用于基板的選擇性氧化的方法和設備的制作方法

用于基板的選擇性氧化的方法和設備的制作方法
【專利摘要】本文提供了用于改進針對工藝腔室中的金屬的選擇性氧化的方法和設備。在一些實施方式中，氧化設置在具有由一或多個腔室壁界定的處理空間的工藝腔室中的基板的第一表面的方法可包括：將基板暴露于氧化氣體以氧化第一表面；和主動地加熱一或多個腔室壁的至少一個腔室壁以使一或多個腔室壁的溫度升高至至少水的露點的第一溫度，同時暴露基板至氧化氣體。
【專利說明】用于基板的選擇性氧化的方法和設備

【技術領域】
[0001] 本發明的實施方式大體涉及基板處理。

【背景技術】
[0002] 在半導體裝置的制造中，選擇性氧化被用于將某些材料作為目標，所述材料比如 娃和娃的氧化物，同時避免諸如金屬之類的其他材料的氧化。快速熱處理（Rapid thermal processing ;RTP)也被用于制造半導體裝置以改變沉積膜或晶格的特性，快速熱處理通常 包括諸如基板表面的退火、硅化和氧化之類的工藝。
【發明者】已發現，使用氫和氧的RTP工藝 中的針對（against)金屬的選擇氧化工藝能不理想地導致RTP腔室內的濕氣或冷凝液的形 成。
【發明者】已進一步觀察到，這種濕氣能起作用以將污染物顆粒輸送到工藝腔室內的半導 體晶片上，并且所述濕氣可進一步導致基板上的金屬的不希望的氧化。
[0003] 因此，
【發明者】已提供用于針對金屬的選擇性氧化的改進的方法和設備。


【發明內容】

[0004] 本文提供了用于改進針對工藝腔室中的金屬的選擇性氧化的方法和設備。在一些 實施方式中，氧化設置在具有由一或多個腔室壁界定的處理空間的工藝腔室中的基板的第 一表面的方法可包括：將基板暴露于氧化氣體以氧化第一表面；主動地加熱一或多個腔室 壁的至少一個腔室壁以使一或多個腔室壁的溫度升高至至少水的露點（dew point)的第一 溫度，同時將基板暴露至氧化氣體。
[0005] 在一些實施方式中，氧化設置在具有由一或多個腔室壁界定的處理空間的工藝腔 室中的基板的第一表面的方法可包括：將一或多個腔室壁暴露于第一氣體，所述第一氣體 包含氫（?)、氮（N 2)或惰性氣體中的至少一種氣體，同時使一或多個腔室壁的溫度上升到 比水的露點高的第一溫度；當一或多個腔室壁開始達到第一溫度時或之后，將基板暴露于 氧化氣體以選擇性地氧化第一表面達第一時段，其中一或多個腔室壁的溫度在第一時段從 第一溫度升高到第二溫度，并且其中一或多個腔室壁在第一時段的剩余時段的溫度保持高 于第一溫度；在第一時段之后，停止流動氧化氣體；以及隨后將一或多個腔室壁暴露于包 含氮（N 2)的第二氣體，同時將一或多個腔室壁的溫度上升至比第二溫度高的第三溫度。
[0006] 在一些實施方式中，用于熱處理基板的設備可包括：腔室，所述腔室具有界定處理 空間的側壁且具有設置在處理空間內的基板支撐件；第一熱源，包含相對基板支撐件設置 的多個燈，以當基板設置在基板支撐件上時提供熱能至基板，其中多個燈的能量密度是約 30瓦每平方厘米至約80瓦每平方厘米；以及第二熱源，被耦接到側壁以提供熱能至側壁。
[0007] 在下文中描述本發明的其他和進一步的實施方式。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008] 能通過參考附圖中描繪的本發明的說明性實施方式來理解上文簡要概述且下文 更加詳細論述的本發明的實施方式。然而，應注意，附圖僅圖示本發明的典型實施方式且因 此不將附圖視為本發明的范圍的限制，因為本發明可允許其他等同效果的實施方式。
[0009] 圖1描繪根據本發明的一些實施方式的用于氧化工藝腔室中的基板的方法的流 程圖。
[0010] 圖2描繪根據本發明的一些實施方式的用于氧化工藝腔室中的基板的方法的流 程圖。
[0011] 圖3描繪根據本發明的一些實施方式的適用的熱反應器的示意截面圖。
[0012] 為了便于理解，已盡可能使用相同標記數字來表示各圖共用的相同元件。附圖并 未按比例繪制，且為清楚起見可將附圖簡化。可以預期，一個實施方式的元件和特征可有利 地并入其他實施方式中而無需進一步詳述。

【具體實施方式】
[0013] 本文提供了用于改進針對工藝腔室中的金屬的選擇性氧化的方法和設備。圖1描 繪根據本發明的一些實施方式的選擇性地氧化設置在工藝腔室中的基板的第一表面的方 法100的流程圖，所述工藝腔室具有由一或多個腔室壁界定的處理空間。盡管本文結合選 擇性氧化工藝進行描述，但是本發明的方法和設備可用于可能需要抑制工藝腔室內的濕氣 的非選擇性氧化工藝或其他工藝。
[0014] 當氧化工藝需要在有暴露的金屬或金屬合金的情況下進行時，可能出現選擇性氧 化（例如基板上的結構或裝置的部分的氧化）的需求。在這種情況下，氧化工藝需要在無 暴露的金屬/金屬合金的異常氧化的情況下進行。在存在金屬柵極時，對邏輯件、動態隨機 存取存儲器（DRAM)、閃存裝置或類似裝置而言對選擇性氧化的需要通常在柵極堆疊蝕刻之 后的柵極側壁再氧化工藝期間出現，所述金屬柵極比如包含鈦（Ti)、氮化鈦（TiN)、鎢（W)、 娃化鶴氮化物（tungsten silicide nitride ;WSixN)、氮化鶴（WN)、碳化鉭（TaC)、氮化鉭 (TaN)或類似物的柵極。然而，本文所述的方法和設備也可用于需要選擇性氧化的其他工藝 中。
[0015] 工藝腔室可以是被配置以執行選擇性氧化工藝的任何類型的工藝腔室，如由本文 提供的示教所修改的工藝腔室。適合用于修改的工藝腔室的實例包括RADIANCE ?工藝腔 室、RADIANCE ? PLUS工藝腔室或VANTAGE㊣工藝腔室中的任一工藝腔室，或能夠執行例如 快速熱處理（RTP)的熱處理的任何其他工藝腔室，上述全部工藝腔室可從加利福尼亞圣克 拉拉（Santa Clara, California)的應用材料公司（Applied Materials, Inc.)獲得。包括 可從其他制造商獲得的那些工藝腔室的其他適合的工藝腔室也可根據本文提供的示教修 改和使用。在一些實施方式中，工藝腔室可類似于下文關于圖3描述的工藝腔室。
[0016] 方法100通常通過將基板的第一表面暴露于氧化氣體以氧化基板的第一表面而 在102處開始。第一表面是在基板頂上的含非金屬層，所述第一表面可包含以下材料，比如 晶體硅（例如Si〈100>或Si〈lll>)、氧化硅、張力硅、硅鍺、摻雜或無摻雜多晶硅、摻雜或無 摻雜娃晶片、圖案化或非圖案化晶片、絕緣體上娃（silicon on insulator ;S0I)、碳摻雜氧 化硅、氮化硅、摻雜硅、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石或類似材料。在一些實施方式中，氧化工藝 可以是選擇性氧化工藝，在所述工藝中，基板進一步包含暴露的金屬表面。例如，在一些實 施方式中，基板的第一表面可以是非金屬性的，且基板可進一步包含金屬性的暴露的第二 表面，并且第一表面和第二表面可暴露于氧化氣體以氧化第一表面，而實質上不氧化暴露 的第二表面。
[0017] 在一些實施方式中，氧化工藝可利用氧化氣體，所述氧化氣體包含氧（02)、一氧化 二氮（N 20)、氧化氮（N0)或上述氣體的組合。在一些實施方式中，氧化氣體可進一步包括包 含氫（?)的額外氣體。在一些實施方式中，氧化氣體可進一步包括第一氣體，所述第一氣體 包含氮（n 2)、氨（NH3)或惰性氣體的至少一種和氫（H2)。在一些實施方式中，氧化氣體包含 氧（〇 2)和氫（H2)。在一些實施方式中，氧化氣體可以平衡為主導地包含至少85%的氫（H2)， 或實質上僅包含氧（〇 2)。氧化氣體可根據例如基板/腔室大小、基板材料、氧化氣體組成或 類似因素的一或多個以任何適合的流率流動。在一些實施方式中，可以在約10, OOOsccm至 約20, OOOsccm的范圍中的總流率提供氧化氣體。在一些實施方式中，提供氧化氣體，同時 將工藝腔室保持在約450托至約530托的壓強下，盡管可提供更高和更低的壓強。
[0018]
【發明者】已發現，使用氫和氧的氧化工藝可在工藝腔室內不理想地產生濕氣。濕氣 可不理想地將污染物顆粒輸送到基板表面上，且濕氣也可不理想地氧化基板的金屬組成部 分。在不希望被理論約束的情況下，
【發明者】認為，此問題可能是腔室壁的溫度低于工藝腔室 的處理空間中的水的露點的結果。
【發明者】已觀察到，即使在傳統氧化腔室中的腔室壁可能 在氧化工藝期間被被動加熱，腔室壁也不會被加熱到足夠的溫度或不會以足以消除或減少 工藝腔室內的濕氣形成的足夠快的速率變熱。例如，在具有位于基板上方以供應熱量至基 板的燈組件的工藝腔室中，也可間接地加熱腔室壁，和/或從基板輻射的熱量可加熱腔室 壁。然而，
【發明者】已觀察到，這種間接或被動的加熱不會使腔室壁的溫度足夠地升高至將抑 制工藝腔室內的濕氣形成的水平。
[0019]
【發明者】已發現，主動地加熱腔室壁到至少等于水的露點的溫度，可有利地抑制工 藝腔室內的濕氣形成。此外，
【發明者】已發現，將工藝腔室內的濕氣形成降至最低進一步有利 地減少基板上的污染物顆粒，包括減少基板上金屬的不希望的氧化。因此，在104處，至少 一個腔室壁被主動地加熱以使腔室壁的溫度升高至至少水的露點，同時暴露基板于氧化氣 體。
[0020] 如本文所使用，主動加熱或主動地加熱意指通過設置在腔室壁內或耦接到腔室壁 的加熱設備直接施加熱量或能量以升高工藝腔室的壁的溫度，所述加熱設備比如圍繞且加 熱腔室壁的熱交換器或加熱套（heat jacket)，所述熱交換器或加熱套例如使用熱傳遞介 質、電阻加熱器、輻射加熱燈或類似物。主動地加熱腔室壁有利地促進比通過以上所述的間 接加熱更快地將腔室壁的溫度上升至露點。與依賴被動方法以加熱壁相比，腔室壁的主動 加熱也可在工藝步驟之前提供更可重復的腔室壁溫度，因為腔室壁的主動加熱能被良好地 控制。例如，在一些實施方式中，可提供諸如熱電偶或其他適合的傳感器之類的傳感器（例 如312)以指示腔室壁的溫度。傳感器可提供直接對應于腔室壁的內表面溫度的數據，或傳 感器可提供對應于腔室壁的外表面溫度的數據，可由該數據確定內腔室壁的溫度。來自傳 感器的溫度數據可被提供至控制器（例如302)以便于控制腔室壁的主動加熱（例如以反 饋回路配置）。
[0021] 氧化氣體的流動可持續達所需時段，直到工藝完成為止。在完成氧化工藝之后，停 止至基板的氧化氣體的流動，如在106處所描述的，且可根據需要進一步處理基板。
[0022] 選擇性地，在一些實施方式中，在暴露基板于氧化氣體之前，工藝腔室可被暴露于 第一氣體，所述第一氣體包含氫、氮或惰性氣體中的至少一種，所述惰性氣體比如氬。在一 些實施方式中，第一氣體是氫（H2)。例如，在一些實施方式中，氧化氣體可以是氧（02)和氫 (H2)的混合物，且氫（H2)可被最初地提供為第一氣體，氧（02)隨后被引入以開始氧化氣體 混合物的流動。
[0023] 在一些實施方式中，第一氣體被引入工藝腔室，同時例如通過用來自加熱燈的能 量輻照基板來加熱基板。在一些實施方式中，提供到基板的能量約等于在氧化工藝期間提 供的能量。在一些實施方式中，提供至基板的能量對于對準基板背側的高溫計（例如318) 足以讀取約700攝氏度至約1000攝氏度的溫度。提供熱能的同時提供第一氣體可促進使腔 室壁的溫度更快速地上升至第一溫度，所述第一溫度高于露點溫度約5攝氏度至約10攝氏 度。
【發明者】已觀察到，在提供熱能的同時提供第一氣體進一步有利地促進加熱腔室的部分， 所述腔室的部分通常被保護而不受被動加熱的影響，所述腔室的部分比如可被保護的或相 對于工藝熱源和/或基板更遠距離設置的流量閥開口或其他部件，從而進一步減少在這些 部件上的濕氣形成。在一些實施方式中，可在提供第一氣體時同時地主動加熱腔室壁。在 一些實施方式中，工藝腔室被暴露于第一氣體達約15秒，同時基板被加熱，盡管可以使用 其他時段。在一些實施方式中，第一氣體被以約l〇slm至約20slm的流率范圍提供。發明 者已發現，提供第一氣體同時結合主動地加熱腔室壁來提供熱能進一步有利地提高氧化工 藝的針對金屬的選擇性。
[0024] 也可使用本發明的方法的其他變化。例如，圖2描繪根據本發明的一些實施方式 的選擇性地氧化設置在工藝腔室中的基板的第一表面的方法200的流程圖，所述工藝腔室 具有由一或多個腔室壁界定的處理空間。關于基板的第一表面、基板和工藝腔室的細節已 關于圖1提供于上文中。
[0025] 方法200通過將工藝腔室的腔室壁暴露于第一氣體而在202處開始，所述第一氣 體包含氫、氮或惰性氣體的至少一種，所述惰性氣體比如氬。當加熱基板時將第一氣體引入 工藝腔室，以使得對準基板背側的高溫計將讀取約700攝氏度至約1000攝氏度的溫度。可 執行加熱基板時提供第一氣體達足夠的時間段，以使腔室壁的溫度上升至第一溫度，所述 第一溫度高于露點溫度約5攝氏度至約10攝氏度。
[0026] 然后，在204處，基板被暴露于氧化氣體以選擇性地氧化基板的第一表面達第一 時段。氧化氣體可以是如上文關于圖1論述的任何氧化氣體。當腔室壁達到第一溫度時， 第一時段開始。在第一時段期間，腔室壁從第一溫度升高至第二溫度。在第一時段的剩余 時段期間，腔室壁的溫度保持高于第一溫度。一旦選擇性氧化工藝完成，第一時段結束。
[0027] 然后，在206處，在第一時段之后停止至工藝腔室的氧化氣體的流動且在208處， 腔室壁隨后被暴露于第二氣體，所述第二氣體包含氮（N 2)、惰性氣體或氫（H2)的一或多種。 在一些實施方式中，第二氣體是氮（N2)。當將腔室壁的溫度上升到第三溫度時引入第二氣 體，所述第三溫度高于第二溫度。例如，可例如通過使用指向基板的燈提供熱量至工藝腔室 的處理空間來升高腔室壁的溫度。所述燈可以是用于在氧化工藝期間提供熱量至基板的 燈，所述燈可以例如足以加熱基板以便對準基板背側的高溫計讀取約700攝氏度至約1000 攝氏度的溫度。
【發明者】已發現，提供以上描述的氧化后的暴露至第二氣體且持續加熱腔室 壁進一步降低腔室壁上的濕氣形成且進一步減少基板上的顆粒。此外，
【發明者】已發現，提供 以上描述的氧化后的暴露至第二氣體且持續加熱腔室壁進一步提高氧化工藝的針對金屬 的選擇性。
[0028] 圖3描繪根據本發明的一些實施方式的所使用的熱反應器的示意截面圖。熱處理 腔室300通常包含燈組件310、界定處理空間339的腔室組件330和設置在處理空間339中 的基板支撐件338。
[0029] 燈組件310 (例如第一熱源）位于腔室組件330上方，且燈組件310被配置以經由 設置在腔室組件330上的石英窗314供應熱量到處理空間339。燈組件310被配置以容納 工藝加熱源，所述工藝加熱源比如用于提供適應的（tailored)紅外線加熱手段到基板301 的多個鹵鎢燈，所述基板301設置在基板支撐件338上。在一些實施方式中，多個燈具有 約30瓦每平方厘米至約80瓦每平方厘米的能量密度。一或多個高溫計（圖示一個高溫計 318)可被設置在基板301之下且對準基板301的背側以提供對應于基板溫度的數據。來自 一或多個高溫計的數據可被提供到控制器（例如302)以促進對工藝加熱源的反饋控制和 用于促進本文描述的方法。
[0030] 腔室組件330通常包含基座環340,所述基座環340具有與石英窗314和底壁316 一起界定處理空間339的一或多個腔室壁。盡管本文中使用術語環，但是基座環340不必 是環形且也考慮其他形狀。基座環340可具有耦接到氣源335的入口 331，以提供一或多 種工藝氣體至處理空間339 (所述工藝氣體比如上文論述的氧化氣體、第一氣體和/或第二 氣體）。設置在基座環340的入口 331的相對側上的出口 334被耦接到排氣組件324,排氣 組件324與泵系統336流體連通。排氣組件324界定排氣空間325,排氣空間325通過出口 334與處理空間339流體連通。排氣空間325被設計以允許橫跨處理空間339的均勻氣流 分布。
[0031] 在一些實施方式中，加熱設備可被提供為至少部分地設置在腔室壁內或耦接到腔 室壁（例如第二熱源）。例如在一些實施方式中，第一熱交換器355被稱接到基座環340 以通過使熱交換流體經由設置在基座環340中的一或多個導管328循環來控制腔室壁的溫 度。在一些實施方式中，第一熱交換器355被設置至至少60攝氏度。替代地或結合地，力口 熱套328可被熱耦接到基座環340以提供熱量至腔室壁，此舉例如通過使熱傳遞流體流經 加熱套328、通過在加熱套328內提供加熱元件或類似方式來實現，所述加熱元件比如電阻 加熱器或加熱燈。
[0032] 在一些實施方式中，第二熱交換器356被耦接到燈組件310以允許熱交換流體通 過入口 309被循環至燈組件310,以在處理期間保持燈組件310冷卻。在一些實施方式中， 第一熱交換器和第二熱交換器可被保持在不同溫度。在一些實施方式中，第二熱交換器356 也可被耦接到底壁316,如虛線322所示。或者，在一些實施方式中，第一熱交換器355也可 被耦接到底壁316,如虛線320所示。
[0033] 熱電偶312或其他適合的傳感器可被耦接到基座環340以監測外腔室壁溫度并確 定內腔室壁溫度。熱電偶312可為系統控制器的一部分，或被耦接到系統控制器，所述系統 控制器比如可控制熱處理腔室300的操作的系統控制器302。
[0034] 為了便于控制如上描述的工藝腔室300,控制器302包含中央處理單元（central processing unit ;CPU) 304、存儲器306和用于CPU 304的支持電路308,控制器302促進控 制腔室300的部件。控制器302可以是任何形式的通用計算機處理器中的一個，所述通用 計算機處理器可用于工業設定中以用于控制各種腔室和子處理器。CPU 304的存儲器306 或計算機可讀介質可以是易得到的存儲器中的一或多個，所述易得到的存儲器比如隨機存 取存儲器（random access memory ;RAM)、只讀存儲器（read only memory ;ROM)、軟盤、硬盤 或者本地或遠程的任何其他形式的數字存儲器。支持電路308被耦接到CPU 304以用于以 常規方式支持處理器。這些電路包括高速緩沖存儲器、電源、時鐘電路、輸入/輸出電路和 子系統和類似電路。在工藝腔室300中執行的方法或所述方法的至少部分可作為軟件程序 而被存儲在存儲器306中。也可通過第二CPU (未圖示）存儲和/或執行所述軟件程序，所 述第二CPU距通過CPU 304控制的硬件很遠。
[0035] 因此，本文提供了用于改進針對金屬的選擇性的方法和設備。本發明的方法和設 備可有利地提供針對金屬的改進的選擇性氧化，且使經由工藝腔室中形成的冷凝液的污染 物至基板的輸送降至最低。
[〇〇36] 雖然上文針對本發明實施方式，但是在不背離本發明的基本范圍的情況下可設計 本發明的其他和進一步的實施方式。
【權利要求】
1. 一種氧化設置在工藝腔室中的基板的第一表面的方法，所述工藝腔室具有由一或多 個腔室壁界定的處理空間，所述方法包含： 將所述基板暴露于氧化氣體以氧化所述第一表面；和 主動地加熱所述一或多個腔室壁的至少一個腔室壁，以使所述一或多個腔室壁的溫度 升高至至少水的露點的第一溫度，同時將所述基板暴露于所述氧化氣體。
2. 如權利要求1所述的方法，其中將所述基板暴露于所述氧化氣體以氧化所述第一表 面進一步包含：加熱所述處理空間內的氫（H2)和氧（0 2)的混合物并使所述混合物反應。
3. 如權利要求1所述的方法，進一步包含： 將所述一或多個腔室壁暴露于第一氣體，所述第一氣體包含氫（H2)、氮（N2)或惰性氣 體的至少一種，同時使所述一或多個腔室壁的溫度上升至所述第一溫度，其中所述第一溫 度高于所述露點約5攝氏度至約10攝氏度。
4. 如權利要求3所述的方法，進一步包含： 加熱所述基板以使用高溫計讀取約700攝氏度至約1000攝氏度的溫度，所述高溫計對 準所述基板的背側，同時使所述一或多個腔室壁的溫度上升至所述第一溫度。
5. 如權利要求1所述的方法，其中暴露所述基板至所述氧化氣體以氧化所述第一表面 進一步包含： 結合所述氧化氣體，將所述基板暴露于額外的氣體，所述額外的氣體包含氫（H2)，或氮 (N2)、氨（NH3)或惰性氣體的至少一種與氫（H2)的結合。
6. 如權利要求5所述的方法，其中所述額外的氣體是以大于約4:1的相對于所述氧化 氣體的流率比率提供的。
7. 如權利要求5所述的方法，其中所述基板的所述第一表面是非金屬的，且其中所述 基板進一步包含金屬性的暴露的第二表面，且其中將所述基板暴露于所述氧化氣體以氧化 所述第一表面進一步包含實質上不氧化所述暴露的第二表面。
8. 如權利要求1所述的方法，進一步包含： 在氧化所述第一表面之后，停止所述氧化氣體的流動；和 隨后使所述一或多個腔室壁的溫度上升至比所述第一溫度高的第二溫度。
9. 如權利要求8所述的方法，進一步包含： 將所述一或多個腔室壁暴露于包含氮（N2)的第二氣體，同時使所述一或多個腔室壁的 溫度上升至所述第二溫度。
10. 如權利要求9所述的方法，進一步包含： 加熱所述基板以使用高溫計讀取約700攝氏度至約1000攝氏度的溫度，所述高溫計對 準所述基板的背側，以使所述一或多個腔室壁的溫度被動地上升至所述第二溫度。
11. 如權利要求1所述的方法，進一步包含： 獨立地控制所述工藝腔室的底壁的溫度，所述底壁設置在被主動加熱的所述一或多個 腔室壁之下。
12. -種用于熱處理基板的設備，包含： 腔室，所述腔室具有界定處理空間的側壁，且具有設置在所述處理空間內的基板支撐 件； 第一熱源，所述第一熱源包含與所述基板支撐件相對設置的多個燈，以當基板被設置 在所述基板支撐件上時提供熱能至所述基板，其中所述多個燈的能量密度是約30瓦每平 方厘米至約80瓦每平方厘米；和 第二熱源，所述第二熱源耦接到所述側壁的至少一個以提供熱能至所述側壁。
13. 如權利要求12所述的設備，其中所述第二熱源包含以下一或多個： 熱交換回路，所述熱交換回路具有用于使熱交換介質流經所述側壁或流經鄰近所述側 壁設置的主體的導管；或 一或多個電阻加熱器，所述一或多個電阻加熱器設置在所述側壁中或鄰近所述側壁設 置。
14. 如權利要求12所述的設備，進一步包含以下一或多個： 熱交換回路，所述熱交換回路具有鄰近所述燈經過的導管，以從鄰近所述燈的所述工 藝腔室的部件去除熱量；或 熱交換回路，所述熱交換回路具有穿過或鄰近所述腔室的下部的導管，所述熱交換回 路設置在所述基板支撐件之下以獨立于耦接到所述第二熱源的所述側壁控制所述腔室的 所述下部的溫度。
15. 如權利要求12所述的設備，其中所述腔室進一步包含： 基座環，所述基座環包括所述側壁且將所述處理空間界定為圓筒形中心處理空間； 頂壁，所述頂壁耦接至所述基座環以將所述圓筒形中心處理空間與所述基座環的上端 密封；和 底壁，所述底壁耦接到所述基座環以將所述圓筒形中心空間與所述基座環的所述側壁 的下端密封，其中所述第一熱源被設置在所述頂壁上方，且其中所述第二熱源被耦接到所 述基座環。
【文檔編號】H01L21/318GK104106128SQ201380008823
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2013年2月11日 優先權日:2012年2月13日
【發明者】阿古斯·查德拉, 克里斯托弗·S·奧爾森, 約翰內斯·斯溫伯格, 勞拉·郝勒查克 申請人:應用材料公司