高頻組件的制作方法
【專利摘要】本發明包括：MMIC(3)，該MMIC(3)具有信號源(4)、以及與信號源(4)相連接的導體圖案(33)；基板，該基板形成有信號線和GND，并安裝有MMIC(3)；信號用金屬凸點(21)，該信號用金屬凸點(21)形成于MMIC(3)和基板之間，用于連接MMIC(3)的導體圖案(33)和基板的信號線；以及多個屏蔽用金屬凸點(22)，該多個屏蔽用金屬凸點(22)以與信號用金屬凸點(21)一起包圍信號源(4)和導體圖案(33)的方式形成于MMIC(3)與基板之間，包含與信號用金屬凸點(21)的間隔在內的相互間的間隔在信號源(4)發出的電磁波的半波長以下。
【專利說明】高頻組件
【技術領域】
[0001]本發明涉及高頻組件。
【背景技術】
[0002]近年來，可采用如下結構:利用使用焊料凸點的BGA(Ball Grid Array:球柵陣列)將MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit:單片微波集成電路)、高頻組件基板等半導體裝置以倒裝芯片方式安裝到其他基板上。此外，有時也使用金凸點來代替焊料凸點。
[0003]以往，即使利用導電性粘接劑等將半導體裝置安裝到基板上，但在通過金屬覆層覆蓋來進行氣密密封的情況下、或者在即使金屬覆層未氣密密封但通氣孔較小的情況下，來自半導體裝置的高頻信號也不會泄漏至外部，因此EMI (Electro MagneticInterference:電磁干擾)特性沒有問題(參照專利文獻I)。
現有技術文獻專利文獻
[0004]專利文獻1:日本專利特開2010 - 153477號公報
【發明內容】
發明所要解決的技術問題
[0005]然而，在進行倒裝芯片安裝而未利用金屬覆層進行電磁屏蔽的情況下，來自半導體裝置的高頻信號會向外部泄漏，從而成為導致EMI特性惡化、系統上的噪聲增加的原因。
[0006]本發明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于得到一種不利用金屬覆層來覆蓋半導體裝置也能減少高頻信號向外部泄漏的高頻組件。
解決技術問題所采用的技術方案
[0007]為解決上述問題，達到目的，本發明的特征在于，包括:半導體裝置，該半導體裝置具有信號源、以及與信號源相連接的導體圖案；基板，該基板形成有信號線和接地，并安裝有半導體裝置；信號用金屬凸點，該信號用金屬凸點形成于半導體裝置與基板之間，用于連接半導體裝置的導體圖案與基板的信號線；以及多個屏蔽用金屬凸點，該多個屏蔽用金屬凸點以與信號用金屬凸點一起包圍信號源和導體圖案的方式形成于半導體裝置與基板之間，且包含與信號用金屬凸點的間隔在內的相互間的間隔在信號源發出的電磁波的半波長以下。
發明效果
[0008]根據本發明，獲得以下效果:即使不利用金屬覆層來覆蓋半導體裝置，也能減少高頻信號向外部泄漏。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1是表示本發明所涉及的高頻組件的實施方式的結構的側視圖。 圖2是表示實施方式所涉及的高頻組件的剖視圖。
【具體實施方式】
[0010]下面，基于附圖，對本發明所涉及的高頻組件的實施方式進行詳細說明。本發明并不由該實施方式所限定。
[0011]實施方式.圖1是表示本發明所涉及的高頻組件的實施方式的結構的側視圖。實施方式所涉及的高頻組件10是在形成有信號線和GND (接地)的基板I上通過金屬凸點2來安裝MMIC3而得到的結構。對于金屬凸點2的材料，可應用焊料或金。
[0012]圖2是實施方式所涉及的高頻組件10的剖視圖，示出沿圖1中的I1-1I線的剖面。MMIC3的下表面設置有布線用端子31和屏蔽用端子32。另外，在圖2中，將金屬凸點2劃分為信號用金屬凸點21和屏蔽用金屬凸點22來進行圖示。信號用金屬凸點21是將導體圖案33與形成于基板I的信號線相連接的凸點。屏蔽用金屬凸點22是用于對從信號源4、導體圖案33泄漏出的電磁波進行屏蔽的凸點。
[0013]布線用端子31包括信號端子31a和接地端子31b。信號端子31a經由導體圖案33與信號源4 (例如FET =Field Effect Transistor:場效應晶體管)相連接，并連接至基板I的信號線。接地端子31b與基板I的GND相連接，并配置為夾住配置于MMIC3的邊緣部的信號端子31a。由此，在麗IC3的邊緣部，成為形成了所謂的GSG連接的狀態，從而電磁波難以發生泄漏。
[0014]此外，屏蔽用端子32與基板I的GND相連接。
[0015]對于布線用端子31和屏蔽用端子32，將端子間隔設為從信號源4發出的電磁波的波長的一半以下，并以包圍導體圖案33的周圍的方式進行配置。
[0016]在信號端子31a配置有信號用金屬凸點21,信號端子31a經由信號用金屬凸點21與基板I側的信號線相連接。在接地端子31b配置有屏蔽用金屬凸點22，接地端子31b經由屏蔽用金屬凸點22與基板I側的GND相連接。在屏蔽用端子32配置有屏蔽用金屬凸點22，屏蔽用端子32經由屏蔽用金屬凸點22與基板I側的GND相連接。
[0017]在上述結構中，金屬凸點2以從信號源4發出的電磁波的波長的一半以下的間隔來包圍導體圖案33，因此，金屬凸點2起到電磁屏蔽的作用。因此，能夠防止從信號源4發出的電磁波泄漏至由金屬凸點2包圍的區域的外部。由此，能夠抑制EMI特性的惡化、噪聲的增加。另外，若使布線用端子31和屏蔽用端子32的各端子間隔變窄，則屏蔽性變高。
[0018]本實施方式中，由于抑制了與相鄰其他的麗IC之間的耦合，因此，能夠防止噪聲形成環路而振蕩。例如，在麗IC3的前級串聯連接其他麗IC的情況下，若麗IC3的輸出與其他的MMIC的輸入相疊加，則噪聲會形成環路。然而，在本實施方式中，由于能夠防止來自MMIC3的電磁波的泄漏，因此，能夠抑制這種問題的產生。因此，能夠提高高頻組件10制造時的成品率。
[0019]在上述實施方式中，對于布線用端子31，以如下結構作為示例，S卩:以夾住信號端子31a的方式來配置接地端子31b，但并不一定要采用這種結構。此外，在上述實施方式中，以屏蔽用端子32與基板I的GND相連接的結構作為示例，但也可以采用屏蔽用端子32與基板I的信號線相連接的結構。此外，也可以采用屏蔽用端子32的一部分與基板I的GND相連接，剩余的一部分與基板I的信號線相連接的結構。另外，屏蔽用端子32與基板I的GND相連接的情況下，電磁屏蔽性較高。
工業上的實用性
[0020]如上所述，本發明所涉及的高頻組件，在下述方面是有用的，S卩:即使在未氣密密封的狀態下也能抑制電磁波的泄漏，特別適用于與靠近配置的其他高頻組件串聯連接來處理信號的情況。
標號說明
[0021]I基板、2金屬凸點、3 MMIC、4信號源、10高頻組件、21信號用金屬凸點、22屏蔽用金屬凸點、31布線用端子、31a信號端子、31b接地端子、32屏蔽用端子、33導體圖案。
【權利要求】
1.一種高頻組件，其特征在于，包括: 半導體裝置，該半導體裝置具有信號源、以及與該信號源相連接的導體圖案； 基板，該基板形成有信號線和接地，并安裝有所述半導體裝置； 信號用金屬凸點，該信號用金屬凸點形成于所述半導體裝置與所述基板之間，用于將所述半導體裝置的所述導體圖案與所述基板的所述信號線相連接；以及 多個屏蔽用金屬凸點，該多個屏蔽用金屬凸點以與所述信號用金屬凸點一起包圍所述信號源和所述導體圖案的方式形成于所述半導體裝置與所述基板之間，包含與所述信號用金屬凸點的間隔在內的相互間的間隔在所述信號源發出的電磁波的半波長以下。
2.如權利要求1所述的高頻組件，其特征在于， 所述多個屏蔽用金屬凸點與所述基板的所述接地相連接。
【文檔編號】H01L23/02GK104206043SQ201380013002
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2013年2月28日 優先權日:2012年3月7日
【發明者】八十岡興祐 申請人:三菱電機株式會社