Cd標準片和cdsem設備監測結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型提出了一種CD標準片和CDSEM設備監測結構，CD標準片用于監測CDSEM設備的性能，所述CD標準片結構包括具有預定線寬的待測摻雜條和重摻雜層，所述待測摻雜條形成于所述重摻雜層之上。將重摻雜層和待測摻雜條均重摻雜P元素，使待測摻雜條以及重摻雜層均能夠導電，從而使殘留在所述待測重摻雜條的電荷轉移至別處，減少對空氣中顆粒的吸附，避免碳積效應，提高所述CD標準片的使用壽命，減少更換CD標準片的頻率，降低生產成本。
【專利說明】CD標準片和CDSEM設備監測結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體制造領域，尤其涉及一種CD標準片和CDSEM設備監測結構。
【背景技術】
[0002]隨著半導體特征尺寸(Critical Dimension,⑶)的持續縮小，特征尺寸對半導體芯片的性能影響越來越大，因此工藝對特征尺寸的精準度要求也越來越高。通常情況下，半導體行業均采用特征尺寸電子掃描設備(Critical Dimension Scanning ElectronMicroscope,⑶SEM)來檢測特征尺寸是否符合要求。為了監測⑶SEM設備的性能，半導體業界通常使用⑶標準片對⑶SEM做定期的校準，以監測⑶SEM設備的檢測狀態，防止⑶SEM出現偏移狀況。
[0003]現有技術中，CD標準片是在裸硅的晶圓表面形成具有預定線寬的多晶硅條(Polysilicon line)，對⑶SEM設備進行校準時，⑶SEM設備通過量測多晶硅條的線寬是否與預定線寬相符合，來判斷CDSEM設備用于測量CD的對焦以及電子束是否處于正常狀態。
[0004]然而，由于⑶SEM使用X光(X-Ray)作為電子束，多次多⑶標準片的多晶硅條進行轟擊測量之后，會在晶圓的表面產生電荷，使所述多晶硅條帶有一定電荷，隨著電荷的積累，會對空氣中的漂浮顆粒進行吸附，致使大量的漂浮顆粒吸附在所述多晶硅條的表面，產生碳積效應，直接影響多晶硅條的線寬，使預定線寬變大，導致CD標準片在長期使用之后多晶硅條線寬發生較大的變化，不適宜作為⑶標準片。因此，需要定期更換新的⑶標準片，這就造成了生產費用的增加。
實用新型內容
[0005]本實用新型的目的在于提供一種CD標準片和CDSEM設備監測結構，能夠消除電荷的產生，提高CD標準片的使用壽命，減少更換CD標準片的頻率，降低生產成本。
[0006]為了實現上述目的，本實用新型提出了一種⑶標準片結構，用于監測⑶SEM設備的性能，所述CD標準片結構包括具有預定線寬的待測摻雜條和重摻雜層，所述待測摻雜條形成于所述重摻雜層之上。
[0007]進一步的，在所述的CD標準片結構中，所述CD標準片結構還包括單晶硅，所述單晶硅位于所述重摻雜層之上，并與所述待測摻雜條具有一定距離。
[0008]進一步的，在所述的CD標準片結構中，所述CD標準片結構還包括隔離層，所述隔離層形成于所述重摻雜層的表面，并位于所述待測摻雜條與所述單晶硅之間。
[0009]進一步的，在所述的⑶標準片結構中，所述預定線寬范圍是IOnm?100nm。
[0010]進一步的，本實用新型還提出了一種CDSEM設備監測結構，所述結構包括電子卡盤以及如上文所述的CD標準片，所述CD標準片的重摻雜層位于所述電子卡盤的表面。
[0011 ] 進一步的，在所述的⑶SEM設備監測結構中，所述⑶標準片結構還包括單晶硅，所述單晶硅位于所述重摻雜層之上，并與所述待測摻雜條具有一定距離。[0012]進一步的，在所述的⑶SEM設備監測結構中，所述⑶標準片結構還包括隔離層，所述隔離層形成于所述重摻雜層的表面，并位于所述待測摻雜條與所述單晶硅之間。
[0013]進一步的，在所述的⑶SEM設備監測結構中，所述預定線寬范圍是IOnm?lOOnm。
[0014]進一步的，在所述的⑶SEM設備監測結構中，所述電子卡盤接地。
[0015]與現有技術相比，本實用新型的有益效果主要體現在:將重摻雜層和待測摻雜條均重摻雜P元素，使待測摻雜條以及重摻雜層均能夠導電，從而使殘留在所述待測重摻雜條的電荷轉移至別處，減少對空氣中顆粒的吸附，避免碳積效應，提高所述CD標準片的使用壽命，減少更換CD標準片的頻率，降低生產成本。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1為本實用新型一實施例中CD標準片結構的剖面示意圖；
[0017]圖2為本實用新型一實施例中⑶SEM設備監測結構的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0018]下面將結合示意圖對本實用新型的CD標準片和CDSEM設備監測結構進行更詳細的描述，其中表示了本實用新型的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本實用新型，而仍然實現本實用新型的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本實用新型的限制。
[0019]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本實用新型由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。
[0020]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實用新型。根據下面說明和權利要求書，本實用新型的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。
[0021]請參考圖1，在本實施例中，提出了一種⑶標準片結構，用于監測⑶SEM設備的性能，所述CD標準片結構包括具有預定線寬的待測摻雜條11和重摻雜層10，所述待測摻雜條11形成于所述重摻雜層10之上，其中，所述待測摻雜條11和重摻雜層10的材質為多晶硅，兩者均采用重摻雜方式摻入P元素，使所述待測摻雜條11和重摻雜層10均導電，便于排除聚集在所述待測摻雜條11表面的電荷。
[0022]在本實施例中，所述⑶標準片結構還包括單晶硅20，所述單晶硅20位于所述重摻雜層10之上，并與所述待測摻雜條11具有一定距離，所述CD標準片結構還包括隔離層30，所述隔離層30形成于所述重摻雜層10的表面，并位于所述待測摻雜條11與所述單晶硅20之間。所述待測摻雜條11的預定線寬范圍是IOnm?lOOnm，例如是70nm。
[0023]請參考圖2，在本實施例中，還提出了一種⑶SEM設備監測結構，包括電子卡盤40以及如上文所述的CD標準片，所述CD標準片的重摻雜層10位于所述電子卡盤40的表面。
[0024]其中，所述電子卡盤40接地，由本實施例提出的結構可見，當所述待測摻雜條11表面聚集大量電荷50時，由于所述待測摻雜條11和重摻雜層10均采用了重摻雜摻入大量的P元素，因此，兩者均能夠導電，進而能夠將所述電荷50傳導至所述電子卡盤40上，消除所述電荷50，保證了所述待測摻雜條11不具有大量電荷，不會吸附空氣中的懸浮顆粒。
[0025]綜上，在本實用新型實施例提供的CD標準片和CDSEM設備監測結構中，將重摻雜層和待測摻雜條均重摻雜P元素，使待測摻雜條以及重摻雜層均能夠導電，從而使殘留在所述待測重摻雜條的電荷轉移至別處，減少對空氣中顆粒的吸附，避免碳積效應，提高所述CD標準片的使用壽命，減少更換CD標準片的頻率，降低生產成本。
[0026]上述僅為本實用新型的優選實施例而已，并不對本實用新型起到任何限制作用。任何所屬【技術領域】的技術人員，在不脫離本實用新型的技術方案的范圍內，對本實用新型揭露的技術方案和技術內容做任何形式的等同替換或修改等變動，均屬未脫離本實用新型的技術方案的內容，仍屬于本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種CD標準片結構，用于監測CDSEM設備的性能，其特征在于，所述CD標準片結構包括具有預定線寬的待測摻雜條和重摻雜層，所述待測摻雜條形成于所述重摻雜層之上。
2.如權利要求1所述的CD標準片結構，其特征在于，所述CD標準片結構還包括單晶硅，所述單晶硅位于所述重摻雜層之上，并與所述待測摻雜條具有一定距離。
3.如權利要求2所述的CD標準片結構，其特征在于，所述CD標準片結構還包括隔離層，所述隔離層形成于所述重摻雜層的表面，并位于所述待測摻雜條與所述單晶硅之間。
4.如權利要求1所述的CD標準片結構，其特征在于，所述預定線寬范圍是IOnm?IOOnm0
5.一種⑶SEM設備監測結構，其特征在于，所述結構包括電子卡盤以及如權利要求1所述的CD標準片，所述CD標準片的重摻雜層位于所述電子卡盤的表面。
6.如權利要求5所述的⑶SEM設備監測結構，其特征在于，所述⑶標準片結構還包括單晶硅，所述單晶硅位于所述重摻雜層之上，并與所述待測摻雜條具有一定距離。
7.如權利要求6所述的⑶SEM設備監測結構，其特征在于，所述⑶標準片結構還包括隔離層，所述隔離層形成于所述重摻雜層的表面，并位于所述待測摻雜條與所述單晶硅之間。
8.如權利要求5所述的CDSEM設備監測結構，其特征在于，所述預定線寬范圍是IOnm ?IOOnm0
9.如權利要求5所述的⑶SEM設備監測結構，其特征在于，所述電子卡盤接地。
【文檔編號】H01L21/66GK203719640SQ201320879170
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年12月27日 優先權日:2013年12月27日
【發明者】劉媛娜 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司