專利名稱：一種具有雙面腔體的封裝外殼的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于混合集成電路封裝技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種具有雙面腔體的封裝外殼。
背景技術(shù)：
目前混合集成電路的封裝外殼大多數(shù)是金屬外殼，引腳是針式的，引腳間距是
2.54_，窄間距的是1.27_，受到封裝尺寸和引腳引出方式的限制，引腳的數(shù)量一般不會超過封裝周長除以引腳間距。高密度的混合集成電路和系統(tǒng)集成電路的封裝開始采用陶瓷外殼，引腳方式有針式直插、針柵陣列(PGA)、球柵陣列(BGA)、CQFP等，但這些均是單面單腔體的封裝外殼，受封裝外形尺寸的限制，內(nèi)腔尺寸不能滿足多芯片、高密度的集成。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型解決的技術(shù)問題在于提供一種具有雙面腔體的封裝外殼，能夠使多芯片高密度混合集成電路的控制邏輯與模擬電源封裝在小的封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高密度封裝。本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):一種具有雙面腔體的封裝外殼，包括內(nèi)布有導(dǎo)線的陶瓷基底，陶瓷基底與下陶瓷墻、下蓋板合圍構(gòu)成下腔體，陶瓷基底與上陶瓷墻、上蓋板合圍構(gòu)成上腔體。所述的陶瓷基底的上下面的四周均設(shè)有陶瓷墻。
所述的下蓋板、上蓋板上均設(shè)有供粘接元器件芯片的金屬導(dǎo)帶圖形和與金屬導(dǎo)帶互連的鍵合指。所述的下陶瓷墻上植入有外引腳形成電路的I/O引腳。所述的引腳從四邊引出直插式，間距為1.27mm，引腳截面積是0.46mmX0.25mm，每邊17腳，共68腳。所述的下陶瓷墻與下蓋板通過下封焊環(huán)相連接，上陶瓷墻與上蓋板通過上封焊環(huán)相連接。所述的上陶瓷墻與上蓋板通過上封焊環(huán)平行縫焊；下陶瓷墻與下蓋板通過下封焊環(huán)金錫封口。所述陶瓷基底上形成上腔體的面積大于形成下腔體的面積。所述的下腔體內(nèi)組裝有控制器芯片或驅(qū)動器芯片，上腔體內(nèi)組裝有電源轉(zhuǎn)換電路。所述的下腔體內(nèi)元器件的組裝完成后，下陶瓷墻與下蓋板下腔體金錫封口 ；再進(jìn)行上腔體內(nèi)元器件的組裝，組裝完成后將上陶瓷墻與上蓋板行平行縫焊。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益的技術(shù)效果:本實(shí)用新型提供的具有雙面腔體的封裝外殼，可以將控制器芯片或驅(qū)動器芯片(控制邏輯)封裝在下腔體內(nèi)，將電源轉(zhuǎn)換電路(模擬電源)封裝在上腔體內(nèi)，上下腔體的電信號通過導(dǎo)線連通，從而能夠使多芯片高密度混合集成電路封裝在小的封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高密度封裝。本實(shí)用新型提供的具有雙面腔體的封裝外殼，體積小(可達(dá)28.0mmX 28.0mmX 8.0mm)，而且還能夠具有多達(dá)68腳的引腳數(shù)。本發(fā)明提供的具有雙面腔體的封裝外殼，是一種高密度的三維組裝/封裝，達(dá)到了系統(tǒng)集成在電性能、封裝尺寸的要求。采用具有雙面腔體的封裝外殼的LHB155304P電路的可靠性達(dá)到GJB2438A-2002H級。
圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型底部示意圖；其中:1-下蓋板，2-下腔體，3-引腳，4-下封焊環(huán)，5-下陶瓷墻，6-上陶瓷墻，7-上封焊環(huán),8_上蓋板，9-上腔體，10-陶瓷基底。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)描述，所述是對本實(shí)用新型的解釋而不是限定。參見圖1、圖2，一種具有雙面腔體的封裝外殼，包括內(nèi)布有導(dǎo)線的陶瓷基底10，陶瓷基底10與下陶瓷墻5、下蓋板I合圍構(gòu)成下腔體2，陶瓷基底10與上陶瓷墻6、上蓋板8合圍構(gòu)成上腔體9。
進(jìn)一步，所述的陶瓷基底10的上下面的四周均設(shè)有陶瓷墻與相應(yīng)的蓋板配合形成上下兩個腔體；陶瓷基底內(nèi)布有導(dǎo)線，以連接上、下腔體內(nèi)封裝的元件。為了適應(yīng)不同器件的安裝，下腔體、上腔體的尺寸可不相同。具體的陶瓷基底10上形成上腔體9的面積大于形成下腔體2的面積。具體的陶瓷基底為高溫陶瓷，所述的下蓋板1、上蓋板8上均設(shè)有供粘接元器件芯片的金屬導(dǎo)帶圖形和與金屬導(dǎo)帶互連的鍵合指。所述的下陶瓷墻5的墻面較寬，在其上植入有外引腳，以形成電路的I/O引腳。所述的引腳從四邊引出直插式，間距為1.27臟，引腳截面積是0.46!1111^0.25臟，每邊17腳，共68腳。所述的下陶瓷墻5與下蓋板I通過下封焊環(huán)4相連接，上陶瓷墻6與上蓋板8通過上封焊環(huán)7相連接。上、下封焊環(huán)和上、下蓋板均是可伐材料，與陶瓷和芯片有相近的熱膨脹系數(shù)。具體的所述的上陶瓷墻6與上蓋板8通過上封焊環(huán)7平行縫焊；下陶瓷墻5與下蓋板I通過下封焊環(huán)4金錫封口。具體的，所述的下腔體2內(nèi)組裝有控制器芯片或驅(qū)動器芯片，上腔體9內(nèi)組裝有電源轉(zhuǎn)換電路。下腔體2內(nèi)元器件的組裝完成后，下陶瓷墻5與下蓋板I下腔體金錫封口 ；再進(jìn)行上腔體9內(nèi)元器件的組裝，組裝完成后將上陶瓷墻6與上蓋板8行平行縫焊。采用尺寸是28.0mmX28.0mmX8.0mm的具有雙面腔體的封裝外殼(MCP68H)的LHB155304P電路的可靠性達(dá)到GJB2438A-2002H級，實(shí)現(xiàn)了高密度封裝。
權(quán)利要求1.一種具有雙面腔體的封裝外殼，其特征在于，包括內(nèi)布有導(dǎo)線的陶瓷基底(10)，陶瓷基底(10)與下陶瓷墻(5)、下蓋板(1)合圍構(gòu)成下腔體(2)，陶瓷基底(10)與上陶瓷墻(6)、上蓋板(8)合圍構(gòu)成上腔體(9)。
2.如權(quán)利要求1所述的具有雙面腔體的封裝外殼，其特征在于，所述的陶瓷基底(10)的上下面的四周均設(shè)有陶瓷墻。
3.如權(quán)利要求1所述的具有雙面腔 體的封裝外殼，其特征在于，所述的下蓋板(1)、上蓋板(8)上均設(shè)有供粘接元器件芯片的金屬導(dǎo)帶圖形和與金屬導(dǎo)帶互連的鍵合指。
4.如權(quán)利要求1所述的具有雙面腔體的封裝外殼，其特征在于，所述的下陶瓷墻(5)上植入有外引腳形成電路的I/O引腳。
5.如權(quán)利要求4所述的具有雙面腔體的封裝外殼，其特征在于，所述的引腳從四邊引出直插式，間距為1.27mm,引腳截面積是0.46mmX 0.25mm,每邊17腳,共68腳。
6.如權(quán)利要求1所述的具有雙面腔體的封裝外殼，其特征在于，所述的下陶瓷墻(5)與下蓋板(I)通過下封焊環(huán)(4)相連接，上陶瓷墻(6 )與上蓋板(8 )通過上封焊環(huán)(7 )相連接。
7.如權(quán)利要求6所述的具有雙面腔體的封裝外殼，其特征在于，所述的上陶瓷墻(6)與上蓋板(8 )通過上封焊環(huán)(7 )平行縫焊；下陶瓷墻(5 )與下蓋板(I)通過下封焊環(huán)(4 )金錫封口。
8.如權(quán)利要求1所述的具有雙面腔體的封裝外殼，其特征在于，所述陶瓷基底(10)上形成上腔體(9)的面積大于形成下腔體(2)的面積。
9.如權(quán)利要求1所述的具有雙面腔體的封裝外殼，其特征在于，所述的下腔體(2)內(nèi)組裝有控制器芯片或驅(qū)動器芯片，上腔體(9 )內(nèi)組裝有電源轉(zhuǎn)換電路。
10.如權(quán)利要求9所述的具有雙面腔體的封裝外殼，其特征在于，下腔體(2)內(nèi)元器件的組裝完成后，下陶瓷墻(5)與下蓋板(1)下腔體金錫封口 ；再進(jìn)行上腔體(9)內(nèi)元器件的組裝，組裝完成后將上陶瓷墻(6)與上蓋板(8)行平行縫焊。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種具有雙面腔體的封裝外殼，包括內(nèi)布有導(dǎo)線的陶瓷基底，陶瓷基底與下陶瓷墻、下蓋板合圍構(gòu)成下腔體，陶瓷基底與上陶瓷墻、上蓋板合圍構(gòu)成上腔體。本實(shí)用新型提供的具有雙面腔體的封裝外殼，可以將控制器芯片或驅(qū)動器芯片(控制邏輯)封裝在下腔體內(nèi)，將電源轉(zhuǎn)換電路(模擬電源)封裝在上腔體內(nèi)，上下腔體的電信號通過導(dǎo)線連通，從而能夠使多芯片高密度混合集成電路封裝在小的封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高密度封裝。
文檔編號H01L23/043GK203165873SQ20132015486
公開日2013年8月28日 申請日期2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月29日
發(fā)明者郭清軍, 劉文平, 黃桂龍, 李昕 申請人:中國航天科技集團(tuán)公司第九研究院第七七一研究所