絕緣柵雙極型晶體管的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種絕緣柵雙極型晶體管，包括：第一基區，具有第二導電類型；源區，具有不同于第二導電類型的第一導電類型并與第一基區形成第一pn結；漂移區，具有第一導電類型并與第一基區形成第二pn結；集電區，具有第二導電類型；至少一個溝槽，其中，至少一個溝槽由柵電極填充，至少一個溝槽具有第一溝槽部和第二溝槽部，第一溝槽部具有第一寬度，第二溝槽部具有第二寬度，第二寬度與第一寬度不同；以及場終止區，具有第一導電類型，位于漂移區和集電區之間并與集電區形成第三pn結，其中，場終止區包括深能級第一導電類型摻雜區。場終止區具有深能級摻雜區，可以保證在絕緣柵雙極型晶體管斷開期間功率損耗降低也能夠獲得良好的短路魯棒性。
【專利說明】絕緣柵雙極型晶體管
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體器件，更具體地，涉及一種絕緣柵雙極型晶體管。
【背景技術】
[0002]絕緣柵雙極型晶體管(IGBT:1nsulated Gate Bipolar Transistor)是由金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET:Metal-0xide-Semiconductor Field-EffectTransistor)和雙極型晶體管(BJT:Bipolar Junction Transistor)復合而成的半導體器件，其兼具這兩種器件的優點，既具有MOSFET的驅動功率小和開關速度快的優點，又具有BJT的飽和壓降低且容量大的優點。因此，近年來IGBT已經廣泛應用于諸如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等需要進行電力轉換的領域。
[0003]圖1示出了現有的IGBT的一個實例。如圖1所示，IGBT10被示出為具有溝槽柵場終止型結構，其包括順次層疊的P型集電區ll、n型場終止區12、n-型漂移區13、p型基區14以及n+型源區15，以及形成在η-型漂移區13、ρ型基區14以及η+型源區15中的柵極16和柵氧化層17。
[0004]進一步地，在圖1所示的IGBT10中，柵極16包括具有均勻截面寬度的上部柵極161以及截面寬度大于上部柵極161的截面寬度的下部柵極162。這種結構可被稱為局部窄臺(PNM:Partially Narrow Mesa)結構。在 Masakiyo Sumitomo 等人發表于 2012 年第24屆國際功率半導體器件與功率集成電路會議(ISPSD international Symposium onPowerSemiconductor Devices and IC)的論文“Low Loss IGBT with Partially NarrowMesa Structure (PNM-1GBT) ”以及美國專利第US7800187B2號中記載了具有類似結構的IGBT。通過形成如圖1中虛線框所示的局部窄臺結構(兩個相鄰溝槽柵之間的基區被窄化)，能夠在確保不減小金屬-半導體接觸面積的情況下減小臺面寬度(兩個相鄰溝槽柵之間的基區的寬度)，從而IGBT10的飽和電壓顯著降低，并且通態電壓和關斷損耗之間也能獲得良好權衡。
[0005]然而，在絕緣柵雙極型晶體管在正面側上具有極小的臺面結構的情況下，靠近晶體管的正面側在其導通狀態下存在高濃度的自由電荷載流子，以獲得低的飽和電壓值vCEsato因此，有必要降低絕緣柵雙極型晶體管的背面發射極的射極效率以減少絕緣柵雙極型晶體管斷開期間出現的功率損耗。另一方面，絕緣柵雙極型晶體管的軟斷開特性要求在斷開期間避免高電壓峰值，尤其是對于高漏電感的情況。此外，為了獲得良好的短路魯棒性，射極效率在室溫或甚至更低的操作溫度下不應該太低，以避免或至少降低有害的電場的垂直分布的“反轉(Umklapp)”效應(也稱作Kirk效應)。
實用新型內容
[0006]鑒于以上情況，期望提供一種能夠在斷開期間減少功率損耗而同時在低溫下操作時能夠獲得良好的短路魯棒性的IGBT器件。
[0007]根據本實用新型的一個實施方式，提供了一種絕緣柵雙極型晶體管，包括半導體本體，其特征在于，包括:第一基區，具有第二導電類型；源區，具有不同于所述第二導電類型的第一導電類型并與所述第一基區形成第一 pn結；漂移區，具有不同于所述第二導電類型的第一導電類型并與所述第一基區形成第二 pn結；集電區，具有與所述第一導電類型不同的第二導電類型；至少一個溝槽，其中，所述至少一個溝槽由柵電極填充，并且其中，所述至少一個溝槽具有第一溝槽部和第二溝槽部，所述第一溝槽部具有第一寬度，所述第二溝槽部具有第二寬度，所述第二寬度與所述第一寬度不同；以及場終止區，具有所述第一導電類型，位于所述漂移區和所述集電區之間并與所述集電區形成第三pn結，其中，所述場終止區包括深能級第一導電類型摻雜區。
[0008]所述深能級第一導電類型摻雜區包括在導帶邊緣之下至少0.2eV的能級。
[0009]所述深能級第一導電類型摻雜區包括在硅的能帶間隙中具有深能級的至少一種原子。硅的能帶間隙中的所述深能級為在硅的最接近能帶邊緣之下至少0.2eV。
[0010]優選地，所述至少一種原子包括來自硒和硫中的至少一種。
[0011]優選地，所述至少一種原子的濃度為1.E+16cnT3以上。
[0012]進一步地，所述深能級第一導電類型摻雜區包括:第一區域，具有第一深能級原子摻雜濃度；以及第二區域，比所述第一區域更靠近所述集電區與所述場終止區之間的所述第三pn結，并具有第二深能級原子摻雜濃度，其中，所述第二深能級原子摻雜濃度大于所述第一深能級原子摻雜濃度，并且與所述第一區域的摻雜輪廓相比通常具有較高的摻雜輪廊梯度。
[0013]可選地，所述場終止區進一步包括能級靠近硅的最接近能帶邊緣的原子。
[0014]可選地，所述場終止區進一步包括:至少一個具有所述第二導電類型的埋入區。
[0015]所述至少一個埋入區包括相對于彼此在所述絕緣柵雙極型晶體管的橫向排列的多個埋入局部P型區。
[0016]所述至少一個埋入區包括具有覆蓋幾個單元節距的橫向延伸的多個埋入局部ρ型區。
[0017]所述至少一個埋入區與所述絕緣柵雙極型晶體管的正面側結構對準。
[0018]此外，所述場終止區可選地包括質子注入區，以及所得的質子注入引起的施主濃度。
[0019]所述集電區包括:第一集電區域，具有第一摻雜濃度；以及第二集電區域，具有第二摻雜濃度，其中，所述第一集電區域與所述第二集電區域橫向排列，并且所述第一摻雜濃度和所述第二摻雜濃度不同。
[0020]所述絕緣柵雙極型晶體管進一步包括，形成在所述半導體本體表面上并至少部分地設置在所述源區處的溝槽，并且其中，所述溝槽由發射電極的一部分填充從而使得所述發射電極與所述源區和所述第一基區接觸。
[0021]所述溝槽的深度大于或等于由所述源區和所述第一基區形成的所述第一 pn結的深度。
[0022]所述絕緣柵雙極型晶體管進一步包括，防閂鎖區(P+)，形成在所述第一基區中，具有所述第一導電類型以及比所述第一基區大的摻雜濃度。
[0023]所述防閂鎖區(P+)具有位于所述源區之下并與所述源區接觸的至少第一部分。
[0024]所述第二溝槽部設置在所述絕緣柵雙極型晶體管的垂直方向上、所述第一溝槽部之下，并且其中，在所述絕緣柵雙極型晶體管的橫向上所述第二寬度大于所述第一寬度。
[0025]所述第一溝槽部的所述第一寬度為沿著所述第一溝槽部均勻的寬度。
[0026]所述至少一個溝槽包括絕緣體，所述絕緣體將所述柵電極至少與所述源區和所述
第一基區絕緣。
[0027]在根據本實用新型的絕緣柵雙極型晶體管中，由于場終止區包括深能級摻雜區，所以，對于低溫操作，深能級摻雜區中的深能級摻雜原子在場終止區的非耗盡層中的活性相對低，從而射極效率在較低的溫度可以被選擇為相對高，而與較高的操作溫度相比，在較低的溫度，射極效率通常明顯較低，從而既可以保證在絕緣柵雙極型晶體管的較高操作溫度下斷開期間功率損耗降低也能夠獲得良好的短路魯棒性。此外，通過該措施可以最小化該裝置的漏電流
【專利附圖】
【附圖說明】
[0028]在附圖中，不同視圖中的相似參考符號一般表示相同部分。附圖不一定按比例繪制，重點在于對本實用新型的原則進行圖解說明。在以下說明中，根據以下附圖對本實用新型的各個實施方式進行了說明，在附圖中:
[0029]圖1是示出現有技術的IGBT的一個實例的斜視圖；
[0030]圖2是示出根據本實用新型的一個實施方式的IGBT的截面圖；
[0031]圖3是示出根據本實用新型的在深能級摻雜區中分兩步摻雜有Se和S的IGBT的截面圖；
[0032]圖4是示出根據本實用新型的示意性Se+S-場終止摻雜輪廓圖；以及
[0033]圖5是示出根據本實用新型的變形例的IGBT的截面圖。
【具體實施方式】
[0034]以下詳細說明參照附圖進行，附圖以圖解方式示出可實施本實用新型的具體細節和實施方式。
[0035]本文可使用關于在側面或表面“之上”形成材料的詞語“之上”，表示該材料可“直接”形成于所述側面或表面“之上”，例如，與其直接接觸。本文可使用關于在側面或表面“之上”形成材料的詞語“之上”，表示材料可“間接”形成于所述側面或表面“之上”，所述側面或表面與該材料之間設有一個或多個附加層。
[0036]在本實用新型中，對于在較高操作溫度下，具有窄臺結構的IGBT的背面ρ發射極的相對低的射極效率的情況，提出使用特定的場終止結構，以確保軟斷開特性和相對低操作溫度下(例如，室溫或甚至更低的溫度)的良好的短路魯棒性。
[0037]圖2是示出根據本實用新型的一個實施方式的IGBT的截面圖。參照圖2，IGBT20被示出為包括順次層疊的集電極C、ρ型集電區21、η型場終止區22、η-型漂移區23、ρ型基區24以及η+型源區25，以及形成在η-型漂移區23、ρ型基區24以及η+型源區25中的柵極26和柵介電層27。柵介電層27將柵電極26至少與源區25和基區24絕緣。另外，在Ρ型基區24、η+型源區25、柵極26的上表面上形成有層間介電層28。IGBT20還具有發射極29,發射極29包括第一發射極部分291和第二發射極部分292。第一發射極部分291形成在層間介電層28上，第二發射極部分292從第一發射極部分291的下表面向下延伸穿過層間介電層28，以與ρ型基區24和n+型源區25接觸。
[0038]此外，在圖2所示的IGBT20中，柵極26包括具有均勻截面寬度的上部柵極261以及截面寬度大于上部柵極261的截面寬度的下部柵極262。上部柵極261的寬度沿著上部柵極261是均勻的。
[0039]溝槽形成在所述半導體本體表面上并至少部分地設置在所述源區25處，并且其中，所述溝槽由發射電極的一部分填充從而使得發射電極與源區和第一基區24接觸。所述溝槽的深度大于或等于由源區25和第一基區24形成的pn結的深度。防閂鎖區(P+)形成在所述第一基區(24)中，具有所述第一導電類型以及比所述第一基區大的摻雜濃度。所述防閂鎖區(P+)具有位于所述源區25之下并與所述源區25接觸的至少第一部分。
[0040]在圖2所示的根據本實用新型的一個實施方式的IGBT中，η型場終止區22包括摻雜有在硅的能帶間隙中具有深能級的至少一種原子的深能級摻雜區22’。在上下文中，深能級摻雜區表示摻雜原子的能帶間隙中的至少一個能級具有在最接近能帶之下與最接近能帶邊緣至少150meV的差值，優選地，至少200meV的差值。這樣的具有深能級的原子的實例例如包括硒(Se)或硫(S)，但并不限于這兩種原子。這兩種原子在硅的能帶間隙中具有兩個深能級。這些深能級的優點在于，對于低操作溫度，這些原子在η型場終止區22的非耗盡區中的活性相對低(導致相對高的傳輸因子)，從而IGBT的射極效率在較低的溫度可以被選擇為相對高。特別地，在室溫，軟斷開特性為臨界點，這是因為，與較高的操作溫度相比，在較低的溫度，IGBT的射極效率通常明顯較低。換句話說，通過在IGBT的漂移區和集電區之間設置包括摻雜有在硅的能帶間隙中具有深能級的原子的深能級摻雜區的場終止區，使得根據本實用新型的IGBT能夠具有相對軟的斷開特性和在低溫下良好的短路魯棒性，以及在高溫下的不太高的斷開損耗。此外，通過使用這樣的深能級摻雜區可以顯著降低IGBT的高溫下的漏電流。此外，η型場終止區22可以進一步包括能級靠近硅的最接近能帶邊緣的原子。深能級摻雜區22’包括在導帶邊緣之下至少0.2eV的能級。
[0041]優選地，期望至少在靠近ρ型集電區和場終止區之間的pn結處的作為深能級施主的原子的濃度相對高。優選高摻雜能級的原因在于，摻雜能級越高，這些摻雜原子的活性的溫度依賴性越強，而背面射極效率的溫度依賴性越小(甚至可以為負)。因此，期望摻雜濃度，特別是靠近IGBT的場終止區和ρ型集電區之間的pn結處優選超過1.E+16cm_3。也可以是超過1.E+15cnT3的摻雜能級。ρ型集電區的摻雜能級必須適應提高的場終止區濃度。
[0042]在IGBT導通狀態下的低濃度的自由電荷載流子在整個操作溫度范圍上是有用的IGBT的一些區域中(例如，在結終端的區域或柵襯墊或柵引線之下的區域中)，場終止區的摻雜濃度甚至可以更高；此外，在這些區域中，如果場終止區另外或可選地包含能級相對接近硅的導帶邊緣的原子以減少對于整個操作溫度范圍的這些區域中的自由電荷載流子的注入，則是有利的。
[0043]作為優化IGBT的軟斷開特性的具體實例，可以在η型場終止區22的深能級摻雜區中通過向內擴散技術(in-diffusion technique)或離子束派射法分兩步摻雜硒(Se)和硫(S)，但并不限于上述摻雜方法。
[0044]圖3示出了根據本實用新型的具有以兩個不同的滲透深度摻雜的Se和S的IGBT的截面圖，其中與圖2中類似的參考標號(31、32、32’、33、34、35、36、37、361、362)對應于圖2中相應的部分(21、22、22’、23、24、25、26、27、261、262)，其具體指代將不再詳細描述。圖4示出了根據本實用新型的示意性Se+S-場終止摻雜輪廓圖，其中，橫軸對應于從IGBT背面(左)沿向前面的方向穿過IGBT的垂直切割(深度)，縱軸表示摻雜原子的濃度。
[0045]由圖4可以看出，與硒的穿透深度相比，硫的穿透深度通常較深，因此，硫的濃度將較低，從而在IGBT中形成了兩步摻雜輪廓。所得的兩步摻雜輪廓可以通過兩種摻雜劑的兩步擴散來獲得。可選地，也可以同時向內擴散，因為與硒的擴散系數相比，硫的擴散系數更高。由于在IGBT斷開期間其空間電荷層的穿透速度降低，從而所得的兩步摻雜輪廓使得IGBT具有極軟的斷開特性。此外，由于在短路期間流動的電流的非常有效的局部補償，通過這樣的兩步摻雜輪廓可以顯著提高短路魯棒性，從而降低Kirk效應。
[0046]作為提高IGBT斷開期間的軟斷開特性的另一種選擇，可以在場終止區的深能級摻雜區中實現多個埋入局部P型區(local p-type region),如圖5所示。標號52’’表示多個埋入局部ρ型區，其他與圖2中類似的參考標號(51、52、52’、53、54、55、56、57、561、562)對應于圖2中相應的部分(21、22、22’、23、24、25、26、27、261、262)，其具體指代將不再詳細描述。
[0047]至少一個埋入局部ρ型區具有覆蓋幾個單元節距的橫向延伸。
[0048]可選地，至少一個埋入區包括相對于彼此在所述絕緣柵雙極型晶體管的橫向排列的多個埋入局部ρ型區。
[0049]可選地，場終止區52包括深能級η型摻雜區52’。
[0050]所述埋入局部ρ型可以或不與絕緣柵雙極型晶體管的正面結構對準。
[0051]由于在場終止區中實現多個埋入局部ρ型區，這使得在IGBT的斷開期間可控制自由電荷載流子的注入。在IGBT的導通狀態下，這些埋入局部ρ型區對自由電荷載流子的濃度沒有顯著影響，但是，在IGBT斷開期間，通過這些埋入局部ρ型區的pn結的可控的擊穿確保了通過這些埋入局部P型區向場終止區的自由電荷載流子的另外的注入，從而提高了IGBT斷開期間的軟斷開特性。由于以深施主能級原子摻雜場終止區，所以，該控制的載流子注入是特別有效的。
[0052]在結終端或柵襯墊或柵引線之下的區域中，可以省略這些埋入局部ρ型區以通過這些區域中的最小的注入來提高IGBT器件的魯棒性。
[0053]盡管以上已經通過在IGBT的深能級摻雜區中摻雜在硅的能帶間隙中具有相對深的能級的原子或在場終止區中實現多個埋入局部P型區的實例描述了能夠實現上述效果的本實用新型的實施方式，但本實用新型并不限于這些實例。
[0054]可選地，可以將至少部分場終止區通過質子注入而形成質子注入區，S卩，質子感應η型層。這些質子感應η型層具有相對小的穿透深度，從而對于IGBT器件的短路魯棒性是有益的。質子注入與在250°C和420°C之間的溫度下執行的IGBT器件的退火步驟一起導致了可控的施主的產生。這些處理可以在執行制造IGBT器件所需的高溫處理步驟之后來執行，更具體地，在從背面將晶片薄化之后來執行。
[0055]可選地，還可以通過使得IGBT器件的背面發射極(集電區)的濃度另外或可選地實施為橫向變化(lateral variation),以提高具有小的臺面結構的IGBT器件的斷開期間的軟斷開特性。
[0056]在本實用新型中，在具有小的臺面結構的IGBT中實現具有深施主能級和另外或可選地具有埋入局部P型層的η型場終止層以確保在高溫下IGBT器件的斷開期間低的功率損耗，以及在整個溫度范圍內的軟斷開特性。此外，通過質子輻射在IGBT器件的場終止區中產生η型摻雜。另外，實現了具有發射極的可控的橫向變化的背面ρ發射極以及注入效率。
[0057]上文根據特定實施方式對本實用新型進行了具體示出和說明，但本領域的技術人員應理解，只要不脫離所附權利要求限定的本實用新型的主旨和范圍，可對其形式和細節進行各種改變。因此，本實用新型的范圍如所附權利要求所述，因此，只要符合權利要求等同物的意義和范圍，可進行各種改變。
【權利要求】
1.一種絕緣柵雙極型晶體管，包括半導體本體，其特征在于，包括: 第一基區，具有第二導電類型； 源區，具有不同于所述第二導電類型的第一導電類型并與所述第一基區形成第一 pn結； 漂移區，具有不同于所述第二導電類型的第一導電類型并與所述第一基區形成第二 pn結； 集電區，具有與所述第一導電類型不同的第二導電類型； 至少一個溝槽，其中，所述至少一個溝槽由柵電極填充，并且其中，所述至少一個溝槽具有第一溝槽部和第二溝槽部，所述第一溝槽部具有第一寬度，所述第二溝槽部具有第二寬度，所述第二寬度與所述第一寬度不同；以及 場終止區，具有所述第一導電類型，位于所述漂移區和所述集電區之間并與所述集電區形成第三pn結， 其中，所述場終止區包括深能級第一導電類型摻雜區。
2.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于， 所述深能級第一導電類型摻雜區包括在導帶邊緣之下至少0.2eV的能級。
3.根據權利要求1或2所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述深能級第一導電類型摻雜區包括在硅的能`帶間隙中具有深能級的至少一種原子。
4.根據權利要求3所述的絕緣柵雙極型晶體管，其中，硅的能帶間隙中的所述深能級為在硅的最接近能帶邊緣之下至少0.2eV。
5.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述至少一種原子包括來自硒和硫中的至少一種。
6.根據權利要求3所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述至少一種原子的濃度為l.E+16cnT3以上。
7.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于， 所述深能級第一導電類型摻雜區包括: 第一區域，具有第一深能級原子摻雜濃度；以及 第二區域，比所述第一區域更靠近所述集電區與所述場終止區之間的所述第三pn結，并具有第二深能級原子摻雜濃度， 其中，所述第二深能級原子摻雜濃度大于所述第一深能級原子摻雜濃度。
8.根據權利要求2、4或6中任一項所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于， 所述深能級第一導電類型摻雜區包括: 第一區域，具有第一深能級原子摻雜濃度；以及 第二區域，比所述第一區域更靠近所述集電區與所述場終止區之間的所述第三pn結，并具有第二深能級原子摻雜濃度， 其中，所述第二深能級原子摻雜濃度大于所述第一深能級原子摻雜濃度。
9.根據權利要求1、2、6或7中任一項所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述場終止區進一步包括能級靠近硅的最接近能帶邊緣的原子。
10.根據權利要求1、2、6或7中任一項所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于， 所述場終止區進一步包括:至少一個具有所述第二導電類型的埋入區。
11.根據權利要求10所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述至少一個埋入區包括相對于彼此在所述絕緣柵雙極型晶體管的橫向排列的多個埋入局部P型區。
12.根據權利要求10所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于， 所述至少一個埋入區包括具有覆蓋幾個單元節距的橫向延伸的多個埋入局部P型區。
13.根據權利要求10所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述至少一個埋入區與所述絕緣柵雙極型晶體管的正面側結構對準。
14.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述場終止區包括質子注入區。
15.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于， 所述集電區包括: 第一集電區域，具有第一摻雜濃度；以及 第二集電區域，具有第二摻雜濃度， 其中，所述第一集電區域與所述第二集電區域橫向排列，并且所述第一摻雜濃度和所述第二摻雜濃度不同。
16.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，進一步包括 形成在所述半導體本體表面上并至少部分地設置在所述源區處的溝槽，并且其中，所述溝槽由發射電極的一部分填充從而使得所述發射電極與所述源區和所述第一基區接觸。
17.根據權利要求16所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述溝槽的深度大于或等于由所述源區和所述第一基區形成的所述第一 pn結的深度。
18.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，進一步包括 防閂鎖區(P+)，形成在所述第一基區中，具有所述第一導電類型以及比所述第一基區大的摻雜濃度。
19.根據權利要求18所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述防閂鎖區(P+)具有位于所述源區之下并與所述源區接觸的至少第一部分。
20.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述第二溝槽部設置在所述絕緣柵雙極型晶體管的垂直方向上、所述第一溝槽部之下，并且其中，在所述絕緣柵雙極型晶體管的橫向上所述第二寬度大于所述第一寬度。
21.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述第一溝槽部的所述第一寬度為沿著所述第一溝槽部均勻的寬度。
22.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述至少一個溝槽包括絕緣體，所述絕緣體將所述柵電極至少與所述源區和所述第一基區絕緣。
【文檔編號】H01L29/06GK203481234SQ201320220752
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年4月26日 優先權日:2013年4月26日
【發明者】漢斯-約阿希姆·舒爾茨, 弗蘭克·普菲爾什, 霍爾格·豪斯肯 申請人:英飛凌科技股份有限公司