有機發光二極管顯示裝置及其制造方法

有機發光二極管顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發明提供了一種有機發光二極管顯示裝置及其制造方法。有機發光二極管顯示裝置包括第一基板，其包括顯示區域，其中，在顯示區域中限定有多個像素區域；第一電極，所述第一電極位于第一基板之上并且位于多個像素區域中的每一個中；第一環岸，所述第一環岸位于第一電極的邊緣上并且包括用于阻擋光的穿過的絕緣材料；第二環岸，所述第二環岸位于所述第一環岸上并且包括具有疏水性質的絕緣材料；位于第一電極以及第一環岸的一部分上的有機發光層；以及第二電極，所述第二電極位于所述有機發光層上并且覆蓋顯示區域的整個表面。
【專利說明】有機發光二極管顯示裝置及其制造方法

【技術領域】
[0001]本公開涉及一種有機發光二極管(OLED)顯示裝置，其可以被稱為有機電致發光顯示裝置，并且更具體地，本公開涉及具有雙層結構的環岸的OLED顯示裝置及其制造方法。

【背景技術】
[0002]新的平板顯示裝置的OLED顯示裝置具有高亮度和低驅動電壓。OLED顯示裝置是自發光類型并且具有優異的視角、對比度、響應時間等等的特性。
[0003]因此，OLED顯示裝置廣泛地用于電視、監視器、移動電話等等。
[0004]OLED顯示裝置包括陣列元件和有機發光二極管。陣列元件包括連接到選通線和數據線的開關薄膜晶體管(TFT)、連接到開關TFT的驅動TFT和連接到驅動TFT的電源線。有機發光二極管包括連接到驅動TFT的有機發光二極管，并且進一步包括有機發光層和第二電極。
[0005]在OLED顯示裝置中，來自有機發光層的光通過第一電極或第二電極以顯示圖像。其中光通過第二電極的頂發射型OLED顯示裝置在開口率方面存在優點。
[0006]一般來說，利用蔭罩通過熱沉積方法形成有機發光層。然而，由于蔭罩隨著顯示裝置的尺寸的增大而變大使得蔭罩下垂。結果，在較大的顯示裝置中的沉積均勻性方面存在問題。另外，由于在使用蔭罩的熱沉積方法中生成遮蔽效果，因此，難以制造高分辨率(例如，250PPI (每英寸像素)以上)的OLED顯示裝置。
[0007]因此，已經提出了一種替代利用蔭罩的熱沉積方法的新方法。
[0008]在該新方法中，利用液體釋放設備或噴嘴涂敷設備將液相有機發光材料噴射或滴落在由壁圍繞的區域中并且進行固化以形成有機發光層。
[0009]圖1A至圖1C是示出制造OLED顯示裝置的步驟中的根據現有技術的OLED顯示裝置的示意性截面圖并且示出了形成環岸并且通過噴射或滴落液相有機發光材料形成有機發光層的步驟。
[0010]為了利用液體釋放設備或噴嘴涂敷設備來噴射或滴落液相有機發光材料，需要形成在第一電極上并且圍繞像素區域的環岸以防止液相有機發光材料溢流到鄰近的像素區域中。因此，在形成有機發光層之前在第一電極的邊緣上形成環岸。
[0011]這時，環岸由具有疏水性質的材料形成。疏水環岸防止了具有未水性質的液相有機發光材料形成在環岸上并由于液體釋放設備或噴嘴涂敷設備的錯位或有機發光材料的過量而導致溢流到鄰近的像素區域中。
[0012]如圖1A中所示，環岸可以由掩蔽處理形成，掩蔽處理包括在具有疏水性質的有機絕緣材料被施加到其上第一電極50形成在各像素區域P處的基板10的整個表面之后使用暴露掩模91的曝光步驟以及顯影步驟。
[0013]這里，使用暴露掩模91的曝光步驟可以包括照射幾百mW/cm2的高勒克斯UV光。
[0014]隨著顯示裝置的尺寸的增大，顯示裝置的基板更大，并且由于不能夠一次將整個大尺寸基板暴露給光而在大尺寸基板上執行掃描型曝光。
[0015]此外，與一次將基板暴露給光的處理相比，掃描型曝光降低了每單位時間的產率。為了防止產率降低，在掃描型曝光中，使用了幾百mW/cm2的高勒克斯UV光以替代通常在曝光步驟中使用的幾十mW/cm2的通常的UV光。
[0016]當執行利用高勒克斯UV光的曝光步驟時，掃描速度是通常的UV光的幾倍至幾十倍。因此，每單位時間的曝光步驟的處理時間減少，并且每單位時間的產率增加。
[0017]然而，當由利用高勒克斯UV光的掃描型曝光設備80將幾百mW/cm2的高勒克斯UV光照射到有機絕緣材料層52時,來自掃描型曝光設備80的光會由信號線30或金屬材料的電極(未示出)反射或者由曝光設備80的臺93反射并且即使光的量很少，光也會到達像素區域P的中心部分。這里，有機絕緣材料層52具有疏水性質。
[0018]因此，如圖1B中所示，在對暴露于光的圖1A的有機絕緣材料層52進行顯影之后，沿著像素區域P的邊界形成環岸53，并且具有疏水性質的有機絕緣材料剩余物54剩余在像素區域P的中心部分處并且處于第一電極50上。有機絕緣材料剩余物54可以被稱為有機絕緣材料剩余層。
[0019]同時，因為由于曝光步驟期間的反射光導致延長了拖尾，因此環岸53具有大于設計覽度wl的覽度wl’。
[0020]接下來，如圖1C中所示，通過將液相有機發光材料從液體釋放設備95噴射或滴落到由環岸53圍繞的像素區域P中，像素區域P被填充有有機發光材料。利用熱對有機發光材料進行干燥和固化以形成有機發光層55。
[0021]然而，由于剩余物54具有疏水性質，因此剩余物54阻止了液相有機發光材料在噴射或滴落液相有機發光材料時在像素區域P中擴散。因此，如圖1C和是示出現有技術的OLED顯示裝置中的一個像素區域的圖的圖2中所示，在疏水的環岸53周圍沒有形成有機發光層55，或者疏水的環岸53周圍的有機發光層的一部分具有比其它區域中的部分更薄的厚度。因此，在像素區域P的邊緣中顯示了較暗的圖像。另外，OLED顯示裝置由于厚度差而很快地劣化，并且OLED顯示裝置的壽命也縮短。
[0022]此外，如上所述，由于環岸53具有大于所設計的寬度Wl的寬度wl’，因此有機發光層55的面積減小，并且開口率降低。
[0023]本申請要求2013年6月28日在韓國提交的韓國專利申請N0.10-2013-0075522，通過引用將其整體并入這里，如在此完全引用一樣。


【發明內容】

[0024]因此，本發明涉及一種OLED顯示裝置，其基本上避免了由于現有技術的限制和缺陷導致的一個或多個問題。
[0025]在隨后的描述中將會部分地闡述本發明的額外的優點、目的和特征，并且部分優點、目的和特征對于已經研究過下面所述的本領域技術人員來說將是顯而易見的，或者部分優點、目的和特征將通過本發明的實踐來知曉。通過在給出的描述及其權利要求以及附圖中特別地指出的結構可以實現并且獲得本發明的目的和其它的優點。
[0026]根據本發明，如這里具體實施和廣泛描述的，一種有機發光二極管顯示裝置包括第一基板，其包括顯示區域，其中，在顯示區域中限定有多個像素區域；第一電極，所述第一電極位于第一基板之上并且位于多個像素區域中的每一個中；第一環岸，所述第一環岸位于第一電極的邊緣上并且包括阻擋光的穿過的絕緣材料；第二環岸，所述第二環岸位于所述第一環岸上并且包括具有疏水性質的絕緣材料；位于第一電極以及第一環岸的一部分上的有機發光層；以及第二電極，所述第二電極位于所述有機發光層上并且覆蓋顯示區域的整個表面。
[0027]在另一方面，一種制造有機發光二極管顯示裝置的方法包括:在第一基板上形成第一電極，該第一基板包括顯示區域，該顯示區域包括多個像素區域，第一電極形成在多個像素區域中的每一個中；在第一電極的邊緣上形成第一環岸，該第一環岸包括阻止光的穿過的絕緣材料并且具有第一寬度；在第一環岸上形成第二環岸，該第二環岸包括具有疏水性質的絕緣材料并且具有小于第一寬度的第二寬度；在多個像素區域中的每一個中在第一電極以及第一環岸的由第二環岸圍繞的部分上形成有機發光層；以及在有機發光層上形成第二電極，該第二電極覆蓋顯示區域的整個表面。
[0028]將理解的是，本發明的前述一般性描述和下面的詳細描述是示例性和說明性的并且意在提供如權利要求所記載的本發明的進一步說明。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]附圖被包括進來以提供本發明的進一步理解，并且被并入本申請且構成本申請的一部分，示出了本發明的實施方式，并且與說明書一起用于說明本發明的原理。在附圖中:
[0030]圖1A至圖1C是示出制造OLED顯示裝置的步驟中的根據現有技術的OLED顯示裝置的示意性截面圖。
[0031]圖2是示出現有技術的OLED顯示裝置中的一個像素區域的圖。
[0032]圖3是OLED顯示裝置的一個像素區域的電路圖。
[0033]圖4是根據本發明的實施方式的OLED顯示裝置的示意性截面圖。
[0034]圖5是根據本發明的一個修改實施方式的OLED顯示裝置的示意性截面圖。
[0035]圖6是根據本發明的另一修改實施方式的OLED顯示裝置的示意性截面圖。
[0036]圖7是示出OLED顯示裝置被驅動時的根據本發明的OLED顯示裝置中的一個像素區域的圖。
[0037]圖8A至圖8H是示出根據本發明的實施方式的OLED顯示裝置的制造過程的截面圖。

【具體實施方式】
[0038]現在將詳細參考在附圖中示出其示例的優選實施方式。
[0039]圖3是OLED顯示裝置的一個像素區域的電路圖。
[0040]如圖3中所示，OLED顯示裝置在每個像素區域P中包括開關薄膜晶體管(TFT)STr、驅動TFT DTr、存儲電容器StgC和發光二極管E。
[0041 ] 在基板(未示出)上，形成有沿著第一方向的選通線GL和沿著第二方向的數據線DL0選通線GL和數據線DL彼此交叉以限定像素區域P。用于將電源電壓提供給發光二極管E的電源線PL形成為與數據線DL平行并且與數據線DL隔開。
[0042]開關TFT STr連接到選通線GL和數據線DL并且驅動TFT DTr和存儲電容器StgC連接到開關TFT STr和電源線PL。發光二極管E連接到驅動TFT DTr0
[0043]發光二極管E的第一電極連接到驅動TFT DTr的漏電極，并且發光二極管E的第二電極接地。
[0044]當開關TFT STr由通過選通線GL施加的選通信號接通時，來自數據線DL的數據信號被施加到驅動TFT DTr的柵電極和存儲電容器StgC的電極。當驅動TFT DTr由數據信號接通時，電流被從電源線PL提供到發光二極管E。結果，發光二極管E發光。在該情況下，當驅動TFT DTr被接通時，從電源線PL施加到發光二極管E的電流的電平被確定為使得發光二極管E能夠產生灰階。存儲電容器StgC用于在開關TFT STr關斷時保持驅動TFT DTr的柵電極的電壓。因此，即使開關TFT STr被關斷，從電源線PL施加到發光二極管E的電流的電平也被保持到下一幀。
[0045]圖4是根據本發明的實施方式的OLED顯示裝置的示意性截面圖。為了解釋的方便起見，定義了其中形成有驅動TFT DTr的驅動區域、其中形成有發光二極管E的像素區域P以及其中形成有開關TFT (未示出)的開關區域(未示出)。
[0046]如圖4中所示，本發明的OLED顯示裝置101包括其中形成有驅動TFT DTr、開關TFT(未示出)和發光二極管E的第一基板110以及用于包封的第二基板170。第二基板170可以是無機絕緣膜或有機絕緣膜。
[0047]選通線(未示出)和數據線130形成在第一基板110上。選通線和數據線130彼此交叉以限定像素區域P。用于將電壓提供給發光二極管E的電源線(未示出)形成為與數據線130平行并且隔開。
[0048]在各像素區域P中，開關TFT連接到選通線和數據線130，并且驅動TFT DTr和存儲電容器連接到開關TFT和電源線。
[0049]驅動TFT DTr包括柵電極115、柵極絕緣層118、氧化物半導體層120、蝕刻停止層122、源電極133和漏電極136。柵極絕緣層118覆蓋柵電極115，并且氧化物半導體層120布置在柵極絕緣層118上。氧化物半導體層120對應于柵電極115。蝕刻停止層122覆蓋氧化物半導體層120的中心。源電極133和漏電極136布置在蝕刻停止層122上并且彼此隔開。源電極133和漏電極136分別接觸氧化物半導體層120的兩端。雖然未示出，但是開關TFT具有與驅動TFT DTr基本上相同的結構。
[0050]在圖4中，驅動TFT DTr和開關TFT中的每一個包括氧化物半導體材料的氧化物半導體層120。或者，如圖5中所示，驅動TFT DTr和開關TFT中的每一個可以包括柵電極213、柵極絕緣層218、包括本征非晶硅的有源層220a和雜質摻雜非晶硅的歐姆接觸層220b的半導體層220、源電極233和漏電極236。在圖4和圖5中，驅動TFT DTr具有其中柵電極115或213位于最下層的底柵極結構。
[0051]同時，驅動TFT DTr和開關TFT中的每一個可以具有其中半導體層位于最下層的頂柵極結構。即，如圖6中所示，驅動TFT DTr和開關TFT中的每一個可以包括位于第一基板310上的半導體層313，其包括本征多晶硅的有源區域313a和位于有源區域313a的兩側的雜質摻雜區域313b ;柵極絕緣層316 ;柵電極320，其對應于半導體層313的有源區域313a ;層間絕緣層323，其具有半導體接觸孔325，該半導體接觸孔暴露半導體層313的雜質摻雜區域313b ；以及源電極333和漏電極336，其通過半導體接觸孔325分別連接到雜質摻雜區域313b。
[0052]與底柵極結構TFT相比，頂柵極結構TFT要求層間絕緣層323。在頂柵極結構TFT中，選通線(未示出)形成在柵極絕緣層316上，并且數據線(未示出)形成在層間絕緣層323上。
[0053]再次參考圖4，包括暴露驅動TFT DTr的漏電極136的漏極接觸孔143的鈍化層140形成在驅動TFT DTr和開關TFT上。例如，鈍化層140可以由有機絕緣材料(例如，光活性丙烯)形成，以具有平坦的頂表面。
[0054]通過漏極接觸孔143接觸驅動TFT DTr的漏電極136的第一電極150形成在鈍化層140上并且分離地形成在各像素區域P中。
[0055]第一電極150由具有相對較高的功函數(例如，大約4.8eV至5.2eV)的導電材料形成。例如，第一電極150可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導電材料形成以用作陽極。
[0056]具有雙層結構的環岸153 (其包括第一環岸153a和第二環岸153b)沿著像素區域P的邊界形成在第一電極150上。環岸153與第一電極150的邊緣交疊從而由環岸153暴露第一電極150的中心。
[0057]例如，作為下層的第一環岸153a可以由具有相對較高的光吸收率并且阻止光的穿過的絕緣材料(例如，鉻氧化物(CrOx))形成。第一環岸153a具有第一寬度。第二環岸153b布置在第一環岸153a上并且具有小于第一寬度的第二寬度w’。第二環岸153b可以由具有疏水性質的有機材料形成。有機材料可以包括含氟(F)的聚酰亞胺、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯和聚四氟乙烯中的至少一種。
[0058]在包括雙層結構的環岸153 (其包括阻止光的穿過并且具有第一寬度的第一環岸153a和具有疏水性質和第二寬度w’的第二環岸153b)的OLED顯示裝置101中，由于當通過利用具有高勒克斯UV光的掃描型曝光設備執行曝光步驟而形成第二環岸153b時光沒有由位于第一環岸153a下面的諸如選通線、數據線130和電源線的金屬材料的信號線或者曝光設備的臺反射，因此在形成環岸153之后，疏水殘留物幾乎沒有殘留在第一電極150上。
[0059]因此，當噴射或滴落液相有機發光材料時，液相有機發光材料能夠在由環岸153圍繞的像素區域P中很好地擴散。
[0060]此外，由于第二環岸153b具有小于第一環岸153a的第一寬度的第二寬度w’并且第二寬度對應于設計寬度w (其包括考慮實際曝光處理的誤差范圍)，因此，與包括具有較大的尾的圖1C的環岸53的現有技術的OLED顯示裝置相比，改進了本發明的OLED顯示裝置的開口率。
[0061]將在下面更詳細地描述形成環岸153的方法。
[0062]在由具有雙層結構的環岸153圍繞的各像素區域P中形成有機發光層155。有機發光層155包括位于各像素區域P中的紅、綠和藍光發光材料。
[0063]通過形成有機發光材料層并且固化有機發光材料層來形成有機發光層155。通過利用液體釋放設備或噴嘴涂敷設備涂敷(即，噴射或滴落)液相有機發光材料來形成有機發光材料層。
[0064]參考圖4至圖7，圖7是示出OLED顯示裝置被驅動時的根據本發明的OLED顯示裝置中的一個像素區域的照片，在包括具有雙層結構的環岸153的OLED顯示裝置101中，有機發光層155形成為在各像素區域P處在由環岸153圍繞的區域的整個表面中具有均勻的厚度。基本上，有機發光層155在由第一環岸153a圍繞的區域中具有均勻的厚度。
[0065]這是由于在第一電極150上沒有疏水殘留物而使得液相有機發光材料很好地擴散。
[0066]圖4示出了單層有機發光層155。或者，為了改進發光效率，有機發光層155可以具有多層結構。例如，有機發光層155可以包括堆疊在作為陽極的第一電極150上的空穴注入層、空穴傳輸層、發光材料層、電子傳輸層和電子注入層。有機發光層155可以是空穴傳輸層、發光材料層、電子傳輸層和電子注入層的四層結構或者可以是空穴傳輸層、發光材料層和電子傳輸層的三層結構。
[0067]第二電極160形成在有機發光層155上并且覆蓋第一基板110的顯示區域的整個表面。第二電極160由具有相對較低的功函數的金屬材料形成，所述金屬材料例如為鋁(Al)、諸如鋁釹(AlNd)的Al合金、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)或鋁鎂合金(AlMg)。第二電極160用作陰極。
[0068]第一電極150、有機發光層155和第二電極160構成發光二極管E。
[0069]熔塊材料或密封劑的密封圖案(未示出)形成在第一基板110或第二基板170的邊緣上。第一和第二基板110和170利用密封圖案附接在一起。第一基板110與第二基板170之間的空間具有真空狀態或惰性氣體狀態。第二基板170可以是柔性塑料基板或玻璃基板。
[0070]或者，第二基板170可以是接觸第二電極160的膜。在該情況下，膜型第二基板由粘附層附接到第二電極160。
[0071]另外，有機絕緣膜或無機絕緣膜可以形成在第二電極160上作為覆蓋層。在該情況下，有機絕緣膜或無機絕緣膜用作包封膜而沒有第二基板170。
[0072]下面，將參考附圖描述制造OLED顯示裝置的方法。圖8A至圖8H是示出根據本發明的實施方式的OLED顯示裝置的制造過程的截面圖。主要描述具有雙層結構的環岸。
[0073]如圖8A中所示，選通線(未示出)、數據線130和電源線(未示出)形成在第一基板110上。另外，連接到選通線和數據線130的開關TFT (未示出)以及連接到開關TFT和電源線的驅動TFT DTr分別形成在開關區域(未示出)以及驅動區域中。
[0074]如上所述，開關TFT和驅動TFT DTr中的每一個具有包括圖4的柵電極115或圖5的柵電極213作為最下層的底柵極型TFT或者包括圖6的半導體層313作為最下層的頂柵極型TFT。底柵極型TFT包括圖4的氧化物半導體層120或者包括有源層220a和歐姆接觸層220b的圖5的非晶硅半導體層220，并且頂柵極型TFT包括圖6的多晶硅半導體層313。
[0075]這里，開關TFT和驅動TFT DTr可以是包括氧化物半導體層的底柵極型TFT。因此，驅動TFT DTr的柵電極115形成在第一基板110上，柵極絕緣層118形成在柵電極115上，并且氧化物半導體層120形成在柵極絕緣層118上對應于柵電極115。蝕刻停止層122形成在氧化物半導體層120上并且覆蓋氧化物半導體層120的中心，源電極133和漏電極136形成在蝕刻停止層122上并且彼此隔開。
[0076]接下來，有機絕緣材料(例如，光活性亞克力)涂敷在開關TFT和驅動TFT DTr上并且被圖案化以形成具有平坦的頂表面并且包括漏極接觸孔143的鈍化層140。通過漏極接觸孔143暴露驅動TFT DTr的漏電極136。
[0077]接下來，具有相對較高的功函數的透明導電材料沉積在鈍化層140上并且被圖案化以形成第一電極150。第一電極150通過漏極接觸孔143接觸驅動TFT DTr的漏電極136并且分離地位于各像素區域P中。例如，透明導電材料可以是銦錫氧化物(ITO)。
[0078]接下來，如圖SB中所示，具有相對較高的光吸收率并且阻止光的穿過的無機絕緣材料(例如，鉻氧化物(CrOx))沉積在第一電極150和鈍化層140上并且被圖案化，從而形成第一環岸153a。第一環岸153a對應于像素區域P的邊界并且與第一電極150的邊緣交疊。第一環岸153a具有第一寬度。
[0079]如圖SC中所示，有機絕緣材料層152形成在第一環岸153以及第一電極150上。例如，有機絕緣材料層152可以通過將有機絕緣材料施加到第一基板110的基本上整個表面來形成。有機絕緣材料有利地可以具有光敏性質和疏水性質。有機絕緣材料可以包括包含氟(F)的聚酰亞胺、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯和聚四氟乙烯中的至少一種。
[0080]包括光透射區域TA和光阻擋區域BA的曝光掩模191布置在有機絕緣材料層152上，并且包括100至990mW/cm2的高勒克斯UV光的掃描型曝光設備195布置在曝光掩模191上。通過將高勒克斯UV光選擇性地照射到有機絕緣材料層152來利用掃描型曝光設備195掃描有機絕緣材料層152，從而執行曝光處理。
[0081]有機絕緣材料層152的對應于曝光掩模191的光透射區域TA的部分暴露于UV光，并且有機絕緣材料層152的對應于光阻擋區域BA的部分沒有暴露于UV光。這里，有機絕緣材料層152被示出為具有負型光敏性質，利用該負型光敏性質使得在顯影處理之后剩余有機絕緣材料層152的暴露部分。或者，有機絕緣材料層152可以具有正型光敏性質，并且這時，光透射區域TA和光阻擋區域BA的位置被互換。
[0082]這時，通過曝光掩模191的光透射區域TA到達有機絕緣材料層152的高勒克斯UV光通過有機絕緣材料層152并且朝向有機絕緣材料層152下面的元件前進。然而，UV光被由具有較高的光吸收率并且阻止光的穿過的絕緣材料形成的第一環岸153a阻擋，并且通過有機絕緣材料層152的UV光被阻止入射到第一環岸153a下面的元件上。
[0083]更具體地，第一環岸153a可以具有與用于形成圖8D的第二環岸153b的曝光掩模191的光透射區域TA相同的形狀，并且第一環岸153a可以具有大于圖8D的第二環岸153b的第二寬度的第一寬度。光透射區域TA可以具有與圖8D的第二環岸153b的第二寬度基本上相同的寬度。
[0084]因此，高勒克斯UV光可以僅照射到有機絕緣材料層152的對應于圖8D的第二環岸153b的部分。此外，由于第一環岸153a具有大于曝光掩模191的光透射區域TA的寬度的第一寬度，因此通過光透射區域TA照射的高勒克斯UV光在穿過有機絕緣材料層152之后入射到第一環岸153a上并且沒有入射到其它區域上。
[0085]這時，由于第一環岸153吸收光并且阻止了光的穿過，因此沒有UV光通過第一環岸 153a。
[0086]因此，即使高勒克斯UV光照射到用于形成圖8D的第二環岸153b的有機絕緣材料層152，UV光也沒有到達有機絕緣材料層152下面反射光的金屬材料的選通線、數據線130和電源線或者其上布置有第一基板110的掃描型曝光設備195的臺，并且沒有由上述元件反射的光。此外，在由上述元件反射之后，沒有光入射到像素區域P中的第一電極150上的有機絕緣材料層152的底表面上。
[0087]接下來，如圖8D中所示，第二環岸153b通過對暴露于光的圖8C的有機絕緣材料層152進行顯影和移除來在第一環岸153a上形成第二環岸153b。第二環岸153b具有小于第一環岸153a的第一寬度的第二寬度。第二環岸153b被布置在第一環岸153a的邊緣處。
[0088]這里，接觸第一電極150的圖8C的有機絕緣材料層152被完全地移除，并且因此，在第一電極150上沒有疏水殘留物。因此,用于形成圖8H的有機發光層155的液相有機發光材料在被噴射或滴落時很好地擴散。
[0089]此外，第二環岸153b沒有由于周圍反射的UV光而具有尾，并且具有與設計的寬度基本上相等的第二寬度。
[0090]同時，第一環岸153a具有薄于第二環岸153b的厚度。
[0091]接下來，如圖SE中所示，在形成了具有雙層結構的環岸153之后，通過利用液體釋放設備199或噴嘴涂敷設備(未示出)將液相有機發光材料噴射在像素區域P中由環岸153圍繞的區域(更具體地，由第二環岸153b圍繞的區域)來在暴露在第二環岸153b的側表面外側的第一電極150和第一環岸153a上形成有機發光材料層154。
[0092]即使有機發光材料層由于液體釋放設備199或噴嘴涂敷設備的錯位而被噴射或滴落在第二環岸153b上，有機發光材料也由于第二環岸153b具有疏水性質而集中到像素區域P的中心。另外，即使噴射或滴落了過量的有機發光材料，有機發光材料也由于第二環岸153b的疏水性質而沒有流過第二環岸153b。
[0093]此外，由于疏水殘留物沒有存在于第一電極150上，因此液相有機發光材料在第一電極150上很好地擴散。此外，有機發光材料層154由于第二環岸153b具有小于第一環岸153a的第二寬度而形成在第一環岸153a上，并且有機發光材料在被噴射或滴落時集中在像素區域P的中心。因此，防止了有機發光材料層154的厚度在第二環岸153b周圍變厚。
[0094]因此，有機發光材料層154在由第一環岸153a圍繞的像素區域P中具有平坦的頂表面和均勻的厚度而沒有厚度的偏差。由第一環岸153a圍繞的像素區域P對應于圖像顯示給觀看者的有效發光區域，并且有效發光區域大于包括圖1C的環岸53的現有技術的OLED顯示裝置。因此增加了開口率。
[0095]接下來，如圖8F中所示，通過執行固化處理，圖8E的有機發光材料層154中的溶劑和潮氣被移除，使得有機發光層155形成在像素區域P中。
[0096]這里，有機發光層155具有單層結構。或者,通過改進發光效率,有機發光層155可以具有可以通過與單層結構的方法相同的方法形成的多層結構或者可以通過沉積方法形成在顯示區域的整個表面中。例如，有機發光層155可以包括堆疊在作為陽極的第一電極150上的空穴注入層、空穴傳輸層、發光材料層、電子傳輸層和電子注入層。有機發光層155可以是空穴傳輸層、發光材料層、電子傳輸層和電子注入層的四層結構或者空穴傳輸層、發光材料層和電子傳輸層的三層結構。
[0097]接下來，如圖8G中所示，通過沉積具有相對較低的功函數的金屬材料來在有機發光層155上形成第二電極160。第二電極160形成在顯不區域的整個表面上。金屬材料包括 Al、諸如 AlNd 的 Al 合金、Ag、Mg、Au 和 AlMg。
[0098]如上所述，第一電極150、有機發光層155和第二電極160構成了發光二極管E。
[0099]接下來，如圖8H中所示，在第一基板110或第二基板170的邊緣上形成密封圖案(未示出)之后，第一基板I1和第二基板170在真空狀態或惰性氣體狀態下附接在一起，從而制造了 OLED顯示裝置。或者，由熔塊材料、有機絕緣材料或具有透明度和粘附性質的聚合物材料形成的粘合密封件(未示出)形成在第一基板110的整個表面上，并且然后第一基板110和第二基板170附接在一起。如上所述，替代第二基板170，可以使用無機絕緣膜或有機絕緣膜來進行包封并且可以通過粘合層來附接。
[0100]在本發明的OLED顯示裝置中，由于環岸具有阻擋光的穿過并且具有第一寬度的第一環岸和具有疏水性質和小于第一寬度的第二寬度的第二環岸的雙層結構，因此即使使用利用高勒克斯UV光的掃描型曝光設備形成環岸，疏水殘留物也幾乎沒有剩余在第一電極上。
[0101]因此，液相有機發光材料在被噴射或滴落時在由環岸圍繞的像素區域中良好地擴散。
[0102]此外，有機發光層在像素區域中具有均勻的厚度，并且防止了有機發光層被劣化，從而延長了裝置的壽命。
[0103]此外，其中有機發光層具有平坦的頂表面(B卩，均勻厚度)的有效發光區域由于第二環岸的小于第一寬度的第二寬度而增大。結果，改進了 OLED顯示裝置的開口率。
[0104]對于本領域技術人員來說顯而易見的是，在不偏離本發明的精神或范圍的情況下能夠在本發明中進行各種修改和變化。因此，本發明意在涵蓋本發明的修改和變化，只要它們落入所附權利要求及其等同物的范圍內即可。
【權利要求】
1.一種有機發光二極管顯示裝置，所述有機發光二極管顯示裝置包括: 第一基板，所述第一基板包括顯示區域，其中，在所述顯示區域中限定有多個像素區域； 第一電極，所述第一電極位于所述第一基板上并且位于所述多個像素區域中的每一個像素區域中； 第一環岸，所述第一環岸位于所述第一電極的邊緣上并且包括具有阻止光的穿過的性質的絕緣材料； 第二環岸，所述第二環岸位于所述第一環岸上并且包括具有疏水性質的絕緣材料；有機發光層，所述有機發光層位于所述多個像素區域中的每一個像素區域中的所述第一電極和所述第一環岸的由所述第二環岸圍繞的部分上；以及 第二電極，所述第二電極位于所述有機發光層上并且覆蓋所述顯示區域的整個表面。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，其中，所述第一環岸中包括的絕緣材料是光吸收材料。
3.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，其中，所述第一環岸具有第一寬度并且所述第二環岸具有小于所述第一寬度的第二寬度。
4.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，其中，所述第一環岸包括鉻氧化物CrOx，并且所述第二環岸包括含氟的聚酰亞胺、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯和聚四氟乙烯中的至少一種。
5.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，所述有機發光二極管顯示裝置進一步包括: 開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管，所述開關薄膜晶體管和所述驅動薄膜晶體管位于所述多個像素區域中的每一個像素區域中并且位于所述第一電極下面；以及 鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述開關薄膜晶體管和所述驅動薄膜晶體管并且暴露所述驅動薄膜晶體管的漏電極， 其中，所述第一電極被布置在所述鈍化層上并且接觸所述驅動薄膜晶體管的所述漏電極。
6.根據權利要求5所述的有機發光二極管顯示裝置，所述有機發光二極管顯示裝置進一步包括: 選通線和數據線，所述選通線和所述數據線連接到所述開關薄膜晶體管并且彼此交叉以限定所述多個像素區域中的每一個像素區域；以及 電源線，所述電源線連接到所述驅動薄膜晶體管并且與所述選通線或所述數據線平行。
7.根據權利要求6所述的有機發光二極管顯示裝置，所述有機發光二極管顯示裝置進一步包括面對所述第一基板的第二基板或者接觸所述第二電極的包封膜。
8.—種制造有機發光二極管顯示裝置的方法，所述方法包括: 在第一基板上形成第一電極，所述第一基板包括顯示區域，所述顯示區域包括多個像素區域，所述第一電極形成在所述多個像素區域中的每一個像素區域中； 在所述第一電極的邊緣上形成第一環岸并且所述第一環岸包括阻止光的穿過的絕緣材料； 在所述第一環岸上形成第二環岸，所述第二環岸包括具有疏水性質的絕緣材料；在所述多個像素區域中的每一個像素區域中在所述第一電極和所述第一環岸的由所述第二環岸圍繞的部分上形成有機發光層；以及 在所述有機發光層上形成第二電極，所述第二電極覆蓋所述顯示區域的整個表面。
9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一環岸中包括的絕緣材料是光吸收材料。
10.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一環岸包括鉻氧化物CrOx，并且所述第二環岸包括含氟的聚酰亞胺、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯和聚四氟乙烯中的至少一種。
11.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一環岸具有第一寬度并且所述第二環岸具有小于所述第一寬度的第二寬度。
12.根據權利要求11所述的方法，其中，形成第二環岸的步驟包括: 通過將具有疏水性質的絕緣材料施加到所述第一基板的整個表面來在所述第一環岸上形成有機絕緣材料層； 在所述有機絕緣材料層上布置包括光透射區域和光阻擋區域的曝光掩模并且通過所述曝光掩模將100至990mW/cm2的UV光照射到所述有機絕緣材料層；以及對暴露于所述UV光的所述有機絕緣材料層進行顯影， 其中，所述光透射區域被布置在所述第一環岸與所述第二環岸的交疊區域上，使得所述UV光僅照射到對應于所述第二寬度的所述交疊區域。
13.根據權利要求12所述的方法，其中，形成所述有機發光層的步驟包括: 通過利用液體釋放設備或者噴嘴涂敷設備噴射或滴落液相有機發光材料來在所述多個像素區域中的每一個像素區域中在所述第一電極以及所述第一環岸的由所述第二環岸圍繞的部分上形成有機發光材料層；以及 對所述有機發光材料層進行固化以形成所述有機發光層。
14.根據權利要求8所述的方法，所述方法進一步包括: 在形成所述第一電極之前，形成選通線和數據線以及電源線并且在所述多個像素區域中的每一個像素區域中形成開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管，所述選通線和所述數據線彼此交叉以限定所述多個像素區域中的每一個像素區域，所述電源線與所述選通線或所述數據線平行，所述開關薄膜晶體管連接到所述選通線和所述數據線，并且所述驅動薄膜晶體管連接到所述電源線以及所述開關薄膜晶體管；以及 形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述開關薄膜晶體管和所述驅動薄膜晶體管并且暴露所述驅動薄膜晶體管的漏電極， 其中，所述第一電極被布置在所述鈍化層上并且接觸所述驅動薄膜晶體管的所述漏電極。
【文檔編號】H01L27/32GK104253141SQ201310712007
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2013年12月20日 優先權日:2013年6月28日
【發明者】金剛鉉, 梁基燮, 崔大正, 崔乘烈, 金漢熙, 樸璟鎮 申請人:樂金顯示有限公司