基板處理裝置以及加熱器清洗方法

基板處理裝置以及加熱器清洗方法
【專利摘要】對與由基板保持單元(3)保持的基板(W)的上表面相對配置且用于對該上表面加熱的加熱器(35)進行清洗。加熱器具有紅外線燈(38)和外殼(40)。加熱器清洗方法包含以下工序：加熱器配置工序，在加熱器清洗位置以與第一噴出口(84)相對的方式配置所述加熱器，所述加熱器清洗位置是具有第一噴出口的下噴嘴(82)的上方的位置，所述第一噴出口與保持于所述基板保持單元的基板的下表面相對并且向上方噴出液體；以及下清洗液噴出工序，在所述基板保持單元上未保持基板的狀態下，對所述下噴嘴供給清洗液，從所述第一噴出口向上方噴出清洗液，由此，對配置在所述加熱器清洗位置的所述加熱器的所述外殼的外表面供給清洗液。
【專利說明】基板處理裝置以及加熱器清洗方法

【技術領域】
[0001]本發明涉及具備加熱器的基板處理裝置以及用于清洗該加熱器的加熱器清洗方法，該加熱器具有紅外線燈且用于對基板實施加熱處理。成為加熱處理對象的基板中例如包含:半導體晶片、液晶顯示裝置用玻璃基板、等離子顯示器用基板、場發射顯示器(FieldEmiss1n Display)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、磁光盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等基板。

【背景技術】
[0002]在半導體裝置制造工序中包含例如在半導體晶片(以下簡稱為“晶片”)的主面(表面)上局部注入磷、砷、硼等雜質(離子)的工序。在該工序中，為了防止對不需要的部分注入離子，在晶片表面上形成由感光性樹脂構成的抗蝕劑的圖案，不需要注入離子的部分被抗蝕劑掩蓋。由于在晶片表面上形成的抗蝕劑圖案在注入離子之后不再需要，所以在注入離子后，進行用于除去該晶片表面上的不需要的抗蝕劑的抗蝕劑除去處理。
[0003]在有代表性的抗蝕劑除去處理中，在晶片表面上照射氧等離子、晶片表面上的抗蝕劑被灰化。而且，對晶片表面供給硫酸和雙氧水的混合液即硫酸雙氧水混合液(sulfuricacid/hydrogen peroxide mixture:SPM液)等藥液。由此,灰化的抗蝕劑被除去，從晶片表面除去了抗蝕劑。
[0004]但是，用于進行抗蝕劑的灰化的氧等離子的照射會對晶片表面上未用抗蝕劑覆蓋的部分(例如，從抗蝕劑暴露出的氧化膜)帶來損傷。
[0005]因此，最近正在關注如下方法:不進行抗蝕劑的灰化，對晶片表面供給SPM液，通過該SPM液中包含的過氧硫酸(H2SO5)的強氧化力，從晶片表面剝離抗蝕劑并除去。
[0006]現有技術文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本特開2005-93926號公報


【發明內容】

[0009]發明要解決的問題
[0010]本申請的發明人為了實現使供給到基板主面的藥液的進一步高溫化，討論了在處理藥液時，對供給到基板主面的藥液進行加熱。具體來講，通過將具有紅外線燈和收納該紅外線燈的外殼的加熱器與基板主面隔開間隔相對配置，對存在于基板主面上的藥液進行加熱。
[0011]但是，在通過紅外線燈對藥液進行加熱處理時，藥液急劇升溫，在基板主面的周邊產生大量的藥液霧。在進行加熱處理時產生的藥液霧附著在與基板主面相對的加熱器外殼的下表面。當藥液霧附著在外殼下表面而被放置時，由于外殼的下表面的紅外線透過率的降低，釋放到外殼外的紅外線的照射光量降低。不僅如此，藥液霧會干燥結晶，由此，外殼下表面有可能變成顆粒源。因此，每處理一張基板，都需要清洗走附著在加熱器的外殼下表面的藥液。
[0012]作為對加熱器的外殼進行清洗的方法，考慮有如下方法:設有條形噴嘴，所述條形噴嘴的朝向垂直下方的多個噴出口沿水平方向排列成一列或多列，將來自各噴出口的處理液從上方供給至加熱器。但是，在這樣的方法中，難以使清洗液遍歷加熱器的外殼的下表面全部區域。
[0013]本發明的目的在于提供一種能夠良好地清洗加熱器的基板處理裝置以及加熱器清洗方法。
[0014]用于解決問題的手段
[0015]本發明提供一種對加熱器進行清洗的加熱器清洗方法，所述加熱器與通過基板保持單元保持的基板的上表面(上側主面)相對配置并用于對該上表面進行加熱。加熱器具有紅外線燈和外殼。所述加熱器清洗方法包含以下工序:加熱器配置工序，在加熱器清洗位置，以與第一噴出口相對置的方式配置所述加熱器，所述加熱器清洗位置是具有所述第一噴出口的下噴嘴的上方的位置，所述第一噴出口與保持于所述基板保持單元的基板的下表面相對置并且向上方噴出液體；下清洗液噴出工序，在所述基板保持單元未保持基板的狀態下，對所述下噴嘴供給清洗液，從所述第一噴出口向上方噴出清洗液，從而對配置在所述加熱器清洗位置的所述加熱器的所述外殼的外表面供給清洗液。
[0016]根據本方法，在第一噴出口的上方的加熱器位置配置加熱器，由此，加熱器與第一噴出口相對置。在這種狀態下，從第一噴出口向上方噴出清洗液。來自第一噴出口的清洗液向上方噴出，著液到配置于加熱器清洗位置的加熱器的外殼的下部外表面，對該下部外表面進行清洗。
[0017]加熱器用于對保持于基板保持單元的基板進行加熱的加熱處理。在進行該加熱處理時，基板表面與外殼的下部外表面相對配置。因此，在加熱處理之后，異物有可能附著在外殼的下部外表面。這樣的異物能夠通過從第一噴出口向上方即向外殼的下部外表面供給的清洗液沖走。由此，能夠良好地清洗外殼的外表面，因此，能夠將外殼的外表面保持為清潔狀態。
[0018]所述外殼可以具有在通過所述紅外線燈對基板進行加熱處理時與基板表面相對置的相對面。此外，可以在基板的上表面上存在藥液的狀態下進行所述加熱處理。此時，在進行加熱處理時，通過紅外線燈使藥液急劇升溫，有可能在基板主面的周圍產生大量的藥液霧。而且，產生的藥液霧有可能附著在外殼的相對面上。
[0019]但是，即使在這種情況下，通過使用清洗液對加熱器的外殼的相對面進行清洗，也能夠沖走附著在外殼的相對面上的藥液霧，能夠將外殼的相對面保持為清潔狀態。因此，能夠防止射到外殼外的紅外線的照射光量的降低，并且，能夠防止外殼成為顆粒源，給基板的處理帶來壞的影響。
[0020]在本發明的一個實施方式中，所述方法還包含:上清洗液噴出工序，通過與所述下清洗液噴出工序并行地，從配置于所述第一噴出口上方(更具體地講是所述加熱器清洗位置的上方)的上噴嘴向下方噴出清洗液，對所述外殼的外表面供給清洗液。
[0021]根據本方法，與來自下噴嘴的清洗液的噴出并行地從配置于加熱器清洗位置的加熱器上方的上噴嘴向下方噴出清洗液。因此，能夠使清洗液遍歷外殼的外表面的寬范圍。由此，能夠在在寬范圍內清洗加熱器的外殼的外表面。
[0022]所述上噴嘴可以是配置于用于收納所述基板保持單元的處理室的頂壁的頂部噴嘴。
[0023]在本發明的一個實施方式中，所述方法還包含著液位置移動工序，與所述下清洗液噴出工序并行地，使從所述第一噴出口噴出的清洗液在所述外殼的外表面的著液位置移動。
[0024]根據本方法，與來自第一噴出口的清洗液的噴出并行地使清洗液在外殼的外表面上的著液位置移動。由此，能夠使清洗液著液到外殼的下部外表面的寬范圍內，能夠有效進行清洗。
[0025]所述著液位置移動工序可以包含:在與來自所述第一噴出口的清洗液的噴出方向交叉的方向(水平方向)上使所述加熱器往復移動的工序。
[0026]在本發明的一個實施方式中，所述方法還包含干燥工序，所述干燥工序是在所述下清洗液供給工序結束后，除去附著在所述外殼的外表面的清洗液的工序。
[0027]根據本方法，在用清洗液對加熱器外殼進行清洗處理后，殘留在外殼的外表面上的清洗液被除去。由此，能夠防止殘留在外殼的外表面上的清洗液對基板處理帶來不好的影響。
[0028]在本發明的一個實施方式中，所述干燥工序還包含加熱干燥工序，所述加熱干燥工序是從所述紅外線燈對所述外殼照射紅外線，對所述外殼的外表面進行加熱使其干燥。
[0029]根據本方法，通過從紅外線燈照射紅外線，外殼升溫，附著在外殼的外表面上的清洗液被蒸發而除去。由此，能夠使外殼的外表面良好地干燥。
[0030]在本發明的一個實施方式中，所述下噴嘴還具有用于向上方噴出氣體的第二噴出口，所述干燥工序包含下干燥用氣體噴出工序，在所述下干燥用氣體噴出工序中，通過對所述下噴嘴供給干燥用氣體，從所述第二噴出口向上方噴出干燥用氣體，來對配置在所述加熱器清洗位置的所述加熱器的所述外殼的外表面供給干燥用氣體。
[0031]根據本方法，來自第二噴出口的干燥用氣體被噴出到加熱器的外殼的下部外表面。通過該干燥用氣體，附著在外殼的下部外表面上的清洗液被吹走。由此，能夠使外殼的外表面良好地干燥。
[0032]本發明還提供一種基板處理裝置，包含:加熱器，具有紅外線燈和收納所述紅外線燈的外殼，在與基板的主面相對置的處理位置對該基板的主面加熱；清洗液供給單元，在所述加熱器位于與所述處理位置不同的清洗位置的狀態下，對所述外殼的外表面供給清洗液。
[0033]根據本結構，在與加熱處理時的處理位置不同的清洗位置配置加熱器的狀態下，對加熱器的外殼的外表面供給清洗液。由此，能夠使用清洗液將附著在外殼外表面上的異物沖走。因此,能夠良好地清洗外殼的外表面。
[0034]外殼可以具有在通過紅外線燈對基板進行加熱的加熱處理時與基板的表面相對的相對面。此外，在基板主面上存在藥液的狀態下，可以對基板實施加熱處理。此時，在進行加熱處理時，由于紅外線燈使藥液急劇升溫，有時在基板的主面周圍產生大量的藥液霧，該藥液霧會附著在外殼的相對面上。
[0035]但是，這樣的藥液霧由于向加熱器供給清洗液而被沖走。由此，能夠將外殼的相對面清洗干凈。因此，能夠防止射出到外殼外的紅外線的照射光量的降低、以及外殼成為顆粒源給基板處理帶來不好的影響。
[0036]所述清洗位置可以是所述加熱器從所述處理位置退出并等待時的等待位置。根據本結構，由于對在等待位置等待的加熱器實施清洗處理，所以如果加熱器位于等待位置，則不管基板處理的進行狀況如何，都能夠對加熱器進行清洗。即，由于能夠在不中斷基板處理的情況下對加熱器進行清洗，所以能夠提高基板處理裝置的生產率。
[0037]在本發明的一個實施方式中，所述基板處理裝置還包含收納部件，所述收納部件收納所述加熱器并且擋住從該加熱器飛散的清洗液。根據該結構，能夠抑制清洗液飛散到加熱器的周圍。
[0038]此時，所述收納部件包含儲存容器，所述儲存容器是在底部具有排出口并能夠儲存液體的有底容器狀的容器，所述清洗液供給單元可以包含對所述儲存容器內供給清洗液的清洗液噴嘴。此時，所述基板處理裝置還包含排液配管，與所述儲存容器的所述排出口連接，用于排出儲存在所述儲存容器中的液體；以及排液閥，安裝在所述排液配管上，用于開閉所述排液配管。
[0039]根據本結構，通過關閉排液閥來阻止從有底容器排出清洗液。在這種狀態下，通過從清洗液噴嘴供給清洗液，清洗液被儲存在儲存容器中。通過使加熱器外殼的外表面沉浸在儲存于儲存容器的清洗液中，就能夠清洗外殼的外表面。
[0040]所述清洗液供給單元可以具備清洗液噴嘴，所述清洗液噴嘴具有向所述外殼的外表面噴出清洗液的清洗液噴出口。
[0041]在本發明的一個實施方式中，所述基板處理裝置還包含干燥用氣體噴出單元，為了從所述外殼的外表面除去清洗液，向所述外殼的外表面噴出干燥用氣體。
[0042]根據本結構，從干燥用氣體噴出單元向加熱器外殼噴出干燥用氣體。通過干燥用氣體，附著在外殼的外表面上的清洗液被吹走。由此，能夠使外殼的外表面良好地干燥。
[0043]在本發明的一個實施方式中，所述基板處理裝置還包含加熱器升降單元，使所述加熱器升降，所述干燥用氣體噴出單元包含在與所述加熱器的升降方向交叉的方向上噴出干燥用氣體的干燥用氣體噴嘴，所述基板處理裝置還包含噴出干燥控制單元，所述噴出干燥控制單元控制所述干燥用氣體噴出單元以及所述加熱器升降單元，從所述干燥用氣體噴嘴噴出干燥用氣體，并且通過使所述加熱器升降，來使干燥用氣體在所述外殼的外表面上的供給位置升降。
[0044]根據本結構，一面使來自干燥用氣體噴嘴的干燥用氣體被橫向噴出，一面使加熱器在與該噴出口相對的區域升降。因此，由于干燥用氣體被噴出到外殼的外表面的寬的區域(優選是整個區域)，所以能夠從外殼的外表面的寬的區域(優選是整個區域)除去清洗液。由此，能夠對外殼的外表面良好地干燥。
[0045]在本發明的一個實施方式中，所述基板處理裝置還包含加熱干燥控制單元，通過從所述紅外線燈對所述外殼照射紅外線，對附著在所述外表面上的清洗液進行加熱使其干燥。根據本結構，通過從紅外線燈照射紅外線而使外殼被加熱，使得附著在外殼外表面上的清洗液被除去。由此，能夠使外殼的外表面良好地干燥。
[0046]本發明還提供一種對加熱器進行清洗的加熱器清洗方法，所述加熱器在與基板主面相對的處理位置對該基板主面進行加熱。加熱器具有紅外線燈和收納該紅外線燈的外殼。所述加熱器清洗方法包含:加熱器配置工序，在與所述處理位置不同的清洗位置配置所述加熱器；清洗液供給工序，對位于所述清洗位置的所述加熱器的外表面供給清洗液。
[0047]在本發明的一個實施方式中，所述方法還包含:在所述清洗液供給工序結束后，除去附著在所述外殼的外表面的清洗液的干燥工序。
[0048]根據本方法，在基于清洗液的供給的加熱器清洗處理后，除去殘留在外殼外表面的清洗液。由此，能夠防止清洗液殘留在外殼的外表面，對基板處理帶來不好的影響。
[0049]在本發明的一個實施方式中，所述干燥工序還包含加熱干燥工序，所述加熱干燥工序是從所述紅外線燈對所述外殼照射紅外線，對所述外殼的外表面進行加熱使其干燥。
[0050]在本發明的一個實施方式中，所述干燥工序包含:加熱器升降工序，使所述加熱器升降；以及干燥用氣體噴出工序，從干燥用氣體噴嘴沿與所述加熱器的升降方向交叉的方向而向所述外殼的外表面噴出干燥用氣體。
[0051]本發明的上述、或者其他目的、特征以及效果通過參考附圖在下面論述的實施方式的說明能夠明確。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0052]圖1是表示執行本發明的一個實施方式的加熱器清洗方法的基板處理裝置的結構的示意圖。
[0053]圖2是所述基板處理裝置中具備的加熱器頭的圖解的剖視圖。
[0054]圖3是所述加熱器頭中具備的紅外線燈的立體圖。
[0055]圖4是表示圖1所示的基板處理裝置的電氣結構的框圖。
[0056]圖5是表示通過所述基板處理裝置進行抗蝕劑除去處理的處理例的工序圖。
[0057]圖6A是用于說明SPM液膜形成工序的圖解圖。
[0058]圖6B是用于說明SPM液膜加熱工序的圖解圖。
[0059]圖7是表示SPM液膜加熱工序中的加熱器頭的移動范圍的俯視圖。
[0060]圖8是表示加熱器頭清洗干燥工序的一例的流程圖。
[0061]圖9A是用于說明加熱器頭清洗干燥工序中的一個工序的圖解圖。
[0062]圖9B是表示圖9A的下一個工序的圖解圖。
[0063]圖10是表示加熱器頭清洗干燥工序中的加熱器頭的移動范圍的俯視圖。
[0064]圖11是表示本發明的另一實施方式的基板處理裝置的結構的示意圖。
[0065]圖12是表示圖11所示的基板處理裝置中具備的清洗艙的結構的圖。
[0066]圖13是表示圖11所示的基板處理裝置的電氣結構的框圖。
[0067]圖14是表示圖11的基板處理裝置中的加熱器頭清洗干燥工序的流程的流程圖。
[0068]圖15A是用于說明加熱器頭清洗干燥工序中的一個工序的圖解圖。
[0069]圖15B是表不圖15A的下一個工序的圖解圖。
[0070]圖15C是表示圖15B的下一個工序的圖解圖。
[0071]圖16是表示清洗艙(pod)的另一構成例的圖。
[0072]圖17是從圖16的剖面線A — A觀察的剖視圖。
[0073]圖18是表示清洗艙的另一個構成例的圖。
[0074]圖19是從剖面線B-B觀察的剖視圖。

【具體實施方式】
[0075]圖1是表示執行本發明的一個實施方式的加熱器清洗方法的基板處理裝置的結構的示意圖。基板處理裝置I是在例如作為基板的一例的晶片W的表面(主面)注入雜質的離子注入處理和干法刻蝕處理之后，用于從該晶片W的表面除去不需要的抗蝕劑的處理的枚葉式裝置。
[0076]基板處理裝置I具備通過隔壁2A劃分的處理室2。在處理室2的頂壁設有用于對處理室2內送入清潔空氣的風扇過濾器單元(未圖示)。清潔空氣是對設置有基板處理裝置I的凈化室內的空氣進行凈化而生成的空氣。
[0077]基板處理裝置I在處理室2內具備:晶片旋轉機構(基板保持單元)3 ;剝離液噴嘴(藥液供給單元)4;以及加熱器頭(加熱器)35。晶片旋轉機構3保持晶片W并使其旋轉。剝離液噴嘴4對在晶片旋轉機構3上保持的晶片W的表面(上表面)供給SPM液，所述SPM液是作為藥液的抗蝕劑剝離液的一例。加熱器頭35與保持于晶片旋轉機構3上的晶片W的表面相對配置，對晶片W的表面上的SPM液進行加熱。
[0078]晶片旋轉機構3可以采用例如夾持式的機構。具體講，晶片旋轉機構3例如具備:大致垂直延伸的旋轉軸7 ;大致水平地安裝到旋轉軸7的上端的圓板狀的旋轉基底8 ;在旋轉基底8的周緣部的多個位置大致等間隔設置的多個夾持部件9。而且，使各夾持部件9與晶片W的端面抵接，通過多個夾持部件9來夾持晶片W，由此，晶片W以大致水平姿態被保持，晶片W的中心被配置在旋轉軸7的中心軸線上。
[0079]旋轉力被從包含電動機(未圖示)的卡盤旋轉驅動機構6輸入到旋轉軸7中。通過該旋轉力的輸入，旋轉軸7旋轉，被夾持部件9夾持的晶片W以保持大致水平姿態的狀態，與旋轉基底8 —起圍繞規定的旋轉軸線(垂直軸線)C旋轉。卡盤旋轉驅動機構6具有與旋轉軸7 —體化的轉子(驅動軸)和配置在其周圍的定子，旋轉軸7可以具有在垂直方向上貫通的中空電動機的形態(參考圖11)。
[0080]旋轉軸7是中空軸，在旋轉軸7的內部插有分別在垂直方向上延伸的背面側液體供給管80和背面側氣體供給管81。背面側液體供給管80的上端部以及背面側氣體供給管81的上端部分別與設在旋轉軸7上端的背面噴嘴(下噴嘴)82連接。背面噴嘴82在其上端具有圓形的背面液體噴出口(第一噴出口)84和圓形的背面氣體噴出口(第二噴出口)85。背面液體噴出口 84和背面氣體噴出口 85相互接近配置。各噴出口 84、85與保持于晶片旋轉機構3上的晶片W的下表面的大致旋轉中心相對置。背面液體噴出口 84和背面氣體噴出口 85的上下方向的高度一致。
[0081]背面側液體供給管80上連接有清洗液下供給管86，所述清洗液下供給管86提供作為清洗液的一例的DIW(去離子水)。在清洗液下供給管86上安裝有用于開閉所述清洗液下供給管86的清洗液下閥87。
[0082]在背面側氣體供給管81上連接有提供作為干燥用氣體一例的氮氣的干燥用氣體下供給管88。干燥用氣體下供給管88上安裝有用于開閉所述干燥用氣體下供給管88的干燥用氣體下閥89。
[0083]剝離液噴嘴4是例如在連續流動的狀態下噴出SPM液的直線型噴嘴。剝離液噴嘴4以使該噴出口朝向下方的狀態，安裝在大致水平延伸的第一液臂11的前端。第一液臂11被設置成能夠圍繞沿垂直方向延伸的規定的擺動軸線旋轉。第一液臂11與第一液臂擺動機構12連接，所述第一液臂擺動機構12用于使第一液臂11在規定角度范圍內擺動。通過第一液臂11的擺動，剝離液噴嘴4在晶片W的旋轉軸線C上的位置(與晶片W的旋轉中心相對的位置)和設定在晶片旋轉機構3側面的初始位置之間移動。該初始位置是加熱器頭35從晶片W上方退出并等待時的等待位置。
[0084]剝離液噴嘴4上連接有剝離液供給管15，所述剝離液供給管15用于供給來自SPM供給源的SPM液。在剝離液供給管15的中途部安裝有剝離液噴嘴23，所述剝離液噴嘴23用于切換來自剝離液噴嘴4的SPM液的供給/供給停止。
[0085]此外，基板處理裝置I具備:DIW噴嘴24 ；SC1噴嘴25 ；以及杯5。DIff噴嘴24對保持于晶片旋轉機構3上的晶片W的表面供給作為清洗液的DIW(去離子水)。SCl噴嘴25對保持于晶片旋轉機構3上的晶片W的表面供給作為清洗用藥液的SCI (ammonia-hydrogenperoxide mixture:氨雙氧水混合液)。杯5包圍晶片旋轉機構3的周圍,擋住從晶片W流下或飛散的SPM液或SC1、DIW。
[0086]DIff噴嘴24是例如在連續流動的狀態下噴出DIW的直線型噴嘴，并且在晶片旋轉機構3的上方將其噴出口朝向晶片W的旋轉中心附近被固定地配置。DIW噴嘴24與供給來自DIW供給源的DIW的DIW供給管26連接。在DIW供給管26的中途部安裝有DIW噴嘴27，所述DIW噴嘴27用于切換來自DIW噴嘴24的DIW的供給/供給停止。
[0087]SCl噴嘴25是例如在連續流動的狀態下噴出SCl的直線型噴嘴。SCl噴嘴25在使其噴出口朝向下方的狀態下，被安裝在大致水平延伸的第二液臂28的前端。第二液臂28被設置成能夠圍繞沿垂直方向延伸的規定的擺動軸線旋轉。第二液臂28與用于使第二液臂28在規定角度范圍內擺動的第二液臂擺動機構29連接。通過第二液臂28的擺動，SCl噴嘴25在晶片W的旋轉軸線C上的位置(與晶片W的旋轉中心相對的位置)和設定于晶片旋轉機構3的側面的初始位置之間移動。
[0088]SCl噴嘴25與供給來自SCl供給源的SCl的SCl供給管30連接。在SCl供給管30的中途部安裝有用于切換來自SCl噴嘴25的SCl的供給/供給停止的SCl閥31。
[0089]晶片旋轉機構3的側面配置有沿垂直方向延伸的支撐軸33。支撐軸33的上端部與沿水平方向延伸的加熱器臂34連接。在該加熱器臂34的前端安裝有用于收納保持紅外線燈38的加熱器頭35。此外，擺動驅動機構36和升降驅動機構37在支撐軸33上結合，所述擺動驅動機構36用于使支撐軸33圍繞中心軸線旋轉，所述升降驅動機構37用于使支撐軸33沿中心軸線上下移動。
[0090]從擺動驅動機構36將驅動力輸入支撐軸33，使支撐軸33在規定的角度范圍內轉動，由此，在保持于晶片旋轉機構3上的晶片W上方，加熱器臂34以支撐軸33為支點擺動。通過加熱器臂34的擺動，加熱器頭35在晶片W的旋轉軸線C上的位置(與晶片W的旋轉中心相對的位置)與設定于晶片旋轉機構3的側面的初始位置之間移動。此外，從升降驅動機構37向支撐軸33輸入驅動力，使支撐軸33上下移動，由此，加熱器頭35在與保持于晶片旋轉機構3上的晶片W的表面接近的接近位置(圖1中兩點劃線所示的高度的位置。包含后述的接近中央位置和接近周緣位置)與退到所述晶片W上方的退避位置(圖1中實線所示高度的位置)之間升降。在本實施方式中，接近位置被設定為保持于晶片旋轉機構3上的晶片W的表面和加熱器頭35的下表面(相對面)52B之間的間隔例如是3_的位置。
[0091]在處理室2頂壁的下表面，在基于晶片旋轉機構3的旋轉軸線C的上方，清洗液上噴嘴(頂部噴嘴)94和干燥用氣體上噴嘴(頂部噴嘴)95橫向上相互鄰接配置。
[0092]清洗液上噴嘴94具有用于朝下呈淋浴狀噴出液體的噴出口。清洗液上噴嘴94與供給清洗液的清洗液上供給管90連接。清洗液上供給管90上安裝有用于開閉所述清洗液上供給管90的清洗液上閥91。
[0093]干燥用氣體上噴嘴95具有用于垂直向下噴出氣體的噴出口。干燥用氣體上噴嘴95與提供作為干燥用氣體的一例的氮氣的干燥用氣體上供給管92連接。干燥用氣體上供給管92安裝有用于開閉該干燥用氣體上供給管92的干燥用氣體上閥93。
[0094]圖2是表示加熱器頭35的構成例的圖解的剖視圖。
[0095]加熱器頭35具備:紅外線燈38;燈外殼(外殼)40 ;支撐部件42 ;以及蓋(夕卜殼)41，所述燈外殼(外殼)40是在上部具有開口部39并且收納紅外線燈38的有底容器狀的燈外殼，所述支撐部件42用于在燈外殼40內部懸掛支撐紅外線燈38，所述蓋41用于關閉燈外殼40的開口部39。在本實施方式中，蓋41被固定在加熱器臂34的前端。
[0096]圖3是表示紅外線燈38的構成例的立體圖。如圖2以及圖3所示，紅外線燈38是具有圓環狀的(圓弧狀的)圓環部43 ;以及從圓環部43的兩端沿圓環部43的中心軸線延伸的一對直線部44、45的一個紅外線燈加熱器。圓環部43主要作為射出紅外線的發光部起作用。在本實施方式中，圓環部43的直徑(外徑)被設定為例如大約60_。在紅外線燈38被支撐部件42支撐的狀態下，圓環部43呈水平姿態。換言之，圓環部43的中心軸線是與保持于晶片旋轉機構3上的晶片W的表面垂直的軸線(垂直軸線)。
[0097]紅外線燈38是將燈絲收納在石英管內的結構。紅外線燈38與用于提供電壓的放大器54(參考圖4)連接。能夠采用以鹵素燈或碳加熱器為代表的短、中、長波長的紅外線加熱器來作為紅外線燈38。
[0098]如圖2所示，蓋41呈圓板狀并且相對于加熱器臂34被固定為水平姿勢。蓋41是使用PTFE(聚四氟乙烯)等氟樹脂材料形成的。在本實施方式中，蓋41與加熱器臂34 —體形成。但是，也可以將蓋41與加熱器臂34分開形成。此外，除了 PTFE等樹脂材料之外，還能采用陶瓷或石英等材料來作為蓋41的材料。
[0099]在蓋41的下表面49上形成有大致圓筒狀的槽部51。槽部51具有由水平平坦面構成的上底面50，支撐部件42的上表面42A與上底面50接觸并被固定在上底面50上。蓋41形成有沿上下方向(垂直方向)貫通上底面50的插入孔58、59。紅外線燈38的直線部
44、45的各上端部插入各插入孔58,59。
[0100]燈外殼40呈有底圓筒容器狀。燈外殼40是使用石英形成。
[0101]燈外殼40在使其開口部39朝向上方的狀態下，被固定在蓋41的下表面49 (在本實施方式中，槽部51以外的區域的下表面)。從燈外殼40的開口側的周端緣起，圓環狀的凸緣40A向直徑方向外側(水平方向上)突出。凸緣40A被使用螺栓等固定單元(未圖示)而固定在蓋41的下表面49上，由此，燈外殼40被蓋41支撐。
[0102]在這種狀態下，燈外殼40的底板部52呈水平姿勢的圓板狀。底板部52的上表面52A和下表面52B (相對面)分別呈水平平坦面。在燈外殼40內，紅外線燈38的圓環部43的下部與底板部52的上表面52A接近且相對配置。圓環部43與底板部52相互平行設置。當改變觀察角度時，圓環部43的下部由燈外殼40的底板部52覆蓋。在本實施方式中，燈外殼40的外徑被設定為例如大約85mm。此外,紅外線燈38 (圓環部43的下部)和上表面52A之間的上下方向的間隔被設定為例如大約2mm。
[0103]支撐部件42呈厚的板狀(大致圓板狀)，通過螺栓56等從蓋41的下方以水平姿態安裝固定在蓋41上。支撐部件42是使用具有耐熱性的材料(例如陶瓷或石英)形成。支撐部件42具有在上下方向(垂直方向)上貫穿其上表面42A以及下表面42B的兩個插入孔46、47。紅外線燈38的直線部44、45分別插入插入孔46、47。
[0104]各直線部44、45的中途部外嵌固定有O形環48。在使直線部44、45插入到插入孔46、47的狀態下，分別與兩個O形環48的外周對應的插入孔46、47的內壁壓力接觸。由此，防止直線部44、45相對于各插入孔46、47脫落，紅外線燈38通過支撐部件42被懸掛支撐。
[0105]當從放大器54對紅外線燈38提供電力時，紅外線燈38射出紅外線，該紅外線通過燈外殼40向加熱器頭35的下方射出。通過燈外殼40的底板部52射出的紅外線對晶片W上的SPM液進行加熱。
[0106]更具體地講，在進行后述的抗蝕劑除去處理時，構成加熱器頭35的下端面的燈外殼40的底板部52與保持在晶片旋轉機構3上的晶片W的表面相對配置。在這種狀態下，經由燈外殼40的底板部52射出的紅外線對晶片W以及晶片W上的SPM液進行加熱。
[0107]此外，在蓋41內形成有供氣路徑60和排氣路徑61，所述供氣路徑60用于對燈外殼40內部提供空氣，所述排氣路徑61用于排出燈外殼40的內部的氣體。供氣路徑60和排氣路徑61分別具有在蓋41的下表面開口的供氣口 62和排氣口 63。供氣路徑60上連接有供氣配管64的一端。供氣配管64的另一端與空氣的供氣源連接。排氣路徑61上連接有排氣配管65的一端。排氣配管65的另一端與排氣源連接。
[0108]圖4是表示基板處理裝置I的電氣結構的框圖。基板處理裝置I具備包含微機的結構的控制裝置55。控制裝置55連接有如下的控制對象:卡盤旋轉驅動機構6、放大器54、擺動驅動機構36、升降驅動機構37、第一液臂擺動機構12、第二液臂擺動機構29、剝離液噴嘴23、DIW噴嘴27、SC1閥31、清洗液下閥87、干燥用氣體下閥89、清洗液上閥91、干燥用氣體上閥93等。
[0109]圖5是表示基板處理裝置I中的抗蝕劑除去處理的處理例的工序圖。圖6A是用于說明后述的SPM液膜形成工序的圖解圖。圖6B是用于說明后述的SPM液膜加熱工序的圖解圖。圖7是表示后述的SPM液膜加熱工序中的加熱器頭35的移動范圍的俯視圖。
[0110]下面,一面參考圖1?圖7 —面說明抗蝕劑除去處理的處理例。
[0111]在進行抗蝕劑除去處理時，通過由控制裝置55控制的搬運機器手(未圖示)，將離子注入處理后的晶片W搬入(步驟S1:晶片搬入)處理室2 (參考圖1)內。晶片W在使其表面朝向上方的狀態下被交給晶片旋轉機構3。此時，加熱器頭35、剝離液噴嘴4以及SCl噴嘴25分別被配置在初始位置，使得不妨礙晶片W的搬入。
[0112]當在晶片旋轉機構3上保持晶片W時，控制裝置55控制卡盤旋轉驅動機構6，使晶片W開始旋轉(步驟S2)。晶片W的旋轉速度上升到浸液速度(30?300rpm的范圍、例如60rpm)，此后，保持該浸液速度。浸液速度是能夠用之后供給的SPM液對晶片W進行覆蓋的速度，即能夠在晶片W的表面上保持SPM液的液膜的速度。此外，控制裝置55控制第一液臂擺動機構12，使剝離液噴嘴4移動到晶片W的上方位置。
[0113]在晶片W的旋轉速度達到浸液速度之后，如圖6A所示，控制裝置55打開剝離液噴嘴23，將SPM液從剝離液噴嘴4供給到晶片W的表面。供給到晶片W的表面上的SPM液在晶片W的表面上積存，在晶片W的表面上形成覆蓋其表面的全部區域的SPM液的液膜70 (步驟S3 =SPM液膜形成工序)。
[0114]如圖6A所示，在開始SPM液膜形成工序時，控制裝置55控制第一液臂擺動機構12，使剝離液噴嘴4配置在晶片W的旋轉中心上，從剝離液噴嘴4噴出SPM液。由此，能夠在晶片W的表面上形成SPM液的液膜70，使SPM液遍歷晶片W的表面的全部區域。由此，能夠用SPM液的液膜70覆蓋晶片W的表面的全部區域。
[0115]當從剝離液噴嘴4開始噴出SPM液時經過了預定的液膜形成期間后，控制裝置55控制卡盤旋轉驅動機構6，使晶片W的旋轉速度下降到比浸液速度小的規定的加熱處理速度。由此，執行步驟S4的SPM液膜加熱工序(加熱處理)。
[0116]加熱處理速度是即使不向晶片W供給SPM液，也能在晶片W表面上保持SPM液的液膜70的速度(I?20rpm的范圍，例如15rpm)。此外，如圖6B所示，控制裝置55與通過卡盤旋轉驅動機構6對晶片W的減速同步地關閉剝離液噴嘴23，停止從剝離液噴嘴4供給SPM液，并且控制第一液臂擺動機構12，將剝離液噴嘴4返回初始位置。雖然停止了向晶片W供給SPM液，但是，晶片W的旋轉速度下降到加熱處理速度，由此，SPM液的液膜70繼續被保持在晶片W的表面上。
[0117]此外，如圖6B以及圖7所示，控制裝置55控制放大器54，從紅外線燈38射出紅外線。進而，控制裝置55控制擺動驅動機構36以及升降驅動機構37，使加熱器頭35從初始位置移動，進而在與晶片W的旋轉中心相對的接近中央位置(圖6B以及圖7中實線所示的位置)和與晶片W的周緣部相對的接近周緣位置(圖6B以及圖7中兩點劃線所示的位置)之間往復移動。通過紅外線燈38照射紅外線，紅外線燈38正下方的晶片W以及SPM液急劇升溫，與晶片W之間的邊界附近的SPM液升溫。而且，與晶片W表面上的底板部52的下表面52B相對的區域(與紅外線燈38相對的區域)，在從包含晶片W的旋轉中心的區域至包含晶片W的周緣的區域的范圍內，一面描繪圓弧帶狀的軌跡一面往復移動。由此，就能對晶片W的表面的全部區域進行加熱。
[0118]通過來自紅外線燈38的紅外線的照射，紅外線燈38正下方的SPM液急劇升溫。因此，在晶片W的表面的周圍產生大量的SPM液霧。
[0119]另外，在從加熱器頭35的上方觀察加熱器頭35時，接近周緣位置是底板部52的下表面52B的一部分，優選是紅外線燈38的圓環部43從晶片W的外周沿直徑方向伸出的位置。
[0120]在步驟4的SPM液膜加熱工序中，SPM液的液膜70在與晶片W的表面的邊界附近升溫。在此期間，晶片W的表面上的抗蝕劑和SPM液的反應進展，從晶片W表面進行抗蝕劑的剝離。
[0121]此后，當晶片W的旋轉速度下降后經過了預定的液膜加熱處理時間時，控制裝置55控制放大器54，停止從紅外線燈38射出紅外線。此外，控制裝置55控制擺動驅動機構36以及升降驅動機構37，使加熱器頭35返回初始位置。在該SPM液膜加熱工序結束時，在加熱器頭35的燈外殼40的下表面52B上附著有大量的SPM液霧。
[0122]而且，控制裝置55控制卡盤旋轉驅動機構6，使晶片W的旋轉速度上升到規定的液處理旋轉速度(300?1500rpm的范圍、例如100rpm)。進而，控制裝置55打開DIW噴嘴27，從DIW噴嘴24的噴出口向晶片W的旋轉中心付近供給DIW(步驟S5:中間清洗處理工序)。供給到晶片W的表面的DIW受到因晶片W的旋轉而導致的離心力，在晶片W的表面上向晶片W的周緣流動。由此，附著在晶片W的表面上的SPM液被DIW沖走。
[0123]當DIW的供給持續了規定的中間清洗時間時，關閉DIW噴嘴27，停止向晶片W的表面供給DIW。
[0124]控制裝置55 —面將晶片W的旋轉速度保持在液處理旋轉速度，一面打開SCl閥31，從SCl噴嘴25將SCl供給到晶片W的表面(步驟S6)。此外，控制裝置55控制第二液臂擺動機構29，使第二液臂28在規定角度范圍內擺動，使SCl噴嘴25在晶片W的旋轉中心和周緣部之間往復移動。由此，來自SCl噴嘴25的SCl被引導到晶片W表面上的供給位置在從晶片W的旋轉中心到晶片W的周緣部的范圍內，一面描繪與晶片W的旋轉方向交叉的圓弧狀的軌跡一面往復移動。由此，對晶片W的表面的全部區域均勻地供給SCl，通過SCl的化學反應能力(化學特性)，就能除去附著在晶片W表面上的剩余的抗蝕劑以及顆粒等異物。
[0125]當SCl的供給持續了規定的SCl供給時間后，控制裝置55關閉SCl閥31，并且控制第二液臂擺動機構29，使SCl噴嘴25返回初始位置。此外，在晶片W的旋轉速度被保持在液處理旋轉速度的狀態下，控制裝置55打開DIW噴嘴27，從DIW噴嘴24的噴出口向晶片W的旋轉中心附近供給DIW(步驟S7:清洗處理工序)。供給到晶片W的表面的DIW受到因晶片W的旋轉而導致的離心力，在晶片W的表面上向晶片W的周緣流動。由此，附著在晶片W表面上的SCl被DIW沖走。
[0126]當DIW的供給持續了規定的清洗時間時，關閉DIW閥27，停止向晶片W的表面供給DIW。
[0127]當從清洗處理開始起經過了規定時間后，控制裝置55關閉DIW噴嘴27，停止向晶片W表面供給DIW。之后，控制裝置55控制卡盤旋轉驅動機構6，使晶片W的旋轉速度上升到規定的高旋轉速度(例如1500?2500rpm)，進行甩開附著在晶片W上的DIW使其干燥的旋轉干燥處理(步驟S8)。
[0128]當旋轉干燥處理進行了預定的旋轉干燥處理時間時，控制裝置55控制卡盤旋轉驅動機構6，停止晶片旋轉機構3的旋轉。由此，針對一張晶片W的抗蝕劑除去處理結束，通過搬運機器手從處理室2搬出處理完畢的晶片W(步驟S9)。
[0129]在搬出晶片W之后，執行對加熱器頭35進行清洗、對該清洗后的加熱器頭35進行干燥的加熱器頭清洗干燥工序(步驟S10)。在加熱器頭清洗干燥工序中，實施用于清洗加熱器頭35的清洗處理，對該清洗處理后的加熱器頭35實施干燥處理。步驟SlO的加熱器頭清洗干燥工序結束意味著針對一張晶片W的一系列抗蝕劑除去處理就結束。
[0130]圖8是用于說明加熱器頭清洗干燥工序的一例的流程圖。圖9A是用于說明加熱器頭清洗干燥工序中的清洗處理的圖解圖，圖9B是用于說明加熱器頭清洗干燥工序中的干燥處理的圖解圖。圖10是表示加熱器頭清洗干燥工序中的加熱器頭35的移動范圍的俯視圖。
[0131]在加熱器頭清洗干燥工序的清洗處理中，控制裝置55控制擺動驅動機構36使加熱器臂34擺動，并且控制升降驅動機構37使加熱器頭35升降，使加熱器頭35從初始位置移動到晶片旋轉機構3上方的加熱器清洗位置。此時，晶片W未被保持在晶片旋轉機構3上。因此，加熱器頭35與旋轉基底8的上表面相對配置(步驟S21。加熱器配置工序)。更詳細地講，被配置成加熱器頭35 (燈外殼40)的圓形的下表面52B位于加熱器清洗位置，所述加熱器清洗位置是基于晶片旋轉機構3的旋轉中心的上方(旋轉軸線C上)的位置。期望加熱器清洗位置是從背面液體噴出口 84噴出的清洗液到達加熱器頭35的下表面52B的高度位置。
[0132]此外，如圖9A所示，控制裝置55打開清洗液上閥91 (參考圖1等)，從清洗液上噴嘴94向下呈淋浴狀噴出清洗液(步驟S22。上清洗液噴出工序)。由此，從清洗液上噴嘴94流向下方的清洗液降落到配置于加熱器清洗位置的加熱器頭35上。即，著液到加熱器頭35的上表面(例如蓋41的上表面)。
[0133]此外，控制裝置55打開清洗液下閥87 (參考圖1等)，從背面噴嘴82的背面液體噴出口 84向垂直上方噴出清洗液(步驟S22。下清洗液噴出工序)。由此，清洗液從背面液體噴出口 84朝向垂直上方噴出。從背面液體噴出口 84噴出的清洗液著液到構成加熱器頭35的下表面的燈外殼40的底板部52的下表面52B。
[0134]此外，控制裝置55控制擺動驅動機構36使加熱器臂34擺動，使加熱器頭35在第一移動端位置和第二移動端位置之間往復移動。從第一移動端位置到第二移動端位置的范圍內的任意位置都是加熱器清洗位置。如圖10中實線所示，第一移動端位置被設定在旋轉基底8的中心和旋轉基底8的一個周緣部之間且在旋轉基底8的上方。如圖10中兩點劃線所示，第二移動端位置被設定在旋轉基底8的中心和旋轉基底8的另一個周緣部之間且在旋轉基底8的上方。更具體的是，第一移動端位置是燈外殼40的下表面52B的一個周緣部位于旋轉基底8的旋轉中心上(旋轉軸線C上)的位置。第二移動端位置是加熱器頭35的下表面52B的另一個周緣部(與前述的一個周緣部隔著下表面52B的中心位于相反側的周緣部)位于旋轉基底8的旋轉中心上(旋轉軸線C上)的位置。
[0135]首先，控制裝置55控制擺動驅動機構36使加熱器臂34擺動，由此，使加熱器頭35從旋轉基底8的中心移動到所述第一移動端位置(圖10中實線所示的位置)。然后，控制裝置55控制擺動驅動機構36，使加熱器臂34在規定角度范圍內擺動，使加熱器頭35在所述第一移動端位置和所述第二移動端位置(圖10中兩點劃線所示的位置)之間往復移動(步驟S23。著液位置移動工序)。
[0136]由此，在來自背面液體噴出口 84的清洗液被導入的下表面52B上，清洗液的著液位置是在從下表面52B的一個周緣部經過中心到另一個周緣部的范圍內，一面描繪與下表面52B的圓周方向交叉的圓弧狀的軌跡一面往復移動。由此，對燈外殼40的下表面52B的全部區域均勻地供給清洗液，通過該清洗液，附著在燈外殼40的下表面52B上的SPM液霧等異物被沖走。
[0137]此外，在來自背面液體噴出口 84的清洗液被導入的加熱器頭35的上表面(蓋41的上表面)上，清洗液的著液位置一面描繪圓弧狀的軌跡一面往復移動。供給到加熱器頭35的上表面的清洗液擴散到加熱器頭35的上表面全部區域，此外，擴散到加熱器頭35的側壁。
[0138]如上所述，清洗液遍歷加熱器頭35的外表面的全部區域，就能夠良好地清洗加熱器頭35的外表面的全部區域。
[0139]來自清洗液上噴嘴94以及背面液體噴出口 84的清洗液的噴出以及加熱器臂34的往復擺動持續進行到經過了預定的清洗處理時間為止。
[0140]當預定的清洗處理時間結束時(步驟S24中:是)，控制裝置55關閉清洗液上閥91和清洗液下閥87 (步驟S25)，停止從清洗液上噴嘴94以及背面液體噴出口 84噴出清洗液。
[0141]此外，如圖9B所示，控制裝置55打開干燥用氣體上閥93 (步驟S26)。由此，來自干燥用氣體上噴嘴95的干燥用氣體被噴出到配置于加熱器清洗位置的加熱器頭35的上表面。通過該干燥用氣體，附著在加熱器頭35上表面的清洗液被吹走。
[0142]此外，控制裝置55打開干燥用氣體下閥89 (步驟S26。下干燥用氣體噴出工序)。由此，來自背面噴嘴82的背面氣體噴出口 85的干燥用氣體被噴出到配置于加熱器清洗位置的加熱器頭35的燈外殼40的下表面52B。
[0143]此時，控制裝置55控制擺動驅動機構36使加熱器臂34擺動，使加熱器頭35在第一移動端位置和第二移動端位置之間往復移動。由此，來自背面氣體噴出口 85的干燥用氣體在下表面52B上的噴出位置在從下表面52B的一個周緣部經過中心到另一個周緣部的范圍內一面描繪與下表面52B的圓周方向交叉的圓弧狀的軌跡一面往復移動。
[0144]由此，對燈外殼40的下表面52B的全部區域均勻地供給干燥用氣體，通過該干燥用氣體，附著在燈外殼40下表面52B上的清洗液被吹走。
[0145]進而，控制裝置55控制放大器54，從紅外線燈38射出紅外線(步驟S26。加熱干燥工序)。由此，燈外殼40升溫，附著在燈外殼40的下表面52B或者外周上的清洗液蒸發而被除去。
[0146]來自干燥用氣體上噴嘴95以及背面噴嘴82的干燥用氣體的噴出以及來自紅外線燈38的紅外線的射出持續到經過了預定的干燥處理時間為止。
[0147]當預定的干燥處理時間結束時(步驟S27中:是)，控制裝置55關閉干燥用氣體上閥93和干燥用氣體下閥89 (步驟S28)，停止從干燥用氣體上噴嘴95和背面氣體噴出口85噴出干燥用氣體。
[0148]此外，控制裝置55控制擺動驅動機構36，使加熱器臂34擺動，使清洗處理后的加熱器頭35返回初始位置。
[0149]加熱器頭清洗干燥工序的結束意味著一系列的抗蝕劑除去處理結束。
[0150]如上所述，根據本實施方式，在對各晶片W進行的抗蝕劑除去處理中，執行用于對加熱器頭35進行清洗的清洗處理。在該清洗處理中，在與背面液體噴出口 84的上方相對置的加熱器清洗位置配置有加熱器頭35。此外，從背面液體噴出口 84朝向垂直上方噴出清洗液。來自背面液體噴出口 84的清洗液朝向垂直上方噴出，著液到配置于加熱器清洗位置的加熱器頭35的燈外殼40的下表面52B。
[0151]在SPM液膜加熱工序中產生的大量的SPM液霧有時會附著到燈外殼40的下表面52B。通過從背面液體噴出口 84供給到燈外殼40的下表面52B的清洗液，能夠沖走附著在燈外殼40的下表面52B上的SPM液霧，因此，能夠良好地清洗燈外殼40的下表面52B。由此，能夠將燈外殼40的下表面52B保持為清潔狀態。其結果，能夠防止排出到燈外殼40外的紅外線的照射光量的降低，并且能夠防止燈外殼40的下表面52B成為顆粒源。
[0152]此外，在加熱器頭35的清洗處理后，加熱器頭35的外表面被干燥。由此，能夠防止殘留在加熱器頭35的外表面的清洗液對晶片W的處理帶來壞的影響。
[0153]關于以上的實施方式，能夠進行下面的變形。
[0154]例如，在前述的實施方式中，在加熱器頭35的清洗處理中，從清洗液上噴嘴94以及背面液體噴出口 84這兩者對加熱器頭35供給清洗液。但是，在加熱器頭35的清洗處理中，不供給來自清洗液上噴嘴94的清洗液，而是對加熱器頭35僅供給來自背面液體噴出口84的清洗液，由此，也可以將加熱器頭35清洗干凈。此時，在加熱器頭35的干燥處理中，沒有必要用干燥用氣體上噴嘴95對加熱器頭35進行噴射。
[0155]此外，在前述的實施方式中，通過使加熱器頭35在水平方向上往復移動，從而使加熱器頭35的下表面52B上的清洗液的著液位置移動。但是，作為移動加熱器頭35的替代品，例如還能夠采用具有能夠變更液體的噴出方向的噴出口的噴嘴來作為背面噴嘴82。此時，通過使來自噴出口的清洗液的噴出方向不同，能夠使加熱器頭35的下表面52B的清洗液的著液位置移動。
[0156]進而，在前述的實施方式中說明了在加熱器頭35的干燥處理中，對附著在加熱器頭35上的清洗液進行從干燥用氣體上噴嘴95和背面噴嘴82噴出干燥用氣體的吹出干燥，以及通過紅外線燈38對燈外殼40加溫的加熱干燥這兩者的例子。但是，不通過干燥用氣體進行吹出干燥，僅通過紅外線燈38進行加熱干燥，也可以使加熱器頭35干燥。
[0157]此外，背面噴嘴82具有背面液體噴出口 84和背面氣體噴出口 85,但是作為它們的替代品，還能夠采用從一個噴出口有選擇的噴出清洗液和干燥氣體的噴嘴。
[0158]此外，可以與加熱器頭清洗干燥工序(圖5所示的步驟S10)同時進行加熱器臂34的清洗。加熱器臂34的清洗能夠使用從清洗液上噴嘴94噴出的清洗液來進行。此外，還能使用在處理室2內另外配置的條形噴嘴(未圖示)來清洗加熱器臂34。條形噴嘴是朝向垂直下方的多個噴出口沿水平方向排列成一列或者多列，例如，配置在處理室2內的上部區域。此時，在加熱器臂34 (以及加熱器頭35)與條形噴嘴的下方相對配置的狀態下，從條形噴嘴的各噴出口噴出清洗液。據此，清洗液落到加熱器臂34的外表面，加熱器臂34的外表面被清洗。
[0159]進而，可以與加熱器頭清洗干燥工序(圖5所示的步驟S10)同時進行處理室2內的清洗(腔室清洗)。
[0160]圖11是表示本發明的另一實施方式的基板處理裝置101的結構的示意圖。在圖11中，對于與前述的圖1所示的各部分對應的部分賦予相同的參考附圖標記，省略說明。
[0161]基板處理裝置101具備:晶片旋轉機構(基板保持單元)3，在處理室2內保持晶片W并使其旋轉；剝離液噴嘴(藥液供給單元)4，對保持于晶片旋轉機構3上的晶片W的表面(上表面)供給SPM液，所述SPM液是作為藥液的抗蝕劑剝離液的一例；加熱器頭(加熱器)35，與保持于晶片旋轉機構3上的晶片W的表面相對配置并且對晶片W的表面上的SPM液加熱；以及清洗艙(儲存容器)180。
[0162]清洗艙180被配置在加熱器頭35的初始位置。清洗艙180是有底的圓筒狀的容器，使加熱器頭35在不使用時以收納在清洗艙180內的狀態等待。
[0163]圖12是表示清洗艙180的結構的圖。清洗艙180是有底的圓筒狀的容器。清洗艙180的上表面被打開，在其上表面上形成有收入加熱器頭35的入口。加熱器頭35從該入口收納到清洗艙180內。清洗艙180包含圓筒狀的周壁181 ;以及與該周壁181的下端接合的底部182。
[0164]在底部182的大致中央部形成有排液口 183。在底部182的下表面，排液配管184的一端與排液口 183連接。排液配管184的另一端與用于處理排液的排液設備連接。排液配管184上安裝有用于開閉排液配管184的排液閥185。另外，排液閥185通常處于打開狀態。
[0165]在周壁181上配置有清洗液噴嘴(清洗液供給單元)186，所述清洗液噴嘴186用于對加熱器頭35的外表面供給作為清洗液一例的DIW。清洗液通過清洗液供給管(清洗液供給單元)187被供給到清洗液噴嘴186。在清洗液供給管187上安裝有清洗液閥(清洗液供給單元)188。通過打開清洗液閥188，清洗液被供給到清洗液噴嘴186，從清洗液噴嘴186的噴出口噴出清洗液。
[0166]當排液閥185處于被關閉的狀態下從清洗液噴嘴186噴出清洗液時，清洗液被引導至底部182，儲存在清洗艙180內。此外，儲存在清洗艙180內的清洗液通過打開排液閥185而從排液口 183排出，通過排液配管184被排出。
[0167]在比周壁181的上端緣稍靠下方的位置配置有干燥用氣體噴嘴(干燥用氣體噴出單元)189，所述干燥用氣體噴嘴189用于對加熱器頭35的外表面供給作為干燥用氣體一例的氮氣。在本實施方式中，具備多個(例如一對)干燥用氣體噴嘴189。一對干燥用氣體噴嘴189例如以它們的噴出口隔著清洗艙180的中心軸線相對置的方式以相同高度配置在周壁181上。
[0168]干燥用氣體通過干燥用氣體供給管(干燥用氣體噴出單元)190被供給到各干燥用氣體噴嘴189。在各干燥用氣體供給管190上安裝有干燥用氣體閥(干燥用氣體噴出單元)191。通過打開干燥用氣體閥191，將干燥用氣體供給到對應的干燥用氣體噴嘴189。從各干燥用氣體噴嘴189向清洗艙180內側大致水平地噴出干燥用氣體。
[0169]圖13是表示基板處理裝置101的電氣結構的框圖。在圖13中，對于前述的圖4所示的各部分的對應部分賦予相同的參考附圖標記。基板處理裝置101具備包含微機的結構的控制裝置55。控制裝置55上連接有作為控制對象的卡盤旋轉驅動機構6、放大器54、擺動驅動機構36、升降驅動機構37、第一液臂擺動機構12、第二液臂擺動機構29、剝離液噴嘴23、DIW噴嘴27、SCl閥31、排液閥185、清洗液閥188、干燥用氣體閥191等。
[0170]基板處理裝置101上的抗蝕劑除去處理的例子與前述的實施方式實質上相同。即，參考圖5、圖6A、圖6B以及圖7說明的抗蝕劑除去處理也能夠通過基板處理裝置101進行。但是，加熱器頭清洗干燥工序(圖5的步驟S10)的內容不同，所以在下面進行說明。
[0171]當加熱器頭35位于初始位置時，加熱器頭35被收納在清洗艙180內。S卩，通過控制裝置55驅動擺動驅動機構36，移動加熱器臂34使得加熱器頭35被配置在清洗艙180的上表面的垂直上方。進而，通過控制裝置55控制升降驅動機構37，加熱器臂34以及加熱器頭35向垂直下方下降，直到加熱器頭35到達初始位置為止。當加熱器頭35到達初始位置時，在該位置等待。在初始位置，加熱器頭35的至少整個燈外殼40 (優選是整個加熱器頭35)被收納在清洗艙180內。
[0172]在本實施方式中，加熱器頭35并不是在旋轉基底8的上方被清洗，而是在初始位置被清洗。因此，即使不是在搬出晶片W之后，即晶片W存在于旋轉基底8上時，只要是非使用狀態，就能對加熱器頭35進行清洗。即，不管抗蝕劑除去處理的進行狀況如何，都能對加熱器頭35進行清洗。因此，加熱器頭35的清洗時刻能夠是該使用時刻以外的任意時刻。具體講，例如可以在SPM液膜加熱工序(圖5所示的步驟S4)結束后，對返回初始位置的加熱器頭35實施清洗處理和干燥處理(圖5中兩點劃線所示的步驟S20:加熱器頭清洗干燥工序)。此外，如果是在SPM液膜加熱工序后，也可以在其他時刻執行加熱器頭清洗干燥工序。
[0173]圖14是表示加熱器頭清洗干燥工序的一例的流程圖。圖15A是用于說明加熱器頭清洗干燥工序中的清洗處理的圖解圖，圖15B以及圖15C是用于說明加熱器頭清洗干燥工序中的干燥處理的圖解圖。
[0174]當到達規定的清洗時刻時，控制裝置55關閉排液閥185，打開清洗液閥188 (步驟S31)。在排液閥185被關閉的狀態下，當從清洗液噴嘴186噴出清洗液時，如圖15A所示，清洗液在清洗艙180內被引導到底部182，儲存在清洗艙180內。來自清洗液噴嘴186的清洗液的噴出持續進行到儲存在清洗艙180內的處理液的液面高度到達預定的清洗高度為止。該清洗高度被設定在比位于初始位置的加熱器頭35的下表面52B更上方的位置。因此，當儲存在清洗艙180的清洗液的液面到達清洗高度時，燈外殼40的下部分的外表面(下表面52B以及燈外殼40的周壁的下部分的外周面)處于被清洗液沉浸的狀態。
[0175]當儲存在清洗艙180的清洗液的液面高度到達清洗高度時(步驟S32中:是)，控制裝置55關閉清洗液閥188 (步驟S33)。由此，停止從清洗液噴嘴186供給清洗液。例如，可以通過液面傳感器(未圖示)檢測清洗液的液面高度，控制裝置55根據來自該液面傳感器的檢測輸出來判斷液面是否到達了清洗高度。此外，從清洗液完全未儲存在清洗艙180內的狀態到清洗艙180內的液面高度達到清洗高度的積液時間被預先設定，可以在從打開清洗液閥188經過了上述積液時間的時刻，關閉清洗液閥188。
[0176]燈外殼40的下表面52B沉浸在清洗液中，由此，附著在燈外殼40的下表面52B上的SPM液霧等異物被沖走。之后，保持儲存在清洗艙180中的清洗液的量，由此，燈外殼40的下部分的外表面沉浸在清洗液的狀況被保持。
[0177]當從關閉清洗液閥188起經過了預定的清洗處理時間(沉浸時間)時(步驟S34中:是)，控制裝置55打開排液閥185 (步驟S35)。通過打開排液閥185，儲存在清洗艙180內的清洗液從排液口 183通過排液配管184被排出。由此，燈外殼40的下部分的外表面沉浸到清洗液中的狀況結束。
[0178]然后，執行圖15B以及圖15C所示的干燥處理。
[0179]在從清洗艙180內抽出清洗液之后，控制裝置55打開各干燥用氣體閥191(步驟S36)。由此，從各干燥用氣體噴嘴189的噴出口向清洗艙180的內側大致水平地噴出干燥用氣體。
[0180]此外，控制裝置55控制升降驅動機構37，使加熱器頭35上升。由此，使干燥用氣體噴嘴189的噴出口對向(正對，朝向)燈外殼40的周壁外周面。
[0181]之后，控制裝置55控制升降驅動機構37，使加熱器頭35在預定的上部位置(圖15B中實線所示的位置)和中間位置(圖15B中為兩點劃線，圖15C中為實線表示的位置)之間升降(步驟S37)。在加熱器頭35的上部位置，加熱器頭35的下表面52B位于干燥用氣體噴嘴189的噴出口的側面。因此，上部位置比初始位置高。加熱器頭35的中間位置被設定在上部位置和初始位置之間。在該中間位置，在加熱器頭35的外周面(燈外殼40的外周面)中，在所述清洗處理中被清洗液沉浸的部分位于比干燥用氣體噴嘴189的噴出口更下方的位置。
[0182]隨著加熱器頭35的升降，燈外殼40的周壁外周面的下部分的干燥用氣體的噴出位置(供給位置)也上下移動(升降)。因此，能夠將干燥用氣體噴到燈外殼40的周壁外周面的寬范圍內。由此，附著在燈外殼40的周壁外周面的下部分的清洗液被吹走而除去。
[0183]此外，如圖15B所不，當加熱器頭35位于上部位置時，從干燥用氣體噴嘴189噴出的干燥用氣體在燈外殼40的下表面52B的稍下方沿下表面52B流動。通過這樣流動的干燥用氣體，附著在下表面52B上的清洗液被吹走并被除去。從加熱器頭35飛散的清洗液被周壁181擋住。因此，能夠抑制或者防止清洗液的液滴飛散到清洗艙180外。
[0184]在加熱器頭35進行升降動作時，控制裝置55可以在使加熱器頭35上升到上部位置之后開始下降之前，暫時停止升降動作，控制升降驅動機構37以使得將加熱器頭35處于上部位置的狀態保持規定時間。此時，能夠從燈外殼40的下表面52B更有效地除去清洗液。
[0185]進而，控制裝置55與步驟S36中的來自干燥用氣體噴嘴189的干燥用氣體的噴出并行地控制放大器54，從紅外線燈38射出紅外線(步驟S38。加熱干燥工序)。由此，燈外殼40升溫，附著在燈外殼40的下部分的清洗液被蒸發除去。
[0186]從紅外線燈38開始射出紅外線起，到經過了預定的干燥處理時間為止，持續進行來自干燥用氣體噴嘴189的干燥用氣體的噴出，以及來自紅外線燈38的紅外線的射出。
[0187]當經過了干燥處理時間時(步驟S39中:是)，控制裝置55關閉各干燥用氣體閥191 (步驟S40)，停止從干燥用氣體噴嘴189噴出干燥用氣體。此外，控制裝置55控制放大器54，停止從紅外線燈38射出紅外線(步驟S40)。
[0188]此外，控制裝置55控制升降驅動機構37，使加熱器頭35下降，返回初始位置(步驟 S41)。
[0189]這樣，加熱器頭清洗干燥工序結束。
[0190]如上所述，根據本實施方式，在針對各晶片W的抗蝕劑除去處理中，執行用于清洗加熱器頭35的清洗處理。在執行該清洗處理時，加熱器頭35被配置在初始位置。此外，排液閥185被關閉，從清洗液噴嘴186供給清洗液，由此，清洗液儲存在清洗艙180中。燈外殼40的下部的外表面沉浸在儲存于清洗艙180中的清洗液中，由此，就能夠對包含下表面52B的燈外殼40的下部分的外表面進行清洗。
[0191]在SPM液膜加熱工序(圖5所示的步驟S4)中產生的大量的SPM液霧有時會附著在燈外殼40的下表面52B上。該SPM霧能夠通過供給到燈外殼40的下表面52B的清洗液沖走。由此，能夠良好地清洗燈外殼40的下表面52B，能夠將燈外殼40的下表面52B保持為清潔狀態。因此，能夠防止射到燈外殼40外的紅外線的照射光量的降低，并且能夠防止燈外殼40的下表面52B成為顆粒源。
[0192]此外，在進行了加熱器頭35的清洗處理之后，包含下表面52B的燈外殼40的下部分的外表面被干燥。由此，能夠防止清洗液殘留在燈外殼40的下部分的外表面、對晶片W的處理帶來不好的影響。
[0193]圖16是表示清洗艙(收納部件)的其他構成例的圖。圖17是從圖16的剖面線A-A觀察的剖視圖。圖16以及圖17所示的清洗艙280在圖11所示的結構中，代替清洗艙180被安裝使用。
[0194]在圖16等中，與圖12所不的各部分對應的部分用相同的參考附圖標記表不,省略說明。
[0195]在該清洗艙280中，在清洗艙280的圓板狀的底部282配置有多個(例如4個)清洗液噴嘴111。各清洗液噴嘴111具有用于向加熱器頭35的下表面52B噴出清洗液的清洗液噴出口 110。
[0196]如圖16以及圖17所示，各清洗液噴出口 110在底部282的周緣部上，沿圓周方向等間隔地被配置。各清洗液噴出口 110的噴出方向是相對于垂直方向傾斜規定角度(例如30°?60° )朝上并且朝向圓筒狀的清洗艙180的中心軸線方向的方向。清洗液通過清洗液供給管112被供給到各清洗液噴嘴111。在各清洗液供給管112上安裝有清洗液閥113。通過打開清洗液閥113，清洗液被供給到對應的清洗液噴嘴111，從清洗液噴嘴111的清洗液噴出口 110噴出清洗液。
[0197]在該清洗艙280中，執行與圖12等所示的清洗艙180中的清洗處理不同的清洗處理。另一方面，在該清洗艙280中，執行與圖12等所示的清洗艙180的干燥處理同樣的干燥處理。在清洗艙280中，加熱器頭35在比初始位置稍上方的清洗位置(圖16所示的位置)接受清洗處理。
[0198]當到達規定的清洗時刻時，通過控制裝置55控制升降驅動機構37，加熱器頭35被上升，進而被配置在清洗位置，所述清洗位置是被設定在比初始位置稍靠上方并且比中間位置(圖15C等所示的位置)更下方的位置。
[0199]此外，各清洗液閥113被打開，從各清洗液噴出口 110噴出清洗液。從各清洗液噴出口 110噴出的清洗液著液到加熱器頭35的下表面52B。在本實施方式中，從各清洗液噴出口 110噴出的清洗液在例如圓形的下表面52B上，著液到連接清洗液噴出口 110和下表面52B的中心的線段的中間位置。著液到下表面52B的清洗液沿下表面52B擴散到其周圍。之后，當從清洗液噴嘴111開始噴出清洗液起，到經過了預定的清洗處理時間時，關閉清洗液閥113。貫穿整個清洗處理的期間，排液閥185—直處于打開狀態。因此，被引導到底部282的清洗液不會儲存在底部282，而是通過排液配管184而排出到設備外。
[0200]通過本清洗艙280，利用供給到燈外殼40的下表面52B的清洗液，使附著在燈外殼40的下表面52B上的SPM液霧等異物被沖走。由此，能夠良好地清洗燈外殼40的下表面 52B。
[0201]此后,參考圖15B和圖15C執行前述的干燥處理。
[0202]圖18是另一個構成例的清洗艙(收納部件)380的圖。圖19是從圖18的剖面線B-B觀察的剖視圖。圖18以及圖19所示的清洗艙380是代替圖11所示結構中的清洗艙180被安裝使用。
[0203]在圖18等中，與圖12所不的各部分對應的部分以相同的參考附圖標記表不,省略說明。
[0204]在該清洗艙380中，在清洗艙380的圓板狀的底部382配置有多個(例如是5個。圖18中僅圖示3個)清洗液噴嘴201。各清洗液噴嘴201具有用于向加熱器頭35的下表面52B噴出清洗液的清洗液噴出口 200。此外，由于清洗液噴出口 200還配置在底部382的中央部，所以在底部382的周緣部配置有排液口 283。
[0205]多個清洗液噴出口 200具備I個中央噴出口 200A和多個(例如是4個)周緣噴出口 200B，所述I個中央噴出口 200A與位于初始位置的加熱器頭35的下表面52B的中心的下方相對置，所述多個周緣噴出口 200B與該下表面52B的周緣部的下方相對置。各周緣噴出口 200B在底部382的周緣部沿圓周方向等間隔配置。各清洗液噴出口 200A、200B的噴出方向是垂直上方。清洗液通過清洗液供給管202被供給到各清洗液噴嘴201。在清洗液供給管202上安裝有清洗液閥203。通過打開清洗液閥203，清洗液被供給到清洗液噴嘴201，從清洗液噴嘴201的清洗液噴出口 200(200A、200B)噴出清洗液。
[0206]在該清洗艙380中，執行與圖12等所示的清洗艙180中的清洗處理不同的清洗處理。另一方面，在該清洗艙380中，執行與圖12等所示的清洗艙180中的干燥處理同樣的干燥處理。在清洗艙380中，加熱器頭35與圖16等所示的清洗艙280的情況同樣地在清洗位置(圖18所示的位置)接受清洗處理。
[0207]在加熱器頭35被配置在清洗位置之后，清洗液閥203被打開，從各清洗液噴出口200(200A、200B)噴出清洗液。從各清洗液噴出口 200噴出的清洗液著液到加熱器頭35的下表面52B，沿下表面52B擴散到其周圍。之后，當從清洗液噴嘴201開始噴出清洗液起經過了預定的清洗處理時間后，關閉清洗液閥203。貫穿清洗處理的整個期間，排液閥185 —直處于打開狀態。因此，被引導到底部382的清洗液不會儲存在底部382，而是通過排液配管184排出到設備外。
[0208]這樣，通過供給到燈外殼40的下表面52B的清洗液，使附著在燈外殼40的下表面52B的SPM液霧等異物被沖走。由此，能夠良好地清洗燈外殼40的下表面52B。
[0209]此后,參考圖15B以及圖15C執行前述的干燥處理。
[0210]參考圖12?圖19說明的實施方式能夠進行以下變形。
[0211]在圖16的清洗艙280以及圖17的清洗艙380中，沒有必要在它們內部儲存清洗液。因此，可以采用從清洗艙280、380除去排液閥185的結構。
[0212]此外，干燥用氣體噴嘴189的個數不限于2個，也可以設置3個以上的干燥用氣體噴嘴189。此時，希望將多個干燥用氣體噴嘴189配置在相同的高度，此外，希望沿圓周方向等間隔配置。
[0213]此外，干燥用氣體噴嘴189的噴出方向可以不是水平，而是斜向下方向。
[0214]此外，干燥用氣體噴嘴189沒有必要設置在清洗艙的周壁181，可以配置在比清洗艙180、280、380的上表面更上方(即清洗艙外)。
[0215]此外，在前述實施方式中說明了以下例子，在加熱器頭35的干燥處理中，通過對來自干燥用氣體噴嘴189的干燥用氣體進行噴出吹散的吹出干燥和由紅外線燈38對燈外殼40進行加熱的加熱干燥這兩種方法，使燈外殼40的外表面干燥。但是，也可以不進行基于干燥用氣體的吹出干燥，僅通過紅外線燈38進行加熱干燥，來使燈外殼40的外表面干燥。
[0216]此外，在從處理室2搬出晶片W之后進行加熱器頭清洗干燥工序的情況下，可以與加熱器頭清洗干燥工序的執行一起進行加熱器臂34的清洗。加熱器臂34的清洗能夠使用例如在處理室2內另外配置的條形噴嘴(未圖示)來清洗加熱器臂34。就條形噴嘴而言，其朝向垂直下方的多個噴出口沿水平方向排列成一列或多列，配置在例如處理室2內的上部區域。這種情況下，在加熱器臂34與條形噴嘴的下方相對配置的狀態下，從條形噴嘴的各噴出口噴出清洗液。由此，清洗液落到加熱器臂34的外表面，加熱器臂34的外表面被清洗。
[0217]進而，可以在從處理室2搬出晶片W之后進行加熱器頭清洗干燥工序的情況下，與步驟SlO的加熱器頭清洗干燥工序的執行一起進行處理室2內的清洗(腔室清洗)。
[0218]此外，參考圖1?圖19說明的前述的兩個實施方式能夠進行下面的變形。
[0219]S卩，舉例說明了使用DIW作為用于清洗處理的清洗液的情況。但是，清洗液不限于DIW，還能采用氫氟酸水溶液、蘇打水、電解離子水、臭氧水等作為清洗液。進而,在使用氫氟酸水溶液等藥液作為清洗液的情況下，可以在將清洗液供給到加熱器頭35之后，實施用于使用DIW或蘇打水等從加熱器頭35沖走清洗液的清洗處理。
[0220]此外，雖然列舉出了氮氣作為干燥用氣體的一例，但是也能使用清潔空氣或其他惰性氣體作為干燥用氣體。
[0221 ] 此外，還能夠將上述實施方式應用于下述基板處理裝置中具備的加熱器的清洗方法，所述基板處理裝置使用磷酸等高溫的刻蝕液有選擇地對基板主面的氮化膜進行刻蝕。
[0222]雖然詳細說明了本發明的實施方式，但是這些只不過是為了明確本發明的技術方案而使用的具體例子，本發明不應被這些具體例子限定解釋，本發明僅由權利要求的范圍限定。
[0223]本申請與2012年3月23日向日本專利局提出的特愿2012 — 68082號以及特愿2012 - 68083號對應，這些申請的全部公開通過引用被加入本申請。
[0224]附圖標記說明
[0225]I基板處理裝置
[0226]2處理室
[0227]2A 隔壁
[0228]3晶片旋轉機
[0229]4剝離液噴嘴
[0230]5 杯
[0231]6卡盤旋轉驅動機構
[0232]7旋轉軸
[0233]8旋轉基底
[0234]9夾持部件
[0235]11第一液臂
[0236]12第一液臂擺動機構
[0237]15剝離液供給管
[0238]23剝離液閥
[0239]24剝離液噴嘴
[0240]25 SCl 噴嘴
[0241]26 DIW 供給管
[0242]27 DIff 閥
[0243]28第二液臂
[0244]29第二液臂擺動機構
[0245]30 SCl 供給管
[0246]31 SCl 閥
[0247]33支撐軸
[0248]34加熱器臂
[0249]35加熱器頭
[0250]36擺動驅動機構
[0251]37升降驅動機構
[0252]38紅外線燈
[0253]39 開口部
[0254]40燈外殼
[0255]40A 凸緣
[0256]41 蓋
[0257]42支撐部件
[0258]42A上表面
[0259]42B下表面
[0260]43圓環部
[0261]44,45 直線部
[0262]46、47 插入孔
[0263]48 O 形環
[0264]49下表面
[0265]50上底面
[0266]51 槽部
[0267]52底板部
[0268]52A上表面
[0269]52B下表面
[0270]54放大器
[0271]55控制裝置
[0272]56 螺栓
[0273]58、59 插入孔
[0274]60供氣路徑
[0275]61排氣路徑
[0276]62 供氣口
[0277]63 排氣口
[0278]64供氣配管
[0279]65排氣配管
[0280]70 液膜
[0281]80背面側液體供給管
[0282]81背面側氣體供給管
[0283]82背面噴嘴
[0284]84背面液體噴出口
[0285]85背面氣體噴出口
[0286]86清洗液下供給管
[0287]87清洗液下閥
[0288]88干燥用氣體下供給管
[0289]89干燥用氣體下閥
[0290]90清洗液上供給管
[0291]91清洗液上閥
[0292]92干燥用氣體上供給管
[0293]93干燥用氣體上閥
[0294]94清洗液上噴嘴
[0295]95干燥用氣體上噴嘴
[0296]101基板處理裝置
[0297]110清洗液噴出口
[0298]111清洗液噴嘴
[0299]112清洗液供給管
[0300]113清洗液閥
[0301]180、280、380 清洗艙
[0302]181 周壁
[0303]182 底部
[0304]183 排液口
[0305]184排液配管
[0306]185排液閥
[0307]186清洗液噴嘴
[0308]187清洗液供給管
[0309]188清洗液閥
[0310]189干燥用氣體噴嘴
[0311]190干燥用氣體供給管
[0312]191干燥用氣體閥
[0313]200清洗液噴出口
[0314]200A中央噴出口
[0315]200B周緣噴出口
[0316]201清洗液噴嘴
[0317]202清洗液供給管
[0318]203清洗液閥
[0319]282 底部
[0320]283 排液口
[0321]382 底部
[0322]A剖面線
[0323]B剖面線
[0324]C旋轉軸線
[0325]SI ?S10、S20 ?S29，S31 ?S41 步驟
[0326]W 晶片
【權利要求】
1.一種加熱器清洗方法，用于對加熱器進行清洗，所述加熱器具有紅外線燈和外殼，與由基板保持單元保持的基板的上表面相對配置來對該上表面加熱，其特征在于，包含以下步驟: 加熱器配置工序，在加熱器清洗位置，以與第一噴出口相對置的方式配置所述加熱器，所述加熱器清洗位置是具有所述第一噴出口的下噴嘴的上方的位置，所述第一噴出口與保持于所述基板保持單元的基板的下表面相對置并且向上方噴出液體；以及 下清洗液噴出工序，在所述基板保持單元未保持基板的狀態下，對所述下噴嘴供給清洗液，從所述第一噴出口向上方噴出清洗液，從而對配置在所述加熱器清洗位置的所述加熱器的所述外殼的外表面供給清洗液。
2.根據權利要求1所述的加熱器清洗方法，其特征在于，還包含: 上清洗液噴出工序，通過與所述下清洗液噴出工序并行地，從配置于所述第一噴出口上方的上噴嘴向下方噴出清洗液，對所述外殼的外表面供給清洗液。
3.根據權利要求1或2所述的加熱器清洗方法，其特征在于，還包含: 著液位置移動工序，與所述下清洗液噴出工序并行地，使從所述第一噴出口噴出的清洗液在所述外殼的外表面的著液位置移動。
4.根據權利要求1?3中任一項所述的加熱器清洗方法，其特征在于，還包含: 干燥工序，在所述下清洗液供給工序結束后，除去附著在所述外殼的外表面上的清洗液。
5.根據權利要求4所述的加熱器清洗方法，其特征在于， 所述干燥工序還包含加熱干燥工序， 在所述加熱干燥工序中，從所述紅外線燈對所述外殼照射紅外線，對所述外殼的外表面進行加熱而使其干燥。
6.根據權利要求4或5所述的加熱器清洗方法，其特征在于， 所述下噴嘴還具有用于向上方噴出氣體的第二噴出口， 所述干燥工序包含下干燥用氣體噴出工序， 在所述下干燥用氣體噴出工序中，通過對所述下噴嘴供給干燥用氣體，從所述第二噴出口向上方噴出干燥用氣體，來對配置在所述加熱器清洗位置的所述加熱器的所述外殼的外表面供給干燥用氣體。
7.一種基板處理裝置，其特征在于，包含: 加熱器，具有紅外線燈和收納所述紅外線燈的外殼，在與基板的主面相對置的處理位置對該基板的主面加熱；以及 清洗液供給單元，在所述加熱器位于與所述處理位置不同的清洗位置的狀態下，對所述外殼的外表面供給清洗液。
8.根據權利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述清洗位置，是所述加熱器從所述處理位置退出而等待時的等待位置。
9.根據權利要求7或8所述的基板處理裝置，其特征在于，還包含: 收納部件，收納所述加熱器，擋住從該加熱器飛散出的清洗液。
10.根據權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述收納部件包含有底容器狀的儲存容器，所述儲存容器在底部具有排出口并能夠儲存液體， 所述清洗液供給單元包含對所述儲存容器內供給清洗液的清洗液噴嘴。
11.根據權利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，還包含: 排液配管，與所述儲存容器的所述排出口連接，用于排出儲存在所述儲存容器中的液體； 排液閥，安裝在所述排液配管上，用于開閉所述排液配管。
12.根據權利要求7?9中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述清洗液供給單元具備清洗液噴嘴，所述清洗液噴嘴具有向所述外殼的外表面噴出清洗液的清洗液噴出口。
13.根據權利要求7?12中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，還包含: 干燥用氣體噴出單元，為了從所述外殼的外表面除去清洗液，向所述外殼的外表面噴出干燥用氣體。
14.根據權利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于， 還包含加熱器升降單元，該加熱器升降單元使所述加熱器升降， 所述干燥用氣體噴出單元包含干燥用氣體噴嘴，該干燥用氣體噴嘴在與所述加熱器的升降方向交叉的方向上噴出干燥用氣體， 所述基板處理裝置還包含噴出干燥控制單元，所述噴出干燥控制單元控制所述干燥用氣體噴出單元以及所述加熱器升降單元，從所述干燥用氣體噴嘴噴出干燥用氣體，并且通過使所述加熱器升降，來使干燥用氣體供給到所述外殼的外表面上的供給位置升降。
15.根據權利要求7?14中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，還包含: 加熱干燥控制單元，通過從所述紅外線燈對所述外殼照射紅外線，對附著在所述外表面上的清洗液進行加熱而使其干燥。
16.一種加熱器清洗方法，用于對加熱器進行清洗，所述加熱器具有紅外線燈和收納所述紅外線燈的外殼，并且在與基板的主面相對置的處理位置對該基板的主面進行加熱，其特征在于，包含以下工序: 加熱器配置工序，在與所述處理位置不同的清洗位置配置所述加熱器；以及 清洗液供給工序，對位于所述清洗位置的所述加熱器的外表面供給清洗液。
17.根據權利要求16所述的加熱器清洗方法，其特征在于，還包含: 干燥工序，在所述清洗液供給工序結束后，除去附著在所述外殼的外表面上的清洗液。
18.根據權利要求17所述的加熱器清洗方法，其特征在于， 所述干燥工序還包含加熱干燥工序， 在所述加熱干燥工序中，從所述紅外線燈對所述外殼照射紅外線，對所述外表面上附著的清洗液進行加熱而使其干燥。
19.根據權利要求17或18所述的加熱器清洗方法，其特征在于， 所述干燥工序包含: 加熱器升降工序，使所述加熱器升降；以及 干燥用氣體噴出工序，從干燥用氣體噴嘴沿與所述加熱器的升降方向交叉的方向而向所述外殼的外表面噴出干燥用氣體。
【文檔編號】H01L21/027GK104205305SQ201380015581
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2013年2月25日 優先權日:2012年3月23日
【發明者】村元僚 申請人:大日本網屏制造株式會社