基板轉移暨處理系統以及基板轉移暨處理方法
【專利摘要】本發明提供一種基板轉移暨處理系統以及基板轉移暨處理方法。基板轉移暨處理系統包含一基板轉移裝置、至少一熱板裝置、一藥液裝置、一傾斜裝置。基板轉移裝置用來將基板于一輸送路徑上移動。熱板裝置設置于輸送路徑上，用來承載并加熱基板。藥液裝置設置于輸送路徑上。藥液裝置被驅動移動至熱板裝置所承載的基板處。藥液裝置與基板的上表面形成一封閉空間。于封閉空間提供一藥液與基板的上表面接觸以產生一化學反應。傾斜裝置用來傾斜熱板裝置、藥液裝置及基板至一角度。熱板裝置對基板加熱以使基板與藥液加速進行化學反應。
【專利說明】基板轉移暨處理系統以及基板轉移暨處理方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種基板轉移暨處理系統以及基板轉移暨處理方法，尤其是涉及一種可大幅減少藥液供給量、提升薄膜沉積均一性且提升產能的基板轉移暨處理系統以及基板轉移暨處理方法。
【背景技術】
[0002]現今電子工業迅速發展，許多電子產品都需要應用到物理沉積技術或化學沉積技術。另外全世界面臨石油能源耗竭、成本高昂及環保等問題，造成太陽能與氫能源燃料電池的需求與日俱增，由于太陽能電池制造時，必須在一基材上構成多種沉積層(薄膜)，才能有效的發揮其功能，足見沉積制程為電子產業及民生產業一個極為重要的關鍵技術。
[0003]現有的化學浴沉積(Chemical Bath Deposit1n, CBD)制程,也為沉積技術的一，其將表面預作處理的一基材(例如太陽能電池基板)浸入化學藥液中持續一定時間，用來在基材表面沉積形成半導體薄膜。但現有的化學浴沉積設備，將基材完全浸入化學藥液之中，如此將導致基材多個表面形成半導體薄膜。然而，基材只需要在一表面形成半導體薄膜。多基材其余表面所形成的半導體薄膜浪費制造成本與制程時間。
[0004]因此，如何發明出一種化學鍍浴沉積設備，以使化學鍍浴沉積設備可在撓性基材的單面進行化學鍍浴沉積，是一重要課題。
【發明內容】
[0005]針對現有技術的不足，本發明的目的在于:提供一種基板轉移暨處理系統以及基板轉移暨處理方法，解決現有技術中存在的各種問題。
[0006]為實現上述目的，本發明采用的技術方案是:
[0007]一種基板轉移暨處理系統，用來轉移與處理一基板，其特征在于，該基板轉移暨處理系統包含:
[0008]一基板轉移裝置，用來將該基板于一輸送路徑上移動；
[0009]至少一熱板裝置，設置于該輸送路徑上，用來承載并加熱該基板；
[0010]一藥液裝置，設置于該輸送路徑上，該藥液裝置被驅動移動至該熱板裝置所承載的該基板處，該藥液裝置與該基板的上表面形成一封閉空間，在該封閉空間提供一藥液與該基板的該上表面接觸以產生一化學反應；以及
[0011]一傾斜裝置，用來傾斜該熱板裝置、該藥液裝置及該基板至一角度；
[0012]其中，該熱板裝置對該基板加熱以使該基板與該藥液加速進行該化學反應。
[0013]所述的基板轉移暨處理系統，其中，該基板轉移裝置包括:
[0014]一入口端，提供未與該藥液接觸的該基板進入該輸送路徑；以及
[0015]一出口端，提供完成該化學反應的該基板由該輸送路徑輸出。
[0016]所述的基板轉移暨處理系統，其中:該入口端設有一第一清洗裝置，用來清洗該未與該藥液接觸的該基板。
[0017]所述的基板轉移暨處理系統，其中:該出口端設有一第二清洗裝置，用來清洗由該出口端被送出的該基板。
[0018]所述的基板轉移暨處理系統，其中，該傾斜裝置包含:
[0019]一平臺，用來承載該熱板裝置；
[0020]一固定轉軸，設置于該平臺底部其中一側；
[0021]一升降裝置，設置于該平臺底部相對于設有該固定轉軸的一側，該升降裝置以該固定轉軸為支點進行升降往復運動時，用來傾斜該熱板裝置、該藥液裝置及該基板至一角度。
[0022]所述的基板轉移暨處理系統，其中:該藥液裝置被驅動傾斜至一角度時，能夠將該藥液排出該藥液裝置。
[0023]所述的基板轉移暨處理系統，其中:該升降裝置為氣壓裝置或油壓裝置。
[0024]所述的基板轉移暨處理系統，其中，該藥液裝置包括:
[0025]一蓋體；以及
[0026]一蓋體固定裝置，用來將該蓋體移送至該熱板裝置所承載的該基板處，以使該蓋體與該基板的上表面形成一封閉空間。
[0027]所述的基板轉移暨處理系統，其中:該蓋體固定裝置設有一藥液供給裝置，用來將藥液注入該封閉空間內。
[0028]所述的基板轉移暨處理系統，其中:還包括一沖洗裝置，用來沖洗該基板及該蓋體。
[0029]所述的基板轉移暨處理系統，其中:該蓋體具有一第一開口，用來提供該藥液注入該封閉空間內，或提供該藥液排出于該封閉空間之外，或提供該沖洗裝置沖洗該基板或該蓋體。
[0030]所述的基板轉移暨處理系統，其中:該蓋體具有一第二開口，該第一開口與該第二開口分別作為供該藥液注入于該封閉空間內及供該藥液排出于該封閉空間外，該第一開口與該第二開口的其中一個可供該沖洗裝置沖洗該基板或該蓋體。
[0031 ] 所述的基板轉移暨處理系統，其中:該蓋體具有一第三開口，用來提供該沖洗裝置沖洗該基板或該蓋體，該第一開口與該第二開口分別作為供該藥液注入于該封閉空間內及提供該藥液排出于該封閉空間外。
[0032]所述的基板轉移暨處理系統，其中:該第一開口設置于該蓋體的中心處，以使該藥液注入該封閉空間內，而該第二開口與該第三開口分別設置于該蓋體的相對二側。
[0033]所述的基板轉移暨處理系統，其中:該基板為非晶娃基板、單晶娃基板、多晶娃基板、微晶硅基板或砷化鎵基板的至少其中之一。
[0034]所述的基板轉移暨處理系統，其中:該基板轉移裝置為真空吸附式機械手臂。
[0035]為實現上述目的，本發明采用的技術方案還包括:
[0036]一種基板轉移暨處理系統，用來轉移與處理多個基板，其特征在于，該基板轉移暨處理系統包含:
[0037]多個基板轉移裝置，每一該基板轉移裝置具有一輸送路徑，每一該基板轉移裝置用來將至少一該基板于所具有的該輸送路徑上移動，每一該基板轉移裝置包括一入口端以及一出口端，該入口端提供該基板進入該輸送路徑；
[0038]多個熱板裝置，在每一該輸送路徑上設有至少一該熱板裝置，用來承載并加熱該基板；
[0039]多個藥液裝置，在每一該輸送路徑上設有一該藥液裝置，該藥液裝置被驅動移動至其所設置的該輸送路徑上的該熱板裝置所承載的該基板處，該藥液裝置與該基板的上表面形成一封閉空間，在該封閉空間提供一藥液與該基板的該上表面接觸以產生一化學反應；以及
[0040]多個傾斜裝置，在每一該輸送路徑上設有一該傾斜裝置，用來傾斜其所設置的該輸送路徑上的該熱板裝置、該藥液裝置及該基板至一角度；
[0041]其中，該熱板裝置對該基板加熱以使該基板與該藥液加速進行該化學反應，完成該化學反應的該基板由該出口端被送出該輸送路徑；相鄰的該基板轉移裝置的該入口端之間設有相互連接的一第一傳送裝置，使該多個入口端形成串聯，以及，相鄰的該基板轉移裝置的該出口端之間設有相互連接的一第二傳送裝置，使該多個出口端形成串聯。
[0042]所述的基板轉移暨處理系統，其中:該串聯的該多個入口端的其中一端設有一第一清洗裝置，用來清洗該未與該藥液接觸的該基板。
[0043]所述的基板轉移暨處理系統，其中:該串聯的該多個出口端的其中一端設有一第二清洗裝置，用來清洗由該出口端被送出的該基板。
[0044]為實現上述目的，本發明采用的技術方案還包括:
[0045]一種基板轉移暨處理方法，其特征在于，其步驟包含:
[0046]由一基板轉移裝置將一基板于一輸送路徑上移動；
[0047]由至少一設置于該輸送路徑上的熱板裝置承載該基板；以及
[0048]驅動一設置于該輸送路徑上的藥液裝置至該熱板裝置所承載的該基板處，該藥液裝置與該基板的上表面形成一封閉空間，該封閉空間提供一藥液與該基板的該上表面接觸以產生一化學反應；
[0049]由熱板裝置對該基板加熱以使該基板與該藥液加速進行該化學反應；以及
[0050]往復傾斜擺動該熱板裝置、該藥液裝置及該基板于一角度范圍內，用來使基板上表面與藥液均勻化學反應。
[0051]與現有技術相比較，本發明具有的有益效果是:本發明可解決上述現有技術的缺失，不僅減少藥液使用量，同時提升膜厚均勻性，還能增加例如太陽能電池等基板的產能及合格率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0052]圖1為本發明的基板轉移暨處理系統的第一實施例示意圖；
[0053]圖2為本發明的基板轉移暨處理系統的藥液蓋固定機構示意圖；
[0054]圖3為本發明將熱板裝置傾轉以倒除藥液的示意圖；
[0055]圖4為本發明的基板轉移暨處理系統的第二實施例示意圖；
[0056]圖5為本發明的基板轉移暨基板處理方法的流程示意圖。
[0057]附圖標記說明:100、100A-基板轉移暨處理系統；10、10A-基板轉移裝置；11、11A-入口端；12、12A-出口端；13、13A-第一清洗裝置；14、14A_第二清洗裝置；15A-第一傳送裝置；16A-第二傳送裝置；20、20A-熱板裝置；30、30A-藥液裝置；31_蓋體；311_第一開口 ；312-第二開口 ；313-第三開口 ；32_蓋體固定裝置；33-封閉空間；40、40A-傾斜裝置；41_平臺；42_固定轉軸；43_升降裝置；50_基板；60_藥液；70_薄膜；L、LA_輸送路徑；S10?S50-步驟；Θ -角度。
【具體實施方式】
[0058]以下配合圖式及元件符號對本發明的【具體實施方式】做更詳細的說明，俾使熟習項技藝者在研讀本說明書后能據以實施。
[0059]本發明有關一種基板轉移暨處理系統及基板轉移暨處理方法，其可連續性投入多片基板，依序將多片基板轉移分配于多個個熱板裝置上，以對每一片基板進行薄膜沉積處理，再將已處理完成的基板轉移并傳送出去，如此可同時處理多片基板，且由于連續性投片及同時處理多片基板，因此可以大幅增加產能與制造效率。
[0060]請參閱圖1所示本發明的基板轉移暨處理系統的第一實施例示意圖，以及請參閱圖2所示本發明的基板轉移暨處理系統的藥液蓋固定機構示意圖。
[0061]基板轉移暨處理系統100包含一基板轉移裝置10、多個熱板裝置20、一藥液裝置30、一傾斜裝置40。基板轉移暨處理系統100可用來轉移與處理一基板50，基板可為非晶硅基板、單晶硅基板、多晶硅基板、微晶硅基板或砷化鎵基板的至少其中之一。
[0062]基板轉移裝置10具有一輸送路徑L，基板轉移裝置10可于輸送路徑L的兩端來回移動，并可取放及轉移基板50，使基板50于輸送路徑L上移動，基板轉移裝置10的形式不限，例如可采用真空吸附式機械手臂。在輸送路徑L的兩端分別對應設置有一入口端11以及一出口端12，入口端11提供未與藥液接觸的基板50進入輸送路徑，出口端12提供完成化學反應的基板50由輸送路徑輸出。本實施例中，在入口端11設有一第一清洗裝置13，在出口端12設有一第二清洗裝置14，基板50在傳送至入口端11時已經過第一清洗裝置13洗凈及干燥處理，然后從入口端11取得基板50，然后將基板50轉移至任一個熱板裝置20進行后續的薄膜沉積處理，并再從熱板裝置20取回已沉積有薄膜的基板50，再把已沉積出薄膜的基板50轉移至出口端12，由第二清洗裝置14對由出口端12被送出的基板50進行清洗及干燥。可依所需決定是否設置第一清洗裝置13及第二清洗裝置14。
[0063]熱板裝置20設置于輸送路徑L上且固定于傾斜裝置40上。每一個熱板裝置20可承載經基板轉移裝置10轉移過來的基板50，且每一個熱板裝置20可升溫至一預定溫度，由熱板裝置20對基板50加熱以使基板50與藥液60加速進行化學反應。熱板裝置20的范圍面積須大于基板50的范圍面積。如圖1所示，本實施例設有四個熱板裝置20并互呈分離設置，然而要注意的是，上述熱板裝置20的配置數目及配置方式視實際需要而定，在此僅是說明用的實例而已，并非用來限制本發明的范圍。
[0064]藥液裝置30設置于輸送路徑L且設置于傾斜裝置40上。藥液裝置30包括一蓋體31、一蓋體固定裝置32、一藥液供給裝置以及一沖洗裝置(圖中未示出)。
[0065]由蓋體固定裝置32將蓋體31移送至熱板裝置20所承載的基板50處，蓋體31罩蓋壓合于基板50上，蓋體31與基板50的上表面形共同圍置形成具有一封閉空間33的一結構體。藥液供給裝置用來將藥液60注入封閉空間33內。沖洗裝置可用來沖洗基板50及蓋體31。
[0066]本實施例中，在蓋體31具有一第一開口 311、一第二開口 312以及一第三開口313。第一開口 311設置于蓋體31的中心處，以使藥液60注入封閉空間33內，而第二開口312與第三開口 313分別設置于蓋體31的相對二側。第一開口 311與第二開口 312分別作為供藥液60注入于封閉空間33內及提供藥液60排出于封閉空間33外，第三開口 313可用來提供沖洗裝置沖洗基板50或蓋體31。
[0067]除此之外，也可于蓋體31僅設置第一開口 311，由第一開口 311提供藥液60注入封閉空間33內，或提供藥液60排出于封閉空間33之外，或提供沖洗裝置沖洗基板50或蓋體31。或者，也可僅于蓋體31設置第一開口 311及第二開口 312，由第一開口 311與第二開口 312分別作為供藥液60注入于封閉空間33內及供藥液60排出于封閉空間33外，第一開口 311與第二開口 312的其中一個可供沖洗裝置沖洗基板50或蓋體31。
[0068]由藥液供給裝置將藥液60經第一開口 311注入于蓋體31中，以使基板50的上表面可被藥液60均勻地覆蓋。藥液60與基板50的上表面接觸后在藥液60與基板50的上表面之間產生一化學反應(如化學浴沉積)，用來在基板50的上表面形成一薄膜70。當基板50的上表面覆蓋藥液60后，熱板裝置20即可對基板50加熱至一預定溫度以加速基板50與藥液60之間的化學反應。
[0069]傾斜裝置40包含一平臺41、一固定轉軸42以及一升降裝置43。平臺41用來承載熱板裝置20及藥液裝置30。固定轉軸42設置于平臺41底部其中一側。升降裝置43設置于平臺41底部相對于設有固定轉軸42的一側。升降裝置43以固定轉軸42為支點進行升降往復運動時，可將熱板裝置20、藥液裝置30及基板50傾斜至一角度，或使熱板裝置20、藥液裝置30及基板50從傾斜狀態回復成水平狀態。升降裝置43可采用氣壓裝置或油壓裝置。
[0070]請參閱圖3所示本發明將熱板裝置傾轉以倒除藥液的示意圖。升降裝置43以固定轉軸42為支點進行升降往復運動時，可將熱板裝置20、藥液裝置30及基板50傾斜至一角度Θ時，藥液60即可從第二開口 312倒除出去。再由沖洗裝置通過第三開口 313沖洗稀釋仍殘留于基板50的上的藥液60，其中，基板50經由沖洗裝置的處理后，蓋體固定裝置32即可將蓋體31由基板50上方移開，以供基板轉移裝置10取走基板50，并將基板50送至出口端12，由出口端12所傳送出去的基板50，可先經由第二清洗裝置14清潔干燥后，再送往下一制程處理。
[0071]請參閱圖4所示本發明的基板轉移暨處理系統的第二實施例示意圖。基板轉移暨處理系統100A可用來轉移與處理多個基板50，其包含多個基板轉移裝置10A、多個熱板裝置20A、多個藥液裝置30A及多個傾斜裝置40A。其使用了四組基板轉移裝置10A，等基板轉移裝置10A以相互并列方式進行設置，每一基板轉移裝置10A具有一輸送路徑LA，每一基板轉移裝置10A可于輸送路徑LA的兩端來回移動，并可取放及轉移一基板50，使基板50于所具有的輸送路徑LA上移動，每一基板轉移裝置10A包括一入口端11A以及一出口端12A，入口端11A提供基板50進入輸送路徑LA。于每一輸送路徑LA上設有至少一熱板裝置20A，用來承載并加熱基板；每一個基板轉移裝置10A對應設置有多個個熱板裝置20A，等熱板裝置20A沿著每一個基板轉移裝置10A的輸送路徑LA而設置于輸送路徑LA的下方，每一個熱板裝置20A可承載自基板轉移裝置10A轉移過來的基板50。
[0072]于每一輸送路徑LA上設有一藥液裝置30A，藥液裝置30A被驅動移動至其所設置的輸送路徑LA上的熱板裝置20A所承載的基板50處，在每一輸送路徑LA上設有一傾斜裝置40A，用來傾斜其所設置的輸送路徑LA上的熱板裝置20A、藥液裝置30A及基板50至一角度。本實施例的熱板裝置20A、藥液裝置30A及傾斜裝置40A對于基板50的作用與圖1?圖3所示熱板裝置20、藥液裝置30及傾斜裝置40對于基板50的作用相同，藥液裝置30A與基板50的上表面可形成一封閉空間以提供注入藥液與基板50的上表面接觸而產生化學反應，并由熱板裝置20A對基板50加熱以使基板50與藥液加速進行化學反應，在此不予贅述。
[0073]此外，相鄰的基板轉移裝置10A的入口端之間設有相互連接的一第一傳送裝置15A，使多個入口端形成串聯，以使基板50可從等基板轉移裝置10A之間輸送。相鄰的基板轉移裝置的出口端之間設有相互連接的一第二傳送裝置16A，使多個出口端形成串聯。本實施例中，串聯的多個入口端11A的其中一端設有一第一清洗裝置13A，用來清洗及干燥未與藥液接觸的基板50后，基板50在被送進與第一清洗裝置13A相鄰的入口端11A。串聯的多個出口端12A的其中一端設有一第二清洗裝置14A，完成化學反應的基板50由出口端14A被送出輸送路徑，可由第二清洗裝置14A對基板50進行清洗及干燥處理。可依所需決定是否設置第一清洗裝置13A及第二清洗裝置14A。
[0074]參閱圖5，本發明的基板轉移暨處理方法的流程示意圖，并請配合圖1至圖3所示:
[0075]步驟S10:由基板轉移裝置10將基板50于輸送路徑L上移動。
[0076]步驟S20:由設置于輸送路徑上的熱板裝置承載基板；較佳地，基板50在轉移于熱板裝置20的前已經過第一清洗裝置13的洗凈及干燥的處理。
[0077]步驟S30:驅動設置于輸送路徑L上的藥液裝置30至熱板裝置20所承載的基板50處，藥液裝置30與基板30的上表面形成一封閉空間33，封閉空間33可提供藥液60與基板50的上表面接觸以產生一化學反應，用來在基板50的上表面形成一薄膜70。
[0078]步驟S40:由熱板裝置20對基板50加熱以使基板50與藥液60加速進行化學反應。由熱板裝置20加熱至一預定溫度，以加速基板50與藥液60之間的化學反應。
[0079]步驟S50:往復傾斜40擺動熱板裝置20、藥液裝置30及基板50于一角度范圍內，用來使基板50上表面與藥液60均勻化學反應。薄膜70形成后，由往復傾斜40傾斜熱板裝置20以使藥液60的自第二開口 312流出，如圖3所示。接著將熱板裝置2回復成水平狀態，使蓋體31離開基板50的上方，即可將位于熱板裝置20上的基板50轉移出去。
[0080]綜上所述，通過本發明的基板轉移暨處理系統，可連續性投入多片基板，如果利用多個基板轉移裝置，可維持更長期間的連續性投片效果，如此可縮短前后基板投片之間隔時間。
[0081]并且基板轉移裝置可將多個基板分別轉移至不同的熱板裝置上進行薄膜沉積處理，如此可同時對等基板進行薄膜沉積處理，基板轉移裝置再將已沉積有薄膜的基板轉移給輸出端，由此可知，本發明提供一種連續不間斷的基板轉移及處理基板系統及方法，且還可調配閑置的熱板裝置進行實驗、保養或機臺改造等用途使用，不僅提升機臺利用率，更可具體提升產能及生產合格率。
[0082]以上說明對本發明而言只是說明性的，而非限制性的，本領域普通技術人員理解，在不脫離權利要求所限定的精神和范圍的情況下，可作出許多修改、變化或等效，但都將落入本發明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種基板轉移暨處理系統，用來轉移與處理一基板，其特征在于，該基板轉移暨處理系統包含: 一基板轉移裝置，用來將該基板于一輸送路徑上移動； 至少一熱板裝置，設置于該輸送路徑上，用來承載并加熱該基板； 一藥液裝置，設置于該輸送路徑上，該藥液裝置被驅動移動至該熱板裝置所承載的該基板處，該藥液裝置與該基板的上表面形成一封閉空間，在該封閉空間提供一藥液與該基板的該上表面接觸以產生一化學反應；以及 一傾斜裝置，用來傾斜該熱板裝置、該藥液裝置及該基板至一角度； 其中，該熱板裝置對該基板加熱以使該基板與該藥液加速進行該化學反應。
2.根據權利要求1所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于，該基板轉移裝置包括: 一入口端，提供未與該藥液接觸的該基板進入該輸送路徑；以及 一出口端，提供完成該化學反應的該基板由該輸送路徑輸出。
3.根據權利要求2所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于:該入口端設有一第一清洗裝置，用來清洗該未與該藥液接觸的該基板。
4.根據權利要求2所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于:該出口端設有一第二清洗裝置，用來清洗由該出口端被送出的該基板。
5.根據權利要求1所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于，該傾斜裝置包含: 一平臺，用來承載該熱板裝置； 一固定轉軸，設置于該平臺底部其中一側； 一升降裝置，設置于該平臺底部相對于設有該固定轉軸的一側，該升降裝置以該固定轉軸為支點進行升降往復運動時，用來傾斜該熱板裝置、該藥液裝置及該基板至一角度。
6.根據權利要求5所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于:該藥液裝置被驅動傾斜至一角度時，能夠將該藥液排出該藥液裝置。
7.根據權利要求5所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于:該升降裝置為氣壓裝置或油壓裝置。
8.根據權利要求1所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于，該藥液裝置包括: 一蓋體；以及 一蓋體固定裝置，用來將該蓋體移送至該熱板裝置所承載的該基板處，以使該蓋體與該基板的上表面形成一封閉空間。
9.根據權利要求8所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于:該蓋體固定裝置設有一藥液供給裝置，用來將藥液注入該封閉空間內。
10.根據權利要求8所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于:還包括一沖洗裝置，用來沖洗該基板及該蓋體。
11.根據權利要求10所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于:該蓋體具有一第一開口，用來提供該藥液注入該封閉空間內，或提供該藥液排出于該封閉空間之外，或提供該沖洗裝置沖洗該基板或該蓋體。
12.根據權利要求11所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于:該蓋體具有一第二開口，該第一開口與該第二開口分別作為供該藥液注入于該封閉空間內及供該藥液排出于該封閉空間外，該第一開口與該第二開口的其中一個可供該沖洗裝置沖洗該基板或該蓋體。
13.根據權利要求12所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于:該蓋體具有一第三開口，用來提供該沖洗裝置沖洗該基板或該蓋體，該第一開口與該第二開口分別作為供該藥液注入于該封閉空間內及提供該藥液排出于該封閉空間外。
14.根據權利要求13所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于:該第一開口設置于該蓋體的中心處，以使該藥液注入該封閉空間內，而該第二開口與該第三開口分別設置于該蓋體的相對二側。
15.根據權利要求1所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于:該基板為非晶硅基板、單晶硅基板、多晶硅基板、微晶硅基板或砷化鎵基板的至少其中之一。
16.根據權利要求1所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于:該基板轉移裝置為真空吸附式機械手臂。
17.一種基板轉移暨處理系統，用來轉移與處理多個基板，其特征在于，該基板轉移暨處理系統包含: 多個基板轉移裝置，每一該基板轉移裝置具有一輸送路徑，每一該基板轉移裝置用來將至少一該基板于所具有的該輸送路徑上移動，每一該基板轉移裝置包括一入口端以及一出口端，該入口端提供該基板進入該輸送路徑； 多個熱板裝置，在每一該輸送路徑上設有至少一該熱板裝置，用來承載并加熱該基板； 多個藥液裝置，在每一該輸送路徑上設有一該藥液裝置，該藥液裝置被驅動移動至其所設置的該輸送路徑上的該熱板裝置所承載的該基板處，該藥液裝置與該基板的上表面形成一封閉空間，在該封閉空間提供一藥液與該基板的該上表面接觸以產生一化學反應；以及 多個傾斜裝置，在每一該輸送路徑上設有一該傾斜裝置，用來傾斜其所設置的該輸送路徑上的該熱板裝置、該藥液裝置及該基板至一角度； 其中，該熱板裝置對該基板加熱以使該基板與該藥液加速進行該化學反應，完成該化學反應的該基板由該出口端被送出該輸送路徑；相鄰的該基板轉移裝置的該入口端之間設有相互連接的一第一傳送裝置，使該多個入口端形成串聯，以及，相鄰的該基板轉移裝置的該出口端之間設有相互連接的一第二傳送裝置，使該多個出口端形成串聯。
18.根據權利要求17所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于:該串聯的該多個入口端的其中一端設有一第一清洗裝置，用來清洗該未與該藥液接觸的該基板。
19.根據權利要求17所述的基板轉移暨處理系統，其特征在于:該串聯的該多個出口端的其中一端設有一第二清洗裝置，用來清洗由該出口端被送出的該基板。
20.一種基板轉移暨處理方法，其特征在于，其步驟包含: 由一基板轉移裝置將一基板于一輸送路徑上移動； 由至少一設置于該輸送路徑上的熱板裝置承載該基板；以及 驅動一設置于該輸送路徑上的藥液裝置至該熱板裝置所承載的該基板處，該藥液裝置與該基板的上表面形成一封閉空間，該封閉空間提供一藥液與該基板的該上表面接觸以產生一化學反應； 由熱板裝置對該基板加熱以使該基板與該藥液加速進行該化學反應；以及 往復傾斜擺動該熱板裝置、該藥液裝置及該基板于一角度范圍內，用來使基板上表面與藥液均勻化學反應。
【文檔編號】H01L31/18GK104425329SQ201310626314
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年11月29日 優先權日:2013年8月30日
【發明者】陳傳宜, 游柏清, 藍受龍, 陳立凱 申請人:亞智科技股份有限公司