一種陣列基板的制作方法

一種陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種陣列基板的制作方法，用以簡化陣列基板的制作工藝流程。所述陣列基板的制作方法包括：在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極以及第一絕緣層的過程，制作第一絕緣層上的一個或多個接觸孔的過程，以及制作柵線和/或數據線的過程；所述第一絕緣層位于所述柵極與所述有源層之間，且覆蓋所述柵線和數據線；其中，所述柵極與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成；或者所述有源層與與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成。
【專利說明】一種陣列基板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種陣列基板的制作方法。
【背景技術】
[0002]在顯示【技術領域】,薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱TFT)陣列基板制作工序(簡稱TFT Array Process)是制作顯示裝置的重要一個工序。TFT和像素設置于襯底基板上，用于驅動TFT的柵極布線，輸送加載在像素上的電壓信號的信號布線。
[0003]TFT的柵極與柵線相連，源極與數據線相連，漏極與像素電極相連；通過柵極驅動電路向柵極提供開啟信號，同時通過源極驅動電路向TFT的源極提供用于加載在像素電極上的電壓信號，實現圖形顯示。
[0004]TFT、像素電極、柵線和數據線均設置與陣列基板的顯示區域(即AA區域)，柵極驅動電路和源極驅動電路設置在陣列基板的外圍區域(即邊框區域)或設置在柔性電路板上。通過位于外圍區域的柵極引線將柵極驅動電路和柵線相連，通過位于外圍區域的源極引線將源極驅動電路和數據線相連。
[0005]現有技術，制作TFT的柵極和柵線多采用金屬或合金材料，制作柵極引線和源極引線多采用金屬氧化物透明導電材料，例如通常采用銦錫氧化物(簡稱ΙΤ0)，以下將以ITO為例說明。
[0006]一方面，柵極引線與柵線制作材料不同，必須在至少兩次構圖工藝中完成。
[0007]另一方面，ITO的電阻相比較金屬或合金的電阻較高，制成的柵極引線和源極引線的厚度較薄時才能滿足高性能傳輸信號的要求，但是厚度較薄的ITO容易被靜電擊穿而斷線(即ITO Open)，無法傳輸信號。并且，ITO制成的柵極引線和源極引線一般制作在TFT各功能膜層的底部，在生產過程中遇到過孔容易引起底切(Undercut)不良。
[0008]現有技術也有通過金屬或合金制作柵極引線或源極引線，但是制作過程獨立于制作TFT各功能膜層，在制作柵極引線和源極引線，以及二者與柵線和數據線相連的接觸孔均需要對應的掩膜、曝光、顯影、光亥_刻蝕等過程，制作TFT的工藝流程較復雜。

【發明內容】

[0009]本發明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，用以簡化陣列基板的制作工藝流程。
[0010]所述陣列基板的制作方法包括:在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極以及第一絕緣層的過程，制作第一絕緣層上的一個或多個接觸孔的過程，以及制作柵線和/或數據線的過程；所述第一絕緣層位于所述柵極與所述有源層之間，且覆蓋所述柵線和數據線；
[0011]其中，所述柵極與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成；或者所述有源層與與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成。
[0012]較佳地，在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極，以及第一絕緣層的過程，制作第一絕緣層上的一個或多個接觸孔的過程，以及制作柵線和/或數據線的過程，包括:
[0013]采用一次構圖工藝在所述襯底基板上形成包括柵極、柵線和/或數據線的圖形；
[0014]采用構圖工藝在形成有所述柵極、柵線和/或數據線的襯底基板上形成覆蓋整個襯底基板的第一絕緣層；
[0015]采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括所述有源層和接觸孔的圖形；
[0016]采用一次構圖工藝在形成有所述有源層和各接觸孔的襯底基板上形成包括源極和漏極的圖形。
[0017]較佳地，采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括所述有源層和各接觸孔的圖形，具體為:
[0018]先后在所述第一絕緣層上形成覆蓋整個襯底基板的半導體層和光阻層；
[0019]采用一張掩模板對所述光阻層進行曝光，使得光阻層上與待形成的有源層對應的區域形成完全保留區域、與待形成的各接觸孔對應的區域形成完全去除區域，剩余區域形成半保留區域；
[0020]對所述各接觸孔對應區域的光阻層進行刻蝕，使得各接觸孔對應區域的光阻層完全去除，露出接觸孔對應區域的半導體層；
[0021]對各接觸孔對應區域的半導體層和第一絕緣層進行刻蝕，形成所述接觸孔，露出接觸孔對應區域的柵線和/或數據線；
[0022]對所述半保留區域對應的光阻層進行灰化處理，使得半保留區域對應的光阻層完全去除，露出半保留區域對應區域的半導體層；
[0023]對所述半保留區域對應的半導體層進行刻蝕，使得半保留區域對應的半導體層完全去除，剩余所述完全保留區域對應的半導體層，該半導體層為有源層。
[0024]較佳地，在形成柵極的同時形成柵線和數據線，所述各接觸孔包括第一接觸孔和第二接觸孔；
[0025]在形成所述源極和漏極的同時形成柵極引線和源極引線；
[0026]所述柵極弓I線通過所述第一接觸孔與所述柵線相連，所述源極弓I線通過所述第二接觸孔與所述數據線相連。
[0027]較佳地，在形成所述柵極的同時形成柵線和數據線，所述各接觸孔還包括第三接觸孔，所述第三接觸孔用于使得所述源極與所述數據線相連。
[0028]較佳地，所述在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極和第一絕緣層的過程，制作第一絕緣層上的一個或多個接觸孔的過程，以及制作柵線和/或數據線的過程，包括:
[0029]采用一次構圖工藝在襯底基板上形成包括源極、漏極、柵線和/或數據線的圖形；
[0030]采用構圖工藝在形成有所述源極、漏極、柵線和/或數據線的襯底基板上形成有源層圖形；
[0031]采用構圖工藝在形成有所述有源層的襯底基板上形成第一絕緣層；
[0032]采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括所述柵極和接觸孔的圖形。[0033]較佳地，所述采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括柵極和各接觸孔，包括:
[0034]先后在所述第一絕緣層上形成覆蓋整個襯底基板的導電層和光阻層；
[0035]采用一張掩模板對所述光阻層進行曝光，使得光阻層上與待形成的柵極對應的區域形成完全保留區域、與待形成的各接觸孔對應的區域形成完全去除區域，其余區域形成半保留區域；
[0036]對所述各接觸孔對應區域的光阻層進行刻蝕，使得各接觸孔對應區域的光阻層完全去除，露出接觸孔對應區域的導電層；
[0037]對各接觸孔對應區域的導電層和第一絕緣層進行刻蝕，形成所述接觸孔，露出接觸孔對應區域的柵線和/或數據線；
[0038]對半保留區域對應的光阻層進行灰化處理，使得半保留區域的光阻層完全去除，露出半保留區域對應的導電層；
[0039]對半保留區域對應的導電層進行刻蝕，使得半保留區域對應的導電層完全去除，保留完全保留區域對應的導電層，該導電層為柵極。
[0040]較佳地，在形成柵極的同時形成柵線和數據線，所述各接觸孔包括第一接觸孔和第二接觸孔；
[0041]在形成所述柵極的同時形成柵極引線和源極引線；
[0042]所述柵極弓I線通過所述第一接觸孔與所述柵線相連，所述源極弓I線通過所述第二接觸孔與所述數據線相連。
[0043]較佳地，所述各接觸孔還包括第三接觸孔，所述第三接觸孔用于使得所述柵極與所述柵線相連。
[0044]較佳地，所述光阻層為正性光刻膠層，所述掩模板上與所述完全保留區域對應的區域為不透光區域，與完全去除區域對應的區域為完全透光區域，其余區域為半透光區域；或者
[0045]所述光阻層為負性光刻膠層，所述掩模板上與與所述完全保留區域對應的區域為完全透光區域，與完全保留區域對應的區域不透光區域，其余區域為半透光區域。
[0046]綜上所述，本發明提供的陣列基板的制作方法，包括在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極以及第一絕緣層的過程，制作第一絕緣層上的一個或多個接觸孔的過程，以及制作柵線和/或數據線的過程；所述第一絕緣層位于所述柵極與所述有源層之間，且覆蓋所述柵線和數據線；其中，所述柵極與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成；或者所述有源層與與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成。相比較現有技術采用多次掩膜和多次曝光工藝形成柵極和接觸孔，或形成有源層和接觸孔，本發明所述陣列基板的制作方法大大簡化了制作工藝流程。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0047]圖1為本發明實施例一提供的陣列基板結構俯視不意圖；
[0048]圖2為圖1所示的陣列基板在AA’向的剖面圖；
[0049]圖3為本發明實施例一提供的形成有柵極、柵線、數據線和柵極絕緣層的陣列基板結構不意圖；[0050]圖4為圖3所示的陣列基板形成有半導體層和光阻層的結構示意圖；
[0051]圖5為圖4所示的陣列基板進行第一次刻蝕后的結構示意圖；
[0052]圖6為圖4所示的陣列基板進行第二次刻蝕后(形成接觸孔)的結構示意圖；
[0053]圖7為圖4所示的陣列基板進行第三次刻蝕后的結構示意圖；
[0054]圖8為圖4所示的陣列基板進行第四次刻蝕后(形成有源層)的結構示意圖；
[0055]圖9為圖8所不的陣列基板形成有源極和漏極的結構不意圖；
[0056]圖10為本發明第二實施例提供的陣列基板結構示意圖；
[0057]圖11為本發明第二實施例提供的形成有源極、漏極、半導體層和柵極絕緣層的陣列基板結構示意圖；
[0058]圖12為圖11所示的陣列基板形成有導電層和光阻層的結構示意圖；
[0059]圖13為圖12所示的陣列基板進行第一次和第二次刻蝕后(形成接觸孔)的結構示意圖；
[0060]圖14為圖12所示的陣列基板進行第三次刻蝕后的結構示意圖；
[0061]圖15為圖12所示的陣列基板進行第四次刻蝕后(形成柵極)的結構示意圖；
[0062]圖16為圖15所示的陣列基板形成柵極引線和源極引線的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0063]本發明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，用以簡化陣列基板的制作工藝流程。
[0064]所述陣列基板的制作方法主要包括:
[0065]在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極以及第一絕緣層的過程，制作第一絕緣層上的一個或多個接觸孔的過程，以及制作柵線和/或數據線的過程；所述第一絕緣層位于所述柵極與所述有源層之間，且覆蓋所述柵線和數據線；
[0066]其中，所述柵極與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成；或者所述有源層與與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成。
[0067]相比較現有技術，采用多次掩膜和多次曝光工藝形成柵極和接觸孔，或形成有源層和接觸孔，本發明采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成；或者所述有源層與與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成，大大簡化了制作工藝流程。
[0068]所述第一絕緣層可以但不限于為柵極絕緣層。
[0069]所述陣列基板上的薄膜晶體管可以為頂柵型或底柵型，以下將具體說明不同類型的TFT對應的陣列基板的制作流程。
[0070]實施例一:
[0071]說明底柵型TFT陣列基板的制作方法。
[0072]首先簡單介紹實施例一提供的陣列基板的典型結構。
[0073]參見圖1和圖2，為包括底柵型TFT陣列基板結構示意圖，圖2為圖1在AA’向的剖面圖，包括:
[0074]襯底基板10 ；
[0075]位于襯底基板10上的柵極11 (圖1未體現)、柵極11上的柵極絕緣層12 (圖1未體現)、柵極絕緣層12上的有源層13，以及有源層13上的源極14和漏極15 ；[0076]與柵極11同層設置的柵線20和數據線30 ；
[0077]柵極11與柵線20相連，數據線30與源極14相連，圖1和圖2未體現數據線與源極的連接關系。
[0078]柵極絕緣層12上包括一個或多個接觸孔。
[0079]例如:參見圖2，柵極絕緣層12上包括第一接觸孔01和/或第二接觸孔02 ；
[0080]第一接觸孔01，可以但不限于用于使得位于不同層的柵線20和柵極引線相連。
[0081]第二接觸孔02，可以但不限于用于使得位于不同層的數據線30和源極引線相連；
[0082]進一步地，柵極絕緣層上還包括第三接觸孔，當數據線位于源極的下方通過絕緣層相絕緣時，用于使得位于不同層的數據線與源極相連。
[0083]當然，柵極絕緣層上不限于僅包括上述特殊用途的接觸孔，可以是任何用于連接位于不同層的導電層的接觸孔。
[0084]所述柵極引線位于陣列基板的外圍區域，其一端與柵極驅動電路相連，另一端與柵線相連；所述源極引線位于陣列基板的外圍區域，其一端與源極驅動電路相連，另一端與數據線相連。
[0085]當柵線和數據線與柵極同層設置時，較佳地，包括所述第一接觸孔、第二接觸孔和第三接觸孔。
[0086]當柵線與柵極同層設置，數據線與源極同層設置時，僅包括所述第一接觸孔。這是因為，在制作源極和漏極時，同時將數據線與源極引線制作出來，源極、數據線和源極引線在同一次構圖工藝形成，且位于用一層，省去了制作所述第二接觸孔和第三接觸孔。
[0087]實施例一提供的陣列基板的制作方法，主要包括如下步驟:
[0088]步驟一:在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極，以及第一絕緣層的過程，制作第一絕緣層上的一個或多個接觸孔的過程，以及制作柵線和/或數據線的過程，包括:
[0089]步驟二:采用一次構圖工藝在所述襯底基板上形成包括柵極、柵線和/或數據線的圖形；
[0090]步驟三:采用構圖工藝在形成有所述柵極、柵線和/或數據線的襯底基板上形成覆蓋整個襯底基板的第一絕緣層；
[0091]步驟四:采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括所述有源層和接觸孔的圖形；
[0092]步驟五:采用一次構圖工藝在形成有所述有源層和各接觸孔的襯底基板上形成包括源極和漏極的圖形。
[0093]優選地，步驟四形成有源層和接觸孔的圖形具體為:
[0094]先后在所述第一絕緣層上形成覆蓋整個襯底基板的半導體層和光阻層；
[0095]采用一張掩模板對所述光阻層進行曝光，使得光阻層上與待形成的有源層對應的區域形成完全保留區域、與待形成的各接觸孔對應的區域形成完全去除區域，剩余區域形成半保留區域；
[0096]對所述各接觸孔對應區域的光阻層進行刻蝕，使得各接觸孔對應區域的光阻層完全去除，露出接觸孔對應區域的半導體層；
[0097]對各接觸孔對應區域的半導體層和第一絕緣層進行刻蝕，形成所述接觸孔，露出接觸孔對應區域的柵線和/或數據線；
[0098]對所述半保留區域對應的光阻層進行灰化處理，使得半保留區域對應的光阻層完全去除，露出半保留區域對應區域的半導體層；
[0099]對所述半保留區域對應的半導體層進行刻蝕，使得半保留區域對應的半導體層完全去除，剩余所述完全保留區域對應的半導體層，該半導體層為有源層。
[0100]進一步地，在形成柵極的同時形成柵線和數據線，所述各接觸孔包括第一接觸孔和第二接觸孔；
[0101]在形成所述源極和漏極的同時形成柵極引線和源極引線；
[0102]所述柵極弓I線通過所述第一接觸孔與所述柵線相連，所述源極弓I線通過所述第二接觸孔與所述數據線相連。
[0103]進一步地，在形成所述柵極的同時形成柵線和數據線，所述各接觸孔還包括第三接觸孔，所述第三接觸孔用于使得所述源極與所述數據線相連。
[0104]以下將結合附圖具體說明圖2所示的陣列基板的制作方法。
[0105]本發明上述或下述“構圖工藝”至少包括掩膜、曝光、顯影、光刻刻蝕等過程。
[0106]以包括第一接觸孔和第二接觸孔，以及柵線和數據線與柵極同層設置的陣列基板為例說明。
[0107]所述制作方法主要包括以下步驟:
[0108]步驟一:參見圖3，采用一次構圖工藝在襯底基板10上制作包括柵極11的圖形，以及制作包括柵線20和數據線30的圖形；
[0109]具體地，在襯底基板上形成一層導電層，采用掩膜、曝光、顯影、光刻刻蝕等過程，一次性形成柵極、柵線和數據線的圖形。當然步驟一也可以只形成柵極；或者只形成柵極和柵線，柵極和柵線相連接；或者也可以只形成柵極和數據線。步驟一僅是以同時形成柵極、柵線和數據線為例說明本發明，不用于限制本發明。
[0110]步驟二:參見圖3，在步驟一的基礎上形成柵極絕緣層12 ；
[0111]柵極絕緣層12覆蓋整個襯底基板10，也就是說，柵線20和數據線30被柵極絕緣層12覆蓋。
[0112]步驟三:同時制作有源層和第一接觸孔和第二接觸孔；
[0113]具體地，包括以下步驟:
[0114]參見圖4，先后在圖3所示的柵極絕緣層12上形成一層半導體層130以及位于該半導體層130上的光阻層131 ;半導體層130和光阻層131覆蓋整個柵極絕緣層12。
[0115]參見圖4，采用一張掩模板對光阻層131進行曝光，使得光阻層131上與待形成的有源層圖形對應的區域形成完全保留區域A、與待形成的第一接觸孔和第二接觸孔圖形對應的區域形成完全去除區域B和C，其余所有區域形成半保留區域D。需要說明的是，所述或下述的第一接觸孔和第二接觸孔僅是舉例說明，并不用于限制本發明。具體實施時，可以包括一個或多個接觸孔，各接觸孔對應的對應的區域形成完全去除區域。
[0116]參見圖5，對圖4所示的完全去除區域(即第一接觸孔和第二接觸孔對應的區域)的光阻層131進行刻蝕，使得完全去除區域B和C去除，露出完全去除區域對應的半導體層。
[0117]參見圖6，對圖5所示的完全去除區域B和C對應的半導體層和柵極絕緣層進行刻蝕，形成第一接觸孔Ol和第二接觸孔02，露出第一接觸孔Ol對應區域的柵線和第二接觸孔02對應區域的數據線。
[0118]參見圖7，對圖6所示的半保留區域D對應的光阻層131進行灰化處理，使得半保留區域的光阻完全去除，露出半保留區域D對應區域的半導體層130 ；
[0119]參見圖8，對圖7所示的露出的半導體層130進行刻蝕，去除半保留區域D對應區域的半導體層130，保留完全保留區域A對應區域的半導體層，該區域的半導體層為有源層13。
[0120]進一步地，步驟三在形成所述有源層之后還包括剝離圖8所示的有源層13上的光阻層131。
[0121]步驟三中所述光阻層為正性光刻膠層，所述掩模板上與所述完全保留區域(即有源層圖形)對應的區域為不透光區域，與第一接觸孔和第二接觸孔圖形(即各接觸孔)對應的區域為完全透光(也稱全色調，full tone)區域，其余區域為半透光區域(也稱半色調，half tone);或者
[0122]所述光阻為負性光刻膠，所述掩模板上與所述完全保留區域(即有源層圖形)對應的區域為完全透光區域，與第一接觸孔和第二接觸孔圖形(即各接觸孔)對應的區域為不透光區域，其余區域為半透光區域。
[0123]步驟三通過一張掩模板、一次掩膜和一次曝光工藝，多次刻蝕工藝形成各接觸孔和有源層。
[0124]較佳地，在形成所述第一接觸孔和第二接觸孔的同時還形成第三接觸孔，該第三接觸孔與第二接觸孔位于柵極絕緣層上數據線上方的不同區域，第三接觸孔用于將數據線和待形成的源極相連。
[0125]在形成第三接觸孔的過程與第一接觸孔的過程類似，不同之處在于，當光阻為正性光刻膠時，掩模板上與第三接觸孔對應的區域為完全透光區域，當光阻為負性光刻膠時，掩模板上與第三接觸孔對應的區域為不透光區域。
[0126]柵極絕緣層上的各接觸孔在同一次構圖工藝中完成，有源層與各接觸孔在同一次掩膜和曝光，不同刻蝕工藝中完成。
[0127]現有技術，制作每一接觸孔需要各經過一次構圖工藝完成，有源層也通過一次構圖工藝完成，每一次構圖工藝采用一張與待形成圖形對應的掩模板，每一次構圖工藝需要經過一次曝光工藝。本發明相比較現有技術，采用一張掩模板依次曝光工藝制作各接觸孔和有源層，不但省去了使用多個昂貴的掩模板，還簡化了陣列基板的制作工藝流程。
[0128]制作陣列基板在步驟三的基礎上還包括:
[0129]步驟四:制作源極、漏極，以及柵極引線、源極引線。
[0130]具體地，參見圖9，在形成有有源層13的襯底基板10上形成導電層，對導電層進行一次構圖工藝，形成源極14、漏極15，以及通過第一接觸孔01與柵線20相連接的柵極引線16，通過第二接觸孔02與數據線30相接觸的源極引線17。
[0131]柵極引線和源極引線與源極和漏極同一構圖工藝制作，簡化制作流程。并且，柵極引線和源極引線與源極和漏極制作材料相同，制作材料可以為金屬或合金，相比較ITO材料制作柵極引線和源極引線，金屬或合金制作的柵極引線和源極引線的厚度可以更厚，可以避免靜電擊穿。[0132]另外，柵極引線與源極引線制作在柵線和數據線所在的膜層上方，可以有效避免生產過程中遇到過孔發生底切(Undercut)不良。
[0133]如果在步驟三中形成第三接觸孔，則源極通過第三接觸孔與數據線相連。
[0134]如果在步驟四中制作源極、漏極、數據線，以及柵極引線、源極引線。這種情況下，步驟一無需制作柵線，步驟三無需制作第二接觸孔和第三接觸孔。在步驟三中僅需制作第一接觸孔和有源層。
[0135]需要說明的是，上述陣列基板的制作方法，在形成所述源極和漏極之后還包括形成覆蓋整個襯底基板的鈍化層，以及與漏極相連的像素電極，像素電極與漏極通過過孔相連，這里不再贅述。
[0136]實施例二:
[0137]說明頂柵型TFT陣列基板的制作方法。
[0138]參見圖10，為典型的頂柵型TFT陣列基板；
[0139]包括襯底基板10上同層設置的源極14和漏極15、柵線20和數據線30 ；
[0140]位于源極14和漏極15上的有源層13 ；
[0141]位于有源層13上的柵極絕緣層12 ；
[0142]位于柵極絕緣層12上的柵極11。
[0143]由于柵極絕緣層12覆蓋柵線20和數據線30，因此，柵極絕緣層12至少包括第一接觸孔01和/或第二接觸孔02 ；
[0144]第一接觸孔01，用于使得位于不同層的柵線20和柵極引線相連。
[0145]第二接觸孔02，用于使得位于不同層的數據線30和源極引線相連；
[0146]還可以包括第三接觸孔，用于使得位于不同層的數據線與源極相連。
[0147]頂柵型TFT陣列基板的制作方法，主要包括以下步驟:
[0148]步驟一:采用一次構圖工藝在襯底基板上形成包括源極、漏極、柵線和/或數據線的圖形；
[0149]步驟二:采用構圖工藝在形成有所述源極、漏極、柵線和/或數據線的襯底基板上形成有源層圖形；
[0150]步驟三:采用構圖工藝在形成有所述有源層的襯底基板上形成第一絕緣層；
[0151]步驟四:采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括所述柵極和接觸孔的圖形。
[0152]優選地,步驟四具體包括:
[0153]先后在所述第一絕緣層上形成覆蓋整個襯底基板的導電層和光阻層；
[0154]采用一張掩模板對所述光阻層進行曝光，使得光阻層上與待形成的柵極對應的區域形成完全保留區域、與待形成的各接觸孔對應的區域形成完全去除區域，其余區域形成半保留區域；
[0155]對所述各接觸孔對應區域的光阻層進行刻蝕，使得各接觸孔對應區域的光阻層完全去除，露出接觸孔對應區域的導電層；
[0156]對各接觸孔對應區域的導電層和第一絕緣層進行刻蝕，形成所述接觸孔，露出接觸孔對應區域的柵線和/或數據線；
[0157]對半保留區域對應的光阻層進行灰化處理，使得半保留區域的光阻層完全去除，露出半保留區域對應的導電層；
[0158]對半保留區域對應的導電層進行刻蝕，使得半保留區域對應的導電層完全去除，保留完全保留區域對應的導電層，該導電層為柵極。
[0159]進一步地，在形成柵極的同時形成柵線和數據線，所述各接觸孔包括第一接觸孔和第二接觸孔；
[0160]在形成所述柵極的同時形成柵極引線和源極引線；
[0161]所述柵極弓I線通過所述第一接觸孔與所述柵線相連，所述源極弓I線通過所述第二接觸孔與所述數據線相連。
[0162]進一步地，所述各接觸孔還包括第三接觸孔，所述第三接觸孔用于使得所述柵極與所述柵線相連。
[0163]以下將以圖10所示的陣列基板為例具體說明上述陣列基板的制作方法。
[0164]步驟一:參見圖11，采用構圖工藝在襯底基板10上制作源極14和漏極15，以及制作柵線20和數據線30的圖形；
[0165]具體地，在襯底基板上形成一層導電層，采用掩膜、曝光、顯影、光刻刻蝕等過程，一次性形成源極、漏極、柵線和數據線的圖形。
[0166]當然步驟一也可以只形成柵極；或者只形成柵極和柵線，柵極和柵線相連接；或者也可以只形成柵極和數據線。步驟一僅是以同時形成柵極、柵線和數據線為例說明本發明，不用于限制本發明。
[0167]步驟二:參見圖11，在步驟一的基礎上形成有源層13。
[0168]步驟三:參見圖11，在步驟二的基礎上，即有源層13上形成柵極絕緣層12 ;柵極絕緣層12覆蓋整個襯底基板10，也就是說，柵線20和數據線30被柵極絕緣層12覆蓋。
[0169]步驟四:同時制作柵極和第一接觸孔第二接觸孔；
[0170]需要說明的是，所述或下述的第一接觸孔和第二接觸孔僅是舉例說明，并不用于限制本發明。具體實施時，可以包括一個或多個接觸孔，各接觸孔對應的對應的區域形成完全去除區域。
[0171]具體地，參見圖12，在步驟三的基礎上，即柵極絕緣層12上制作導電層120，該導電層120用于形成柵極圖形；
[0172]在導電層120上形成光阻層131 ；
[0173]采用一張掩模板對光阻層131進行曝光，使得光阻層131上與待形成的柵極對應的區域形成完全保留區域A、與待形成的第一接觸孔和第二接觸孔對應的區域形成完全去除區域B和C，其余所有區域形成半保留區域D ；
[0174]參見圖13，對完全去除區域B和C對應的光阻層131進行刻蝕，使得完全去除區域B和C的光阻層完全去除，露出對應區域的半導體層；
[0175]參見圖13，對完全去除區域B和C對應的半導體層和柵極絕緣層進行刻蝕，形成第一接觸孔01和第二接觸孔02，露出第一接觸孔01對應區域的柵線和第二接觸孔02對應區域的數據線；
[0176]參見圖14，對半保留區域D對應的光阻層131進行灰化處理，使得半保留區域的光阻完全去除，露出半保留區域D對應區域的導電層120 ；
[0177]參見圖15，對露出的導電層120進行刻蝕，保留完全保留區域A對應區域的導電層120，該區域的導電層為柵極11。
[0178]進一步地，步驟四形成所述柵極之后還包括剝離圖15所示的柵極11上的光阻層131。
[0179]步驟四中所述光阻層為正性光刻膠層，所述掩模板上與所述完全保留區域(柵極圖形)對應的區域為不透光區域，與第一接觸孔和第二接觸孔圖形對應的區域為完全透光(也稱全色調，full tone)區域，其余區域為半透光區域(也稱半色調，half tone);或者
[0180]所述光阻為負性光刻膠，所述掩模板上與所述完全保留區域(柵極圖形)對應的區域為完全透光區域，與第一接觸孔和第二接觸孔圖形對應的區域為不透光區域，其余區域為半透光區域。
[0181]步驟四通過一張掩模板、一次掩膜和一次曝光工藝，多次刻蝕工藝形成第一接觸孔、第二接觸孔和柵極，簡化了陣列基板的制作工藝流程。
[0182]較佳地，在形成所述第一接觸孔和第二接觸孔的同時還形成第三接觸孔，該第三接觸孔與第二接觸孔位于柵極絕緣層上且位于柵線上方的不同區域，第三接觸孔用于將柵線和待形成的柵線相連。
[0183]在形成第三接觸孔的過程與第一接觸孔的過程類似，不同之處在于，當光阻為正性光刻膠時，掩模板上與第三接觸孔對應的區域為完全透光區域，當光阻為負性光刻膠時，掩模板上與第三接觸孔對應的區域為不透光區域。
[0184]柵極絕緣層上的各接觸孔在同一次構圖工藝中完成，柵極與各接觸孔在同一次掩膜和曝光，不同刻蝕工藝中完成。
[0185]現有技術，制作每一接觸孔需要各經過一次構圖工藝完成，制作柵極也通過一次構圖工藝完成，每一次構圖工藝采用一張與待形成圖形對應的掩模板，每一次構圖工藝需要經過一次曝光工藝。本發明相比較現有技術，采用一張掩模板依次曝光工藝制作各接觸孔和柵極，不但省去了使用多個昂貴的掩模板，還簡化了陣列基板的制作工藝流程。
[0186]進一步地，在制作柵極的過程中同時制作柵極引線、源極引線，參見圖16，在形成有柵極11的襯底基板10上形成一層導電層，對所述導電層進行一次構圖工藝，形成通過第一接觸孔01與柵線20相連接的柵極引線16，通過第二接觸孔02與數據線30相接觸的源極引線17。
[0187]柵極引線和源極引線與柵極同一構圖工藝制作，簡化制作流程。并且，柵極引線和源極引線與柵極制作材料相同，制作材料可以為金屬或合金，相比較ITO材料制作柵極引線和源極引線，金屬或合金制作的柵極引線和源極引線的厚度可以更厚，可以避免靜電擊穿。
[0188]本發明實施例提供的陣列基板的制作方法，僅是以有限的陣列基板結構為例說明，具體實施時不限于本發明提及的陣列基板結構。另外，本發明實施例附圖中所示的陣列基板的結構僅是用于說明本發明的方法流程，并不用于限制本發明，且陣列基板的具體膜層結構，膜層相對位置，厚度等不代表真實的結構、相對位置及厚度。
[0189]顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極以及第一絕緣層的過程，制作第一絕緣層上的一個或多個接觸孔的過程，以及制作柵線和/或數據線的過程；所述第一絕緣層位于所述柵極與所述有源層之間，且覆蓋所述柵線和數據線； 其中，所述柵極與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成；或者所述有源層與與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極，以及第一絕緣層的過程，制作第一絕緣層上的一個或多個接觸孔的過程，以及制作柵線和/或數據線的過程，包括: 采用一次構圖工藝在所述襯底基板上形成包括柵極、柵線和/或數據線的圖形；采用構圖工藝在形成有所述柵極、柵線和/或數據線的襯底基板上形成覆蓋整個襯底基板的第一絕緣層； 采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括所述有源層和接觸孔的圖形； 采用一次構圖工藝在形成有所述有源層和各接觸孔的襯底基板上形成包括源極和漏極的圖形。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括所述有源層和各接觸孔的圖形，具體為:` 先后在所述第一絕緣層上形成覆蓋整個襯底基板的半導體層和光阻層； 采用一張掩模板對所述光阻層進行曝光，使得光阻層上與待形成的有源層對應的區域形成完全保留區域、與待形成的各接觸孔對應的區域形成完全去除區域，剩余區域形成半保留區域； 對所述各接觸孔對應區域的光阻層進行刻蝕，使得各接觸孔對應區域的光阻層完全去除，露出接觸孔對應區域的半導體層； 對各接觸孔對應區域的半導體層和第一絕緣層進行刻蝕，形成所述接觸孔，露出接觸孔對應區域的柵線和/或數據線； 對所述半保留區域對應的光阻層進行灰化處理，使得半保留區域對應的光阻層完全去除，露出半保留區域對應區域的半導體層； 對所述半保留區域對應的半導體層進行刻蝕，使得半保留區域對應的半導體層完全去除，剩余所述完全保留區域對應的半導體層，該半導體層為有源層。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在形成柵極的同時形成柵線和數據線，所述各接觸孔包括第一接觸孔和第二接觸孔； 在形成所述源極和漏極的同時形成柵極引線和源極引線； 所述柵極引線通過所述第一接觸孔與所述柵線相連，所述源極引線通過所述第二接觸孔與所述數據線相連。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在形成所述柵極的同時形成柵線和數據線，所述各接觸孔還包括第三接觸孔，所述第三接觸孔用于使得所述源極與所述數據線相連。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極和第一絕緣層的過程，制作第一絕緣層上的一個或多個接觸孔的過程，以及制作柵線和/或數據線的過程，包括: 采用一次構圖工藝在襯底基板上形成包括源極、漏極、柵線和/或數據線的圖形； 采用構圖工藝在形成有所述源極、漏極、柵線和/或數據線的襯底基板上形成有源層圖形； 采用構圖工藝在形成有所述有源層的襯底基板上形成第一絕緣層； 采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括所述柵極和接觸孔的圖形。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括柵極和各接觸孔，包括: 先后在所述第一絕緣層上形成覆蓋整個襯底基板的導電層和光阻層； 采用一張掩模板對所述光阻層進行曝光，使得光阻層上與待形成的柵極對應的區域形成完全保留區域、與待形成的各接觸孔對應的區域形成完全去除區域，其余區域形成半保留區域； 對所述各接觸孔對應區域的光阻層進行刻蝕，使得各接觸孔對應區域的光阻層完全去除，露出接觸孔對應區域的導電層； 對各接觸孔對應區域的導電層和第一絕緣層進行刻蝕，形成所述接觸孔，露出接觸孔對應區域的柵線和/或數據線； 對半保留區域對應的光阻層進行灰化處理，使得半保留區域的光阻層完全去除，露出半保留區域對應的導電層； 對半保留區域對應的導電層進行刻蝕，使得半保留區域對應的導電層完全去除，保留完全保留區域對應的導電層，該導電層為柵極。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在形成柵極的同時形成柵線和數據線，所述各接觸孔包括第一接觸孔和第二接觸孔； 在形成所述柵極的同時形成柵極引線和源極引線； 所述柵極引線通過所述第一接觸孔與所述柵線相連，所述源極引線通過所述第二接觸孔與所述數據線相連。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述各接觸孔還包括第三接觸孔，所述第三接觸孔用于使得所述柵極與所述柵線相連。
10.根據權利要求3或7所述的方法，其特征在于，所述光阻層為正性光刻膠層，所述掩模板上與所述完全保留區域對應的區域為不透光區域，與完全去除區域對應的區域為完全透光區域，其余區域為半透光區域；或者 所述光阻層為負性光刻膠層，所述掩模板上與與所述完全保留區域對應的區域為完全透光區域，與完全保留區域對應的區域不透光區域，其余區域為半透光區域。
【文檔編號】H01L21/77GK103700627SQ201310727274
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年12月25日 優先權日:2013年12月25日
【發明者】段獻學 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司