一種陣列基板公共電極結構及其制造方法、陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種陣列基板公共電極結構及其制造方法、陣列基板，其中，陣列基板公共電極結構（1）包括：一對橫向平行排列的條狀柵金屬（11），一對縱向排列且分別與所述柵金屬（11）垂直相接的條狀源漏極金屬（12），以及采用與所述源漏極金屬（12）同層的金屬制成的至少一根公共電極線（13），所述公共電極線（13）縱向排列，兩端分別與所述柵金屬（11）相接。本發明實通過將作為存儲電容的公共電極線采用與源漏極金屬同層的金屬，使得存儲電容介電層只有鈍化絕緣保護層，因此，在不減小存儲電容的情況下可以大大降低公共電極線的線寬，提高面板開口率，進而降低背光LED功耗。
【專利說明】一種陣列基板公共電極結構及其制造方法、陣列基板
【技術領域】
[0001]本發明涉及圖像顯示領域，尤其涉及一種陣列基板公共電極結構及其制造方法、液晶顯示面板。
【背景技術】
[0002]近來,液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)技術有了飛速的發展,從屏幕的尺寸到顯示的質量都取得了極大的進步，LCD具有體積小、功耗低、無輻射等特點，現已占據了平面顯示領域的主導地位。
[0003]隨著顯示技術的發展，人們對視覺享受的要求越來越高，其中主要體現在分辨率、亮度、色彩、刷新速度、視角等。除此之外，功耗也是一個衡量液晶顯示器質量的重要的指標。
[0004]液晶顯示器的功耗主要包括兩個部分，一部分是面板邏輯功耗，另一部分是背光LED功耗，其中背光LED功耗為液晶顯示器的主要功耗，其中LED的功耗主要取決于面板的尺寸和面板開口率，面板尺寸越大背光LED功耗越大,而面板開口率越高則LED功耗越低。面板的開口率主要取決于材料，分辨率以及面板電路結構設計。材料和分辨率取決于面板的價格定位，面板電路結構設計則是比較靈活的。
[0005]如圖1所示為現有TFT面板的電路結構示意圖，包括:交錯排列的柵極掃描線I’和數據線2’、電連接在柵極掃描線I’和數據線2’上的像素開關TFT 3’、存儲電容Cstdf晶電容Clc以及公共電極C0M，其中公共電極包括兩部分，一部分是位于TFT側的存儲電容端COM電極，一部分是位于CF側的液晶電容端COM電極(扭曲向列型TN和垂直排列型VA顯示模式)。TFT側的COM電極主要是起到存儲電容的作用，傳統的COM電極4’設計如圖2所示，陣列基板布線結構如圖3所示，作為存儲電容的COM線43’主要是采用與柵極同層的金屬，而這種結構的存儲電容介電層包括柵絕緣層和鈍化絕緣保護層，因此為了保證有足夠的存儲電容，COM線43’的線寬通常較大，制約了開口率的提高。
【發明內容】
[0006]本發明所要解決的技術問題在于，提供一種陣列基板公共電極結構及其制造方法、陣列基板。
[0007]為了解決上述技術問題，本發明提供一種陣列基板公共電極結構，包括:一對橫向平行排列的條狀柵金屬，一對縱向排列且分別與所述柵金屬垂直相接的條狀源漏極金屬，以及采用與所述源漏極金屬同層的金屬制成的至少一根公共電極線，所述公共電極線縱向排列，兩端分別與所述柵金屬相接。
[0008]其中，多根所述公共電極線相互等間距排列。
[0009]其中，所述公共電極線平行于所述源漏極金屬。
[0010]本發明還提供一種陣列基板，包括:公共電極結構，多條交錯排列的柵掃描線和數據線，其中，所述公共電極結構包括:一對橫向平行排列的條狀柵金屬，一對縱向排列且分別與所述柵金屬垂直相接的條狀源漏極金屬，以及采用與所述源漏極金屬同層的金屬制成的至少一根公共電極線，所述公共電極線縱向排列，兩端分別與所述柵金屬相接。
[0011 ] 其中，多根所述公共電極線相互等間距排列。
[0012]其中，所述公共電極線平行于所述源漏極金屬。
[0013]本發明還提供一種陣列基板公共電極結構的制造方法，包括:
步驟Si，提供一對橫向平行排列的柵金屬；
步驟S2，提供一對縱向排列且分別與所述柵金屬垂直相接的源漏極金屬；以及步驟S3，提供采用與所述源漏極金屬同層的金屬制成的至少一根公共電極線，所述公共電極線縱向排列，兩端分別與所述柵金屬相接。
[0014]其中，多根所述公共電極線相互等間距排列。
[0015]其中，所述公共電極線平行于所述源漏極金屬。
[0016]本發明實施例通過將作為存儲電容的公共電極線采用與源漏極金屬同層的金屬，使得存儲電容介電層只有鈍化絕緣保護層，因此，在不減小存儲電容的情況下可以大大降低公共電極線的線寬，提高面板開口率，進而降低背光LED功耗。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1是TFT-1XD陣列基板簡化電路示意圖。
[0019]圖2是現有公共電極結構示意圖。
[0020]圖3是現有陣列基板布線結構示意圖。
[0021]圖4是本發明實施例陣列基板公共電極結構的示意圖。
[0022]圖5是包含本發明實施例公共電極結構的陣列基板布線結構示意圖。
[0023]圖6是本發明實施例陣列基板公共電極結構的制造方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0024]以下各實施例的說明是參考附圖，用以示例本發明可以用以實施的特定實施例。本發明所提到的方向和位置用語，例如「上」、「中」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「橫」、「縱」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向和位置。因此，使用的方向和位置用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。
[0025]請參照圖4所示，本發明實施例一提供一種陣列基板公共電極結構1，包括:一對橫向平行排列的柵金屬11，一對縱向排列且分別與柵金屬11垂直相接的源漏極金屬12，以及采用與源漏極金屬12同層的金屬制成的至少一根公共電極線13，公共電極線13縱向排列，兩端分別與柵金屬11相接。
[0026]具體的，多根公共電極線13相互等間距排列，且平行于源漏極金屬12。
[0027]本實施例的公共電極線13將作為存儲電容，采用與源漏極金屬12同層的金屬，這種結構的存儲電容介電層只有鈍化絕緣保護層，因此，在不減小存儲電容的情況下可以大大降低公共電極線13的線寬，提高面板開口率，進而降低背光LED功耗。
[0028]再如圖5所示，相應于本發明實施例一的陣列基板公共電極結構，本發明實施例二提供一種陣列基板，包括:公共電極結構1，多條交錯排列的柵掃描線21和數據線22，其中，公共電極結構I包括:一對橫向平行排列的柵金屬11，一對縱向排列且分別與柵金屬11垂直相接的源漏極金屬12，以及采用與源漏極金屬12同層的金屬制成的至少一根公共電極線13，公共電極線13縱向排列，兩端分別與柵金屬11相接；柵掃描線21平行于柵金屬11，間隔設置在兩柵金屬11之間；數據線21平行于公共電極線線13，且與公共電極線13間隔排列。
[0029]具體的，多根公共電極線13相互等間距排列，且平行于源漏極金屬12。
[0030]相應于本發明實施例一的陣列基板公共電極結構，本發明實施例三提供一種陣列基板公共電極結構的制造方法，包括:
步驟SI，提供一對橫向平行排列的柵金屬；
步驟S2，提供一對縱向排列且分別與柵金屬垂直相接的源漏極金屬；以及步驟S3，提供采用與源漏極金屬同層的金屬制成的至少一根公共電極線，公共電極線縱向排列，兩端分別與柵金屬相接。
[0031]具體的，多根公共電極線相互等間距排列，且平行于源漏極金屬。
[0032]有關本實施例中陣列基板公共電極結構的具體結構及相應技術效果請參照本發明實施例一的說明及圖4-5所示，此處不再贅述。
[0033]本發明實施例通過將作為存儲電容的公共電極線采用與源漏極金屬同層的金屬，使得存儲電容介電層只有鈍化絕緣保護層，因此，在不減小存儲電容的情況下可以大大降低公共電極線的線寬，提高面板開口率，進而降低背光LED功耗。
[0034]以上所揭露的僅為本發明較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發明之權利范圍，因此依本發明權利要求所作的等同變化，仍屬本發明所涵蓋的范圍。
【權利要求】
1.一種陣列基板公共電極結構(I),其特征在于,包括:一對橫向平行排列的條狀柵金屬(11 )，一對縱向排列且分別與所述柵金屬(11)垂直相接的條狀源漏極金屬(12)，以及采用與所述源漏極金屬(12)同層的金屬制成的至少一根公共電極線(13)，所述公共電極線(13)縱向排列，兩端分別與所述柵金屬(11)相接。
2.根據權利要求1所述的陣列基板公共電極結構，其特征在于，多根所述公共電極線(13)相互等間距排列。
3.根據權利要求1所述的陣列基板公共電極結構，其特征在于，所述公共電極線(13)平行于所述源漏極金屬(12)。
4.一種陣列基板，其特征在于，包括:公共電極結構(1)，多條交錯排列的柵掃描線(21)和數據線(22)，其中，所述公共電極結構(I)包括:一對橫向平行排列的條狀柵金屬(11)，一對縱向排列且分別與所述柵金屬(11)垂直相接的條狀源漏極金屬(12)，以及采用與所述源漏極金屬(12)同層的金屬制成的至少一根公共電極線(13)，所述公共電極線(13)縱向排列，兩端分別與所述柵金屬(11)相接。
5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，多根所述公共電極線(13)相互等間距排列。
6.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線(13)平行于所述源漏極金屬(12)。
7.—種陣列基板公共電極結構的制造方法，包括: 步驟SI，提供一對橫向平行排列的柵金屬； 步驟S2，提供一對縱向排列且分別與所述柵金屬垂直相接的源漏極金屬；以及步驟S3，提供采用與所述源漏極金屬同層的金屬制成的至少一根公共電極線，所述公共電極線縱向排列，兩端分別與所述柵金屬相接。
8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，多根所述公共電極線相互等間距排列。
9.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述公共電極線平行于所述源漏極金屬。
【文檔編號】H01L23/50GK103728795SQ201310730040
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年12月26日 優先權日:2013年12月26日
【發明者】徐向陽 申請人:深圳市華星光電技術有限公司