芯片級濾波器封裝結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開一種芯片級濾波器封裝結構，包括空腔圍墻和金屬屏蔽層，其特征是：其是幾何形狀的四面等高圍墻式；所述空腔圍墻的內部四個側面與芯片的四個側面接觸；所述空腔圍墻的環形端面與基板的表面接觸；所述空腔圍墻的外部四個側面置于包封膠中。所述金屬屏蔽層是薄片式；所述金屬屏蔽層貼附在芯片背面，所述金屬屏蔽層置于包封膠中。本實用新型由于圍墻式設計，使得基板上的芯片完全罩于空腔圍墻和金屬屏蔽層中，防止了包封膠流到芯片表面的換能器上，同時金屬屏蔽層貼附在芯片背面，使器件具有了屏蔽功能。
【專利說明】芯片級濾波器封裝結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種濾波器，具體是講一種芯片級濾波器的封裝結構。
【背景技術】
[0002]芯片級濾波器的封裝，一般都是采用將芯片倒裝在基板上，再用包封膠使芯片密封在基板與包封膠中。這種封裝結構存在以下問題:
[0003]1、目前的封裝結構，如圖1所示，包封膠2直接涂布在芯片3的外側，由于基板I與芯片3是通過金球4鍵合在一起的，基板I與芯片3之間形成空腔，有部分包封膠2會流進基板I與芯片3之間的空腔中，導致部分包封膠粘附到芯片2表面的換能器上，影響了產品有性能。
[0004]2、包封膠2直接涂布在芯片3的外側，沒有屏蔽功能。
【發明內容】
[0005]本實用新型旨在解決現有產品中性能不好，以及沒有屏蔽功能的缺陷，提出一種新型的芯片級濾波器封裝結構。
[0006]為實現上述目的，本實用新型采取以下技術方案:一種芯片級濾波器封裝結構，包括空腔圍墻和金屬屏蔽層，其特征是所述，其是幾何形狀的四面等高圍墻式；所述空腔圍墻的內部四個側面與芯片的四個側面接觸；所述空腔圍墻的環形端面與基板的表面接觸；所述空腔圍墻的外部四個側面置于包封膠中。所述金屬屏蔽層是薄片式；所述金屬屏蔽層貼附在芯片背面，所述金屬屏蔽層置于包封膠中。。
[0007]本實用新型由于采取以上技術方案，其具有以下優點:1、由于圍墻式設計，使得基板上的芯片完全罩于空腔圍墻和金屬屏蔽層中，防止了包封膠流到芯片表面的換能器上，提高了產品的性能。2、同時金屬屏蔽層貼附在芯片背面，使器件具有了屏蔽功能芯片級。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]圖1是通常芯片級濾波器封裝結構的三視圖；
[0009]圖2是通常芯片級濾波器封裝結構的剖視圖；
[0010]圖3是本實用新型芯片級濾波器封裝結構的三視圖；
[0011]圖4是本實用新型芯片級濾波器封裝結構的剖視圖。
【具體實施方式】
[0012]下面結合附圖和實施例對本實用新型進行詳細的描述。
[0013]如圖3所示，本實用新型提出的封裝結構，是在原有的包封膠直接涂布在芯片的外側及基板的上面，改進后先在芯片13外部罩上空腔圍墻15，使芯片13置于空腔圍墻15與和金屬屏蔽層16與基板11組成的空間內。
[0014]這樣的設計，使得包封膠12僅能涂布在空腔圍墻5和金屬屏蔽層16的外側及基板11的上面。
[0015]空腔圍墻15的內部四個側面與芯片13的四個側面接觸。
[0016]空腔圍墻15的環形端面與基板11的表面接觸。
[0017]空腔圍墻15的外部四個面置于包封膠12中。
[0018]空腔圍墻15的側面的厚度，即可以為等壁厚設計，也可以非等壁厚設計。
[0019]空腔圍墻15的側面的聞度，為等聞設計。
[0020]金屬屏蔽層16貼附在芯片背面。
[0021]金屬屏蔽層16置于包封膠12中。
[0022]由于在芯片13外側罩一個空腔圍墻15和背面貼附金屬屏蔽層16，防止了包封膠12會流進基板11與芯片13及金球14之間形成的空腔中粘附到芯片13換能器上，有效地提高了產品的性能，同時由于芯片13背面貼附金屬屏蔽層16，具有了屏蔽功能。
[0023]上述各實施例僅用于說明本實用新型，其中各部件的局部結構、連接方式可以根據實際情況有所調整，不過凡是在本實用新型技術方案的基礎上進行的等同變換和改進，均不應排除在本實用新型的保護范圍之外。
【權利要求】
1.一種芯片級濾波器封裝結構，包括空腔圍墻和金屬屏蔽層，其特征是所述空腔圍墻其是幾何形狀的四面等高圍墻式；所述金屬屏蔽層是薄片式。
2.根據權利要求1所述的芯片級濾波器封裝結構，其特征在于:所述空腔圍墻的內部四個側面與芯片的四個側面接觸。
3.根據權利要求1所述的芯片級濾波器封裝結構，其特征在于:所述空腔圍墻的環形端面與基板的表面接觸。
4.根據權利要求1所述的芯片級濾波器封裝結構，其特征在于:所述空腔圍墻的外部四個側面置于包封膠中。
5.根據權利要求1所述的芯片級濾波器封裝結構，其特征在于:所述金屬屏蔽層貼附在芯片背面。
6.根據權利要求1所述的芯片級濾波器封裝結構，其特征在于:所述金屬屏蔽層置于包封膠中。
【文檔編號】H01L23/552GK203466174SQ201320523029
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2013年8月16日 優先權日:2013年8月16日
【發明者】王寧, 劉長順, 張水清, 張修華 申請人:深圳華遠微電科技有限公司