半導體裝置及其制造方法

半導體裝置及其制造方法
【專利摘要】本發明涉及半導體裝置及其制造方法，將多組功率單元在預定方向上排列配置，且將該多組功率單元一體地進行樹脂封裝，所述功率單元中，多個半導體元件隔開預定的間隙而載置在金屬板上，所述半導體裝置中，在制造時填充的樹脂流通的流路上的比預定位置靠樹脂的流通方向下游側的位置配置妨礙樹脂向流通方向下游側的流通的結構體，其中，所述流路位于在預定方向上彼此相鄰配置的2個功率單元之間，所述預定位置是與隔開預定的間隙而載置的2個半導體元件中的位于接近樹脂的流入口的一側的近方半導體元件的該流入口側的相反側的端部對應的位置。
【專利說明】半導體裝置及其制造方法

【技術領域】
[0001] 本發明涉及半導體裝置及其制造方法，尤其是涉及將多組功率單元在預定方向上 排列配置，且將該多組功率單元一體地進行樹脂封裝的方面適宜的半導體裝置及其制造方 法，所述功率單元中，多個半導體元件隔開預定的間隙而載置在金屬板上。

【背景技術】
[0002] 以往，已知有具備在金屬板上將2種半導體元件隔開預定的間隙載置的功率單 元的半導體裝置（例如，參照專利文獻1)。在該半導體裝置中，功率單元具有功率晶體管 (IGBT)和與該功率晶體管并聯連接的續流二極管作為2種半導體元件。在該功率單元中， 在金屬板上沿第一方向排列配置的功率晶體管和續流二極管由樹脂一體地封裝。
[0003] 另外，在上述的半導體裝置中，功率單元設置多組，且隔開預定的間隙排列配置， 具體而言，在與功率晶體管和續流二極管排列的第一方向正交的第二方向上排列，這多組 功率單元被一體地進行樹脂封裝。
[0004] 在先技術文獻
[0005] 專利文獻
[0006] 專利文獻1 :日本特開2010-258315號公報


【發明內容】

[0007] 發明要解決的課題
[0008] 然而，在上述的半導體裝置的制造階段（模制成形時），若從多組沿第二方向排列 配置的功率單元的一端側（具體而言，在功率單元上連接信號線的一側）朝向另一端側注 入樹脂，則該樹脂在彼此沿第二方向相鄰的2個功率單元之間及功率單元與相對于該功率 單元而存在于第二方向側的模具之間流通后，在沿第一方向排列的功率晶體管與續流二極 管之間的間隙流通。這種情況下，當樹脂在各功率單元的功率晶體管與續流二極管之間的 間隙處合流時，在該部位發生樹脂空隙或樹脂剝離的可能性升高。尤其是在半導體元件的 兩面側分別設有散熱體的結構中，上述的樹脂合流部位處的抽氣困難，因此上述的樹脂空 隙或樹脂剝離容易發生。
[0009] 本發明鑒于上述方面而作出，目的在于提供一種在模制成形時不易發生各功率單 元的多個半導體元件間的樹脂合流，由此能夠抑制樹脂空隙的發生的半導體裝置及其制造 方法。
[0010] 用于解決課題的方案
[0011] 上述的目的通過如下半導體裝置實現，其將多組功率單元在預定方向上排列配 置，且將該多組所述功率單元一體地進行樹脂封裝，所述功率單元中，多個半導體元件隔開 預定的間隙而載置在金屬板上，其中，在制造時填充的樹脂流通的流路上的比預定位置靠 所述樹脂的流通方向下游側的位置配置妨礙所述樹脂向流通方向下游側的流通的結構體， 其中，所述流路位于在所述預定方向上彼此相鄰配置的2個所述功率單元之間，所述預定 位置是與隔開所述預定的間隙而載置的2個所述半導體元件中的位于接近所述樹脂的流 入口的一側的近方半導體元件的該流入口側的相反側的端部對應的位置。
[0012] 另外，上述的目的通過如下半導體裝置實現，其將多組功率單元在預定方向上排 列配置，且將該多組所述功率單元一體地進行樹脂封裝，所述功率單元中，多個半導體元件 隔開預定的間隙而載置在金屬板上，其中，以制造時填充的樹脂流入的流入口側的端部包 含在所述樹脂流通的流路上的與所述預定的間隙對應的位置范圍內的方式配置有結構體， 所述流路位于在所述預定方向上彼此相鄰配置的2個所述功率單元之間。
[0013] 另外，上述的目的通過如下半導體裝置的制造方法實現，所述半導體裝置中，將多 組功率單元在預定方向上排列配置，且將該多組所述功率單元一體地進行樹脂封裝，所述 功率單元中，多個半導體元件隔開預定的間隙而載置在金屬板上，所述半導體裝置的制造 方法中，在制造時填充的樹脂流通的流路上的比預定位置靠所述樹脂的流通方向下游側的 位置配置妨礙所述樹脂向流通方向下游側的流通的結構體后，填充所述樹脂，所述流路位 于在所述預定方向上彼此相鄰配置的2個所述功率單元之間，所述預定位置是與隔開所述 預定的間隙而載置的2個所述半導體元件中的位于接近所述樹脂的流入口的一側的近方 半導體元件的該流入口側的相反側的端部對應的位置。
[0014] 此外，上述的目的通過如下半導體裝置的制造方法實現，所述半導體裝置中，將多 組功率單元在預定方向上排列配置，且將該多組所述功率單元一體地進行樹脂封裝，所述 功率單元中，多個半導體元件隔開預定的間隙而載置在金屬板上，所述半導體裝置的制造 方法中，以制造時填充的樹脂流入的流入口側的端部包含在所述樹脂流通的流路上的與所 述預定的間隙對應的位置范圍內的方式配置結構體后，填充所述樹脂，所述流路位于在所 述預定方向上彼此相鄰配置的2個所述功率單元之間。
[0015] 發明效果
[0016] 根據本發明，在模制成形時能夠使各功率單元的多個半導體元件間的樹脂合流不 易發生，由此能夠抑制樹脂空隙的發生。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017] 圖1是本發明的一實施例的半導體裝置的外觀圖。
[0018] 圖2是本實施例的半導體裝置的電路結構圖。
[0019] 圖3是圖1所示的半導體裝置的分解圖。
[0020] 圖4是本實施例的半導體裝置的圖1所示的A-A剖視圖。
[0021] 圖5是表示本實施例的半導體裝置中的半導體元件與結構體的位置關系的俯視 圖。
[0022] 圖6是用于說明本實施例的半導體裝置產生的效果的圖。
[0023] 圖7是表示本發明的一變形例的半導體裝置中的半導體元件與結構體的位置關 系的圖。
[0024] 圖8是本發明的一變形例的半導體裝置的結構圖。
[0025] 圖9是本發明的一變形例的半導體裝置的結構圖。
[0026] 圖10是本發明的一變形例的半導體裝置的結構圖。
[0027] 圖11是本發明的一變形例的半導體裝置的結構圖。
[0028] 圖12是本發明的一變形例的半導體裝置的結構圖。

【具體實施方式】
[0029] 以下，使用附圖，說明本發明的半導體裝置及其制造方法的具體的實施方式。
[0030] 圖1示出本發明的一實施例的半導體裝置10的結構圖。圖2示出本實施例的半 導體裝置10的電路結構圖。圖3示出圖1所示的半導體裝置10的分解圖。圖4示出本實 施例的半導體裝置10的圖1所示的A-A剖視圖。而且，圖5示出表示本實施例的半導體裝 置10中的半導體元件與結構體的位置關系的俯視圖。需要說明的是，在圖5中，示出填充 封裝樹脂之前的狀態。
[0031] 本實施例的半導體裝置10是搭載于例如混合動力機動車或電動機動車等，且在 進行電力轉換的逆變器等馬達控制裝置等中使用的功率半導體模塊。半導體裝置10具 有一體化有上下臂的模制結構，且具有在上表面及下表面這兩面上進行冷卻的兩面冷卻結 構。
[0032] 半導體裝置10具備：與高電位側電源V+連接的構成上臂的上臂功率單元12 ;與 低電位側電源V-連接的構成下臂的下臂功率單元14。上臂功率單元12具有種類不同的2 個半導體元件16、18。而且，下臂功率單元14具有種類不同的2個半導體元件20、22。半 導體元件16?22分別由形成為薄壁的矩形形狀的半導體芯片構成。
[0033] 半導體元件16、20分別是在電力轉換時進行開關動作的絕緣柵極型雙極晶體管 (Insulated Gate Bipolar Transistor ;IGBT)等功率半導體開關元件，而且，半導體元件 18、22分別是在半導體元件16、20的切斷時為了使電流續流所需的續流二極管。以下，將半 導體元件16、20稱為半導體開關元件16、20,而且，將半導體元件18、22稱為二極管18、22。
[0034] 在半導體裝置10中，二極管18相對于半導體開關元件16被進行并聯連接，并且 二極管22相對于半導體開關元件20被進行并聯連接。半導體開關元件16和半導體開關 元件20在高電位側電源V+與低電位側電源V-之間被進行串聯連接，并且二極管18和二 極管22在高電位側電源V+與低電位側電源V-之間被進行串聯連接。上臂功率單元12具 有一個半導體開關元件16和一個二極管18作為2個半導體元件16、18。而且，下臂功率單 元14具有一個半導體開關元件20和一個二極管22作為2個半導體元件20、22。
[0035] 半導體開關元件16、20分別具有集電極電極、發射極電極、柵極電極。在各半導體 開關元件16、20中，集電極電極形成在半導體芯片的一方的面上，而且，發射極電極及柵極 電極形成在半導體芯片的另一方的面上。而且，在各二極管18、22中，陰極電極形成在半導 體芯片的一方的面上，而且，陽極電極形成在半導體芯片的另一方的面上。
[0036] 上臂功率單元12具有在半導體開關元件16及二極管18的兩面側設置的引線框 架24、26。引線框架24、26分別是形成為平面狀的金屬板，且相互對置。上臂功率單元12 的半導體開關元件16及二極管18載置在引線框架24、26(具體而言，其壓料墊（die pad) 部）上，并以夾持在2個引線框架24、26之間的方式配置。引線框架24、26的壓料墊部具 有比作為各半導體元件16、18的半導體芯片的大小（面積）大的面積。半導體開關元件16 和二極管18在引線框架24、26上相互沿第一方向X隔開預定的間隙S1而排列載置。
[0037] 半導體開關元件16的一方的面及二極管18的一方的面以與引線框架24對置的 方式面對。而且，半導體開關元件16的另一方的面及二極管18的另一方的面以與引線框 架26對置的方式面對。引線框架24、26例如是由銅或鎳、鋁等金屬構成的導電體。需要說 明的是，引線框架24、26可以是其表面被實施了銀或金等的鍍敷處理的結構。
[0038] 半導體開關元件16的一方的面及二極管18的一方的面經由接合材料28而接合 固定于引線框架24。接合材料28例如是由錫等構成的焊料，具有導電性。半導體開關元件 16的集電極電極及二極管18的陰極電極與引線框架24電連接。以下，將引線框架24稱為 集電極側引線框架24。
[0039] 而且，半導體開關元件16的另一方的面及二極管18的另一方的面經由接合材料 30、導電體塊32及接合材料34而接合固定于引線框架26。接合材料30、34例如是由錫等 構成的焊料，且具有導電性。而且，導電性塊32例如是由銅等金屬構成的導電體，沿層疊方 向（厚度方向）Z具有厚度。半導體開關元件16的發射極電極及二極管18的陽極電極與 引線框架26電連接。以下，將引線框架26稱為發射極側引線框架26。
[0040] 下臂功率單元14具有在半導體開關元件20及二極管22的兩面側設置的引線框 架36、38。引線框架36、38分別是形成為平面狀的金屬板，且相互對置。下臂功率單元14 的半導體開關元件20及二極管22載置在引線框架36、38 (具體而言，其壓料墊部）上，且 夾持在2個引線框架36、38之間。引線框架36、38的壓料墊部具有比作為各半導體元件 20、22的半導體芯片的大小（面積）大的面積。半導體開關元件20和二極管22在引線框 架36、38上相互沿第一方向X隔開預定的間隙S2而排列載置。
[0041] 需要說明的是，上述的上臂功率單元12中的預定的間隙S1的大小（半導體元件 16、18排列的方向上的長度si)與上述的下臂功率單元14中的預定的間隙S2的大小（半 導體元件20、22排列的方向上的長度s2)彼此大致相同。
[0042] 半導體開關元件20的一方的面及二極管22的一方的面以與引線框架36對置的 方式面對。而且，半導體開關元件20的另一方的面及二極管22的另一方的面以與引線框 架38對置的方式面對。引線框架36、38例如是由銅或鎳、鋁等金屬構成的導電體。需要說 明的是，引線框架36、38可以是其表面被實施了銀或金等的鍍敷處理的結構，而且，可以通 過與引線框架24、26同種類的金屬形成，此外，也可以在與引線框架24、26 -體形成之后切 斷。
[0043] 半導體開關元件20的一方的面及二極管22的一方的面經由接合材料40而接合 固定于引線框架36。接合材料40例如是由錫等構成的焊料，且具有導電性。半導體開關元 件20的集電極電極及二極管22的陰極電極與引線框架36電連接。以下，將引線框架36 稱為集電極側引線框架36。
[0044] 而且，半導體開關元件20的另一方的面及二極管22的另一方的面經由接合材料 42、導電體塊44、及接合材料46而接合固定于引線框架38。接合材料42、46例如是由錫等 構成的焊料，且具有導電性。而且，導電性塊44例如是由銅等金屬構成的導電體，沿層疊方 向（厚度方向）Z具有厚度。半導體開關元件20的發射極電極及二極管22的陽極電極與 引線框架38電連接。以下，將引線框架38稱為發射極側引線框架38。
[0045] 在半導體裝置10中，上臂功率單元12及下臂功率單元14以上臂功率單元12的 集電極側引線框架24與下臂功率單元14的集電極側引線框架36在第二方向Y上隔著間 隙S3對置、且上臂功率單元12的發射極側引線框架26與下臂功率單元14的發射極側引 線框架38在第二方向Y上隔著間隙S3對置的方式成形。關于這一點，上臂功率單元12的 集電極側引線框架24的上表面和下臂功率單元14的集電極側引線框架36的上表面處于 同一高度位置，且上臂功率單元12的發射極側引線框架26的下表面與下臂功率單元14的 發射極側引線框架38的下表面處于同一高度位置。
[0046] 在上臂功率單元12的集電極側引線框架24設有與高電位側電源V+連接的高電 位側連接端子50,經由高電位側連接端子50被施加高電位側電源V+的電壓。而且，在下 臂功率單元14的發射極側引線框架38設有與低電位側電源V-連接的低電位側連接端子 52,經由低電位側連接端子52被施加低電位側電源V-的電壓。在下臂功率單元14的集電 極側引線框架36設有與負載等連接的輸出端子54。
[0047] 上臂功率單元12的半導體開關元件16的柵極電極經由信號線而與控制端子56 連接。下臂功率單元14的半導體開關元件20的柵極電極經由信號線而與控制端子58連 接。這些信號線例如是由鋁或銅等構成的接合線。控制端子56、58設置在上臂功率單元12 及下臂功率單元14的與設有高電位側連接端子50、低電位側連接端子52及輸出端子54的 一側相反的一側的端部。
[0048] 在控制端子56、58連接有以微型計算機為主體構成的電子控制單元（E⑶）。從EOT 經由控制端子56、58及信號線供給的控制信號分別向半導體開關元件16、20的柵極電極供 給。需要說明的是，控制端子56、58的大小可以小于能得到大電流的高電位側連接端子50、 低電位側連接端子52及輸出端子54的大小。
[0049] 在上臂功率單元12中，半導體元件16、18夾持在相互沿層疊方向Z對置的2個引 線框架24、26之間。而且，在下臂功率單元14中，半導體元件20、22夾持在相互沿層疊方 向Z對置的2個引線框架36、38之間。即，上臂功率單元12及下臂功率單元14分別沿層 疊方向Z具有預定的厚度，各支路功率單元12、14的層疊方向Z的厚度彼此大致相同。
[0050] 上臂功率單元12和下臂功率單元14在第二方向Y上排列配置。具體而言，在上 臂功率單元12中，半導體開關元件16與二極管18在引線框架24、26上沿第一方向X隔開 預定的間隙S1地排列，且在下臂功率單元14中，半導體開關元件20與二極管22在引線框 架36、38上沿該第一方向X隔開預定的間隙S2地排列的情況下，在與該第一方向X及厚度 方向Z正交的第二方向Y上排列配置。
[0051] 需要說明的是，上臂功率單元12和下臂功率單元14以半導體開關元件16、20彼 此沿第二方向Y對置且二極管18、22彼此沿第二方向Y對置的方式配置，并以在兩者之間 形成預定的間隙S3 (該間隙S3的第二方向Y上的長度為s3)的方式配置。而且，上臂功率 單元12中的半導體元件16、18間的沿第一方向X隔開的間隙S1與下臂功率單元14中的 半導體元件20、22間的沿第一方向X隔開的間隙S2在功率單元12、14彼此排列的第二方 向Y上彼此對置。
[0052] 上臂功率單元12的發射極側引線框架26與下臂功率單元14的集電極側引線框 架36經由接頭部60而連接。接頭部60設于上臂功率單元12與下臂功率單元14的在第 二方向Y上的間隙S3 (具體而言，其一部分）。接頭部60包括：與上臂功率單元12的發射 極側引線框架26連接的發射極片62 ;與下臂功率單元14的集電極側引線框架36連接的 集電極片64 ;將發射極片62與集電極片64接合的接合材料66。
[0053] 發射極片62及集電極片64分別是例如由銅或鎳、鋁等金屬構成的導電體。發射 極片62具有從上臂功率單元12的發射極側引線框架26的端部朝向下臂功率單元14的集 電極側引線框架36的端部側而逐級傾斜延伸的截面結構。而且，集電極片64具有從下臂 功率單元14的集電極側引線框架36的端部朝向上臂功率單元12的集電極側引線框架24 的端部側而水平延伸的截面結構。需要說明的是，發射極片62或集電極片64可以與發射 極側引線框架26或集電極側引線框架36 -體形成。接合材料66例如是由錫等構成的焊 料，且具有導電性。
[0054] 半導體裝置10具有將上述的沿第二方向Y排列配置的上臂功率單元12和下臂功 率單元14 一體地進行了樹脂封裝的模制結構。半導體裝置10具備將上臂功率單元12和 下臂功率單元14 一體地進行樹脂封裝的樹脂部70。
[0055] 樹脂部70例如由環氧樹脂等構成，在熔化的狀態下向收容有上臂功率單元12及 下臂功率單元14的模具內流入，由此進行上述的樹脂封裝。熔化的樹脂部70的向模具內 的流入從2個功率單元12、14的設有控制端子56、58的一側（即，設有將控制端子56、58 與半導體開關元件16、20的柵極電極連接的接合線的一側）的第二方向Y上的大致中央附 近朝向上述的第一方向X進行。
[0056] 需要說明的是，上述的樹脂部70進行的樹脂封裝對于高電位側連接端子50、低電 位側連接端子52、輸出端子54及控制端子56、58分別以各包含一部分的方式進行。因此， 高電位側連接端子50、低電位側連接端子52、輸出端子54及控制端子56、58的各一部分分 別從半導體裝置10的主體側（由樹脂部70包圍的側）突出而向外部露出。
[0057] 另外，上述的基于樹脂部70的樹脂封裝以引線框架24、26、36、38的與半導體元件 16?22接合的接合面的相反側的面分別向外部露出的方式進行。因此，引線框架24、26、 36、38的與半導體元件16?22接合的接合面的相反側的面分別向外部露出。在引線框架 24、26、36、38的與半導體元件16?22接合的接合面的相反側的面上分別相鄰地安裝有散 熱片。因此，上臂功率單元12及下臂功率單元14分別在上下兩面進行冷卻。
[0058] 圖6示出用于說明本實施例的半導體裝置10的效果的圖。需要說明的是，圖6㈧ 示出表示本實施例的半導體裝置10的模制成形時的樹脂的流動的圖。而且，圖6(B)示出 表示與本實施例的半導體裝置10對比的對比半導體裝置80的模制成形時的樹脂的流動的 圖。
[0059] 在本實施例的半導體裝置10中，上臂功率單元12及下臂功率單元14分別沿層疊 方向Z具有預定的厚度，半導體元件16、18夾持在2個引線框架24、26之間，并且半導體元 件20、22夾持在2個引線框架36、38之間。而且，上臂功率單元12和下臂功率單元14在 半導體開關元件16與二極管18沿第一方向X隔開預定的間隙S1地排列且半導體開關元 件20與二極管22沿第一方向X隔開預定的間隙S2地排列的狀態下，在第二方向Y上隔開 預定的間隙S3并排列配置。
[0060] 在本實施例中，樹脂部70的模制成形通過在半導體裝置10的主體側包含于模具 內之后，從功率單元12、14的設有控制端子56、58的一側向該模具內注入熔化的樹脂來進 行。當進行上述樹脂的注入時，作為模具內的樹脂的流動，存在有在上臂功率單元12與下 臂功率單元14之間的間隙S3內流動的樹脂的流動M、在上臂功率單元12的外側（S卩，上臂 功率單元12與模具的間隙）或下臂功率單元14的外側（即，下臂功率單元14與模具的內 壁的間隙）流動的樹脂的流動N。
[0061] 另外，基于上述的流動Μ的樹脂的一部分及基于上述的流動N的樹脂的一部分到 達功率單元12、14的設有高電位側連接端子50、低電位側連接端子52、或輸出端子54的一 側的端部處存在的模具，但另一部分在各功率單元12、14的半導體開關元件16、20與二極 管18、22之間的間隙SI、S2流通。
[0062] 這種情況下，如圖6(B)所示，在上臂功率單元12與下臂功率單元14的間隙S3不 存在任何結構物的對比半導體裝置80的結構中，從半導體裝置10或模具的樹脂流入口注 入的樹脂在該間隙S3中，從功率單元12、14的設有控制端子56、58的一側朝向設有高電位 側連接端子50、低電位側連接端子52或輸出端子54的一側沿第一方向X無阻礙地流通，因 此基于流動Μ的樹脂難以流入在各功率單元12、14分別形成的上述的間隙SI、S2。因此， 在上述對比半導體裝置80的結構中，基于流動Μ的樹脂的一部分與基于流動Ν的樹脂的一 部分在上述的間隙S1、S2(圖6(B)中的由虛線包圍的區域）內容易合流，作為其結果，樹脂 空隙或樹脂剝離發生的可能性升高。
[0063] 相對于此，在本實施例的半導體裝置10中，如上述那樣，在上臂功率單元12與下 臂功率單元14的間隙S3設有將兩功率單元12、14連接的接頭部60。
[0064] 該接頭部60與上臂功率單元12及下臂功率單元14 一起由樹脂一體封裝。接頭 部60具有將上臂功率單元12的發射極側引線框架26與下臂功率單元14的集電極側引線 框架36連接的作為連接部的作用，并且在半導體裝置10的制造時，作為在兩功率單元12、 14間的樹脂流通的流路上（具體而言，半導體元件16、18與半導體元件20、22分離的區域） 形成的結構體，而具有阻礙從半導體裝置10或模具的樹脂流入口流入間隙S3的樹脂向設 有高電位側連接端子50、低電位側連接端子52或輸出端子54的一側流通的作用。
[0065] 如圖5及圖6(A)所示，上述的接頭部60以其端部（具體而言，在制造時或成形時 作為樹脂部70而填充的樹脂流入的、設有控制端子56、58的樹脂流入口側的端部）在沿第 二方向Y排列配置的上臂功率單元12與下臂功率單元14之間的流路上的間隙S3內，位于 比如下的位置靠樹脂流入口側的相反側（即，樹脂的流通方向下游側；在圖5中由斜線表示 的區域）的方式配置，該位置是隔著間隙S1載置的2個半導體元件16、18中的樹脂流入口 側的半導體元件16的與樹脂流入口側相反的一側的端部所對應的位置、及隔著間隙S2載 置的2個半導體元件20、22中的樹脂流入口側的半導體元件20的與樹脂流入口側相反的 一側的端部所對應的位置。
[0066] 需要說明的是，如圖7所示，上述的接頭部60更優選以其端部（具體而言，在制造 時或成形時作為樹脂部70而填充的樹脂流入的、設有控制端子56、58的樹脂流入口側的端 部）在2個功率單元12、14之間的間隙S3內，包含于半導體元件16、18間的間隙S1及半 導體元件20、22間的間隙S2所對應的位置范圍（在圖7中由斜線表示的區域）內的方式 配置。而且，這種情況下，接頭部60的端部在該位置范圍內越位于更下游側的部位（二極 管18、22側）越優選。
[0067] 另外，在上臂功率單元12與下臂功率單元14之間的流路上的間隙S3內，從樹脂 流入口側到接頭部60的上述端部未設置任何結構體。這種情況下，從模具的樹脂流入口流 入的樹脂在到達間隙S3內的接頭部60之前不會產生沿第一方向X流動的樹脂的阻擋，在 到達該接頭部60才初次產生該樹脂的阻擋。
[0068] 接頭部60的配置如上述那樣進行時，從半導體裝置10或模具的樹脂流入口流入 到間隙S3內的樹脂的一部分由接頭部60的樹脂流入口側的端部阻擋，因此樹脂在該間隙 S3內，朝向設有高電位側連接端子50、低電位側連接端子52或輸出端子54的一側難以流 通，而容易流入半導體元件16、18間的間隙S1及半導體元件20、22間的間隙S2。
[0069] 另外，上述的接頭部60在上臂功率單元12與下臂功率單元14的間隙S3內將兩 功率單元12、14連接。具體而言，在間隙S3內，將上臂功率單元12的發射極側引線框架26 與下臂功率單元14的集電極側引線框架36連接。這種情況下，接頭部60在間隙S3內，以 包含上臂功率單元12的發射極側引線框架26的下表面（需要說明的是，下臂功率單元14 的發射極側引線框架38的下表面也相同）與下臂功率單元14的集電極側引線框架36的 上表面（需要說明的是，上臂功率單元12的集電極側引線框架24的上表面也相同）之間 的區域所對應的位置范圍的方式配置。
[0070] 根據上述的接頭部60的配置，在樹脂由于受到接頭部60的樹脂流入口側的端部 阻擋引起而流入上述的間隙SI、S2時，容易流入功率單元12、14的引線框架24、36的上表 面與引線框架26、38的下表面之間的空間。
[0071] 因此，在本實施例的半導體裝置10的結構中，與上述的對比半導體裝置80的結構 相比，流通間隙S3的樹脂向間隙SI、S2流入的流通速度比較大，該樹脂流入間隙SI、S2之 后通過該間隙SI、S2而到達功率單元12、14的第二方向Y的外側（與模具的內壁的間隙； 圖6(A)中由虛線包圍的區域）為止的時間比較短。
[0072] 另外，在本實施例的半導體裝置10中，上臂功率單元12具有的2個半導體元件 16、18中的、位于距制造時填充的樹脂流入的樹脂流入口遠的一側的二極管18以從位于接 近該樹脂流入口的一側的半導體開關元件16的間隙S3側的端部向該間隙S3側凸出的方 式突出配置。而且同樣，下臂功率單元14具有的2個半導體元件20、22中的、位于距制造 時填充的樹脂流入的樹脂流入口遠的一側的二極管22以從位于接近該樹脂流入口的一側 的半導體開關元件20的間隙S3側的端部向該間隙S3側凸出的方式突出配置。
[0073] SP，位于距各功率單元12、14的樹脂流入口遠的一側的二極管18、22均相對于位 于距樹脂流入口近的一側的半導體開關元件16、20,在上述的功率單元12、14分離的第二 方向Y上向兩二極管18、22相互接近的一側突出配置。這種情況下，二極管18、22均在2 個功率單元12、14之間的流路上的間隙S3內，作為妨礙從樹脂流入口流入的樹脂進一步向 第一方向X的下游側流通的結構體發揮功能。
[0074] 在上述的結構中，上臂功率單元12的半導體開關元件16與下臂功率單元14的半 導體開關元件20的在第二方向Y上的第一分離距離L1、上臂功率單元12的二極管18與下 臂功率單元14的二極管22的在第二方向Y上的第二分離距離L2相互不同。具體而言，位 于距樹脂流入口遠的一側的二極管18、22彼此的第二分離距離L2比位于距樹脂流入口近 的一側的半導體開關16、20彼此的第一分離距離L1小。
[0075] 在上臂功率單元12中，半導體開關元件16的第二方向Y上的寬度尺寸與二極管 18的第二方向Y上的寬度尺寸彼此大致相同的情況下，半導體開關元件16的第二方向Y上 的中心位置與二極管18的第二方向Y上的中心位置相互在第二方向Y上偏離。
[0076] 具體而言，在引線框架24、26上，在樹脂注入時位于樹脂流動的方向的下游側的 二極管18與位于上游側的半導體開關元件16相比，靠近間隙S3側配置，該二極管18的第 二方向Y側（更具體而言，該第二方向Y上的間隙S3側）的端部位于比該半導體開關元件 16的第二方向Y側（更具體而言，該第二方向Y上的間隙S3側）的端部靠間隙S3側的位 置。
[0077] 另外，在下臂功率單元14中，半導體開關元件20的第二方向Y上的寬度尺寸與二 極管22的第二方向Υ上的寬度尺寸彼此大致相同的情況下，半導體開關元件20的第二方 向Υ上的中心位置與二極管22的第二方向Υ上的中心位置相互沿第二方向Υ偏離。
[0078] 具體而言，在引線框架36、38上，在樹脂注入時位于樹脂流動的方向的下游側的 二極管22與位于上游側的半導體開關元件20相比，靠近間隙S3側配置，該二極管22的第 二方向Υ側（更具體而言，該第二方向Υ上的間隙S3側）的端部位于比該半導體開關元件 20的第二方向Υ側（更具體而言，該第二方向Υ上的間隙S3側）的端部靠間隙S3側的位 置。
[0079] 在上述半導體裝置10的結構中，從半導體裝置10或模具的樹脂流入口注入的樹 脂流動的流路寬度在上游側（具體而言，在第二方向Υ上與半導體開關元件16、20面對的 部位）變寬且在下游側（具體而言，在第二方向Υ上與二極管18、22面對的部位）變窄，因 此從樹脂流入口注入的樹脂在流通兩功率單元12、14之間（即，間隙S3)的過程中通過了 半導體開關元件16、20之后，該樹脂的一部分由二極管18、22的第一方向X側的端部（圖 5的上端）阻擋。
[0080] 因此，在本實施例的結構中，與未由二極管18、22的第一方向X側的端部（圖5的 上端）阻擋的結構的情況相比，向兩功率單元12、14之間的間隙S3流入的樹脂在該間隙S3 內，向設有高電位側連接端子50、低電位側連接端子52、或輸出端子54的一側難以流通，而 容易流入半導體元件16、18間的間隙S1及半導體元件20、22間的間隙S2,因此樹脂向間隙 SI、S2流入的流通速度比較大，該樹脂向間隙SI、S2流入而通過該間隙SI、S2到達功率單 元12、14的第二方向Υ的外側（與模具的內壁的間隙；圖6(A)中由虛線包圍的區域）為止 的時間比較短。
[0081] 因此，根據半導體裝置10,在該半導體裝置10的制造時，熔化的樹脂從功率單元 12、14的設有控制端子56、58的一側的大致中央附近向模具內流入的情況下，在上述的間 隙S3中流動的基于流動Μ的樹脂的一部分向上述的間隙SI、S2流入以后與基于上述的流 動Ν的樹脂進行合流的合流位置不是該間隙S1、S2內的位置，而能夠形成為脫離該間隙S1、 S2的功率單元12、14的第二方向Y的外側的位置。
[0082] 這樣，根據本實施例的半導體裝置10,在基于樹脂的模制成形時，能夠使上臂功率 單元12的2個半導體元件16、18之間的間隙S1及下臂功率單元14的2個半導體元件20、 22之間的間隙S2內的樹脂合流難以產生。因此，能夠抑制半導體裝置10的樹脂空隙的發 生或樹脂剝離的發生。
[0083] 需要說明的是，在上述的實施例中，引線框架24、26、36、38相當于權利要求書的 范圍記載的"金屬板"，半導體元件16?22相當于權利要求書的范圍記載的"半導體元件"， 間隙S1、S2相當于權利要求書的范圍記載的"預定的間隙"，第二方向Y相當于權利要求書 的范圍記載的"預定方向"，上臂功率單元12及下臂功率單元14相當于權利要求書的范圍 記載的"功率單元"，半導體開關元件16、20相當于權利要求書的范圍記載的"近方半導體 元件"，二極管18、22相當于權利要求書的范圍記載的"遠方半導體元件"，接頭部60及二極 管18、22相當于權利要求書的范圍記載的"結構體"，引線框架26、38相當于權利要求書的 范圍記載的"引線框架"及"上表面側引線框架"，引線框架24、36相當于權利要求書的范圍 記載的"引線框架"及"下表面側引線框架"，第一分離距離L1相當于權利要求書的范圍記 載的"第一分離距離"，第二分離距離L2相當于權利要求書的范圍記載的"第二分離距離"。 [0084] 然而，在上述的實施例中，將上臂功率單元12與下臂功率單元14連接的接頭部60 如圖4所示，以從上臂功率單元12的發射極側引線框架26的端部朝向下臂功率單元14的 集電極側引線框架36的端部側逐級傾斜延伸的方式形成，但也可以如圖8所示，以比間隙 S3的層疊方向Y的厚度增大的方式形成將上臂功率單元12與下臂功率單元14連接的接頭 部100。需要說明的是，圖8(A)示出表示本變形例的半導體裝置中的半導體元件與結構體 的位置關系的圖，而且，圖8(B)示出本變形例的半導體裝置的圖8(A)所示的III-III剖視 圖。
[0085] 在該變形例中，接頭部100包括：與上臂功率單元12的發射極側引線框架26連 接的發射極片102 ;與下臂功率單元14的集電極側引線框架36連接的集電極片104 ;由例 如銅等金屬構成的導電體且沿層疊方向（厚度方向）Z具有厚度的導電性塊106 ;將發射極 片102與導電性塊106接合的接合材料108 ;將導電性塊106與集電極片104接合的接合 材料110。根據上述變形例的接頭部100的結構，在兩功率單元12、14之間的流路上的間隙 S3內能夠確保作為阻擋樹脂的結構體的層疊方向Z的厚度，因此容易進行該樹脂的阻擋， 能夠促進從間隙S3向間隙SI、S2的樹脂的流入。
[0086] 另外，在上述的實施例中，在兩功率單元12、14的間的間隙S3內作為將樹脂阻擋 的結構體，使用將上臂功率單元12的發射極側引線框架26與下臂功率單元14的集電極側 引線框架36連接的接頭部60,但本發明沒有限定于此，作為該結構體，可以使用下臂功率 單元14的發射極側引線框架38或與該發射極側引線框架38連接的低電位側連接端子52。 在該變形例中，如圖9所示，與發射極側引線框架38連接的發射極片120和低電位側連接 端子52可以由接合材料122接合。需要說明的是，圖9(A)示出表示本變形例的半導體裝 置的半導體元件與結構體的位置關系的圖，而且，圖9(B)示出本變形例的半導體裝置的圖 9(A)所示的IV-IV剖視圖。
[0087] 另外，在上述的實施例中，在各功率單元12、14的引線框架24、26、36、38上，在樹 脂流入口側配置半導體開關元件16、20,且在相反側配置二極管18、22,但也可以在樹脂流 入口側配置二極管18、22,且在相反側配置半導體開關元件16、20。
[0088] 在該變形例的結構中，位于距各功率單元12、14的樹脂流入口遠的一側的半導體 開關元件16、20均相對于位于距樹脂流入口近的一側的二極管18、22,在上述的功率單元 12、14分離的第二方向Y上以兩半導體開關元件16、20向相互接近的一側突出配置。即，位 于距樹脂流入口遠的一側的半導體開關16、20彼此的分離距離比位于距樹脂流入口近的 一側的二極管18、22彼此的分離距離小。而且，在引線框架24、26上，半導體開關元件16 比二極管18靠近間隙S3側配置，并且在引線框架36、38上，半導體開關元件20比二極管 22靠近間隙S3側配置。
[0089] 另外，在上述的實施例中，在兩功率單元12、14間的間隙S3內將樹脂阻擋之后， (1)將兩功率單元12、14連接的接頭部60以其樹脂流入口側的端部位于比該間隙S3內位 于上游側的半導體開關元件16、20的下游側的端部所對應的位置靠樹脂的流通方向下游 側的方式，更優選在該間隙S3內以包含在半導體元件16、18間的間隙S1及半導體元件20、 22間的間隙S2所對應的位置范圍內的方式配置，且（2)將位于距各功率單元12、14的樹脂 流入口遠的一側的二極管18、22 -起相對于位于距樹脂流入口近的一側的半導體開關元 件16、20,在上述的功率單元12、14分離的第二方向Y上向兩二極管18、22相互接近的一側 突出配置，但只要上述（1)及（2)中的任一個以上成立即可。
[0090] 另外，在上述的實施例中，上臂功率單元12具有2個半導體元件16、18且下臂功 率單元14具有2個半導體元件20、22,但各功率單元12、14可以分別具有3個以上的半導 體元件。
[0091] 例如圖10所示，各功率單元12、14可以具有各3個半導體元件200、202、204。上 述的半導體元件200、202、204在功率單元12、14上沿第一方向乂隔開間隙地排列配置。需 要說明的是，這3個半導體元件200、202、204可以是全部種類不同的結構，但也可以由種類 相同的2個半導體元件和與這2個半導體元件的種類不同的1個半導體元件構成。例如， 可以由2個半導體開關元件和1個二極管構成，反之，也可以由1個半導體開關元件和2個 二極管構成。
[0092] 在上述變形例中，只要是各功率單元12、14的3個半導體元件200、202、204中，位 于距制造時填充的樹脂流入的樹脂流入口遠的一側的半導體元件204以從位于距該樹脂 流入口近的一側的半導體元件200、202的間隙S3側的端部向該間隙S3側凸出的方式突出 配置，而且，樹脂流入口側的2個半導體元件200、202中的位于距樹脂流入口更遠的一側的 半導體元件202從位于距該樹脂流入口近的一側的半導體開關元件200的間隙S3側的端 部向該間隙S3側凸出的方式突出配置即可。
[0093] S卩，位于距功率單元12、14的樹脂流入口最遠的一側的半導體元件204彼此的分 離距離L13比位于距樹脂流入口為中等程度的距離的半導體元件202彼此的分離距離L12 小，而且，該分離距離L12比位于距樹脂流入口最近的一側的半導體元件200彼此的分離距 離L11小，且半導體元件200、202、204的第二方向Y上的寬度尺寸彼此大致相同的情況下， 各半導體元件200、202、204的第二方向Y上的中心位置只要相互在第二方向Y上向間隙S3 側偏離即可。
[0094] 在上述變形例的結構中，從半導體裝置10或模具的樹脂流入口注入的樹脂流動 的流路寬度從樹脂的流通方向上游側朝向流通方向下游側逐漸變窄，因此從樹脂流入口注 入的樹脂在兩功率單元12、14之間流通的過程中通過了半導體元件200之后，該樹脂的一 部分由半導體元件202的第一方向X側的端部（圖10中的上端）阻擋，而且，樹脂在流通 兩功率單元12、14之間的過程中通過了半導體元件202之后，該樹脂的一部分由半導體元 件204的第一方向X側的端部（圖10中的上端）阻擋。
[0095] 因此，即使在各功率單元12、14中搭載有3個半導體元件的結構中，向兩功率單元 12、14之間的間隙S3流入的樹脂也容易流入半導體元件200與半導體元件202之間的間 隙，且容易流入半導體元件202與半導體元件204之間的間隙，因此能夠使上述的間隙內的 樹脂合流難以發生。
[0096] 另外，在上述的實施例中，將位于距各功率單元12、14的樹脂流入口遠的一側的 二極管18、22 -起相對于位于距樹脂流入口近的一側的半導體開關元件16、20,在上述的 功率單元12、14分離的第二方向Y上向兩二極管18、22相互接近的一側突出配置，但也可 以如圖11所示，僅將二極管18、22中的任一方相對于半導體開關元件16、20,在這些功率單 元12、14分離的第二方向Y上向接近另一二極管22、18的一側突出配置。
[0097] 需要說明的是，在上述的實施例中，向形成樹脂部70上的模具內的樹脂的注入從 2個功率單元12、14的設有控制端子56、58的一側的第二方向Y上的大致中央附近朝向第 一方向X進行，但也可以從2個功率單兀12、14的設有控制端子56、58的一側的第二方向 Y上的端側朝向第一方向X進行。
[0098] 另外，在上述的實施例中，在兩功率單元12、14間的間隙S3內作為將樹脂阻擋的 結構體，與功率單元12、14 一起使用一體地樹脂封裝的將2個功率單元12、14連接的接頭 部60、及位于距樹脂流入口更遠方的二極管18、22,但本發明沒有限定于此，可以與接頭部 60及二極管18、22-起，或者取代接頭部60及二極管18、22,如圖12所示，使用沒有與功 率單元12、14 一起地一體進行樹脂封裝的設于模具的銷300。需要說明的是，圖12(A)示出 表示本變形例的半導體裝置的半導體元件與結構體的位置關系的圖，而且，圖12(B)示出 本變形例的半導體裝置的圖12(A)所示的V-V剖視圖。
[0099] 在該變形例中，銷300 -體設于模具，在半導體裝置10的制造時，該樹脂流入口側 的端部位于比在間隙S3內位于上游側的半導體開關元件16、20的下游側的端部所對應的 位置靠樹脂的流通方向下游側的方式，更優選在間隙S3中以包含于半導體元件16、18間的 間隙S1及半導體元件20、22間的間隙S2所對應的位置范圍（圖12(A)中由斜線表示的區 域）內的方式配置。而且，該銷300在間隙S3中，以包含功率單元12、14的發射極側引線 框架26、38的下表面與集電極側引線框架24、36的上表面之間的區域所對應的位置范圍 (圖12(B)中由斜線表示的區域）的至少一部分的方式配置。需要說明的是，這種情況下， 銷300更優選以將該位置范圍全部包含的方式配置。
[0100] 在上述變形例的結構中，在半導體裝置10的制造時，從模具的樹脂流入口向間隙 S3流入的樹脂的一部分由銷300的樹脂流入口側的端部阻擋，樹脂的向第一方向X的下游 側的流通被妨礙，因此樹脂容易流入半導體元件16、18間的間隙S1及半導體元件20、22間 的間隙S2,并且在向該間隙SI、S2流入時，容易流入功率單元12、14的引線框架24、36的 上表面與引線框架26、38的下表面之間的空間。因此，在上述變形例中，能夠得到與上述的 實施例同樣的效果。需要說明的是，在該變形例中，在樹脂的填充后，在半導體裝置10的表 面形成與銷300對應的凹部302。
[0101] 另外，在上述的實施例中，作為在兩功率單元12、14間將樹脂阻擋的結構體，使用 了配置于間隙S3的接頭部60,但本發明沒有限定于此，只要將妨礙上述樹脂的流通的結構 體配置在2個功率單元12、14間的樹脂的流路上即可，例如，在功率單元12、14的引線框架 24、26、36、38上可以與半導體元件16?22分體設置。
[0102] 另外，在上述的實施例中，半導體裝置10具有沿第二方向Y排列配置的2個功率 單元12、14,但也可以具有沿第二方向Y排列配置的3個以上的功率單元。
[0103] 而且，在上述的實施例中，半導體裝置10具有在將半導體元件16?22夾持在相 互對置的2個引線框架24、26之間或相互對置的2個引線框架36、38之間的狀態下冷卻在 上下兩面進行的兩面冷卻結構，但也可以適用于通過單側的面進行冷卻的單面冷卻結構。
[0104] 需要說明的是，本國際申請主張基于在2012年（平成24年）3月7日中提出申請 的日本國專利申請2012-050992號的優先權，并將日本國專利申請2012-050992號的全部 內容援引于本國際申請。
[0105] 標號說明
[0106] 10半導體裝置
[0107] 12上臂功率單元
[0108] 14下臂功率單元
[0109] 16、20半導體開關元件（半導體元件）
[0110] 18、22二極管（半導體元件）
[0111] 24、26、36、38 引線框架
[0112] 50高電位側連接端子
[0113] 52低電位側連接端子
[0114] 54輸出端子
[0115] 56、58控制端子
[0116] 60接頭部
[0117] 70樹脂部
【權利要求】
1. 一種半導體裝置，其中，將多組功率單元在預定方向上排列配置，且將該多組所述功 率單元一體地進行樹脂封裝，所述功率單元中，多個半導體元件隔開預定的間隙而載置在 金屬板上，所述半導體裝置的特征在于， 在制造時填充的樹脂流通的流路上的比預定位置靠所述樹脂的流通方向下游側的位 置配置妨礙所述樹脂向流通方向下游側的流通的結構體，其中，所述流路位于在所述預定 方向上彼此相鄰配置的2個所述功率單元之間，所述預定位置是與隔開所述預定的間隙而 載置的2個所述半導體元件中的位于接近所述樹脂的流入口的一側的近方半導體元件的 該流入口側的相反側的端部對應的位置。
2. 根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于， 所述結構體的所述流入口側的端部在所述預定方向上彼此相鄰配置的2個所述功率 單元之間的所述半導體元件彼此分離的區域中相比所述預定位置位于所述樹脂的流通方 向下游側。
3. -種半導體裝置，其中，將多組功率單元在預定方向上排列配置，且將該多組所述功 率單元一體地進行樹脂封裝，所述功率單元中，多個半導體元件隔開預定的間隙而載置在 金屬板上，所述半導體裝置的特征在于， 以制造時填充的樹脂流入的流入口側的端部包含在所述樹脂流通的流路上的與所述 預定的間隙對應的位置范圍內的方式配置有結構體，所述流路位于在所述預定方向上彼此 相鄰配置的2個所述功率單元之間。
4. 根據權利要求1?3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于， 所述結構體以包含所述流路上的與所述功率單元的作為所述金屬板的上表面側引線 框架的下表面與作為所述金屬板的下表面側引線框架的上表面之間對應的位置范圍的至 少一部分的方式配置，所述上表面側引線框架設置在所述半導體元件的上表面側，所述下 表面側引線框架設置在所述半導體元件的下表面側。
5. 根據權利要求1?4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于， 所述結構體與所述功率單元一起被一體地進行樹脂封裝。
6. 根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于， 所述結構體是將在所述預定方向上彼此相鄰配置的2個所述功率單元彼此連接的接 頭部。
7. 根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于， 各功率單元分別具有在所述半導體元件的兩面側分別設置的作為所述金屬板的引線 框架， 所述結構體是將在所述預定方向上彼此相鄰配置的2個所述功率單元中的一方的所 述功率單元的所述半導體元件的上表面側所設置的上表面側引線框架與另一方的所述功 率單元的所述半導體元件的下表面側所設置的下表面側引線框架連接的接頭部。
8. 根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于， 所述結構體是各功率單元的多個半導體元件中的遠方半導體元件，所述遠方半導體元 件以從位于接近制造時填充的樹脂流入的流入口的一側的近方半導體元件的所述預定方 向的端部向所述預定方向凸出的方式突出配置，且位于遠離所述流入口的一側。
9. 根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于， 在所述預定方向上彼此相鄰配置的2個所述功率單元的所述遠方半導體元件都在所 述預定方向上向兩個遠方半導體元件相互接近的一側突出配置。
10. 根據權利要求8或9所述的半導體裝置，其特征在于， 使在所述預定方向上彼此相鄰配置的2個所述功率單元之間的所述近方半導體元件 彼此之間的第一分離距離與所述遠方半導體元件彼此之間的第二分離距離互不相同。
11. 根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于， 使所述第二分離距離小于所述第一分離距離。
12. 根據權利要求8?11中任一項所述的半導體裝置，其特征在于， 使各功率單元中的所述第一半導體元件的所述預定方向上的中心位置與所述第二半 導體元件的所述預定方向上的中心位置彼此在所述預定方向上偏離。
13. 根據權利要求1?12中任一項所述的半導體裝置，其特征在于， 所述功率單元具有一個功率晶體管和一個續流二極管作為多個所述半導體元件。
14. 一種半導體裝置的制造方法，所述半導體裝置中，將多組功率單元在預定方向上排 列配置，且將該多組所述功率單元一體地進行樹脂封裝，所述功率單元中，多個半導體元件 隔開預定的間隙而載置在金屬板上，所述半導體裝置的制造方法的特征在于， 在制造時填充的樹脂流通的流路上的比預定位置靠所述樹脂的流通方向下游側的位 置配置妨礙所述樹脂向流通方向下游側的流通的結構體后，填充所述樹脂， 所述流路位于在所述預定方向上彼此相鄰配置的2個所述功率單元之間，所述預定位 置是與隔開所述預定的間隙而載置的2個所述半導體元件中的位于接近所述樹脂的流入 口的一側的近方半導體元件的該流入口側的相反側的端部對應的位置。
15. -種半導體裝置的制造方法，所述半導體裝置中，將多組功率單元在預定方向上排 列配置，且將該多組所述功率單元一體地進行樹脂封裝，所述功率單元中，多個半導體元件 隔開預定的間隙而載置在金屬板上，所述半導體裝置的制造方法的特征在于， 以制造時填充的樹脂流入的流入口側的端部包含在所述樹脂流通的流路上的與所述 預定的間隙對應的位置范圍內的方式配置結構體后，填充所述樹脂， 所述流路位于在所述預定方向上彼此相鄰配置的2個所述功率單元之間。
16. 根據權利要求14或15所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 以包含所述流路上的與所述功率單元的作為所述金屬板的上表面側引線框架的下表 面與作為所述金屬板的下表面側引線框架的上表面之間對應的位置范圍的至少一部分的 方式配置所述結構體后，填充所述樹脂， 所述上表面側引線框架設置在所述半導體元件的上表面側，所述下表面側引線框架設 置在所述半導體元件的下表面側。
17. 根據權利要求16所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 所述結構體是設于模具的銷。
【文檔編號】H01L25/18GK104160493SQ201380012899
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2013年2月28日 優先權日:2012年3月7日
【發明者】門口卓矢, 巖崎真悟, 持田晶良, 奧村知巳 申請人:豐田自動車株式會社, 株式會社電裝