雙面覆鋁鋁碳化硅igbt基板的近凈成形方法
【專利摘要】雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板的近凈成形方法，包括：1）將雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板三維數(shù)模處理后保存為STL文件，并輸送到計(jì)算機(jī)；2）將鋁合金粉末烘干除濕，將鋁合金粉末和碳化硅粉末混合料烘干除濕；3）將鋁合金粉末放入送粉器，混合料放入另一送粉器；4）根據(jù)覆鋁層和鋁碳化硅層厚度要求，確定每層用哪個(gè)送粉器送粉，將這些參數(shù)送入計(jì)算機(jī)，通過計(jì)算機(jī)控制；5）設(shè)定激光成形工藝參數(shù)，開啟激光熔化快速成型設(shè)備，在保護(hù)氣體環(huán)境下，完成平面鋁層-鋁碳化硅層-球面鋁層沉積。使用本發(fā)明能夠直接制備出復(fù)雜形狀雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板，基板組織致密，鋁層與鋁碳化硅層結(jié)合牢固，成型工藝簡(jiǎn)單，原材料利用率接近100%。
【專利說明】雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板的近凈成形方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及鋁碳化硅IGBT基板，具體涉及一種雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板的近凈成形方法。
【背景技術(shù)】
[0002]鋁碳化硅復(fù)合材料由于具有高導(dǎo)熱性、低密度、與陶瓷及半導(dǎo)體芯片均匹配的熱膨脹系數(shù)，以及高硬度和高抗彎強(qiáng)度等特點(diǎn)，成為新一代電子封裝材料。由其制備的鋁碳化硅IGBT基板能夠有效解決高集成電子元件的散熱問題，已廣泛應(yīng)用于大功率集成電路、高速列車變流控制器等領(lǐng)域。
[0003]鋁碳化硅IGBT基板要求一主面為平面，另一主面為球面，且為了方便球面加工和提高基板的可鍍性，需要在IGBT基板上雙面覆鋁，一主面作為散熱面接合散熱片或散熱單元；另一主面被焊接到陶瓷電路板上。為了使鋁碳化硅IGBT基板與陶瓷電路板和散熱片均接合緊密，要求基板的焊接面為平面、散熱面為球面。此外，基板高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)的性能要求碳化硅的體積分?jǐn)?shù)應(yīng)控制在40%-75%范圍內(nèi)。
[0004]目前，制備這種高體積分?jǐn)?shù)鋁碳化硅IGBT基板主要采用浸滲法，即先制備碳化硅多孔預(yù)制體，再通過高壓或在無壓狀態(tài)下將鋁液浸滲到碳化硅預(yù)制體中，最后通過機(jī)械加工出所需要的形狀。由于鋁碳化硅的材質(zhì)非常硬，使得IGBT基板的機(jī)械加工困難，、成本高，、生產(chǎn)效率低下。為此，日本電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)提出了雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板的設(shè)計(jì)(在 CN 200580021286.0，200780015978.3 和 200780014043.3 中均有記載)，并通過滲鋁工裝的改進(jìn)，在鋁碳化硅IGBT基板上實(shí)現(xiàn)了雙面覆鋁。覆鋁層不僅使球面加工能夠直接在鋁層上進(jìn)行，而且可以提高鋁碳化硅的可鍍性，對(duì)鋁碳化硅IGBT基板非常必要。然而，由于在浸滲時(shí)碳化硅骨架的變形大，要在規(guī)定尺寸內(nèi)加工出厚度均勻的雙面鋁層，同樣存在加工難度大，加工周期長(zhǎng)，成本高的難題，而且能夠制備出的雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板的成品率不高。此外，采用浸滲法制備鋁碳化硅IGBT基板本身工序繁多、工藝復(fù)雜、對(duì)工裝要求嚴(yán)格、原材料利用效率低，且對(duì)基板的形狀尺寸都有很大限制。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是，克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，提供一種工藝簡(jiǎn)單，產(chǎn)品成品率高的雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板的近凈成形方法。
[0006]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板的近凈成形方法，包括如下步驟:
1)將雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板的三維數(shù)模由切片軟件處理后保存為STL文件，將STL文件的數(shù)據(jù)信息輸送到激光熔化快速成型設(shè)備的計(jì)算機(jī)中；
2)將鋁合金粉末烘干除濕，同時(shí)將按比例混合好的鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料亦烘干除濕；
3)將烘干除濕后的鋁合金粉末放入激光熔化快速成形設(shè)備的一個(gè)送粉器中，將已按比例混合好且已烘干除濕后的鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料放入激光熔化快速成形設(shè)備的另一個(gè)送粉器中；
4)根據(jù)IGBT基板覆鋁層(即平面鋁層和球面鋁層)和鋁碳化硅層的厚度要求，確定每層向激光熔池中送進(jìn)粉末的類型，即確定向激光熔池送進(jìn)鋁合金粉末，或是鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料；從而確定每層使用哪個(gè)送粉器送粉，然后通過計(jì)算機(jī)控制相應(yīng)的送粉器送粉，實(shí)現(xiàn)對(duì)成型過程的實(shí)時(shí)控制；
5)設(shè)置激光成形工藝參數(shù)，開啟激光熔化快速成型設(shè)備，在保護(hù)氣體環(huán)境下，完成平面鋁層-鋁碳化硅層-球面鋁層的沉積。
[0007]進(jìn)一步,所述步驟2)中，招合金粉末為球狀粉末,粒徑分布為0.02?0.1Omm,碳化娃粉末的等效粒徑小于0.10mm。
[0008]進(jìn)一步，所述步驟2)中，鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料中碳化硅粉末的體積分?jǐn)?shù)為30%?70% ；
進(jìn)一步，所述步驟2)中，鋁合金粉末的干燥溫度，以及混合后的鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料干燥溫度均為100?200°C，優(yōu)選120?150°C，干燥時(shí)間為4?24h，優(yōu)選6?15h。
[0009]進(jìn)一步，所述步驟5)中，保護(hù)氣體為氬氣；
進(jìn)一步，所述步驟5)中，激光成型工藝參數(shù)為:激光功率100?1000W，光束直徑0.1?1.0mm,掃描速度200?1000mm/s,單層沉積厚度0.03?0.1Omm,気氣中氧氣摩爾分?jǐn)?shù)低于10'
[0010]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn):
1)本發(fā)明能夠直接制備出雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板，制備出的基板組織致密，鋁層與鋁碳化硅層結(jié)合牢固；
2)本發(fā)明對(duì)IGBT基板的形狀和尺寸沒有限制，能制備出任意復(fù)雜形狀和大尺寸的雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板；
3)本發(fā)明成型工藝簡(jiǎn)單易操作、二次加工少、原材料利用率接近100%、制備周期短、生產(chǎn)效率高；
4)本發(fā)明除適合制備雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板，還適合無覆鋁層或單面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板的制備。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011]圖1是鋁碳化硅IGBT基板的激光熔化快速成型設(shè)備示意圖。
[0012]圖2 Ca)是本發(fā)明一實(shí)施方式的鋁碳化硅IGBT基板的結(jié)構(gòu)圖；
圖2 (b)為圖2 (a)所不招碳化娃IGBT基板的A-A不意圖；
圖3 (a)是本發(fā)明另一實(shí)施方式的鋁碳化硅IGBT基板的結(jié)構(gòu)圖；
圖3 (b)為圖3 Ca)所示鋁碳化硅IGBT基板的A-A示意圖；
圖4 Ca)是本發(fā)明第三種實(shí)施方式的鋁碳化硅IGBT基板的結(jié)構(gòu)圖；
圖4 (b)為圖4 (a)所示招碳化娃IGBT基板的A-A示意圖。
[0013]標(biāo)記說明
1:光纖激光器；2:激光加工頭；3:激光束；4:成型件；5:數(shù)控工作臺(tái)；6:粉末噴頭；7-1、7-2、7-3:送粉器；8:計(jì)算機(jī)；9:激光熔池；a:鋁碳化硅層；b:平面鋁層；c:球面鋁層?！揪唧w實(shí)施方式】
[0014]下面將結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步具體詳細(xì)描述。
[0015]實(shí)施例1:
激光熔化快速成形設(shè)備包括光纖激光器1、激光加工頭2、送粉器，送粉器一端與計(jì)算機(jī)8連接,送粉器另一端接粉末噴頭6,可射出激光束3的激光加工頭2固定于光纖激光器I上，成型件4可固定于數(shù)控工作臺(tái)上。
[0016]送粉器的數(shù)量可根據(jù)用戶實(shí)際需求決定，圖1中示出了三個(gè)送粉器，標(biāo)號(hào)分別為7-1、7-2、7-3。本實(shí)施例中實(shí)際用到兩個(gè)送粉器。
[0017]參照?qǐng)D2 (a)、圖2 (b),四單元外形尺寸為140_X130_X5mm雙面覆招招碳化硅IGBT基板，焊接平面鋁合金厚度不大于0.15mm，散熱球面鋁合金厚度最低點(diǎn)不大于
0.15mm、最高點(diǎn)與最低點(diǎn)高度差為0.27±0.075mm。IGBT基板的制備在1000W的光纖激光器上進(jìn)行，具體步驟如下:
(1)將四單兀外形尺寸為140mmX130mmX5mm碳化娃IGBT基板的三維數(shù)模由切片軟件處理后保存為STL文件，將STL文件的數(shù)據(jù)信息輸送到激光熔化快速成型設(shè)備的計(jì)算機(jī)中；
(2)將鋁合金粉末置于干燥箱內(nèi)120°C干燥8h，同時(shí)，將鋁合金與碳化硅體積比為40:60的混合粉末亦置于干燥箱內(nèi)120°C干燥8h，其中鋁合金粉末粒徑為0.03mm，碳化硅粉末的等效粒徑為0.02mm ；
(3)將烘干除濕后的鋁合金粉末放入激光器的送粉器7-1中，將已按比例混合好且已烘干除濕后的的鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料放入激光熔化快速成形設(shè)備的另一個(gè)送粉器7-2中；
(4)根據(jù)IGBT基板的結(jié)構(gòu)要求設(shè)置平面鋁層厚度0.06_，鋁碳化硅層厚度4.61_，球面鋁層最低點(diǎn)厚度0.06mm、球面最高點(diǎn)與最低點(diǎn)厚度差為0.27mm，并將這些參數(shù)送入計(jì)算機(jī)8，通過確定每層向激光熔池9中送進(jìn)粉末的類型，即通過確定向激光熔池9送進(jìn)鋁合金粉末，或是鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料；從而確定每層使用哪個(gè)送粉器送粉，然后通過計(jì)算機(jī)控制相應(yīng)的送粉器送粉；
(5)設(shè)置平面鋁層、球面鋁層和鋁碳化硅層激光工藝參數(shù):激光功率為500W，光束直徑
0.5mm,掃描速度800mm/s,單層沉積厚度0.06mm ；
(6)采用氬氣保護(hù)并控制氬氣中氧氣摩爾分?jǐn)?shù)低于10_5，運(yùn)行光纖激光器1，根據(jù)IGBT基板的設(shè)置要求，計(jì)算機(jī)控制相應(yīng)送粉器送粉。首先開啟送粉器7-1送入鋁合金粉末沉積平面鋁層，當(dāng)鋁層厚度達(dá)到0.06_時(shí)，關(guān)閉送粉器7-1 ;同時(shí)開啟另一個(gè)送粉器7-2，送入鋁合金和碳化硅混合粉末沉積鋁碳化硅層，當(dāng)鋁碳化硅層厚度達(dá)到4.61mm時(shí)，關(guān)閉另一個(gè)送粉器7-2 ;然后，又開啟送粉器7-1送入鋁合金粉末完成球面鋁層的沉積。
[0018]采用本方法制備出了雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板，外形尺寸為140mmX 130mmX 5mm,平面招層厚度0.06mm,球面招層最低點(diǎn)厚度0.06mm、最高點(diǎn)厚度
0.33_。鋁層表面質(zhì)量光潔，通過掃描電鏡觀察，組織致密無氣孔裂紋缺陷，鋁層與鋁碳化硅層呈牢固的冶金結(jié)合。通過取樣進(jìn)行物理性能檢測(cè)，20°C?25°C時(shí)，熱導(dǎo)率為180W/m*K ；25°C?100°C時(shí)，熱膨脹系數(shù)為7.6X 1(T6/K ;20°C?25°C時(shí)，抗彎強(qiáng)度393MPa。
[0019]實(shí)施例2:
參照?qǐng)D3(a)、圖3(b)，六單元外形尺寸為190mmX140mmX5mm雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板，焊接平面鋁合金厚度不大于0.15mm，散熱球面鋁合金厚度不大于0.15mm，球面層最高點(diǎn)與最低點(diǎn)高度差為0.37±0.075mm。IGBT基板的制備在1000W的光纖激光器上進(jìn)行，具體步驟如下:
(1)將六單元鋁外形尺寸為190mmX140mmX5mm碳化硅IGBT基板的三維數(shù)模由切片軟件處理后保存為STL文件，將STL文件的數(shù)據(jù)信息輸送到激光熔化快速成型設(shè)備的計(jì)算機(jī)中；
(2)將鋁合金粉末置于干燥箱內(nèi)120°C干燥8h，同時(shí)，將鋁合金與碳化硅體積比為40:60的混合粉末亦置于干燥箱內(nèi)120°C干燥8h，其中鋁合金粉末粒徑為0.03mm，碳化硅粉末的等效粒徑為0.02mm ；
(3)將烘干除濕后的鋁合金粉末放入激光器的送粉器7-1中，將已按比例混合好且已烘干除濕后的的鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料放入激光熔化快速成形設(shè)備的另一個(gè)送粉器7-2中；
(4)根據(jù)IGBT基板的結(jié)構(gòu)要求設(shè)置平面鋁層厚度0.06mm，碳化硅層厚度4.58mm，球面鋁層最低點(diǎn)厚度0.06mm、球面最高點(diǎn)與最低點(diǎn)高度差0.30mm,并將這些參數(shù)送入計(jì)算機(jī)，通過確定每層向激光熔池9中送進(jìn)粉末的類型，即通過確定向激光熔池9送進(jìn)鋁合金粉末，或是鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料；從而確定每層使用哪個(gè)送粉器送粉，然后通過計(jì)算機(jī)控制相應(yīng)的送粉器送粉，通過對(duì)送粉器的控制對(duì)成型過程進(jìn)行實(shí)時(shí)控制；
(5)設(shè)置激光功率參數(shù):激光功率為500W，光束直徑0.5mm，掃描速度800mm/s，單層沉積厚度0.06mm ；
(6)采用氬氣保護(hù)并控制氬氣中氧氣摩爾分?jǐn)?shù)低于10_5，運(yùn)行激光器，根據(jù)IGBT基板設(shè)置要求，計(jì)算機(jī)首先開啟送粉器7-1送入鋁合金粉末沉積平面鋁層，當(dāng)鋁層厚度達(dá)到
0.06_時(shí)，關(guān)閉送粉器7-1，同時(shí)開啟另一個(gè)送粉器7-2送入鋁合金和碳化硅混合粉末沉積鋁碳化硅層，當(dāng)鋁碳化硅層厚度達(dá)到4.58mm時(shí)，關(guān)閉另一個(gè)送粉器7_2 ;然后，又開啟7_1送粉器送入鋁合金粉末完成球面鋁層的沉積。
[0020]采用本方法制備出了六單元雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板，外形尺寸為190mmX 140mmX 5mm,平面招層厚度0.06mm,球面招層最低點(diǎn)厚度0.06mm、最高點(diǎn)厚度
0.36mm。鋁層表面質(zhì)量光潔，通過掃描電鏡觀察，組織致密無氣孔裂紋缺陷，鋁層厚度均勻且與呈牢固的冶金結(jié)合。通過取樣進(jìn)行物理性能檢測(cè)，20°C?25°C時(shí)，熱導(dǎo)率為178W/m*K ；25°C?100°C時(shí)，熱膨脹系數(shù)為7.9X10-6/K ;20°C?25°C時(shí)，抗彎強(qiáng)度390MPa。
[0021]實(shí)施例3:
參照?qǐng)D4 (a)、圖4 (b)，一復(fù)雜形狀雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板，焊接平面鋁合金厚度不大于0.15mm,散熱球面招合金厚度不大于0.15mm,最高點(diǎn)與最低點(diǎn)高度差為
0.37±0.075mm。IGBT基板的制備在1000W的光纖激光器上進(jìn)行，具體步驟如下:
(1)將復(fù)雜形狀雙面覆鋁碳化硅IGBT基板的三維數(shù)模由切片軟件處理后保存為STL文件，將STL文件的數(shù)據(jù)信息輸送到激光熔化快速成型設(shè)備的計(jì)算機(jī)中；
(2)將招合金粉末置于干燥箱內(nèi)120°C干燥8h,同時(shí),將招合金與碳化娃體積比為35:65的混合粉末亦置于干燥箱內(nèi)120°C干燥8h,其中招合金粉末粒徑為0.04mm,碳化娃粉末的等效粒徑為0.02mm ；
(3)將烘干除濕后的鋁合金粉末放入激光器的送粉器7-1中，將已按比例混合好且已烘干除濕后的的鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料放入激光熔化快速成形設(shè)備的另一個(gè)送粉器7-2中；
(4)根據(jù)IGBT基板的結(jié)構(gòu)要求設(shè)置平面鋁層厚度0.04_，鋁碳化硅層厚度4.60_，球面鋁層最低點(diǎn)厚度0.04mm、最高點(diǎn)與最低點(diǎn)高度差0.32mm,并將這些參數(shù)送入計(jì)算機(jī)，通過確定每層向激光熔池9中送進(jìn)粉末的類型，即通過確定向激光熔池9送進(jìn)鋁合金粉末，或是鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料；從而確定每層使用哪個(gè)送粉器送粉，然后通過計(jì)算機(jī)控制相應(yīng)的送粉器送粉，通過對(duì)送粉器的控制對(duì)成型過程進(jìn)行實(shí)時(shí)控制；
(5)設(shè)置激光功率參數(shù):激光功率為300W，光束直徑0.4mm，掃描速度500mm/s，單層沉積厚度0.04mm ；
(6)采用氬氣保護(hù)并控制氬氣中氧氣摩爾分?jǐn)?shù)低于10_5，運(yùn)行激光器，根據(jù)IGBT基板設(shè)置要求，計(jì)算機(jī)首先開啟送粉器7-1送入鋁合金粉末沉積平面鋁層，當(dāng)鋁層厚度達(dá)到
0.04_時(shí)，關(guān)閉送粉器7-1 ;同時(shí)開啟另一個(gè)送粉器7-2送入鋁合金和碳化硅混合粉末沉積鋁碳化硅層，當(dāng)鋁碳化硅層厚度達(dá)到4.60mm時(shí)，關(guān)閉另一個(gè)送粉器7_2 ;然后，又開啟送粉器7-1送入鋁合金粉末完成球面鋁層的沉積。
[0022]采用本方法制備出了雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板，外形尺寸滿足要求，平面鋁層厚度0.04mm,球面鋁層最低厚度0.04_、最高厚度0.36_。鋁層表面質(zhì)量光潔，通過掃描電鏡觀察，組織致密無氣孔裂紋缺陷，鋁層與鋁碳化硅層呈牢固的冶金結(jié)合。通過取樣進(jìn)行物理性能檢測(cè)，20°C~2 5°C時(shí)，熱導(dǎo)率為182W/m ? K ;25°C~100°C時(shí)，熱膨脹系數(shù)為
7.2X 10_6/K ;20°C~25°C時(shí)，抗彎強(qiáng)度 398MPa。
【權(quán)利要求】
1.雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板的近凈成形方法，其特征在于:包括以下步驟: 1)將雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板的三維數(shù)模由切片軟件處理后保存為STL文件，將STL文件的數(shù)據(jù)信息輸送到激光熔化快速成型設(shè)備的計(jì)算機(jī)中； 2)將鋁合金粉末烘干除濕，同時(shí)將按比例混合好的鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料亦烘干除濕； 3)將烘干除濕后的鋁合金粉末放入激光熔化快速成形設(shè)備的一個(gè)送粉器中，將已按比例混合好且已烘干除濕后的鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料放入激光熔化快速成形設(shè)備的另一個(gè)送粉器中； 4)根據(jù)IGBT基板覆鋁層和鋁碳化硅層的厚度要求，確定每層向激光熔池中送進(jìn)粉末的類型，即確定向激光熔池送進(jìn)鋁合金粉末，或是鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料；從而確定每層使用哪個(gè)送粉器送粉，然后通過計(jì)算機(jī)控制相應(yīng)的送粉器送粉，實(shí)現(xiàn)對(duì)成型過程的實(shí)時(shí)控制； 5)設(shè)置激光成形工藝參數(shù)，開啟激光熔化快速成型設(shè)備，在保護(hù)氣體環(huán)境下，完成平面鋁層-鋁碳化硅層-球面鋁層的沉積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板的近凈成形方法，其特征在于:所述步驟2)中，鋁合金粉末為球狀粉末，粒徑分布為0.02?0.10mm，碳化硅粉末的等效粒徑小于0.1Omm ； 所述步驟2)中，鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料中碳化硅粉末的體積分?jǐn)?shù)為30%?70% ； 所述步驟2)中，鋁合金粉末的干燥溫度，以及鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料的干燥溫度均為100?200°C，干燥時(shí)間為4?24h ; 所述步驟5)中，保護(hù)氣體為氬氣； 所述步驟5)中，激光成型工藝參數(shù)為:激光功率100?1000W，光束直徑0.1?1.0mm,掃描速度200?1000mm/S，單層沉積厚度0.03?0.10mm，氬氣中氧氣摩爾分?jǐn)?shù)低于10_5。
3.按照權(quán)利要求2所述的雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板的近凈成形方法，其特征在于:所述步驟2)中，鋁合金粉末的干燥溫度，以及鋁合金粉末和碳化硅粉末的混合料的干燥溫度均為120?150°C，干燥時(shí)間為6?15h。
4.按照權(quán)利要求1所述的雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板的近凈成形方法，其特征在于:所述成形方法除適合制備雙面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板外，還適合無覆鋁層或單面覆鋁鋁碳化硅IGBT基板的制備。
【文檔編號(hào)】H01L23/15GK103658659SQ201310644808
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年12月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月5日
【發(fā)明者】馮淑容, 舒陽會(huì), 海春英, 何芳, 蔡菲菲, 宋滿新 申請(qǐng)人:湖南航天誠遠(yuǎn)精密機(jī)械有限公司