，襯底102能夠具有玻璃、石英和/或半導體材料或任意其他適合的材料或由其形成。此外，襯底102能夠具有塑料薄膜或具有帶有一個或多個塑料薄膜的疊層或者由其形成。塑料能夠具有一種或多種聚烯烴(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或者由其形成。此外，塑料能夠具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者由其形成。襯底102能夠具有一種或多種上述材料。襯底102能夠構成為是半透明的或甚至是透明的。
[0132]術語“半透明”或“半透明層”在不同的實施例中能夠理解為:層對于光是可穿透的，例如對于由有機發光二極管100所產生的例如一個或多個波長范圍的光是可穿透的，例如對于可見光的波長范圍中的光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波長范圍的局部范圍中)。例如，術語“半透明層”在不同的實施例中理解為:全部的耦合輸入到結構(例如層)中的光量基本上也從該結構(例如層)中耦合輸出，其中光的一部分在此能夠散射。
[0133]術語“透明”或“透明層”在不同的實施例中能夠理解為:層對于光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波長范圍的局部范圍中)，其中耦合輸入到結構(例如層)中的光基本上在沒有散射或光轉換的情況下也從該結構(例如層)中耦合輸出。因此，“透明”在不同的實施例中能夠視作為“半透明”的特殊情況。
[0134]對于例如應當提供單色發光的或發射光譜受限的電子結構100、例如有機發光二極管100的情況而言足夠的是:光學半透明的層結構至少在期望的單色光的波長范圍的局部范圍中或者對于受限的發射光譜是半透明的。
[0135]在不同的實施例中，有機發光二極管100(或還有根據在上文中或還要在下文中描述的實施例的發光器件或通常是電子結構)能夠設計成所謂的頂部和底部發射器。頂部和底部發射器也能夠稱作為光學透明器件，例如透明有機發光二級管。
[0136]在不同的實施例中，能夠可選地在襯底102上或上方設置有阻擋層104。阻擋層能夠具有下述材料中的一種或多種或者由其制成:氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭、氧化鑭、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁摻雜的氧化鋅、以及它們的混合物和合金。此外，阻擋層在不同的實施例中能夠具有在大約0.1nm(原子層)至大約5000nm的范圍中的層厚度，例如在大約1nm至大約200nm的范圍中的層厚度，例如為大約40nm的層厚度。
[0137]在可選的阻擋層104上或上方或者也在襯底102上能夠可選地設置有平坦化層106。平坦化層106例如能夠根據相應的襯底102也多層地構成。
[0138]在可選的阻擋層104上或上方或者也在襯底102或平坦化層106上能夠設置有有機發光二極管100的電有源區域108。電有源區域108能夠理解為發光器件100的其中有用于運行有機發光二極管100的電流流動的區域。在不同的實施例中，電有源區域106能夠具有第一電極110、有機層112以及生長到所述有機層112或者也生長到有機功能層結構112上的金屬生長層114和至少一個在金屬生長層114上生長的金屬層116，其中至少一個金屬生長層114包含鍺，如其在下面還更詳細闡明的那樣。在此，金屬層116例如能夠是第二電極116。
[0139]因此，在不同的實施例中，能夠在阻擋層104上或上方(或者，當不存在阻擋層104時，在襯底102上或上方)施加(例如呈第一電極層110的形式的)第一電極110。第一電極110(下面也稱為底部電極110)能夠由導電材料形成或者是導電材料，例如由金屬或透明導電氧化物(transparent conductive oxide, TC0)形成或由相同金屬的或不同金屬的和/或相同TCO的或不同TCO的多個層的層堆來形成。透明導電氧化物是透明的、導電的材料，例如金屬氧化物，例如氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦或銦錫氧化物(ITO)。除了二元的金屬氧化物例如ZnO、SnO2或In2O3以外，三元的金屬氧化物例如AlZnO、Zn2SnO4,CdSn03、ZnSn03、Mgln204、Galn03、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明導電氧化物的混合物也屬于TCO族并且能夠在不同的實施例中使用。此外，TCO不強制符合化學計量的組分并且還能夠是P型摻雜的或η型摻雜的。
[0140]在不同的實施例中，第一電極110能夠具有金屬；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca、Sm或L1、以及這些材料的化合物、組合或合金。
[0141]在不同的實施例中，能夠由在TCO層上的金屬層的組合的層堆形成第一電極110，或者反之。一個示例是施加在銦錫氧化物層(ITO)上的銀層(ΙΤ0上的Ag)或ITO-Ag-1TO復層。在此，能夠將包含鍺或由鍺構成的另一個金屬生長層114作為潤濕促進劑施加到第一 ITO層上，以便改進例如將Ag作為層序列中的第一電極110的層堆疊的層來均勻地沉積。
[0142]在不同的實施例中，替選于或附加于上述材料，第一電極110能夠設有下述材料中的一種或多種:由例如由Ag制成的金屬的納米線和納米微粒構成的網絡；由碳納米管構成的網絡；石墨微粒和石墨層；由半導體納米線構成的網絡。
[0143]此外，第一電極110能夠具有導電聚合物或過渡金屬氧化物或導電透明氧化物。
[0144]在不同的實施例中，第一電極110和襯底102能夠構成為是半透明的或透明的。在第一電極110由金屬形成的情況下，第一電極110例如能夠具有小于或等于大約25nm的層厚度、例如小于或等于大約20nm的層厚度、例如小于或等于大約18nm的層厚度。此外，第一電極108例如能夠具有大于或等于大約7nm的層厚度、例如大于或等于大約15nm的層厚度。在不同的實施例中，第一電極108能夠具有在大約7nm至大約25nm范圍內的層厚度、例如在大約1nm至大約18nm范圍內的層厚度、例如在大約14nm至大約18nm范圍內的層厚度。
[0145]此外，對于第一電極110由透明導電氧化物(TCO)形成的情況而言，第一電極110例如具有在大約50nm至大約500nm范圍內的層厚度、例如在大約75nm至大約250nm范圍內的層厚度、例如在大約10nm至大約150nm范圍內的層厚度。
[0146]此外，對于第一電極110例如由如由Ag構成的能夠與導電聚合物組合的金屬的納米線構成的網絡形成、由能夠與導電聚合物組合的碳納米管構成的網絡或者由石墨層和復合材料形成的情況而言，第一電極108例如能夠具有在大約Inm至大約500nm范圍內的層厚度、例如在大約1nm至大約400nm范圍內的層厚度、例如在大約40nm至大約250nm范圍內的層厚度。
[0147]第一電極110能夠構成為陽極、即構成為空穴注入的電極，或者構成為陰極、即構成為電子注入的電極。
[0148]第一電極110能夠具有第一電端子,第一電勢(由能量源(未不出)、例如由電流源或電壓源提供)能夠施加到所述第一電端子上。替選地，第一電勢能夠施加到襯底102上或者是施加到襯底102上的并且然后經由此間接地輸送給第一電極或者是輸送給第一電極110的。第一電勢例如能夠是接地電勢或者不同地預設的參考電勢。
[0149]此外，有機發光二極管100的電有源區域108能夠具有有機電致發光層結構114，所述有機電致發光層結構施加在第一電極110上或上方或者是施加在第一電極110上或上方的。
[0150]有機電致發光層結構114能夠包含一個或多個發射體層118、例如具有發熒光的和/或發磷光的發射體的發射體層，以及一個或多個空穴傳導層120 (也稱作空穴傳輸層120)。在不同的實施例中，替選地或附加地，能夠設有一個或多個電子傳導層122(也稱作電子傳輸層122)。
[0151]能夠在根據不同實施例的發光器件100中用于發射體層118的發射體材料的實例包括:有機的或有機金屬的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亞苯基的衍生物(例如2-或2，5-取代的聚-對-亞苯基乙烯撐)；以及金屬絡合物，例如銥絡合物，如發藍色磷光的FIrPic(雙(3，5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基_(2_羧基吡啶基)-銥III)、發綠色磷光的Ir (ppy) 3 (三(2-苯基吡啶)銥III)、發紅色磷光的Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6))(三[4，4’-二-叔-丁基-(2，2’)_聯吡啶]釕(III)絡合物)、以及發藍色熒光的DPAVBi (4, 4-雙[4-(二-對-甲苯基氨基)苯乙烯基]聯苯)、發綠色熒光的TTPA(9，10-雙[隊^二-(對_甲苯基)-氨基]蒽)和發紅色熒光的DCM2(4-二氰基亞甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作為非聚合物發射體。這種非聚合物發射體例如能夠借助于熱蒸鍍來沉積。此外，能夠使用聚合物發射體，所述聚合物發射體尤其能夠借助于濕法化學法、例如旋涂法(也稱作Spin Coating)來沉積。
[0152]發射體材料能夠以適合的方式嵌在基體材料中。
[0153]需要指出的是，在其他的實施例中同樣設有其他適合的發射體材料。
[0154]有機發光二極管100的一個或多個發射體層118的發射體材料例如能夠選擇為，使得有機發光二極管100發射白光。一個或多個發射體層118能夠具有多種發射不同顏色(例如藍色和黃色或者藍色、綠色和紅色)的發射體材料，替選地，一個或多個發射體層118也能夠由多個子層構成，如發藍色熒光的發射體層118或發藍色磷光的發射體層118、發綠色磷光的發射體層118和發紅色磷光的發射體層118。通過不同顏色的混合，能夠得到具有白色的色彩印象的光的發射。替選地，也能夠提出，在通過這些層產生的初級發射的光路中設置有轉換材料，所述轉換材料至少部分地吸收初級輻射并且發射其他波長的次級輻射，使得從(還不是白色的)初級輻射通過將初級輻射和次級輻射組合得到白色的色彩印象。
[0155]有機電致發光層結構110通常能夠具有一個或多個電致發光層。一個或多個電致發光層能夠具有有機聚合物、有機低聚物、有機單體、有機的非聚合物的小的分子(“小分子(small molecules)，，)或這些材料的組合。例如，有機電致發光層結構110能夠具有構成為空穴傳輸層120的一個或多個電致發光層，使得例如在OLED的情況下能夠實現將空穴有效地注入到進行電致發光的層或進行電致發光的區域中。替選地，在不同的實施例中，有機電致發光層結構110能夠具有構成為電子傳輸層122的一個或多個功能層，使得例如在OLED100中能夠實現將電子有效地注入到進行電致發光的層或進行電致發光的區域中。例如能夠使用叔胺、咔唑衍生物、導電的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作為用于空穴傳輸層120的材料。在不同的實施例中，一個或多個電致發光層能夠構成為進行電致發光的層。
[0156]在不同的實施例中，空穴傳輸層120能夠施加、例如沉積在第一電極110上或上方，并且發射體層118能夠施加、例如沉積在空穴傳輸層120上或上方。在不同的實施例中，電子傳輸層122能夠施加、例如沉積在發射體層118上或上方。
[0157]在不同的實施例中，有機電致發光層結構110(即例如空穴傳輸層120和發射體層118和電子傳輸層122的厚度的總和)具有最大為大約1.5μπι的層厚度、例如最大為大約
1.2 μ m的層厚度、例如最大為大約I μ m的層厚度、例如最大為大約800nm的層厚度、例如最大為大約500nm的層厚度、例如最大為大約400nm的層厚度、例如最大為大約300nm的層厚度。在不同的實施例中，有機電致發光層結構110例如能夠具有多個直接彼此相疊設置的有機發光二極管(OLED)的堆，其中每個OLED例如能夠具有最大為大約1.5μπι的層厚度、例如最大為大約1.2 μ m的層厚度、例如最大為大約Iym的層厚度、例如最大為大約800nm的層厚度、例如最大為大約500nm的層厚度、例如最大為大約400nm的層厚度、例如最大為大約300nm的層厚度。在不同的實施例中，有機電致發光層結構110例如能夠具有兩個、三個或四個直接彼此相疊設置的OLED的堆，在此情況下，有機電致發光層結構110例如能夠具有最大為大約3 μ m的層厚度。
[0158]有機發光二極管100可選地通常能夠具有另外的有機功能層，所述另外的有機功能層例如設置在一個或多個發射體層118上或上方或者設置在一個或多個電子傳輸層122上或上方，用于進一步改進有機發光二極管100的功能進而效率。
[0159]在有機電致發光層結構110上或上方或者必要時在一個或多個另外的有機功能層上或上方
[0160]包含鍺的金屬生長層114在不同的實施例中能夠是金屬的多元體系。金屬的多元體系例如能夠是合金。合金例如能夠是鍺銀體系的合金。鍺銀體系的合金的組分能夠包含在大約0.1%和大約99.999%范圍內的銀的物質量份額。合金能夠具有0.1 %銀的物質量份額。合金能夠是鍺金體系的合金。鍺金體系的合金的組分能夠具有在大約0.1%和大約99.999%范圍內的金的物質量份額。合金例如能夠包含0.1 %金的物質量份額。合金例如能夠是鍺銅體系的合金。鍺銅體系的合金的組分能夠具有在大約0.1%和大約99.999%范圍內的銅的物質量份額。合金能夠包含0.1%銅的物質量份額。
[0161]在一個設計方案中，金屬生長層114能夠是純的鍺生長層114(換而言之，金屬生長層114能夠由100%純鍺構成)。在該設計方案中，鍺生長層114能夠具有在大約0.1nm至大約1nm范圍內的層厚度、例如在大約0.1nm至大約3nm范圍內的層厚度、例如在大約0.1nm至大約Inm范圍內的層厚度。
[0162]在不同的實施方式中，金屬生長層114包含氧化鍺或者由氧化鍺(GeO2)構成。
[0163]金屬生長層114能夠構成為單層。金屬生長層例如能夠具有在大約0.1nm至大約1nm范圍內的層厚度。
[0164]金屬生長層114的層厚度在不同的實施例中例如能夠具有大約0.1nm的層厚度、例如具有大約0.5nm的層厚度、例如具有大約3nm的層厚度。
[0165]金屬生長層114的層厚度例如能夠具有大約1nm的層厚度。
[0166]能夠將第二電極116 (例如呈第二電極層116的形式)生長或者也施加到金屬生長層114上。
[0167]在不同的實施例中，第二電極116能夠具有與第一電極110相同的材料或者由其形成，其中在不同的實施例中金屬是尤其適合的。
[0168]在不同的實施例中，第二電極116(例如對于金屬的第二電極112的情況而言)例如能夠具有小于或等于大約25nm的層厚度、例如小于或等于大約15nm的層厚度、例如Ilnm的層厚度、例如小于或等于大約1nm的層厚度。
[0169]第二電極116通常能夠以與第一電極110類似的或不同的方式構成或者是這樣構成的。第二電極116在不同的實施例中能夠由一種或多種材料并且以相應的層厚度構成或者是這樣構成的，如在上面結合第一電極I1所描述的那樣。在不同的實施例中，第一電極110和第二電極116這兩者都透明地或半透明地構成。因此，在圖1中示出的發光器件100能夠設計成頂部和底部發射器(換言之作為透明發光結構100)。
[0170]金屬層116、例如第二電極116能夠構成為陽極、即構成為空穴注入的電極，或者構成為陰極、即構成為電子注入的電極。
[0171]金屬層116能夠包含銀(Ag)。在不同的實施例中，金屬層116能夠構成為銀陰極116，換而言之，構成為銀陰極膜116 (或者也為Ag陰極膜116)。
[0172]銀陰極116或Ag陰極膜116例如能夠構成為透明的Ag陰極膜116。
[0173]金屬層116在不同的實施方式中能夠構成為層結構，所述層結構具有至少一個另外的金屬生長層114，所述另外的金屬生長層包含鍺。另外的金屬生長層114能夠作為另外的潤濕促進劑層來優化另外的金屬層116的生長。在不同的實施方式中，金屬層116例如能夠具有帶有層序列Ge/Ag/Ge或者例如Ge/Ag/Ge/Ag的層結構。
[0174]有機發光二極管100的金屬層116在不同的實施方式中例如能夠構成為透明的覆蓋接觸部。
[0175]金屬層116例如能夠構成為層結構，所述層結構具有包含鍺的金屬生長層114和包含銀的生長到金屬生長層114上的另外的金屬層116。由此，能夠附加地實現較小的視角相關性。
[0176]有機發光二極管100的金屬層116在不同的實施方式中例如能夠構成為透明的中央接觸部。金屬層116例如能夠構成為層結構，所述層結構具有包含鍺的金屬生長層114和包含銀的生長到金屬生長層114上的另外的金屬層116。
[0177]有機發光二極管100在不同的實施方式中例如能夠作為兩側發射的有機發光二極管100具有構成為透明的覆蓋接觸部的第一金屬層116和構成為透明的中央接觸部的另外的金屬層116。
[0178]第二電極116、或金屬層116能夠具有第二電端子，由能量源提供的第二電勢(所述第二電勢與第一電勢不同)能夠施加到所述第二電端子上。第二電勢例如能夠具有一定數值，使得相對于第一電勢的差具有在大約1.5V至大約20V范圍內的數值、例如在大約
2.0V至大約15V范圍內的數值、例如在大約2.5V至大約12V范圍內的數值。
[0179]有機發光二極管100在不同的實施方式中例如能夠構成為頂部發射的或者還有覆蓋玻璃側發射的、例如構成為兩側發射的、例如構成為底部發射的有機發光二級管100。
[0180]頂部發射的有機發光二極管100例如能夠具有第一電極110，所述第一電極具有半透明的或不透明的層的范圍內的層厚度。
[0181]有機二極管100在不同的實施方式中可選地能夠具有抗反射覆層124，例如構成為介電層，所述介電層用于抗反射。抗反射覆層124例如也能夠構成為是多層的。
[0182]在金屬層116或第二電極116上或上方進而在電有源區域108上或上方可選地還能夠形成或形成有封裝件126，例如呈阻擋薄層/薄層封裝件126形式的封裝件126。
[0183]“阻擋薄層”或“阻擋薄膜”126在本申請的范圍中例如能夠理解成下述層或層結構，所述層或層結構適合于形成相對于化學雜質或大氣物質、尤其相對于水(濕氣)和氧氣的阻擋。換言之，阻擋薄層126構成為，使得其不能夠或至多極其少部分由損壞OLED的物質例如水、氧氣或溶劑穿過。
[0184]根據一個設計方案，阻擋薄層126能夠構成單獨的層(換言之，構成為單層)。根據一個替選的設計方案，阻擋薄層126能夠具有多個彼此相疊構成的子層。換言之，根據一個設計方案，阻擋薄層126能夠構成為層堆(Stack)。阻擋薄層126或阻擋薄層126中的一個或多個子層例如能夠借助于適合的沉積方法來形成，例如根據一個設計方案借助于原子層沉積方法(Atomic Layer Deposit1n (ALD))來形成,例如為等離子增強的原子層沉積方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposit1n(PEALD))或無等離子的原子層沉積方法(Plasma-less Atomic Layer Deposit1n (PLALD)),或根據另一個設計方案借助于化學氣相沉積方法(Chemical Vapor Deposit1n(CVD))來形成,例如為等離子增強的氣相沉積方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n (PECVD))或無等離子的氣相沉積方法(Plasma-less Chemical Vapor Deposit1n (PLCVD)),或者替選地借助于另外適合的沉積方法來形成。
[0185]通過應用原子層沉積方法(ALD)能夠沉積極其薄的層。特別地，能夠沉積層厚度位于原子層范圍內的層。
[0186]根據一個設計方案，在具有多個子層的阻擋薄層126中，能夠借助于原子層沉積方法形成全部子層。僅具有ALD層的層序列也能夠稱作為“納米疊層(Nanolaminat) ”。
[0187]根據一個替選的設計方案，在具有多個子層的阻擋薄層126中，能夠借助于不同于原子層沉積方法的沉積方法來沉積阻擋薄層120的一個或多個子層，例如借助于氣相沉積方法來沉積。
[0188]阻擋薄層126根據一個設計方案能夠具有大約0.1nm (原子層)至大約100nm的層厚度，例如根據一個設計方案具有大約1nm至大約10nm的層厚度，例如根據一個設計方案具有大約40nm的層厚度。
[0189]根據阻擋薄層126具有多個子層的設計方案，全部子層能夠具有相同的層厚度。根據另一個設計方案，阻擋薄層126的各個子層能夠具有不同的層厚度。換言之，至少一個子層能夠具有不同于一個或多個其他子層的層厚度。
[0190]根據一個設計方案，阻擋薄層126或阻擋薄層126的各個子層能夠構成為半透明的或透明的層。換言之，阻擋薄層126 (或阻擋薄層126的各個子層)能夠由半透明的或透明的材料(或半透明的或透明的材料組合)構成。
[0191]根據一個設計方案，阻擋薄層126或(在具有多個子層的層堆的情況下)阻擋薄層126的一個或多個子層具有下述材料中的一種或由下述材料中的一種構成:氧化鋁、氧化鋅、氧化錯、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭、氧化鑭、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁摻雜的氧化鋅、以及它們的混合物和合金。在不同的實施例中，阻擋薄層126或(在具有多個子層的層堆的情況下)阻擋薄層126的一個或多個子層具有一種或多種高折射率的材料，換言之具有一種或多種具有高折射率的材料，例如具有至少為1.8的折射率的材料。
[0192]在不同的實施例中，能夠在封裝件126上或上方設置有低折射率的中間層或低折射率的中間層結構128(例如具有一個或多個由相同的或不同的材料構成的層)，所述中間層或中間層結構用于在電子結構100中提高總透明度。
[0193]中間層或中間層結構128能夠具有至少一個層，所述層(在預設波長的情況下(例如在380nm至780nm的波長范圍中的預設波長的情況下))具有比發光器件100的覆蓋件(在預設波長的情況下)的折射率小的折射率。在不同的實施例中，中間層或中間層結構的至少一個層或整個中間層結構128具有比有機發光二極管100的覆蓋件的折射率小的折射率。
[0194]在不同的實施例中，能夠在封裝件126上或上方或者在低折射率的中間層128的上方可選地設置有平坦化或緩沖層130。平坦化或緩沖層130例如能夠構成為是多層的。
[0195]在不同的實施例中，能夠在封裝件126上或上方或者在低折射率的可選的中間層128上或上方或者在可選的平坦化或緩沖層130上或上方設置有可選的防刮保護層132。防刮保護層132例如能夠是覆蓋玻璃，例如是覆蓋薄膜，例如是漆。
[0196]能夠在防刮保護層132上可選地設置有散射膜134。散射膜134例如能夠是折射地進行散射的材料，例如用于“半透明的”兩側發射的0LED100。
[0197]OLED100在不同的實施例中能夠是色彩可調整的。例如，色彩可調整的OLED100能夠是底部發射器、頂部發射器或兩側發射的透明的0LED。透明的OLED例如能夠具有透明的中央接觸部，所述中央接觸部包含由鍺構成的金屬生長層114和由銀構成的金屬層116。
[0198]頂部發射的0LED100能夠具有透明的覆蓋接觸部，所述覆蓋接觸部包含由鍺構成的金屬生長層114和由銀構成的金屬層116。由此，能夠附加地實現較小的視角相關性。附加地，通過本發明能夠以簡單的方式實現發射白色的頂部發射器。
[0199]電子結構100、例如有機發光二極管100在不同的實施例中能夠至少局部地柔性地構成。
[0200]有機發光二極管100在不同的實施例中例如能夠至少局部地構成為被動的(非照明的)顯不器。
[0201]電子結構100在不同的實施例中能夠構建為帶狀導線。帶狀導線例如能夠至少局部地透明地構成。
[0202]電子結構100在不同的實施例中能夠構建為電極。電極例如能夠至少局部地透明地構成。
[0203]電子結構100在不同的實施例中能夠構建為中間電極。中間電極例如能夠至少局部地透明地構成。
[0204]電子結構100在不同的實施例中例如能夠構建為晶體管。晶體管例如能夠至少局部地透明地構成。
[0205]電子結構100在不同的實施例中例如能夠構建為電子電路。電子電路例如能夠至少局部地透明地構成。
[0206]電子結構100在不同的實施例中例如能夠構建為太陽能電池。有機層112例如能夠構建為太陽能電池單元。太陽能電池例如能夠構成為半導體太陽能電池。半導體太陽能電池例如能夠是I1-VI族半導體太陽能電池。半導體太陽能電池例如能夠是II1-V族半導體太陽能電池。半導體太陽能電池例如能夠是1-1I1-VI族半導體太陽能電池。太陽能電池在不同的實施例中例如能夠構成為有機太陽能電池。太陽能電池在不同的實施例中例如能夠構成為硅太陽能電池。
[0207]電子結構100在不同的實施例中例如能夠構成為透明的Ge/Ag接觸部，因此構成為下述接觸部，所述接觸部由鍺制成的金屬生長層114和在金屬生長層114上生長的銀制成的金屬層116構成。Ge/Ag接觸部至少局部地在金屬生長層側在有機層112上生長。在不同的實施例中，一個接觸部或者兩個接觸部例如能夠構成為透明的GeAg接觸部。透明的Ge/Ag接觸部例如能夠作為透明的饋電線用于透明的0LED。也可能的是,僅Ge/Ag接觸部、因此僅饋電線構成為是透明的，OLED的電極本身例如能夠是半透明的或者也是不透明的。
[0208]在不同的實施例中，電子器件能夠由至少一個電子結構100構成。器件例如能夠構建為發光器件、例如構建為顯示器。電子器件例如能夠具有PET薄膜。電子結構100例如能夠至少局部地設置在PET薄膜上。
[0209]在下面的附圖中，參考圖11中的描述并且僅描述下面的附圖的附加的或替選的、因此與其不同的特征，以便避免重復。
[0210]圖12示出根據不同實施例的電子結構200的橫截面圖。在不同的實施例中，電子結構100能夠具有另外的金屬生長層202，所述另外的金屬生長層生長到襯底102上并且所述另外的金屬生長層例如能夠是鍺，例如能夠是氧化鍺，例如能夠是鍺合金，例如能夠是鍺銀體系，例如能夠是鍺金體系，例如能夠是鍺銅體系。第一電極110生長到金屬生長層202上。第一電極110能夠如在圖11中描述的那樣例如是透明的ITO、IMI, IT0-Ag-1T0、所謂的AZO電極或者例如是銀。有機層112在圖11中已經描述并且例如能夠是電子或空穴傳輸層或者例如是吸收層，如在圖11描述的那樣，在其上跟隨著生長有例如由鍺構成的金屬生長層114和生長到所述金屬生長層上的金屬層116、例如Ag陰極膜。
[0211]圖13示出根據不同實施例的電子結構300的橫截面圖。電子結構300例如能夠是堆疊的(堆放的)結構。電子結構100例如能夠具有第一 OLED單元302，所述第一OLED單元由有機層或有機層結構112形成。有機層結構112在此例如能夠由多個層構成并且能夠具有例如電子或空穴傳輸層、例如吸收層、例如一個或多個載流子生成層(Chargegenerat1n layer (GCL)),以用于OLED或太陽能電池單元的豎直堆疊。金屬生長層114能夠如在上文中描述的那樣例如由鍺構成，并且金屬層116例如能夠是覆蓋接觸部，例如是透明的Ag陰極膜。金屬層116例如能夠是多層的陰極膜，例如具有Ag-Ge-Ag層序列，并且因此具有另外的金屬生長層114和另外的金屬層116。能夠在第一 OLED單元302上設置有第二 OLED單元304，所述第二 OLED單元能夠相應于第一 OLED單元302構成。例如能夠堆放另外的OLED單元。
[0212]圖14示出根據不同實施例的電子結構400的橫截面圖。電子結構400例如是具有透明的Ge/Ag接觸部的0LED，所述Ge/Ag接觸部取代典型應用的非透明的金屬饋電線。
[0213]OLED 400在不同的實施例中能夠是透明的OLED，所述透明的OLED具有透明的Ge/Ag接觸部402。Ge/Ag接觸部402是由鍺制成的金屬生長層114和在金屬生長層114上生長的銀制成的金屬層116構成的接觸部。Ge/Ag接觸部至少局部地在金屬生長層側在有機層112上生長。接觸部與發射區域404導電連接，所述發射區域通過Ge/Ag接觸部402來激發。發光區域404例如能夠包含在圖11中描述的發射體層。發光區域404能夠構成為是透明的。發光區域404以及Ge/Ag接觸部402例如至少局部地設置在襯底406、例如層疊的玻璃、例如柔性的薄膜上或者下方。
[0214]透明的Ge/Ag接觸部402在不同的實施例中例如能夠設置在例如用于頂部發射的0LED400的剛性的襯底406上、例如設置在柔性的襯底406上。
[0215]圖15示出根據不同實施例的電子結構的橫截面圖。在不同的實施例中，在襯底102上能夠設置有第一 OLED單元302。在所述OLED第一單元302上能夠設置有載流子生成層單兀(charge-generat1n-layer-Einheit (GCL-Einheit)) 502。
[0216]載流子生成層單元502例如用于:豎直地堆疊例如多個太陽能電池單元或者例如OLED0因此，能夠實現堆放的結構。例如，載流子生成層單元502包括:例如有機的η型傳導層504 ;例如能夠包含鍺或例如由鍺構成的金屬生長層506 ;在金屬生長層506上生長的薄的金屬層508，例如銀，其中金屬層508能夠具有例如大約Inm和大約5nm范圍內的層厚度；和P型傳導層510。能夠在P型傳導層510上設置有第二 OLED單元304。能夠在第二OLED單元304上例如設置有另外的OLED單元和/或另外的載流子生成層單元502、或者例如覆蓋電極116。覆蓋電極116例如能夠是Ge/Ag接觸部。可選地，能夠在覆蓋電極116上設置有抗反射層124。可選地，能夠設置有薄膜封裝件126和/或防刮保護層132。
[0217]圖16示出流程圖600，其中示出用于制造根據不同實施例的電子結構100的方法。在602中形成電有源區域108，其中形成第一電極110、有機層或有機功能層結構112、金屬生長層114和金屬層116、例如第二電極，并且其中金屬生長層114生長到有機層112上并且金屬層116生長到金屬生長層114上。此外，在604中能夠在電有源區域上方形成具有至少一個層的層結構，隨后在606中在層結構上方形成覆蓋件。
[0218]不同的層，例如中間層122或中間層結構122、電極108、112以及電有源區域108的其他層、例如有機功能層結構112、例如空穴傳輸層或電子傳輸層能夠借助于不同的工藝來施加，例如沉積，例如借助于CVD法(chemical vapor deposit1n,化學氣相沉積法)或借助于PVD法(physical vapor deposit1n,物理氣相沉積法,例如派射、離子增強的沉積法或熱蒸鍍)；替選地借助于電鍍法；浸潰沉積法；旋涂法(spin coating);印刷；刮涂；或嗔涂O
[0219]金屬生長層114和金屬層116能夠借助于CVD法(化學氣相沉積、chemical vapordeposit1n)或借助于PVD法、例如熱蒸鍍來沉積。
[0220]在不同的實施例中，能夠將等離子增強的化學氣相沉積法(plasma enhancedchemical vapor depost1n, PE-CVD)用作為CVD法。在此,在上面應當施加有要施加的層的元件上方和/或周圍的體積部中產生等離子，其中將至少兩種氣態的初始化合物輸送給體積部，所述初始化合物在等離子中離子化并且被激發以彼此反應。通過產生等離子可能的是:與無等離子的CVD法相比，能夠降低下述溫度:將元件的表面加熱到所述溫度上，以便實現例如產生介電層。當元件、例如要形成的發光電子器件會在溫度高于最大溫度的情況下損壞時，這例如能夠是有利的。最大溫度例如能夠在根據不同的實施例的要形成的發光電子器件中大約為120°C，使得例如施加可選的介電層的溫度能夠小于或等于120°C并且例如小于或等于80°C。
[0221]此外，在不同的實施例中能夠形成抗反射層124。
[0222]此外能夠提出:在形成電有源區域之后并且在形成覆蓋件之前測量具有電有源區域108的結構的光學透明度。隨后，中間層或中間層結構能夠根據所測量的光學透明度來形成，使得實現具有電有源區域的結構和中間層或中間層結構的期望的目標光學透明度(因此，例如能夠適配中間層或中間層結構的材料選擇和/或層厚度)。
[0223]在不同的實施例中，這種低折射率的層在正運行的工藝流中能夠作為封裝件、例如薄膜封裝件上的附加的層引入。
[0224]在不同的實施例中，可選地能夠形成平坦化或緩沖層130、防刮保護層134和/或散射膜134。
【權利要求】
1.一種電子結構(100)，所述電子結構具有: ?至少一個有機層(112)和 ?至少一個生長到所述有機層(112)上的金屬生長層(114);和 ?至少一個在所述金屬生長層(114)上生長的金屬層(116)； ?其中至少一個所述金屬生長層(114)包含鍺。
2.根據權利要求1所述的電子結構(100)，其中所述金屬生長層由鍺構成。
3.根據權利要求1所述的電子結構(100)，其中所述金屬生長層(114)是金屬的多元體系，優選是合金。
4.根據權利要求3所述的電子結構(100)，其中所述合金是鍺銀體系的合金、鍺金體系的合金或者鍺銅體系的合金。
5.根據權利要求1所述的電子結構(100)，其中所述金屬生長層(114)包含氧化鍺。
6.根據權利要求1至5中的任一項所述的電子結構(100)，其中所述金屬生長層(114)構成為單層。
7.根據權利要求1至6中的任一項所述的電子結構(100)，其中所述金屬生長層(114)具有在大約0.1nm和大約1nm的范圍中的層厚度。
8.根據權利要求1至7中的任一項所述的電子結構(100)，所述電子結構構建為發光電子構件，優選構建為發光二極管。
9.根據權利要求8所述的電子結構(100)，所述電子結構構建為有機發光二極管。
10.根據權利要求1至9中的任一項所述的電子結構(100)，所述電子結構還具有載流子生成層。
11.根據權利要求10所述的電子結構(100)，其中所述載流子生成層具有金屬生長層(114)，所述金屬生長層包含鍺。
12.根據權利要求11所述的電子結構(100)，其中生長到所述金屬生長層(114)上的金屬層(116)包含銀。
13.根據權利要求12所述的電子結構(100)，其中生長到所述金屬生長層(114)上的金屬層(116)具有與所述金屬生長層(114)相同的組分。
14.一種用于制造電子結構(100)的方法，其中所述方法具有: ?形成至少一個有機層(112)和 ?形成至少一個生長到所述有機層(112)上的金屬生長層(114)； ?形成至少一個在所述金屬生長層(114)上生長的金屬層(116)； ?其中至少一個所述金屬生長層(114)包含鍺。
【文檔編號】H01L51/10GK104205395SQ201380015836
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2013年3月19日 優先權日:2012年3月20日
【發明者】埃爾溫·蘭, 菲利普·施萬布, 大衛·哈特曼, 岡特·施密德, 弗洛里安·埃德爾, 扎比內·希什科夫斯基, 維布克·薩爾費特 申請人:歐司朗光電半導體有限公司