堿槽轉軸的制作方法
【專利摘要】本實用新型堿槽轉軸，包括：滾軸，滾軸的旋轉中心設置硅片盒中硅片的正下方，滾軸為扇形；插片，插片為三個，三個插片設置在滾軸的圓弧與滾軸的半徑的兩個交點處及滾軸所在圓的圓心處；其中滾軸的旋轉中心離硅片下方參考面的垂直距離H為31.7毫米～32毫米；滾軸的旋轉中心離硅片下方參考面兩側端點的距離B為42.6毫米～43.2毫米；滾軸的旋轉中心離設置在滾軸所在圓的圓心上的插片頂端的距離L2為47.6毫米～48.2毫米。本實用新型堿槽轉軸通過改變原先轉軸的形貌及尺寸，以提供充分的轉向助力，使得參考面長度為57.5毫米的硅片可以順暢的旋轉。完全利用生產現場現有材料進行制作，加工周期短、成本低。
【專利說明】堿槽轉軸
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于半導體制造領域，特別是一種可使長參考面硅片洗凈時旋轉的轉軸設計。
【背景技術】
[0002]使用高濃堿性藥液清洗過程中，堿槽原有的轉軸設計無法使得參考面長度為57.5毫米的硅片順利旋轉，造成轉軸與硅片外周某固定位置頻繁接觸形成外周固定位置的傷以及突起的問題。同時硅片因旋轉不暢，堿腐蝕反應生成的H2脫離硅片表面不迅速從而導致腐蝕不均的問題。主要是因為圓形轉軸半徑較大，在洗凈過程中6寸硅片會被頂起，同時由于插片高度稍短以及插片間距與參考面長度相當等因素，導致撥動旋轉的插片無法在參考平邊及圓弧邊拐角處提供足夠的轉向力。
實用新型內容
[0003]本實用新型的目的在于提供一種以提供充分的轉向助力，使得參考面長度為57.5毫米的硅片可以順暢旋轉的堿槽轉軸。
[0004]為解決上述技術問題，本實用新型堿槽轉軸，包括:滾軸，所述滾軸的旋轉中心設置硅片盒中硅片的正下方，所述滾軸為扇形；插片，所述插片為三個，三個所述插片設置在所述滾軸的圓弧與所述滾軸的半徑的兩個交點處及所述滾軸所在圓的圓心處；其中所述滾軸的旋轉中心離硅片下方參考面的垂直距離H為31.7毫米?32毫米；所述滾軸的旋轉中心離硅片下方參考面兩側端點的距離B為42.6毫米?43.2毫米；所述滾軸的旋轉中心離設置在所述滾軸所在圓的圓心上的所述插片頂端的距離L2為47.6毫米?48.2毫米。
[0005]所述滾軸的旋轉中心離所述滾軸的圓弧的距離R為33.7毫米?34.3毫米。
[0006]所述滾軸的旋轉中心離設置在所述滾軸的圓弧與所述滾軸的半徑的兩個交點上的所述插片頂端的距離LI為42.6毫米?43.2毫米。
[0007]本實用新型堿槽轉軸通過改變原先轉軸的形貌及尺寸，以提供充分的轉向助力，使得參考面長度為57.5毫米的硅片可以順暢的旋轉。完全利用生產現場現有材料進行制作，加工周期短、成本低。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]圖1為本實用新型堿槽轉軸填充件結構示意圖；
[0009]本實用新型堿槽轉軸附圖中附圖標記說明:
[0010]1_滾軸 2-娃片 3-參考面
[0011]4-插片
【具體實施方式】
[0012]下面結合附圖對本實用新型堿槽轉軸作進一步詳細說明。[0013]如圖1所示，本實用新型堿槽轉軸，包括:滾軸1，滾軸I的旋轉中心設置硅片2盒中硅片2的正下方，滾軸I為扇形；插片4，插片4為三個，三個插片4設置在滾軸I的圓弧與滾軸I的半徑的兩個交點處及滾軸I所在圓的圓心處；其中滾軸I的旋轉中心離硅片2下方參考面3的垂直距離H為31.7毫米?32毫米；滾軸I的旋轉中心離硅片2下方參考面3兩側端點的距離B為42.6毫米?43.2毫米；滾軸I的旋轉中心離設置在滾軸I所在圓的圓心上的插片4頂端的距離L2為47.6毫米?48.2毫米。
[0014]滾軸I的旋轉中心離滾軸I的圓弧的距離R為33.7毫米?34.3毫米。滾軸I的旋轉中心離設置在滾軸I的圓弧與滾軸I的半徑的兩個交點上的插片4頂端的距離LI為42.6毫米?43.2毫米。
[0015]本實用新型堿槽轉軸削去原軸部分材料，形成三角扇形式樣。在另一頂點處添加插片，插片高度較原插片有所提高。改造后洗凈過程中硅片不會被頂起，插片間距也大于參考面長度，同時新加一個高度略高的插片，這樣的設計可以保證在洗凈過程中撥動旋轉的插片可在參考平邊及圓弧邊拐角處提供足夠的轉向力。
[0016]本實用新型堿槽轉軸通過改變原先轉軸的形貌及尺寸，以提供充分的轉向助力，使得參考面長度為57.5毫米的硅片可以順暢的旋轉。完全利用生產現場現有材料進行制作，加工周期短、成本低。
[0017]以上已對本實用新型創造的較佳實施例進行了具體說明，但本實用新型創造并不限于所述實施例，熟悉本領域的技術人員在不違背本實用新型創造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請權利要求所限定的范圍內。
【權利要求】
1.堿槽轉軸，其特征在于，包括: 滾軸，所述滾軸的旋轉中心設置硅片盒中硅片的正下方，所述滾軸為扇形； 插片，所述插片為三個，三個所述插片設置在所述滾軸的圓弧與所述滾軸的半徑的兩個交點處及所述滾軸所在圓的圓心處；其中 所述滾軸的旋轉中心離硅片下方參考面的垂直距離H為31.7毫米?32毫米； 所述滾軸的旋轉中心離硅片下方參考面兩側端點的距離B為42.6毫米?43.2毫米；所述滾軸的旋轉中心離設置在所述滾軸所在圓的圓心上的所述插片頂端的距離L2為47.6暈米?48.2暈米。
2.根據權利要求1所述的堿槽轉軸，其特征在于，所述滾軸的旋轉中心離所述滾軸的圓弧的距離R為33.7毫米?34.3毫米。
3.根據權利要求1所述的堿槽轉軸，其特征在于，所述滾軸的旋轉中心離設置在所述滾軸的圓弧與所述滾軸的半徑的兩個交點上的所述插片頂端的距離LI為42.6毫米?43.2毫米。
【文檔編號】H01L21/67GK203674179SQ201320829817
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年12月16日 優先權日:2013年12月16日
【發明者】施煒青, 賀賢漢, 張松江 申請人:上海申和熱磁電子有限公司