封裝片的制作方法
【專利摘要】本發明提供封裝片，其為用于封裝光半導體元件的封裝片，所述封裝片具備：埋設層，其用于埋設光半導體元件；以及，用于抑制氣體通過厚度方向的氣體阻隔層，其設置于埋設層的厚度方向的一側，厚度為50μm以上且1000μm以下。
【專利說明】封裝片
【技術領域】
[0001]本發明涉及封裝片，詳細而言，涉及用于光學用途的封裝片。
【背景技術】
[0002]迄今為止，作為能夠發出高能量的光的發光裝置，已知有白色發光裝置(光半導體裝置)。
[0003]例如提出了一種光半導體裝置，其可以如下獲得:在凹型模具的底部裝載厚度為35 μ m的由玻璃制成的無機高熱傳導層，其后，填充有機硅彈性體，形成封裝樹脂層，在它們之上，以封裝樹脂層與藍色LED芯片相對的方式裝載安裝有藍色LED芯片的基板，通過加熱對它們進行封裝加工，其后進行脫模，由此得到光半導體裝置(例如參見日本特開2012-129361 號公報)。
【發明內容】
[0004]然而，在日本特開2012-129361號公報的由無機高熱傳導層和封裝樹脂層組成的層疊體中，通過將有機硅彈性體填充到凹型模具中來形成封裝樹脂層，然后在該封裝樹脂層上個別埋設藍色LED芯片，因此有無法充分實現提高光半導體裝置的制造效率的問題。
[0005]此外,對于上述層疊體,一方面希望防止硫、水蒸氣等氣體(gas)接觸用于與藍色LED芯片連接的連接部件而導致它們腐蝕，另一方面還需要具有優異的強度。
[0006]然而，在日本特開2012-129361號公報的層疊體中，無機高熱傳導層在抑制上述氣體通過方面不充分，進而層疊體的強度也不充分，因此會有無法得到發光性和可靠性優異的光半導體裝置的情況。
[0007]本發明的目的在于提供不僅抑制氣體通過厚度方向、而且強度優異、還可以高效地制造光半導體裝置的封裝片。
[0008]本發明的封裝片的特征在于，其是用于封裝光半導體元件的封裝片，所述封裝片具備:埋設層，用于埋設前述光半導體元件；以及，用于抑制氣體通過厚度方向的氣體阻隔層，其設置于前述埋設層的厚度方向的一側，厚度為50 μ m以上且1000 μ m以下。
[0009]通過該封裝片封裝光半導體元件時，能夠將光半導體元件集中在一起封裝，因此可以高效地制造光半導體裝置。
[0010]此外，該封裝片具備用于抑制氣體通過厚度方向的氣體阻隔層，因此能夠抑制氣體通過厚度方向，并有效抑制對用于連接光半導體元件的連接部件的腐蝕。因此，能夠防止光半導體元件的亮度的下降。
[0011]進而，在該封裝片中，氣體阻隔層的厚度為50 μ m以上且1000 μ m以下，因此不僅能確保優異的強度、氣體阻隔性優異，還能夠實現薄型化。因此，若通過該封裝片封裝光半導體元件，則可以在薄型的同時提高光半導體裝置的強度和發光特性。
[0012]此外，在本發明的封裝片中，前述氣體阻隔層的厚度相對于前述埋設層的厚度之比為0.10以上且1.00以下是適宜的。[0013]在該封裝片中，氣體阻隔層的厚度相對于埋設層的厚度之比為0.10以上且1.00以下，因此不僅能提高封裝片的強度并實現封裝片的薄型化，還能夠確實地埋設光半導體元件。
[0014]此外，在本發明的封裝片中，前述埋設層由B階狀態的熱固化性樹脂形成是適宜的。
[0015]在該封裝片中，埋設層由B階的熱固化性樹脂組合物形成，因此能夠通過柔軟的埋設層確實地埋設光半導體元件。
[0016]此外，在本發明的封裝片中，前述氣體阻隔層在前述厚度方向的一側露出是合適的。
[0017]在該封裝片中，氣體阻隔層在厚度方向的一側露出，因此可以防止附著灰塵等異物。
[0018]此外，適宜的是，本發明的封裝片還具備被覆層，其相對于前述埋設層設置于前述厚度方向的一側，在前述厚度方向的一側露出，前述氣體阻隔層夾設于前述埋設層與前述被覆層之間。
[0019]在該封裝片中，氣體阻隔層夾設于埋設層與被覆層之間，因此能夠防止由于來自外部的沖擊而產生的損傷(被破壞)。
[0020]此外，在本發明的封裝片中，前述被覆層由C階的熱固化性樹脂形成是適宜的。
[0021]在該封裝片中，由于被覆層由C階的熱固化性樹脂組合物形成，因此可以更進一步提聞封裝片的強度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022]圖1是示出本發明的封裝片的第I實施方式的剖面圖。
[0023]圖2是通過圖1的封裝片封裝光半導體元件，從而制造光半導體裝置的方法的工序圖，
[0024]圖2的(a)示出準備封裝片和基板的工序，
[0025]圖2的(b)示出通過封裝片封裝光半導體元件的工序。
[0026]圖3是示出本發明的封裝片的第2實施方式的剖面圖。
[0027]圖4是通過圖3的封裝片封裝光半導體元件，從而制造光半導體裝置的方法的工序圖，
[0028]圖4的(a)示出準備封裝片和基板的工序，
[0029]圖4的(b)示出通過封裝片封裝光半導體元件的工序。
【具體實施方式】
[0030]第I實施方式
[0031]在圖1中，將紙面上下方向作為上下方向(厚度方向、第I方向)、將紙面左右方向作為左右方向(第2方向)、將紙厚方向作為縱深方向(第3方向)，圖2以后的各附圖以上述方向和圖1的方向箭頭為基準。
[0032]在圖1中，該封裝片I是用于封裝后述的光半導體元件5 (參見圖2)的封裝片，其形成為沿面方向(與厚度方向垂直的方向，即左右方向和前后方向)延展的大致矩形平板形狀，具備埋設層2和設置于埋設層2上(厚度方向的一側)的氣體阻隔層3。
[0033]埋設層2是用于埋設光半導體元件5 (參見圖2)的層，由樹脂形成為大致薄片形狀。此外，埋設層2設置于封裝片1的最下側。
[0034]樹脂例如由封裝樹脂組合物等形成，這樣的封裝樹脂組合物包含用于埋設及封裝光半導體元件5 (后述，參見圖2的(b))的公知的透明性樹脂，作為透明性樹脂，可列舉出:例如有機硅樹脂、環氧樹脂、聚氨酯樹脂等熱固化性樹脂，例如丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂等熱塑性樹脂等。
[0035]這種透明性樹脂可以單獨使用，或者也可以組合使用。
[0036]此外，在這種透明性樹脂中，可優選列舉出熱固化性樹脂，從耐久性、耐熱性和耐光性的觀點出發，可進一步優選列舉出有機硅樹脂。
[0037]在這種封裝樹脂組合物中，可優選例舉出含有有機硅樹脂的樹脂組合物(以下稱為有機娃樹脂組合物。)。
[0038]作為有機硅樹脂組合物，可列舉出例如縮合?加成反應固化型有機硅樹脂組合物、含雜原子的改性有機硅樹脂組合物、加成反應固化型有機硅樹脂組合物、含無機氧化物的有機娃樹脂組合物等。
[0039]在這種有機硅樹脂組合物中，從埋設層2的固化前的柔軟性以及固化后的強度的觀點出發，可優選列舉出縮合.加成反應固化型有機硅樹脂組合物。
[0040]縮合.加成反應固化型有機硅樹脂組合物是能夠進行縮合反應(具體而言為硅醇縮合反應)及加成反應(具體而言為氫化硅烷化反應)的有機娃樹脂組合物，更具體而言，是能夠通過加熱進行縮合反應而形成半固化狀態(B階狀態)，然后能夠通過進一步的加熱進行加成反應而形成固化狀態(完全固化，C階狀態)的有機硅樹脂組合物。
[0041]作為縮合反應，例如可列舉出硅醇縮合反應，作為加成反應，例如可列舉出環氧開環反應及氫化硅烷化反應。
[0042]需要說明的是，B階是有機硅樹脂組合物處于液狀的A階和完全固化的C階之間的狀態，是固化及凝膠化稍加進行，彈性模量比C階的彈性模量小的狀態。
[0043]縮合.加成反應固化型有機硅樹脂組合物含有例如兩末端為硅烷醇基的聚硅氧烷、含有烯屬不飽和烴基的硅化合物(以下稱為烯系硅化合物。)、含環氧基硅化合物及有機
氫硅氧烷。
[0044]需要說明的是，兩末端為硅烷醇基的聚硅氧烷、烯系硅化合物及含環氧基硅化合物是縮合原料(提供至縮合反應的原料)，烯系硅化合物及有機氫硅氧烷為加成原料(提供至加成反應的原料)。
[0045]兩末端為硅烷醇基的聚硅氧烷是分子的兩末端含有硅烷醇基(SiOH基)的有機娃氧烷，具體而言，用下述通式(1)表示。
[0046]通式(1):
[0047]
【權利要求】
1.一種封裝片，其特征在于， 其為用于封裝光半導體元件的封裝片，所述封裝片具備: 埋設層，其用于埋設所述光半導體元件；以及， 用于抑制氣體通過厚度方向的氣體阻隔層，其設置于所述埋設層的厚度方向的一側，厚度為50 μ m以上且1000 μ m以下。
2.根據權利要求1所述的封裝片，其特征在于，所述氣體阻隔層的厚度相對于所述埋設層的厚度之比為0.10以上且1.00以下。
3.根據權利要求1所述的封裝片，其特征在于，所述埋設層由B階的熱固化性樹脂形成。
4.根據權利要求1所述的封裝片，其特征在于，所述氣體阻隔層在所述厚度方向的一側露出。
5.根據權利要求1所述的封裝片，其特征在于， 所述封裝片還具備被覆層，其相對于所述埋設層配置于所述厚度方向的一側，在所述厚度方向的一側露出， 所述氣體阻隔層夾設于所述埋設層與所述被覆層之間。
6.根據權利要求5所述的封裝片，其特征在于，所述被覆層由C階的熱固化性樹脂形成。
【文檔編號】H01L23/31GK103904042SQ201310740967
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2013年12月26日 優先權日:2012年12月26日
【發明者】片山博之, 三田亮太, 木村龍一, 伊藤久貴 申請人:日東電工株式會社