半導體晶片的承載座的制作方法
【專利摘要】一種半導體晶片的承載座，包括基板、圍墻及反射板；圍墻成型在基板上，圍墻和基板之間形成有供半導體晶片容置的容置空間，半導體晶片電性連接基板，圍墻的一側開設有開口；反射板自基板延伸彎折而出，反射板對應開口和半導體晶片配設并和基板之間形成有鈍角；藉此，達到擴大照射范圍的效果。
【專利說明】半導體晶片的承載座
【技術領域】
[0001]本實用新型有關于一種承載座，尤指一種半導體晶片的承載座。
【背景技術】
[0002]半導體晶片使用時，通常需要將其安裝在半導體晶片專用的承載座里，再藉由承載座電性連接電路板，而將半導體晶片布設于電路板上；半導體晶片通常可為發光二極體或紅外線晶片等，主要可用來制作燈具或紅外線感測器等使用。
[0003]由于半導體晶片所發出來的光線具有方向性且具有固定的發光角；因此如果半導體晶片為發光二極體時，則會產生布光不均勻的狀況；如果半導體晶片為紅外線晶片時，則較容易發生感應不良的狀況發生；所以擴大半導體晶片所發出的光線的范圍，為亟待改善的課題。
實用新型內容
[0004]本實用新型的目的在于，提供一種半導體晶片的承載座，其利用反射板對應開口和半導體晶片配設，使之半導體晶片所發出的光線晶由反射板反射，而達到擴大照射范圍的效果。
[0005]為了達成上述的目的，本實用新型一種半導體晶片的承載座，其特征在于包括:
[0006]一基板；
[0007]—圍墻，成型在該基板上，該圍墻和該基板之間形成有供所述半導體晶片容置的一容置空間，所述半導體晶片電性連接該基板，該圍墻的一側設有一開口 ；以及
[0008]一反射板，自該基板彎折且形成在該開口內，該反射板對應所述半導體晶片配設并和該基板之間形成有一鈍角。
[0009]其中，該鈍角的角度介于91度至179度之間。
[0010]其中，該鈍角的角度介于110度至160度之間。
[0011]其中，該基板包含一金屬板體及一絕緣部件，該金屬板體開設有彎曲的一穿槽，該絕緣部件固定在該穿槽內且將該金屬板體區分成一散熱部及一導電部，該散熱部和部分該導電部位在該容置空間內，所述半導體晶片貼接該散熱部且電性連接該導電部。
[0012]其中，該圍墻固定在該金屬板體和該絕緣部件上，該圍墻和該絕緣部件將位在該容置空間內的該導電部圍設區分形成數個電極區，所述半導體晶片電性連接各該電極區。
[0013]其中，該導電部在遠離該電極區的一端延伸有一插接端子，該插接端子凸露出該圍墻的端面。
[0014]其中，該開口位在該散熱部遠離該導電部的一側，該反射板位在該散熱部鄰近該開口的一端。
[0015]其中，該穿槽的內壁面具有數個第一曲折面，該絕緣部件的外側周面具有數個第二曲折面，每一該第一曲折面和每一該第二曲折面相對應固接。
[0016]其中，該反射板鄰近該容置空間的一側面涂布有一反射涂層。[0017]其中，所述的半導體晶片包括一導電陶瓷板及二晶片單元，該導電陶瓷板為一矩形長條體，在該矩形長條體的頂面和前側面位置分別平貼有該晶片單元，該前側面的晶片單元對應于該反射板的位置配設。
[0018]本實用新型還具有以下功效，第一點，將半導體晶片貼接在散熱部的設計，以達到對半導體晶片散熱的效果；第二點，藉由每一第一曲折面和每一第二曲折面相對應固接，可使絕緣部件和金屬板體具有較佳的結合強度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0019]圖1:本實用新型的立體外觀圖。
[0020]圖2:本實用新型的仰視圖。
[0021]圖3:本實用新型結合半導體晶片的俯視圖。
[0022]圖4:本實用新型的使用狀態剖視圖。
[0023]圖5:本實用新型的金屬板體下料后的素材立體圖。
[0024]圖6:本實用新型的另一實施例俯視圖。
【具體實施方式】
[0025]有關本實用新型的詳細說明及技術內容，配合圖式說明如下，然而所附圖式僅提供參考與說明用，并非用來對本實用新型加以限制。
[0026]請參照圖1至圖3所示，本實用新型提供一種半導體晶片的承載座1，其主要包括有一基板10、一圍墻20及一反射板30。
[0027]基板10包含有一金屬板體11及一絕緣部件12，金屬板體11開設有彎曲的一穿槽111 (如圖5所示)，絕緣部件12固定在穿槽111內且將金屬板體11區分成一散熱部112及一導電部113 ;穿槽111和絕緣部件12分別呈一弓字狀；穿槽111的內壁面具有數個第一曲折面1111，絕緣部件12的外側周面具有數個第二曲折面121，每一第一曲折面1111和每一第二曲折面121相對應固接；另外,絕緣部件12為一絕緣塑膠元件。
[0028]圍墻20成型在基板10上，圍墻20和基板10之間形成有供半導體晶片9容置的一容置空間21，圍墻20是可以射出成型方式形成在金屬板體11上且與絕緣部件12為相同材質。散熱部112和部分導電部113位在容置空間21內，圍墻20和絕緣部件12將位在容置空間21內的導電部113圍設區分形成數個電極區1131。半導體晶片9貼接散熱部112且電性連接各電極區1131 ;圍墻20位在散熱部112遠離導電部113的一側開設有一開口22。
[0029]反射板30自散熱部112鄰近開口 22的一端緣延伸彎折而出，反射板30對應開口22和半導體晶片9配設，反射板30和基板10之間形成有一鈍角31，鈍角31的角度介于91度至179度之間；較佳角度為介于110度至160度之間。反射板30鄰近容置空間21的一側面涂布有一反射涂層32。
[0030]請參照圖4所示，首先將數個半導體晶片9安裝在圍墻20的容置空間21內且熱貼接在金屬板體11的散熱部112，并利用數個導電線將數個半導體晶片9電性連接各電極區1131 ;其中每一半導體晶片9可為發光二極體或紅外線晶片等，不在此限；當驅動半導體晶片9發光時，其半導體晶片9所發出的光線S可藉由涂布在反射板30上的反射涂層32反射而出，使之擴大半導體晶片9所發出的光線S的照射范圍。
[0031]另外，還可藉由穿槽111的內壁面具有數個第一曲折面1111，絕緣部件12的外側周面具有數個第二曲折面121的設計，并且令每一第一曲折面1111和每一第二曲折面121相對應固接，可使絕緣部件12和金屬板體11具有較佳的結合強度，以避免絕緣部件12和金屬板體11受外力的影響而發生分離的狀況。
[0032]再者，將半導體晶片9貼接在散熱部112的設計，使之可藉由散熱部112吸收半導體晶片9所產生的熱能，并將熱能傳導于空氣中，以達到對半導體晶片9散熱的效果。
[0033]請參照圖6所示，本實用新型的承載座除了可為上述實例外，亦可如實施例的型態，其中半導體晶片9’包括一導電陶瓷板91及二晶片單元92，導電陶瓷板91大致呈一矩形長條體，在其頂面和前側面位置分別平貼有一晶片單元92，其中前側面的晶片單元92是對應于前述的反射板30的位置配設，藉以反射晶片單元92所照射出的光線。另金屬板體11的導電部113’除了具有前述的電極區1131，在遠離電極區1131的一端更延伸有一插接端子1132，此插接端子1132是凸露出圍墻20的端面，以利于其后續與電路板的插槽(圖未不出)插設安裝。
[0034]綜上所述，當知本實用新型的半導體晶片的承載座已具有產業利用性、新穎性與進步性，又本實用新型的構造亦未曾見于同類產品及公開使用，完全符合新型專利申請要件，爰依專利法提出申請。
【權利要求】
1.一種半導體晶片的承載座，其特征在于包括: 一基板； 一圍墻，成型在該基板上，該圍墻和該基板之間形成有供所述半導體晶片容置的一容置空間，所述半導體晶片電性連接該基板，該圍墻的一側設有一開口 ；以及 一反射板，自該基板彎折且形成在該開口內，該反射板對應所述半導體晶片配設并和該基板之間形成有一鈍角。
2.如權利要求1所述的半導體晶片的承載座，其特征在于，該鈍角的角度介于91度至179度之間。
3.如權利要求2所述的半導體晶片的承載座，其特征在于，該鈍角的角度介于110度至160度之間。
4.如權利要求1所述的半導體晶片的承載座，其特征在于，該基板包含一金屬板體及一絕緣部件，該金屬板體開設有彎曲的一穿槽，該絕緣部件固定在該穿槽內且將該金屬板體區分成一散熱部及一導電部，該散熱部和部分該導電部位在該容置空間內，所述半導體晶片貼接該散熱部且電性連接該導電部。
5.如權利要求4所述的半導體晶片的承載座，其特征在于，該圍墻固定在該金屬板體和該絕緣部件上，該圍墻和該絕緣部件將位在該容置空間內的該導電部圍設區分形成數個電極區，所述半導體晶片電性連接各該電極區。
6.如權利要求5所述的半導體晶片的承載座，其特征在于，該導電部在遠離該電極區的一端延伸有一插接端子，該插接端子凸露出該圍墻的端面。
7.如權利要求4所述的半導體晶片的承載座，其特征在于，該開口位在該散熱部遠離該導電部的一側，該反射板位在該散熱部鄰近該開口的一端。
8.如權利要求4所述的半導體晶片的承載座，其特征在于，該穿槽的內壁面具有數個第一曲折面，該絕緣部件的外側周面具有數個第二曲折面，每一該第一曲折面和每一該第二曲折面相對應固接。
9.如權利要求1所述的半導體晶片的承載座，其特征在于，該反射板鄰近該容置空間的一側面涂布有一反射涂層。
10.如權利要求1所述的半導體晶片的承載座，其特征在于，所述的半導體晶片包括一導電陶瓷板及二晶片單元，該導電陶瓷板為一矩形長條體，在該矩形長條體的頂面和前側面位置分別平貼有該晶片單元，該前側面的晶片單元對應于該反射板的位置配設。
【文檔編號】H01L21/673GK203553123SQ201320727492
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年11月15日 優先權日:2013年11月15日
【發明者】陳建佑, 吳晉安 申請人:一詮精密電子工業(中國)有限公司