一種和多晶制絨添加劑匹配的制絨后表面處理工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種和多晶制絨添加劑匹配的制絨后表面處理工藝，包括以下步驟：（a）將硅片放入添加有一種新型多晶制絨添加劑體系中制絨形成減反效果更好的狹小絨面；（b）用一種較大功率的熱交換器給堿槽中KOH溶液加熱，再用該熱堿液上下噴洗制絨完的硅片；(c)用特定濃度的HF/HCL混酸清洗硅片表面。本發(fā)明的工藝能夠去除多余的納米級(jí)多孔硅，有效減少了復(fù)合，提高了開壓和并聯(lián)電阻，降低了漏電電流，還能有效的防止絲網(wǎng)印刷燒結(jié)后鋁背場(chǎng)疏松脫落；因?yàn)楦邼舛葻釅A洗的緣故，導(dǎo)致絨面的毛細(xì)現(xiàn)象得到緩解，且絨坑均勻性更好，最終降低了刻蝕過刻和管P色差的概率；更高濃度的混酸清洗，也使得小絨面絨坑深處的雜質(zhì)去除干凈，大大降低了復(fù)合。
【專利說明】—種和多晶制絨添加劑匹配的制絨后表面處理工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】:
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池制備領(lǐng)域，尤其涉及一種和多晶制絨添加劑匹配的制絨后表面處理工藝。
【背景技術(shù)】:
[0002]目前晶體硅太陽能電池對(duì)于效率的要求越來越高，多晶制絨添加劑作為一種可以有效降低反射率提高短 路電流的并在組件制程后有一定增益的新型產(chǎn)品，因其投資回報(bào)率較高逐漸被各大廠家試用甚至量產(chǎn)。但是傳統(tǒng)多晶制絨添加劑配套的工藝存在多孔硅去不干凈、刻蝕過刻/管P色差比例高、絨坑深處雜質(zhì)清洗不干凈等缺點(diǎn)，這些問題最終導(dǎo)致了電池的效率和品質(zhì)的下降。
[0003]產(chǎn)業(yè)界對(duì)此問題通過大量實(shí)驗(yàn)，在利用多晶制絨添加劑制絨后經(jīng)過一系列更高要求的表面處理后，獲得了技術(shù)上的突破。
【發(fā)明內(nèi)容】
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[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種可以將多晶制絨添加劑產(chǎn)生的多余的多孔硅去干凈，并且通過調(diào)整堿槽的溫度和濃度的均勻性來改善電池外觀不良的一種和多晶制絨添加劑匹配的制絨后表面處理工藝。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種和多晶制絨添加劑匹配的制絨后表面處理工藝，包括以下步驟:(a)將硅片放入添加有一種新型多晶制絨添加劑(主要成分為檸檬酸三胺、三乙醇胺、表面活性劑、表面清洗劑和水)的混酸(HF/HN03=1:6.5)體系中制絨形成減反效果更好的狹小絨面；(b)用一種較大功率的熱交換器給堿槽中的KOH溶液加熱，使其維持在一定溫度和濃度，再用該熱堿液上下噴洗制絨完的硅片；(c)用特定濃度HF/HCL混酸清洗硅片表面。
[0006]優(yōu)選的，所述步驟(b)中化學(xué)氧化步驟采用HNO3作為強(qiáng)氧化劑，和水按照
[0007]優(yōu)選的，所述制絨添加劑環(huán)境長(zhǎng)出的的絨面較正常工藝的絨面反射率要低3%_4%。
[0008]優(yōu)選的，所述KOH溶液的濃度為8%_10%，溫度為40±2°C。
[0009]優(yōu)選的，所述HF/HCL的濃度均為8%_10%。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益之處在于:這種和多晶制絨添加劑匹配的制絨后表面處理工藝能夠去除多余的納米級(jí)多孔硅，有效減少了復(fù)合，提高了開壓和并聯(lián)電阻，降低了漏電電流，還能有效的防止絲網(wǎng)印刷燒結(jié)后鋁背場(chǎng)疏松脫落；因?yàn)楦邼舛葻釅A洗的緣故，導(dǎo)致絨面的毛細(xì)現(xiàn)象得到緩解，且絨坑均勻性更好，最終降低了刻蝕過刻和管P色差的概率；更高濃度的混酸清洗，也使得小絨面絨坑深處的雜質(zhì)去除干凈，大大降低了復(fù)合。
【具體實(shí)施方式】:
[0011]下面通過【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0012]實(shí)例一:[0013]將用在制絨添加劑環(huán)境下制絨完成的硅片，放入KOH溶液中清洗，堿濃度為5%，溫度20°C，之后完成混酸洗以及擴(kuò)散刻蝕鍍膜絲網(wǎng)印刷，測(cè)試電性能，RSH為40 Ω，效率為17.1%，漏電為0.56A。實(shí)例二:
[0014]將用在制絨添加劑環(huán)境下制絨完成的硅片，放入KOH溶液中清洗，堿濃度為5%，溫度35°C，之后完成混酸洗以及擴(kuò)散刻蝕鍍膜絲網(wǎng)印刷，測(cè)試電性能，RSH為95 Ω，效率為17.15%，漏電為0.42A。實(shí)例三:
[0015]將用在制絨添加劑環(huán)境下制絨完成的硅片，放入KOH溶液中清洗，堿濃度為8%，溫度35°C，之后完成混酸洗以及擴(kuò)散刻蝕鍍膜絲網(wǎng)印刷，測(cè)試電性能，RSH為156 Ω，效率為17.2%，漏電為0.32A。實(shí)例四:
[0016]將用在制絨添加劑環(huán)境下制絨完成的硅片，放入KOH溶液中清洗，堿濃度為8%，溫度40°C，之后完成混酸洗以及擴(kuò)散刻蝕鍍膜絲網(wǎng)印刷，測(cè)試電性能，RSH為205Ω，效率為17.25%，漏電為 0.26A。
[0017]這種和多晶制絨添加劑匹配的制絨后表面處理工藝，能夠去除多余的納米級(jí)多孔硅，有效減少了復(fù)合，提高了開壓和并聯(lián)電阻，降低了漏電電流，還能有效的防止絲網(wǎng)印刷燒結(jié)后鋁背場(chǎng)疏松脫落；因?yàn)楦邼舛葻釅A洗的緣故，導(dǎo)致絨面的毛細(xì)現(xiàn)象得到緩解，且絨面均勻性更好，最終降低了刻蝕過刻和管P色差的概率；更高濃度的混酸清洗，也使得小絨面絨坑深處的雜質(zhì)去除干凈，大大降低了復(fù)合。
[0018]需要強(qiáng)調(diào)的是:以上僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范`圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種和多晶制絨添加劑匹配的制絨后表面處理工藝，其特征是，包括以下步驟: (a)將硅片放入添加有多晶制絨添加劑的混酸體系中制絨形成減反效果更好的狹小絨面； (b)用一種較大功率的熱交換器給堿槽中KOH溶液加熱，再用該熱堿液上下噴洗制絨完的娃片； (c)用特定濃度HF/HCL混酸清洗硅片表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的和多晶制絨添加劑匹配的制絨后表面處理工藝，其特征是，所述步驟(a)中，多晶制絨添加劑由檸檬酸三胺、三乙醇胺、表面活性劑、表面清洗劑和水組成。
3.如權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于:步驟(a)中混酸體系是由HF和HNO3組成。
4.如權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于:步驟(a)中HF和HNO3的重量比為1:6.5。
5.如權(quán)利要求1所述的和多晶制絨添加劑匹配的制絨后表面處理工藝，其特征是，所述步驟(a)中用制絨添加劑環(huán)境長(zhǎng)出的的絨面較正常工藝的絨面反射率要低3%_4%。
6.如權(quán)利要求1所述的和多晶制絨添加劑匹配的制絨后表面處理工藝，其特征是，所述步驟(b)中KOH溶液的濃度為8%-10%，溫度為40±2°C。
7.如權(quán)利要求1所述的和多 晶制絨添加劑匹配的制絨后表面處理工藝，其特征是，所述步驟(c)中HF/HCL的濃度均為8%-10%。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK103696021SQ201310717798
【公開日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月23日
【發(fā)明者】費(fèi)存勇, 初仁龍, 王志剛, 魯偉明 申請(qǐng)人:泰通(泰州)工業(yè)有限公司