電連接器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種電連接器，用以電性連接一第一電子元件與一第二電子元件，電連接器包括一本體，多個容納孔設(shè)于本體內(nèi)，容納孔內(nèi)設(shè)有液態(tài)金屬與第一電子元件及第二電子元件電性導(dǎo)接，液態(tài)金屬選自鎵金屬，銦鎵合金，銦錫合金，鎵錫合金及銦鎵錫合金其中任意一種，以及至少一導(dǎo)電體設(shè)于液態(tài)金屬內(nèi)。上述液態(tài)金屬是低熔點金屬，利用液態(tài)金屬進(jìn)行電性傳輸，不僅液態(tài)金屬的阻抗小，液態(tài)金屬與導(dǎo)電體之間的接觸面積大，使得整個容納孔內(nèi)的液態(tài)金屬及導(dǎo)電體的阻抗小，進(jìn)而電連接器阻抗小，保證電流的正常傳輸，提供清晰、穩(wěn)定的通訊效果。
【專利說明】電連接器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉電連接器，尤指一種阻抗小的電連接器。
【背景技術(shù)】
[0002]習(xí)用的一種電連接器用以與一芯片模塊與一電路板對接，所述電連接器包括一絕緣本體，多個容納孔設(shè)于所述絕緣本體內(nèi)，每一容納孔內(nèi)設(shè)有一端子，所述端子采用金屬材料沖壓彎折成型，其一端與所述芯片模塊對接，另一端與所述電路板對接。采用所述端子，由于沖壓彎折等條件的限制，所述端子不可能做的很小，使得所述電連接器的體積較大，不適于小型化密集型的發(fā)展趨勢。
[0003]目前有一種技術(shù)是在所述容納孔內(nèi)填充金屬顆粒，主要是金或者銀或者金銀合金顆粒，從而所述容納孔可較小，使得所述電連接器的密度較大，體積也較小。然而所述金屬顆粒彼此點對點接觸，接觸面積小，使得所述容納孔內(nèi)的所述金屬顆粒整體阻抗大，造成正常電流的傳輸受到影響。且采用金或者銀金屬，材料貴，成本增加。
[0004]因此，有必要設(shè)計一種更好的電連接器，以克服上述問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]針對【背景技術(shù)】所面臨的問題，本實用新型的目的在于提供一種阻抗小的電連接器。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下技術(shù)手段:
[0007]—種電連接器，用以電性連接一第一電子元件與一第二電子元件，所述電連接器包括一本體；多個容納孔設(shè)于所述本體內(nèi)，所述容納孔內(nèi)設(shè)有液態(tài)金屬與所述第一電子元件及所述第二電子元件電性導(dǎo)接，所述液態(tài)金屬選自鎵金屬，銦鎵合金，銦錫合金，鎵錫合金及銦鎵錫合金其中任意一種；至少一導(dǎo)電體設(shè)于所述液態(tài)金屬內(nèi)。
[0008]進(jìn)一步，所述導(dǎo)電體是金屬細(xì)絲。
[0009]進(jìn)一步，所述金屬細(xì)絲的至少一端與所述第一電子元件或所述第二電子元件接觸。
[0010]進(jìn)一步，所述金屬細(xì)絲一端與所述第一電子元件接觸，另一端與所述第二電子元件接觸。
[0011]進(jìn)一步，所述金屬細(xì)絲是銅或銀的金屬細(xì)絲。
[0012]進(jìn)一步，所述導(dǎo)電體是多個金屬顆粒。
[0013]進(jìn)一步,所述金屬顆粒是銅金屬顆粒或銀金屬顆粒。
[0014]進(jìn)一步，所述金屬顆?；ハ鄬?dǎo)通，形成導(dǎo)電路徑。
[0015]進(jìn)一步，所述液態(tài)金屬粘附于所述金屬顆粒。
[0016]進(jìn)一步，所述導(dǎo)電體是金屬細(xì)絲及金屬顆粒的混合物。
[0017]進(jìn)一步，所述本體的上、下表面均設(shè)有一覆蓋層，所述覆蓋層對應(yīng)所述容納孔的位置處開設(shè)有至少一小孔，所述液態(tài)金屬突出于所述小孔，與所述第一電子元件及所述第二電子元件接觸。
[0018]進(jìn)一步，所述液態(tài)金屬粘附于所述小孔的邊緣。
[0019]進(jìn)一步，所述導(dǎo)電體是金屬細(xì)絲，其至少一端進(jìn)入所述小孔內(nèi)，且突出于所述小孔，與所述第一電子元件或所述第二電子元件接觸。
[0020]進(jìn)一步，所述導(dǎo)電體是金屬顆粒。
[0021]進(jìn)一步，所述金屬顆粒的直徑大于所述小孔的直徑。
[0022]進(jìn)一步，所述覆蓋層是硅膠，粘附于所述本體的上、下表面。
[0023]進(jìn)一步，所述第一電子元件與所述第二電子元件均以壓接的方式與所述液態(tài)金屬接觸。
[0024]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有以下有益效果:
[0025]所述容納孔內(nèi)設(shè)有所述液態(tài)金屬與所述第一電子元件及所述第二電子元件電性導(dǎo)接，所述液態(tài)金屬選自鎵金屬，銦鎵合金，銦錫合金，鎵錫合金及銦鎵錫合金其中任意一種，所述導(dǎo)電體設(shè)于所述液態(tài)金屬內(nèi)，所述液態(tài)金屬是低熔點金屬，利用所述液態(tài)金屬進(jìn)行電性傳輸，不僅所述液態(tài)金屬的阻抗小，所述液態(tài)金屬與所述導(dǎo)電體之間的接觸面積大，使得整個所述容納孔內(nèi)的所述液態(tài)金屬及所述導(dǎo)電體的阻抗小，進(jìn)而所述電連接器阻抗小，保證電流的正常傳輸，提供清晰、 穩(wěn)定的通訊效果。且采用所述銦鎵錫或其合金金屬材料，節(jié)省成本。
[0026]【【專利附圖】
【附圖說明】】
[0027]圖1為本實用新型電連接器的立體分解圖；
[0028]圖2為本實用新型電連接器覆蓋層未蓋設(shè)于本體的剖視圖；
[0029]圖3為本實用新型電連接器覆蓋層蓋設(shè)于本體的剖視圖；
[0030]圖4為本實用新型電連接器與第一電子元件及第二電子元件對接的剖視圖；
[0031]圖5為圖4的局部放大圖；
[0032]圖6為本實用新型第二實施例的局部放大圖；
[0033]圖7為本實用新型第三實施例的局部放大圖；
[0034]圖8為本實用新型第三實施例的剖視圖；
[0035]圖9為圖8的局部放大圖。
[0036]【具體實施方式】的附圖標(biāo)號說明:
[0037]
電連接器100 I本體II容納孔11 I液態(tài)金屬2 -
覆蓋層3 _小孔31 _導(dǎo)電體4 金屬細(xì)絲41
金屬顆粒42 _芯片模塊200_錫球210 電路板300
接觸墊310 IIl-
[0038]【【具體實施方式】】
[0039]為便于更好的理解本實用新型的目的、結(jié)構(gòu)、特征以及功效等，現(xiàn)結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進(jìn)一步說明。
[0040]如圖1及圖3，本實用新型電連接器100用以電性連接一第一電子元件和一第二電子元件，通常的所述第一電子元件是芯片模塊200，其底部設(shè)有多個錫球210，所述第二電子元件是電路板300，其表面設(shè)有多個接觸墊310，優(yōu)選的，所述芯片模塊200及所述電路板300以壓接的方式與所述電連接器100電性接觸。[0041]如圖1及圖2，所述電連接器100具有一本體I，所述本體I設(shè)有多個容納孔11，所述容納孔11內(nèi)設(shè)有低熔點的液態(tài)金屬2，所述液態(tài)金屬2選自鎵金屬，銦鎵合金，銦錫合金，鎵錫合金及銦鎵錫合金其中任意一種。由于鎵的熔點在29.76V左右，因此，所述液態(tài)金屬2可直接使用鎵金屬；由于銦的熔點在156.61°C左右，錫的熔點在231.93°C左右，但銦、鎵、錫的二元或者三元合金的熔點卻可以大幅降低，上述合金的熔點根據(jù)不同比例而異，例如，銦-鎵比例為24.5:75.5時，銦鎵二元合金的熔點為15.7°C，銦-鎵-錫比例為20.5:66.5:13.0時，銦鎵錫三元合金的熔點為10.7°C，因此所述液態(tài)金屬2還可以是銦-鎵，銦-錫，鎵-錫，銦-鎵-錫其中任意一種。使用者可使用鎵金屬，或利用銦、鎵、錫金屬根據(jù)比例配出合金，使得在常溫下，所述鎵金屬和所述銦鎵合金，所述銦錫合金，所述鎵錫合金及所述銦鎵錫合金呈液態(tài)，從而金屬之間的接觸面積大，阻抗小，整個所述容納孔11內(nèi)的所述液態(tài)金屬2阻抗小，在電流傳輸時，不會因阻抗消耗能量，從而保證所述電流傳輸?shù)姆€(wěn)定性，電性連接效果好。且所述鎵金屬，銦鎵合金，銦錫合金，鎵錫合金及銦鎵錫合金比金或銀金屬價格低，可節(jié)省成本。
[0042]如圖2及圖3，所述本體I的上、下表面分別設(shè)有一覆蓋層3，在本實施例中，所述覆蓋層3是硅膠，粘附于所述本體I的上、下表面，擋止于所述液態(tài)金屬2，防止其流出。所述覆蓋層3對應(yīng)所述容納孔11的位置處設(shè)有多個小孔31，所述小孔31的面積遠(yuǎn)小于所述容納孔11的面積，部分所述液態(tài)金屬2進(jìn)入所述小孔31內(nèi)，且填充于所述小孔31，在表面張力的作用下，部分所述液態(tài)金屬2粘附于所述小孔31的邊緣，使得所述液態(tài)金屬2突出于所述小孔31，與所述芯片模塊200上的所述錫球210及所述電路板300上的所述接觸墊310接觸，實現(xiàn)電性連接。
[0043]如圖2，所述容納孔11內(nèi)還設(shè)有多個導(dǎo)電體4。在本實施例中，所述導(dǎo)電體4是金屬細(xì)絲41，所述金屬細(xì)絲41是銅或者銀的金屬細(xì)絲41，所述金屬細(xì)絲41放置于所述液態(tài)金屬2內(nèi)，使得所述液態(tài)金屬2完全包覆其表面，使得所述液態(tài)金屬2與所述金屬細(xì)絲41之間的接觸面積是所述金屬細(xì)絲41的全部表面積，因此接觸面積較大，阻抗小。所述金屬細(xì)絲41可縮短導(dǎo)電路徑，也可降低阻抗。
[0044]如圖4及圖5，在第一實施例中，所述金屬細(xì)絲41的上、下兩端分別進(jìn)入所述小孔31內(nèi)，并突出于所述小孔31，分別與所述芯片模塊200及所述電路板300抵接。如圖6，在第二實施例中，所述金屬細(xì)絲41僅有一端進(jìn)入所述小孔31內(nèi)，且與所述芯片模塊200或所述電路板300接觸，此時所述金屬細(xì)絲41的另一端可在所述液態(tài)金屬2內(nèi)移動，使得所述金屬細(xì)絲41的彈性較好，可與所述芯片模塊200或所述電路板300形成較好的彈性接觸。如圖7，在第三實施例中，所述金屬細(xì)絲41的兩端位于所述容納孔11內(nèi)，均未進(jìn)入所述小孔31，僅利用所述液態(tài)金屬2突出于所述小孔31，與所述芯片模塊200及所述電路板300電性連接。
[0045]如圖8及圖9，在第四實施例中，所述導(dǎo)電體4是多個金屬顆粒42，所述金屬顆粒42是銅或者銀金屬顆粒42，利用銅或者銀金屬顆粒42填充部分所述容納孔11，使得所述容納孔11內(nèi)的液態(tài)金屬2可減少，而銅和銀的價錢遠(yuǎn)比銦、鎵、錫金屬及其合金價錢低，因此可減少銦、鎵、錫金屬及其合金的用量，進(jìn)而節(jié)省成本。優(yōu)選的，所述金屬顆粒42彼此接觸，形成導(dǎo)電路徑，所述金屬顆粒42被所述液態(tài)金屬2包圍，使得所述液態(tài)金屬2與所述金屬顆粒42之間的接觸面積增大，由【背景技術(shù)】中金屬顆粒42之間的點對點接觸，變?yōu)樗鲆簯B(tài)金屬2包覆所述金屬顆粒42的表面,兩者之間的接觸面積是所述金屬顆粒42的表面積,兩者之間的接觸面積增加，阻抗小。且所述液態(tài)金屬2粘附于所述金屬顆粒42的表面而不會流出。所述金屬顆粒42的直徑大于所述小孔31的直徑，使得所述金屬顆粒42保持于所述容納孔11內(nèi)，而不會從所述小孔31內(nèi)掉落。當(dāng)然，也可以有部分所述金屬顆粒42進(jìn)入所述小孔31內(nèi)。
[0046]在第五實施例中，所述導(dǎo)電體4是所述金屬顆粒42與所述金屬細(xì)絲41的混合物，通過所述金屬顆粒42與所述金屬細(xì)絲41，連通所述液態(tài)金屬2中的金屬，形成較短的導(dǎo)電路徑，降低阻抗。
[0047]當(dāng)所述電連接器100與所述芯片模塊200及所述電路板300導(dǎo)接時，所述芯片模塊200的所述錫球210壓接上方的所述液態(tài)金屬2，所述電路板300的所述接觸墊310壓接下方的所述液態(tài)金屬2，當(dāng)然所述下方的液態(tài)金屬2也可焊接于所述電路板300上。
[0048]綜上所述，本實用新型電連接器100有下列有益效果:
[0049](I)所述容納孔11內(nèi)設(shè)有低熔點的液態(tài)金屬2,所述液態(tài)金屬2選自鎵金屬,銦鎵合金，銦錫合金，鎵錫合金及銦鎵錫合金其中任意一種，在常溫下，所述鎵金屬和所述銦鎵合金，所述銦錫合金，所述鎵錫合金及所述銦鎵錫合金呈液態(tài)，從而金屬之間的接觸面積大，阻抗小，整個所述容納孔11內(nèi)的所述液態(tài)金屬2阻抗小，在電流傳輸時，不會因阻抗消耗能量，從而保證所述電流傳輸?shù)姆€(wěn)定性，電性連接效果好。
[0050](2)述導(dǎo)電體4是多個金屬顆粒42，所述金屬顆粒42是銅或者銀金屬顆粒42，利用銅或者銀金屬顆粒42填充部分所述容納孔11，使得所述容納孔11內(nèi)的液態(tài)金屬2可減少，而銅和銀的價錢遠(yuǎn)比銦、鎵、錫金屬及其合金價錢低，因此可減少銦、鎵、錫金屬及其合金的用量，進(jìn)而節(jié)省成本。
[0051](3)所述金屬顆粒42被所述液態(tài)金屬2包圍，使得所述液態(tài)金屬2與所述金屬顆粒42之間的接觸面積增大，由【背景技術(shù)】中金屬顆粒42之間的點對點接觸，變?yōu)樗鲆簯B(tài)金屬2包覆所述金屬顆粒42的表面，兩者之間的接觸面積是所述金屬顆粒42的表面積，兩者之間的接觸面積增加，阻抗小。
[0052]上詳細(xì)說明僅為本實用新型之較佳實施例的說明，非因此局限本實用新型的專利范圍，所以，凡運用本創(chuàng)作說明書及圖示內(nèi)容所為的等效技術(shù)變化，均包含于本實用新型的專利范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電連接器，用以電性連接一第一電子元件與一第二電子元件，其特征在于，包括: 一本體； 多個容納孔設(shè)于所述本體內(nèi)，所述容納孔內(nèi)設(shè)有液態(tài)金屬與所述第一電子元件及所述第二電子元件電性導(dǎo)接，所述液態(tài)金屬選自鎵金屬，銦鎵合金，銦錫合金，鎵錫合金及銦鎵錫合金其中任意一種； 至少一導(dǎo)電體設(shè)于所述液態(tài)金屬內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體是金屬細(xì)絲。
3.如權(quán)利要求2所述的電連接器，其特征在于:所述金屬細(xì)絲的至少一端與所述第一電子元件或所述第二電子元件接觸。
4.如權(quán)利要求3所述的電連接器，其特征在于:所述金屬細(xì)絲一端與所述第一電子元件接觸，另一端與所述第二電子元件接觸。
5.如權(quán)利要求2所述的電連接器，其特征在于:所述金屬細(xì)絲是銅或銀的金屬細(xì)絲。
6.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體是多個金屬顆粒。
7.如權(quán)利要求6所述的電連接器，其特征在于:所述金屬顆粒是銅金屬顆?；蜚y金屬顆粒。
8.如權(quán)利要求6所述的電連接器，其特征在于:所述金屬顆?；ハ鄬?dǎo)通，形成導(dǎo)電路徑。
9.如權(quán)利要求6所述的電連接器，其特征在于:所述液態(tài)金屬粘附于所述金屬顆粒。
10.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體是金屬細(xì)絲及金屬顆粒的混合物。
11.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述本體的上、下表面均設(shè)有一覆蓋層，所述覆蓋層對應(yīng)所述容納孔的位置處開設(shè)有至少一小孔，所述液態(tài)金屬突出于所述小孔，與所述第一電子元件及所述第二電子元件接觸。
12.如權(quán)利要求11所述的電連接器，其特征在于:所述液態(tài)金屬粘附于所述小孔的邊緣。
13.如權(quán)利要求11所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體是金屬細(xì)絲，其至少一端進(jìn)入所述小孔內(nèi)，且突出于所述小孔，與所述第一電子元件或所述第二電子元件接觸。
14.如權(quán)利要求11所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體是金屬顆粒。
15.如權(quán)利要求14所述的電連接器，其特征在于:所述金屬顆粒的直徑大于所述小孔的直徑。
16.如權(quán)利要求11所述的電連接器，其特征在于:所述覆蓋層是硅膠，粘附于所述本體的上、下表面。
17.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述第一電子元件與所述第二電子元件均以壓接的方式與所述液態(tài)金屬接觸。
【文檔編號】H01R3/08GK203536572SQ201320601089
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】朱德祥 申請人:番禺得意精密電子工業(yè)有限公司