一種疏水有機薄膜封裝的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種疏水有機薄膜封裝的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法和疏水有機復合材料。該有機發(fā)光顯示裝置包括：一基板；形成于所述基板上的有機發(fā)光單元；形成于所述有機發(fā)光單元上的薄膜封裝層；所述薄膜封裝層包括至少一疏水有機層，且為所述薄膜封裝層的最外層結構。使得在水汽進入OLED時，第一道防線就是具有超強水汽阻擋能力的疏水有機層，從而阻隔了濕氣的進一步浸入；另外，疏水有機層能夠消除無機阻隔層所產生的應力，使得整體薄膜封裝層的應力最小化。
【專利說明】一種疏水有機薄膜封裝的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示【技術領域】，尤其涉及一種疏水有機薄膜封裝的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法和疏水有機復合材料。
【背景技術】
[0002]有機發(fā)光顯示器，即一般所稱為的OLED顯示器，由于其自身具有發(fā)光的功能，與傳統(tǒng)的液晶顯示器相比，具有更低的功耗，同時還要擁有高亮度和高響應速度，已經成為顯示領域目前主流的研究對象。
[0003]由于OLED顯示器中起到發(fā)光功能的有機發(fā)光層，對水汽和氧氣等外部環(huán)境因素十分敏感，如果將OLED顯示器支架暴露在有水汽或者氧氣的環(huán)境中，會使得器件性能急劇下降或者完全損壞。為了提高OLED的使用壽命和器件的穩(wěn)定性，必須通過密封工藝將器件進行封裝。如一種現(xiàn)有的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器，采用多個阻隔層構成的封裝結構來起到隔絕濕氣和氧氣，但是由于目前一般來說，阻隔層是由無機材料所制成的，會存在一定的問題，例如，由于各個薄膜層均采用無機材料，沉積后的薄膜存在內部應力過大，產品可靠性低；無機材料的沉積方式難以避免存在缺陷(d e f e c t )，例如微小裂紋(micro-crack),異物的摻雜等問題從而影響封裝的效果。另外的，目前還有采用聚合物/阻隔層/聚合物層/阻隔層這樣的封裝結構，但是由于采用的聚合物層，需要進行平坦化的處理，而且其平坦化的程度對封裝的效果影響很大，使得整個制程十分復雜，且聚合物層沒有隔水性能。
【發(fā)明內容】
[0004]針對現(xiàn)有技術中存在的問題，本發(fā)明的目的是提供一種疏水有機薄膜封裝的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法和疏水有機復合材料。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個示范性的實施例，提供一種有機發(fā)光顯示裝置，包括:一基板；形成于所述基板上的有機發(fā)光單元；形成于所述有機發(fā)光單元上的薄膜封裝層；所述薄膜封裝層包括至少一疏水有機層，且為所述薄膜封裝層的最外層結構。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個示范性的實施例，提供一種有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括:
[0007]步驟S1:提供一基板；在所述基板上形成有機發(fā)光單元；
[0008]步驟S2:形成覆蓋所述有機發(fā)光單元的薄膜封裝層；
[0009]所述步驟S2具體包括:通過等離子增強氣相化學沉積法形成至少一覆蓋所述有機發(fā)光單元的疏水有機層；
[0010]其中所述薄膜封裝層包括至少一疏水有機層，且為所述薄膜封裝層的最外層結構。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一個不范性的實施例，提供一種疏水有機復合材料，包括:以氟化娃烷和硅烷為前驅體，通過等離子增強氣相化學沉積法(PECVD)制得的氟化的雜化聚合物有機膜；
[0012]所述氟化的雜化聚合物有機膜包含以下原子百分比的元素:氟原子F，含量為10-50at% ;硅原子Si，含量為l-30at%，氧原子0，含量l_30at.% ;碳原子C，含量15_50at.%。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一個示范性的實施例，提供一種疏水有機復合材料的制備方法，包括:
[0014]反應室壓強小于IOOPa條件下，提供一基板，所述基板的溫度低于100°C ；
[0015]以氟化娃燒和娃燒為前驅體,并以惰性氣體為載氣，其中氟化娃燒與娃燒的流量比為 0.1-10 ；
[0016]通過等離子增強氣相化學沉積法(PECVD)將所述氟化硅烷和硅烷沉積在所述基板上，形成氟化的雜化聚合物有機膜；
[0017]所述氟化的雜化聚合物有機膜包含以下原子百分比的元素:氟原子F，含量為10-50at% ;硅原子Si，含量為l_30at%，氧原子，含量l_30at.% ;碳原子，含量15_50at.%。
[0018]由經上述的技術方案，與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明公開了一種疏水有機薄膜封裝的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法和疏水有機復合材料。該有機發(fā)光顯示裝置包括:一基板；形成于所述基板上的有機發(fā)光單元；形式于所述有機發(fā)光單元上的薄膜封裝層；所述薄膜封裝層包括至少一疏水有機層，且為所述薄膜封裝層的最外層結構。使得在水汽進入OLED時，第一道防線就是具有超強水汽阻擋能力的疏水有機層，從而阻隔了濕氣的進一步浸入；另外，疏水有機層能夠消除無機阻隔層所產生的應力，使得整體薄膜封裝層的應力最小化。
[0019]另外，以往工藝中的聚合物阻隔層一般會采用紫外線(UV)固化或熱固化等方式形成薄膜層，而本發(fā)明中采用等離子增強氣相化學沉積法(PECVD)方法，以硅烷和氟化硅烷作為前驅體，等離子聚合形成疏水有機層，該結構可因工藝條件而使得所含成分有所改變。因此可以輕松根據(jù)需求而調整疏水有機層性質；另外，疏水有機層含有C-F、S1-C, S1-O-Si,C-H等化學鍵。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1為第一實施例中公開的有機發(fā)光顯示裝置的示意圖；
[0022]圖2為第二實施例中公開的有機發(fā)光顯示裝置的示意圖；
[0023]圖3為第二實施例中公開的又一有機發(fā)光顯示裝置的示意圖；
[0024]圖4為第二實施例中公開的另一有機發(fā)光顯示裝置的示意圖；
[0025]圖5為第三實施例中公開的有機發(fā)光顯示裝置的示意圖；
[0026]圖6為第四實施例中公開的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的示意圖；
[0027]圖7a_7d為第四實施例中公開的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程圖；
[0028]圖8為氣體在固體表面形成的液滴原理圖。
【具體實施方式】[0029]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0030]為了更清楚地說明本發(fā)明，未涉及說明的部件將從附圖中省略，且相同的附圖標記在全文中表示相同元件。
[0031]此外，為了便于說明而隨意地示出了附圖所示各結構組件的尺寸和厚度，本發(fā)明并不限于這些圖示。
[0032]在附圖中，為了清楚起見而放大了層、膜、面板、區(qū)域的厚度。應理解的是，當諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件被稱為在另一元件“上”時，它可直接在另一元件上，或者也可存在插入元件。相比之下，當元件被稱為“直接”在另一元件“上”，不存在插入元件。
[0033]本發(fā)明公開了一種疏水有機薄膜封裝的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法和疏水有機復合材料。該有機發(fā)光顯示裝置包括:一基板；形成于所述基板上的有機發(fā)光單元；形成于所述有機發(fā)光單元上的薄膜封裝層；所述薄膜封裝層包括至少一疏水有機層，且為所述薄膜封裝層的最外層結構。使得在水汽進入OLED時，第一道防線就是具有超強水汽阻擋能力的疏水有機層，從而阻隔了濕氣的進一步浸入；另外，疏水有機層能夠消除無機阻隔層所產生的應力，使得整體薄膜封裝層的應力最小化。
[0034]另外，以往工藝中的有機阻隔層一般會采用紫外線(UV)固化或熱固化等方式形成薄膜層，而本發(fā)明中采用等離子增強氣相化學沉積法(PECVD)方法，以硅烷和氟化硅烷作為前驅體，等離子聚合形成疏水有機層，該結構因工藝條件而成分有所改變。因此可以輕松根據(jù)需求而調整疏水有機層性質；疏水有機層含有C-F、S1-C, S1-O-S1、C-H等化學鍵。
[0035]如圖1所示，在本發(fā)明的第一實施例中公開了一種疏水有機薄膜封裝的有機發(fā)光顯示裝置10，包括:一基板1、有機發(fā)光單元2、薄膜封裝層，其中薄膜封裝層包括至少一疏水有機層3。
[0036]具體來說，有機發(fā)光單元2形成于基板上I ;有機發(fā)光單元2形成于薄膜封裝層上；薄膜封裝層包括至少一疏水有機層3，且為薄膜封裝層的最外層結構。
[0037]其中，疏水有機層3與水汽的浸潤角度為90° -170°，更為優(yōu)選地，疏水有機層與水汽的浸潤角度為110° -160°。
[0038]請參考圖8，為氣體在固體表面形成的液滴原理圖，其中滿足以下公式:
[0039]Ysg = Y sl+ Y lgcos Θ c
[0040]其中:Θ。，是由液體在三相(液體、固體、氣體)交點處的夾角，一般稱為接觸角；
[0041]rsg為固體和氣體之間的表面張力；rsl為固體和液體之間的表面張力；rlg為液體和氣體之間的表面張力。
[0042]當水汽在某種材料表面的接觸角O。大于90°，該材料的表面是不會被水汽所浸潤的，該種材料即為疏水性材料。故為了防止水汽等浸潤到有機發(fā)光單元2，薄膜封裝層中設置至少位于最外層的疏水有機層3，由于其與水汽的浸潤角度為90° -170°，大于90°，屬于良好的隔水材料。從而將阻隔水汽快速滲透到有機發(fā)光顯示裝置10的內部中，增加了水汽滲透的滯后時間(Lag time)和有機發(fā)光單元2等器件的使用壽命。
[0043]對于疏水有機層3，可以是氟化的雜化聚合物有機膜，該有機膜具有很強的疏水性，是由具有疏水性的氟化硅烷和硅烷為前驅體，通過等離子增強氣相化學沉積法形成制成的。一般來說，較為優(yōu)選的選擇十七氟癸基三甲氧基硅烷(FAS-17)和四甲基硅烷(TMS)為前驅體制得，所制得的氟化的雜化聚合物有機膜，其中包含以下原子百分比的元素:氟原子F，含量為10-50at% ;硅原子Si，含量為l-30at%，氧原子O，含量l_30at.% ;碳原子C，含量 15_50at.%。
[0044]另外，該氟化的雜化聚合物有機膜包括C-F、S1-C, S1-O-S1、C-H等化學鍵，使得其具有很強的疏水性。
[0045]如圖2所示，在實施例一的基礎上，在本發(fā)明的第二實施例中公開了一種疏水有機薄膜封裝的有機發(fā)光顯示裝置10，其中與實施例一不同點在于:薄膜封裝層還包括無機阻隔層4。其他結構與實施例一中所公開的基本一致，在此就不再一一贅述。
[0046]具體來說，薄膜封裝層還包括至少位于有機發(fā)光單元2與疏水有機層3之間的無機阻隔層4，同時疏水有機層3為薄膜封裝層的最外層結構。
[0047]其中，無機阻隔層4通過原子層沉積法(ALD)、等離子增強氣相化學沉積法(PECVD)或物理氣相沉積法(PVD)形成的。一般可選作為無機阻隔層4的材料由金屬氧化物、金屬氮化物、氧化硅或氮化硅中的一種或一種以上的材料形成，例如A1203、TiO2, ZrO,SiO2, A10N、AIN、SiON, ZnO、ZnS, MgO, MgS。
[0048]另外，疏水有機層3的厚度范圍為500nm-3000nm ;無機阻隔層4的厚度范圍為300nm-1000nm，其中疏水有機層3的厚度要大于無機阻隔層4的厚度，其目的是為了使得由疏水有機層3來消除無機阻隔層4所產生的應力，該應力的存在的對有機發(fā)光單元存在一定害處。疏水有機層3或無機阻隔層4的厚度，一般來說，是越厚防水汽的效果越好，但是實際工藝過程中，需要綜合考慮整個薄膜封裝層的厚度對有機發(fā)光顯示裝置的輕薄化的影響和其他工藝因素，故一般選擇上述的厚度范圍。
[0049]對于此薄膜封裝層包括位于最外層結構的疏水有機層3，無機阻隔層4 (有機發(fā)光單元2與疏水有機層3之間)，由于無機阻隔層4的存在，使得相對于單純的一層疏水有機層3作為薄膜封裝層，增加了水汽浸入的彎曲路徑，即進一步的提高了 Lag time，具有更好的隔絕水汽的作用，可以使得薄膜封裝層的水蒸氣透過率小于10_6g/m2/day。另外，由于疏水有機層3可以還能夠在一定程度上抵消無機阻隔層4帶來的剛性殘留應力，而造成對有機發(fā)光單元2的不良影響。
[0050]當然對于薄膜封裝層的具體結構，還可以有較為優(yōu)化的一種方式:即膜封裝層由疏水有機層3與無機阻隔層4交替周期性層疊構成，且疏水有機層3為薄膜封裝層的最外層結構。其中，疏水有機層3與無機阻隔層4交替周期數(shù)N，I < N < 10，N為正整數(shù)，更為優(yōu)選地，I 5，N為正整數(shù)。其中，薄膜封裝層的厚度范圍為0.5-10 μ m，當然根據(jù)疏水有機層3與無機阻隔層4的交疊數(shù)不同，其厚度是不同的，但從整體的有機發(fā)光顯示裝置的結構來考慮，上述的薄膜封裝層的厚度是一個較好的選擇。
[0051]如圖3和圖4所示，其中圖3中所示有機發(fā)光顯示裝置10中薄膜封裝層與上述的有機發(fā)光顯示裝置(圖2中所示)不同之處在與:包括2次周期性交疊的疏水有機層3與無機阻隔層4，疏水有機層3為薄膜封裝層的最外層結構。
[0052]圖4中所示有機發(fā)光顯示裝置10中薄膜封裝層與上述的有機發(fā)光顯示裝置(圖2中所示)不同之處在與:包括3次周期性交疊的疏水有機層3與無機阻隔層4，疏水有機層3為薄膜封裝層的最外層結構。
[0053]對于薄膜封裝層可以是由疏水有機層3與無機阻隔層4交替周期性層疊構成，其目的是為了增加了水汽浸入的彎曲路徑，即進一步的提高了 Lag time，增強整體薄膜封裝層的隔水汽性。另外的，如圖3和圖4所示，無機阻隔層4 一般是夾在兩個疏水有機層3之間，且無機阻隔層4的厚度比疏水有機層3小，故其在沉積工藝過程中所產生的應力可以被抵消。
[0054]當然對于疏水有機層3與無機阻隔層4交替周期數(shù)N，可以根據(jù)實際需要進行相應的調整，在此就不在一一闡述，附圖中也不再一一示出，本發(fā)明不限于以上的實施方式。
[0055]如圖5所示，在實施例二的基礎上，在本發(fā)明的第三實施例中公開了一種疏水有機薄膜封裝的有機發(fā)光 顯示裝置10，其結構與實施例一中所公開的基本一致，在此就不再
--贅述。
[0056]其中與實施例二不同點在于:
[0057]具體來說，薄膜封裝層包括多個疏水有機層3，疏水有機層3為薄膜封裝層的最外層結構，同時也可以是為薄膜封裝層的最內層結構，即疏水有機層3可以是直接覆蓋有機發(fā)光單元2的，如圖5中所示。
[0058]當然，疏水有機層3與無機阻隔層4可以交替周期性層疊構成薄膜封裝層，且疏水有機層3為薄膜封裝層的最外層結構，同時也可以是為薄膜封裝層的最內層結構。其中，疏水有機層3與無機阻隔層4交替周期數(shù)N，I < N < 10，N為正整數(shù)，更為優(yōu)選地，I < N < 5，N為正整數(shù)。其中，薄膜封裝層的厚度范圍為0.5-10 μ m
[0059]當然對于疏水有機層3與無機阻隔層4交替周期數(shù)N，可以根據(jù)實際需要進行相應的調整，在此就不在一一闡述，附圖中也不再一一示出，本發(fā)明不限于以上的實施方式。
[0060]如圖6和圖7a_7d所示，在實施例一、二、三的基礎上，在本發(fā)明的第四實施例中公開了一種有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括:
[0061]步驟S1:提供一基板I ;在基板I上形成有機發(fā)光單兀2,如圖7a所不；
[0062]步驟S2:形成覆蓋有機發(fā)光單元2的薄膜封裝層；步驟S2具體包括:通過等離子增強氣相化學沉積法形成至少一覆蓋有機發(fā)光單元2的疏水有機層3，其中薄膜封裝層包括至少一疏水有機層3，且為薄膜封裝層的最外層結構，其中疏水有機層與水汽的浸潤角度為 90° -170°，更優(yōu)選為 110° -160°。
[0063]步驟S2包括:步驟S21和步驟S22，
[0064]其中，步驟S21具體包括:以金屬氧化物、金屬氮化物、氧化硅或氮化硅中的一種或一種以上的材料形成，例如 Al2O3' Ti02、ZrO, Si02、A10N、AIN、SiON, ZnO、ZnS、MgO, MgS,通過原子層沉積法(ALD)、等離子增強氣相化學沉積法(PECVD)或物理氣相沉積法(PVD)形成覆蓋有機發(fā)光單元2的無機阻隔層4，其厚度范圍為300nm-1000nm，如圖7b所示。其中較為優(yōu)選的一種方式采用等離子增強氣相化學沉積法(PECVD)形成無機阻隔層4，其原因是由于在后續(xù)步驟S22中疏水有機層3是也通過PECVD形成，這樣的話，兩步采用相同的工藝，較為簡單易行。
[0065]步驟S22具體包括:以氟化硅烷和硅烷為前驅體，較為優(yōu)選地，以十七氟癸基三甲氧基硅烷和四甲基硅烷為前驅體，通過等離子增強氣相化學沉積法(PECVD)形成覆蓋無機阻隔層4的疏水有機層3，如圖7c所示。其中，疏水有機層3的厚度范圍為500nm-3000nm，其中疏水有機層3的厚度要大于無機阻隔層4的厚度，其目的是為了消除無機阻隔層4在沉積過程所產生的應力。
[0066]另外，該有機發(fā)光顯示裝置制造方法還包括:
[0067]步驟S3:M次重復步驟S2，形成由疏水有機層3與無機阻隔層4交替周期性層疊構成的薄膜封裝層，O10，M為正整數(shù)。圖7d中，僅示出M=l，即重復I此步驟S2，但不限于此?？梢愿鶕?jù)實際的產品和工藝條件進行相應的調整。
[0068]當然，在上述步驟S2中:形成覆蓋有機發(fā)光單元2的薄膜封裝層，該封裝薄膜封裝層包括多個疏水有機層3，該封裝薄膜封裝層的最內層結構可以是疏水有機層3，即疏水有機層3直接覆蓋在有機發(fā)光單元2上，同時，疏水有機層3也是為薄膜封裝層的最外層結構，具體的成型順序可以適應的調整。不限于以上所闡述的方法。
[0069]另外，值得一提的是:疏水有機層3為氟化的雜化聚合物有機膜，具體參見實施例一中的具體闡述，在此就不再一一贅述。
[0070]在實施例一、二、三、四的基礎上,在本發(fā)明的第五實施例中公開了 一種疏水有機復合材料，由包括以氟化硅烷和硅烷為前驅體，較為優(yōu)選的選擇十七氟癸基三甲氧基硅烷(FAS-17)和四甲基硅烷(TMS)為前驅體，通過等離子增強氣相化學沉積法(PECVD)制得的氟化的雜化聚合物有機膜，其中疏水有機層與水汽的浸潤角度為90° -170°，更優(yōu)選為110。 -160。；
[0071]氟化的雜化聚合物有機膜包含以下原子百分比的元素:氟原子F，含量為10-50at% ;硅原子Si，含量為l-30at%，氧原子0，含量l_30at.% ;碳原子C，含量15_50at.%。該氟化的雜化聚合物有機膜包括C-F、S1-C, S1-O-Si, C-H等化學鍵，使得其具有很強的疏水性，其與水汽的浸潤角度為110° -170°。
[0072]本實施例公開了上述疏水有機復合材料的制備方法，包括:
[0073]反應室壓強小于IOOPa條件下，較為優(yōu)選的為25_50Pa，提供一基板，所述基板的溫度低于100°c，較為優(yōu)選的為50-70°C ；
[0074]以氟化硅烷和硅烷為前驅體，一般是以十七氟癸基三甲氧基硅烷(FAS-17)與四甲基硅烷(TMS)為前軀體，并以惰性氣體為載氣，一般為Ar，其中氟化硅烷與硅烷的流量比為
0.1-10，較為優(yōu)選的是1:1 ；
[0075]通過等離子增強氣相化學沉積法(PECVD)將氟化硅烷和硅烷沉積在基板上，形成氟化的雜化聚合物有機膜。
[0076]在不同的反應條件下，所形成的氟化的雜化聚合物有機膜的疏水性，如表I所示，其中:基板的溫度為70°C，載氣體Ar的功率為300W，上電極到基板的距離為100mm。
【權利要求】
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括: 一基板； 形成于所述基板上的有機發(fā)光單元； 形成于所述有機發(fā)光單元上的薄膜封裝層； 所述薄膜封裝層包括至少一疏水有機層，且為所述薄膜封裝層的最外層結構。
2.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述疏水有機層與水汽的浸潤角度為90° -170。。
3.如權利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述疏水有機層與水汽的浸潤角度為110° -160°。
4.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述疏水有機層為氟化的雜化聚合物有機膜； 所述氟化的雜化聚合物有機膜包含以下原子百分比的元素:氟原子F，含量為10-50at% ;硅原子Si，含量為l-30at% ;氧原子O，含量l_30at.% ;碳原子C，含量15_50at.%。
5.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述薄膜封裝層還包括至少一設置于所述有機發(fā)光單元與所述疏水有機層之間的無機阻隔層。
6.如權利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述薄膜封裝層由所述疏水有機層與所述無機阻隔層交替周期性層疊構成，且所述疏水有機層為所述薄膜封裝層的最外層結構。
7.如權利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述疏水有機層與所述無機阻隔層交替周期數(shù)N，1≤N≤10，N為正整數(shù)。
8.如權利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述疏水有機層與所述無機阻隔層交替周期數(shù)N，1≤N≤5，N為正整數(shù)。
9.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述疏水有機層的厚度范圍為 500nm-3000nm。
10.如權利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述無機阻隔層的厚度范圍為 300nm-1000nm。
11.如權利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述薄膜封裝層的厚度范圍為 0.5-10 μ m。
12.如權利要求4所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述疏水有機層由包括氟化硅烷和硅烷的如驅體形成。
13.如權利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述疏水有機層由包括十七氟癸基三甲氧基硅烷和四甲基硅烷的前驅體形成。
14.如權利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述疏水有機層是由等離子增強氣相化學沉積法形成。
15.如權利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述無機阻隔層是由金屬氧化物、金屬氮化物、氧化硅或氮化硅中的一種或一種以上的材料形成。
16.如權利要求15所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述無機阻隔層是由原子層沉積法、等離子增強氣相化學沉積法或物理氣相沉積法形成。
17.一種有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括:步驟S1:提供一基板，在所述基板上形成有機發(fā)光單元； 步驟S2:形成覆蓋所述有機發(fā)光單元的薄膜封裝層； 所述步驟S2具體包括:通過等離子增強氣相化學沉積法形成至少一覆蓋所述有機發(fā)光單元的疏水有機層； 其中，所述薄膜封裝層包括至少一疏水有機層，且為所述薄膜封裝層的最外層結構。
18.如權利要求17所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟S2包括:步驟S21和步驟S22， 其中，步驟S21具體包括:通過原子層沉積法、等離子增強氣相化學沉積法或物理氣相沉積法形成覆蓋所述有機發(fā)光單元的無機阻隔層； 步驟S22具體包括:通過以等離子增強氣相化學沉積法形成覆蓋所述無機阻隔層的疏水有機層。
19.如權利要求18所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括: 步驟S3:M次重復所述步驟S2，形成由所述疏水有機層與所述無機阻隔層交替周期性層疊構成的薄膜封裝層，O10，M為正整數(shù)。
20.如權利要求17所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于；所述疏水有機層與水汽的浸潤角度為90° -170°。
21.如權利要求17所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述疏水有機層與水汽的浸潤角度為110° -160°。
22.如權利要求17所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述疏水有機層為氟化的雜化聚合物有機膜； 所述氟化的雜化聚合物有機膜包含以下原子百分比的元素:氟原子F，含量為10-50at% ;硅原子Si，含量為l-30at%，氧原子O，含量l_30at.% ;碳原子C，含量15_50at.%。
23.如權利要求22所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述疏水有機層是由包括氟化硅烷和硅烷為前驅體形成。
24.如權利要求23所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述疏水有機層是包括十七氟癸基三甲氧基硅烷和四甲基硅烷為前驅體形成。
25.如權利要求18所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述無機阻隔層是由金屬氧化物、金屬氮化物、氧化硅或氮化硅中的一種或一種以上的材料形成。
26.—種疏水有機復合材料，包括:以氟化硅烷和硅烷為前驅體，制得的氟化的雜化聚合物有機膜； 所述氟化的雜化聚合物有機膜包含以下原子百分比的元素:氟原子F，含量為10-50at% ;硅原子Si，含量為l-30at%，氧原子O，含量l_30at.% ;碳原子C，含量15_50at.%。
27.如權利要求26所述的疏水有機復合材料，其特征在于，所述氟化硅烷包括十七氟癸基三甲氧基硅烷，所述硅烷包括四甲基硅烷，通過等離子增強氣相化學沉積法制得所述氟化的雜化聚合物有機膜。
28.—種疏水有機復合材料的制備方法，包括: 反應室壓強小于IOOPa條件下，提供一基板，所述基板的溫度低于100°C ； 以氟化硅烷和硅烷為前驅體，并以惰性氣體為載氣，其中氟化硅烷與硅烷的流量比為。0.1-10 ； 通過等離子增強氣相化學沉積法將所述氟化硅烷和硅烷沉積在所述基板上，形成氟化的雜化聚合物有機膜； 所述氟化的雜化聚合物有機膜包含以下原子百分比的元素::氟原子F，含量為10-50at% ;硅原子Si，含量為l_30at%，氧原子，含量l_30at.% ;碳原子，含量15_50at.%。
29.如權利要求28所述的疏水有機復合材料的制備方法，其特征在于，所述氟化硅烷為十七氟癸基三甲氧基硅烷，所述硅烷為四甲基硅烷；十七氟癸基三甲氧基硅烷與四甲基硅烷的流量比為1:1。
30.如權利要求28所述的疏水有機復合材料的制備方法，其特征在于，所述反應室壓強為25-50Pa ;所述基板的溫度為50-70°C。
【文檔編號】H01L21/77GK103956373SQ201310697551
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2013年12月18日 優(yōu)先權日:2013年12月18日
【發(fā)明者】謝再鋒 申請人:上海天馬有機發(fā)光顯示技術有限公司, 天馬微電子股份有限公司