Oled顯示面板的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及顯示【技術領域】，公開了一種OLED顯示面板，包括依次形成在襯底基板上的陽極、有機發光層、陰極及第一光耦合層，還包括：形成在所述第一光耦合層背離所述陰極的一側的由若干表面為弧面的凸起結構排列成的第二光耦合層。本實用新型通過第二光耦合層表面為弧面的凸起結構使得原來在第一光耦合層表面將要發生全反射的光線透射出去，從而減少了光的全反射，增加了光的取出率，提高器件的外量子效率。
【專利說明】OLED顯示面板
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及有機光電器件制備領域，特別涉及一種OLED顯示面板。
【背景技術】
[0002]OLED (Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)具有自發光、全固態、寬視角、響應快等諸多優點，并且在平板顯示中有著巨大的應用前景，OLED被認為是繼LCD(Liquid Crystal Display,液晶顯不器)、Η)Ρ (Plasma Display Panel,等離子顯不板)之后的新一代平板顯示產品和技術。目前OLED在顯示和照明領域都有廣泛的應用。為了讓半導體發光元件確保較高的功能可靠性及其較低的能耗，需要提高元件本身的外部量子效率(External quantum efficiency)。一般來說,半導體發光元件的外部量子效率取決于其本身的內部量子效率以及光取出效率。其中內量子效率由材料本身的特性所決定，因此在內部量子效率無法有效提升的情況下，增加半導體發光組件的光取出效率尤為重要。
[0003]在現有技術中，采用適當厚度且折射率相配的材料作為陰極覆蓋層，可以提高頂發射器件的光取出效率。一般采用折射率越大的材料，陰極的透過率越大，越有利于光的取出。因此通常采用高折射率的材料作為增透層，增加頂發射器件的光取出效率。如圖1所示，為現有技術提供的OLED顯示面板結構示意圖，在基板I上依次形成陽極2、有機發光層3及陰極4，在陰極4背離所述基板I的一側形成一層平面光耦合層5。
[0004]然而，由于增透層的折射率大于空氣折射率，如圖1所示，光在出射到陰極覆蓋層的頂端時，部分光發生了全反射，因此，在出光側會發生全發射，不利于光的取出，損失了部分光。
[0005]實用新型內容
[0006](一 )解決的技術問題
[0007]本實用新型解決的技術問題是:如何提供一種OLED顯示面板，解決現有技術中在出光側發生全反射的問題。
[0008]( 二 )技術方案
[0009]為解決上述技術問題，本實用新型實施例提供了一種OLED顯示面板，包括依次形成在襯底基板上的陽極、有機發光層、陰極及第一光稱合層，還包括:形成在所述第一光率禹合層背離所述陰極的一側的由若干表面為弧面的凸起結構排列成的第二光耦合層。
[0010]其中，所述表面為弧面的凸起結構為條形的半圓柱。
[0011]其中，所述半圓柱的直徑小于所述顯示面板的亞像素寬度。
[0012]其中，所述表面為弧面的凸起結構為半球。
[0013]其中，所述半球的孔徑寬度小于所述顯示面板的亞像素寬度。
[0014]其中，所述第一光稱合層和第二光稱合層的厚度和為λ/4η, λ為發光峰值波長；η為所述第一光耦合層和第二光耦合層的折射率。
[0015]其中，所述η大于等于1.8。
[0016]其中，所述第一光耦合層和第二光耦合層的材料包括:ZnSe、Ti02、Si02、Si3N4、Alq3其中之一或至少兩種的混合材料。
[0017](三)有益效果
[0018]本實用新型提供的OLED顯示面板通過第二光耦合層表面為弧面的凸起結構使得原來在第一光耦合層表面將要發生全反射的光線透射出去，從而減少了光的全反射，增加了光的取出率，提高器件的外量子效率。
[0019]【專利附圖】
【附圖說明】
[0020]圖1是現有技術提供的OLED顯示面板結構示意圖；
[0021]圖2是本實用新型實施例提供的OLED顯示面板結構示意圖；
[0022]圖3是本實用新型實施例的OLED顯示面板制作方法中提供的普通像素的精細掩膜板示意圖；
[0023]圖4是圖3中的普通像素的精細掩膜板的沿A-A向的截面示意圖；
[0024]圖5是本實用新型實施例的OLED顯示面板制作方法中提供的精細掩膜板示意圖；
[0025]圖6是圖5中的精細掩膜板沿B-B向的截面示意圖。
[0026]【具體實施方式】
[0027]下面結合附圖和實施例，對本實用新型的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。
[0028]本實用新型實施例提供的一種OLED顯示面板制作方法，制作如圖2所示的OLED顯示面板，該方法包括:
[0029]步驟SI，在襯底基板I上依次形成包括陽極2、有機發光層3、陰極4及第一光耦合層5的步驟。OLED顯示面板每個像素都包括對應的陽極2、有機發光層3及陰極4及第一光耦合層5。該步驟中制作陽極2、有機發光層3及陰極4及第一光耦合層5都是采用現有的普通掩膜板進行制作，可通過該普通掩膜板采用蒸鍍的方式將相應的陽極2、有機發光層
3、陰極4及第一光耦合層5圖形依次蒸鍍到襯底基板I上。其中制作有機發光層3的步驟具體包括:在陽極2上依次蒸鍍空穴注入層和空穴傳輸層；在空穴傳輸層上，分別蒸鍍亞像素的R、G、B發光層；在發光層上蒸鍍電子傳輸層；在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層。
[0030]其中，用于蒸鍍亞像素的R、G、B發光層的普通掩膜板(第二掩膜板)的示意圖及截面示意圖，分別如圖3和圖4所示。第二掩膜板上的存在若干平行的狹縫，R、G、B發光材料透過狹縫蒸鍍在空穴傳輸層上。為防止每個亞像素中各層的圖形蒸鍍成為半球狀，第二掩膜板上的狹縫的截面如圖3所示。其中，第二掩膜板的制作方法與現有技術相同，在此不在贊述。
[0031]步驟S2，在第一光耦合層5背離所述陰極4的一側形成由若干表面為弧面的凸起結構排列成的第二光耦合層6。具體步驟包括:采用第一掩膜板在第一光耦合層5上進行蒸鍍形成第二光耦合層6 ;第一掩膜板上包括若干用于蒸鍍第二光耦合層6的開孔，且所述開孔的孔壁與第一掩膜板表面垂直。以使得透過開孔的光耦合層材料形成表面為弧面的凸起結構。
[0032]第二光稱合層6的表面為弧面的凸起結構使得原來在第一光稱合層5表面的光發生散射，這樣能夠將要發生全反射的光線透射出去，從而減少了光的全反射，增加了光的取出率，提高了器件的外量子效率。[0033]如圖5和6所示，第一掩膜板上的開孔可以為狹縫，蒸鍍形成的表面為弧面的凸起結構為條形的半圓柱。優選使第一掩膜板的狹縫的放置方向與在形成有機發光層5時采用的第二掩膜板上的狹縫的放置方向垂直，這樣制作工藝簡單且半圓柱可緊密排列，進一步增加光的取出率，提高器件的外量子效率。
[0034]進一步地，第一掩膜板上的狹縫寬度小于所述第二掩膜板的狹縫寬度，使得蒸鍍的半圓柱的半徑小于亞像素寬度，這樣在一定程度上更有利于光的取出。如當入射光的亞像素尺寸為40umX120um，則第二掩膜板的開口尺寸LI為46.5um，第一掩膜板的開口尺寸L2為3um ;當入射光的亞像素尺寸為200 X 60um時，則第二掩膜板的開口尺寸LI為70um，第一掩膜板的開口尺寸L2為5um。即使得半圓柱的半徑遠小于亞像素寬度。
[0035]第一掩膜板上的開孔也可以為圓點狀，蒸鍍形成的表面為弧面的凸起結構為半球。圓點狀開孔的孔徑寬度小于在形成有機發光層5時采用的第二掩膜板上的狹縫的寬度。
[0036]進一步地，所述第一光稱合層5和第二光稱合層6的厚度和為λ/4η, λ為發光峰值波長；η為所述第一光稱合層5和第二光稱合層6的折射率。折射率較高的材料有利于光的取出，為了盡量提高外量子效率，η大于等于1.8。
[0037]其中，第一光稱合層5和第二光稱合層6的材料優選折射率較高的材料,包括:ZnSe, TiO2, SiO2, Si3N4^Alq3其中之一或至少兩種的混合材料。
[0038]進一步地，在制作過程中，使第一掩膜板上的相鄰兩個狹縫或相鄰兩個圓孔之間的間距達到適當的距離，使得蒸鍍形成的相鄰兩個條形半圓柱或相鄰兩個半球之間緊密接觸，從而進一步提聞外量子效率。 [0039]本實用新型還提供了一種OLED顯示面板，如圖2所示，包括依次形成在襯底基板I上的陽極2、有機發光層3、陰極4及第一光稱合層5,還包括:形成在所述第一光稱合層5背離所述陰極4的一側的由若干表面為弧面的凸起結構排列成的第二光耦合層6。
[0040]其中，表面為弧面的凸起結構可以為條形的半圓柱，半圓柱的直徑小于所述顯示面板的亞像素寬度。
[0041]表面為弧面的凸起結構還可以為半球。半球的孔徑寬度小于所述顯示面板的亞像
素寬度。
[0042]第一光稱合層和第二光稱合層的厚度和為λ/4η, λ為發光峰值波長；η為所述第一光稱合層和第二光稱合層的折射率。優選地，η大于等于1.8。
[0043]第一光耦合層和第二光耦合層優選折射率較高的材料，包括:ZnSe、TiO2, SiO2,Si3N4、Alq3其中之一或至少兩種的混合材料。
[0044]以上實施方式僅用于說明本實用新型，而并非對本實用新型的限制，有關【技術領域】的普通技術人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術方案也屬于本實用新型的范疇，本實用新型的專利保護范圍應由權利要求限定。
【權利要求】
1.一種OLED顯示面板，包括依次形成在襯底基板上的陽極、有機發光層、陰極及第一光率禹合層，其特征在于，還包括:形成在所述第一光稱合層背離所述陰極的一側的由若干表面為弧面的凸起結構排列成的第二光耦合層。
2.如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述表面為弧面的凸起結構為條形的半圓柱。
3.如權利要求2所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述半圓柱的直徑小于所述顯示面板的亞像素寬度。
4.如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述表面為弧面的凸起結構為半球。
5.如權利要求4所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述半球的孔徑寬度小于所述顯示面板的亞像素寬度。
6.如權利要求1?5中任一項所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述第一光耦合層和第二光稱合層的厚度和為λ/4η, λ為發光峰值波長；η為所述第一光稱合層和第二光率禹合層的折射率。
7.如權利要求6所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述η大于等于1.8。
8.如權利要求1?5中任一項所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述第一光耦合層和第二光耦合層的材料包括:ZnSe、TiO2, SiO2, Si3N4, Alq3其中之一。
【文檔編號】H01L51/52GK203690349SQ201320877359
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2013年12月26日 優先權日:2013年12月26日
【發明者】張粲 申請人:京東方科技集團股份有限公司