半導體裝置制造方法
【專利摘要】一種半導體裝置，包括：半導體芯片，在其一個表面上形成有斷開熔絲；以及防遷移模塊，防止發生其中熔絲的金屬離子遷移到熔絲的斷開區域的現象；每個防遷移模塊包括：接地電極，形成在半導體芯片中以面對熔絲，接地電極和熔絲之間插設有第一絕緣構件；浮置電極，形成在熔絲之上，以面對接地電極，浮置電極和熔絲之間插設有第二絕緣構件，浮置電極和接地電極之間插設有熔絲；以及電源電極，形成在浮置電極之上，電源電極和浮置電極之間插設有第三絕緣構件。
【專利說明】半導體裝置
【技術領域】
[0001]本發明大體上涉及半導體裝置，更具體涉及具有熔絲的半導體裝置。
【背景技術】
[0002]半導體裝置經歷諸如THB (溫度濕度偏壓)和HAST (高加速度應力試驗)的過程以測量半導體裝置的可靠性。在這樣的過程中，失敗可能發生在半導體裝置的熔絲從斷開狀態改變成非斷開狀態時，并且因此導致半導體裝置的可靠性下降的問題。
[0003]具體而言，TBH和HAST是在高溫和高濕度條件下測試可靠性的過程。由于斷開熔絲暴露在TBH和HAST的高溫和高濕度條件下，構成切斷熔絲的陽極電極的金屬可能被電離，并且電離的金屬可朝著熔絲的陰極電極遷移。由于離子遷移，熔絲的陽極電極電連接到熔絲的陰極電極，斷開熔絲可能短路。就是說，由于失敗發生在斷開熔絲改變成非斷開狀態時，半導體裝置的可靠性可能下降。
【發明內容】
[0004]各種實施例針對能改善可靠性的半導體裝置。
[0005]在一個實施例中，半導體裝置包括:半導體芯片，在其一個表面上形成有斷開熔絲；以及防遷移模塊，防止發生其中熔絲的金屬離子遷移到熔絲的斷開區域的現象；每個防遷移模塊包括:接地電極，形成在半導體芯片中以面對熔絲，接地電極和熔絲之間插設有第一絕緣構件；浮置電極，形成在熔絲之上，以面對接地電極，浮置電極和熔絲之間插設有第二絕緣構件，浮置電極和接地電極之間插設有熔絲；以及電源電極，形成在浮置電極之上，電源電極和浮置電極之間插設有第三絕緣構件。
[0006]半導體芯片可包括形成有半導體器件的基板和形成在基板之上且具有半導體芯片的一個表面作為其上表面的電路圖案層，并且電路圖案層可包括:接合焊墊，形成在半導體芯片的一個表面之上；配線層，電連接半導體器件與接合焊墊，并且電連接半導體器件與熔絲；以及絕緣層，使半導體器件與配線層絕緣和隔離、使配線層彼此絕緣和隔離、使配線層與接合焊墊絕緣和隔離、以及使配線層與熔絲絕緣和隔離。
[0007]接地電極可形成在電路圖案層中，并且第一絕緣構件可由電路圖案層的絕緣層構成。
[0008]第三絕緣構件由印刷電路板的核心構成，印刷電路板的核心具有面對半導體芯片的一個表面的第一表面和背對該第一表面的第二表面且由絕緣物質形成，并且印刷電路板具有分別與半導體芯片的接合焊墊電連接的連接焊墊，浮置電極和電源電極可形成在印刷電路板之上。
[0009]連接焊墊可形成在核心的第一表面之上。同時，核心可進一步具有通過第一表面和第二表面且暴露半導體芯片的接合焊墊的開口，并且連接焊墊可形成在核心的第二表面之上，鄰近開口邊緣。
[0010]浮置電極可形成在核心的第一表面之上，并且電源電極可形成在核心的第二表面之上。印刷電路板還可包括形成在核心的第二表面之上的外部電極；以及形成在核心的第二表面之上且電連接外部電極當中用于電源電壓的外部電極與電源電極的連接線。
[0011]電源電極可形成在核心中。印刷電路板還可包括形成在核心的第二表面之上的外部電極；以及形成在核心中且電連接外部電極當中用于電源電壓的外部電極與電源電極的連接線。
[0012]半導體裝置還可包括導電連接構件，其電連接半導體芯片的接合焊墊與印刷電路板的連接焊墊。導電連接構件的每一個可包括凸塊、焊料和配線中的任何一個。
[0013]第二絕緣構件可由底填構件構成，其中底填構件形成在半導體芯片和印刷電路板之間。同時，第二絕緣構件可由粘合劑構件構成，其中粘合劑構件形成在半導體芯片和印刷電路板之間以將半導體芯片和印刷電路板粘合至彼此。此外，半導體裝置還可包括形成在核心的包括半導體芯片的第一表面之上的模制部件，以成型半導體芯片。
[0014]第二絕緣構件可由模制部件構成，其中模制部件填充在半導體芯片和印刷電路板之間，并且形成在核心的包括半導體芯片的第一表面之上，以成型半導體芯片。
[0015]第二絕緣構件由第一絕緣層構成，并且第三絕緣構件由第二絕緣層構成，其中第一絕緣層形成為絕緣和隔離熔絲與浮置電極，覆蓋半導體芯片的包括熔絲的第一表面，并且暴露接合焊墊的部分，第二絕緣層形成在包括浮置電極的第一絕緣層之上以絕緣和隔離浮置電極與電源電極。
[0016]半導體裝置還可包括第一重新分配線，其形成在第一絕緣層之上且與接合焊墊的通過第一絕緣層暴露的部分電連接，其中第二絕緣層形成在包括浮置電極和第一重新分配線的第一絕緣層之上，并且暴露各第一重新分配線的部分。
[0017]半導體裝置還可包括第二重新分配線，其形成在第二絕緣層之上且與第一重新分配線的通過第二絕緣層暴露的部分電連接；以及連接線，其電連接第二重新分配線當中用于電源電壓的第二重新分配線與電源電極。此外，半導體裝置還可包括保護層和外部連接端子，保護層形成在包括第二重新分配線和連接線的第二絕緣層之上以暴露各第二重新分配線的部分，外部連接端子安裝到第二重新分配線的通過保護層暴露的部分。
[0018]在一個實施例中，半導體裝置包括:斷開熔絲，其中斷開熔絲包括陽極電極、陰極電極和在陽極電極和陰極電極之間的斷開部分；以及場施加單元，其構造為產生對于斷開部分的電場。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0019]圖1是示出根據本發明實施例的半導體裝置的截面圖。
[0020]圖2是圖1的熔絲的放大圖。
[0021]圖3是示出圖1所示的防遷移模塊的功能的示意圖。
[0022]圖4是示出根據本發明實施例的半導體裝置的截面圖。
[0023]圖5是示出根據本發明實施例的半導體裝置的截面圖。
[0024]圖6是示出根據本發明實施例的半導體裝置的截面圖。
[0025]圖7是示出根據本發明實施例的半導體裝置的截面圖。
[0026]圖8是示出具有根據本發明實施例的半導體裝置的電子設備的透視圖。
[0027]圖9是示出具有根據本發明實施例的半導體裝置的電子系統示例的方塊圖。【具體實施方式】
[0028]在下文，將參考附圖詳細描述各種實施例。
[0029]這里應理解，附圖不必按比例，并且在某些情況下可被夸大，以便更加清晰地描繪本發明的某些特征。此外，相同附圖標記或相同的符號可在全部說明書中表示相同的元件。
[0030]參見圖1，半導體裝置2000可包括半導體芯片100、印刷電路板200和防遷移模塊300。半導體裝置還可包括導電連接構件400、底填構件500、模制部件600和外部連接端子700。
[0031]半導體芯片100可具有其上形成熔絲F的一個表面101和背對一個表面101的另一個表面102。半導體芯片100可包括具有另一個表面102的基板110和具有一個表面101的電路圖案層120。
[0032]基板110具有有源表面111和背對有源表面111的非有源表面112。非有源表面112可對應于半導體芯片100的另一個表面102。半導體器件113形成在基板110的有源表面111上。半導體器件113的每一個可包括成像傳感器、存儲器半導體、系統半導體、無源裝置、有源裝置或傳感器半導體。
[0033]電路圖案層120可形成在基板110的有源表面111上。半導體芯片100的一個表面101可對應于電路圖案層120的上表面。就是說,背對電路圖案層120的下表面的電路圖案層120的上表面可構成半導體芯片100的一個表面101。電路圖案層120可包括接合焊墊121、多個互連層122和絕緣層123。
[0034]接合焊墊121形成在半導體芯片100的一個表面101上。在從頂部看時，接合焊墊121沿著半導體芯片100的一個表面101的邊緣形成。換言之，根據一實施例的半導體芯片100可具有邊緣焊墊型結構。此外，在從頂部上看時，接合焊墊121可沿著半導體芯片100的一個表面101的中心部分形成。換言之，半導體芯片100可具有中心焊墊型結構。
[0035]半導體器件113和接合焊墊121可由多個互連層122電連接。半導體器件113和熔絲F可由多個互連層122電連接。絕緣層123可使半導體器件113與互連層122絕緣和隔離、使互連層122彼此絕緣和隔離、使互連層122與接合焊墊121絕緣和隔離、以及使互連層122與熔絲F絕緣和隔離。
[0036]盡管圖1中示出了兩個熔絲F，但是應注意多個熔絲F可形成在半導體芯片100的一個表面101上，并且可以以形成陣列的方式布置在半導體芯片100的一個表面101的預定部分上。
[0037]參見圖2，熔絲F的每一個可包括陽極電極A、陰極電極C以及連接其間的熔絲連結物L。熔絲連結物L可在制造后半導體芯片100封裝前根據情況要求選擇性斷開。圖2的參考符號CZ表示熔絲F的斷開區域。盡管沒有示出，但是在未斷開熔絲的情況下，陽極電極A和陰極電極C可由熔絲連結物L電連接。
[0038]重新參見圖1，印刷電路板200可包括核心210、連接焊墊220、外部電極230和230'、電路配線(未示出)和連接線240。
[0039]核心210可具有面對半導體芯片100的一個表面101的第一表面211和背對第一表面211的第二表面212，并且由絕緣物質構成。例如，核心210可由注入環氧樹脂的玻璃纖維構成。連接焊墊220形成在核心210的第一表面211上，并且外部電極230和23(V形成在核心210的第二表面212上。來自諸如母板的外部結構體(未示出)的電源電壓被提供到外部電極230'。電路配線通過核心210電連接連接焊墊220和外部電極230和230'。盡管沒有示出，但是電路配線可包括多個配線層和過孔(過孔接觸)，過孔電連接形成為不同層的配線層。諸如焊料球的外部連接端子700可安裝到各外部電極230和230'。
[0040]半導體芯片100的接合焊墊121和印刷電路板200的連接焊墊220可由導電連接構件400連接。導電連接構件400可包括凸塊或焊料球。
[0041]底填構件500可構造為填充半導體芯片100和印刷電路板200之間的間隔。半導體芯片100和印刷電路板200之間的結合強度可由底填構件500改善。此外，半導體芯片100的一個表面101可通過底填構件500與印刷電路板200絕緣。底填構件500可包括熱固性樹脂，其通過在環氧樹脂材料中加入硅而制備。同時，為了對狹窄間隔填隙，可采用熱固性樹脂而不加入硅形成底填構件500。
[0042]模制部件600形成在印刷電路板200的包括半導體芯片100的上表面之上。模制部件600可包括環氧樹脂模塑料(EMC)。
[0043]防遷移模塊300的每一個可構造為包括接地電極310、浮置電極320和電源電極330。防遷移模塊300可提供為防止熔絲F的金屬離子遷移到熔絲F的斷開區域CZ且斷開熔絲F變為未斷開狀態的失敗發生。此時，熔絲F可為斷開熔絲。
[0044]接地電極310可形成在半導體芯片100的電路圖案層120中以實質上面對熔絲F。絕緣層123可插設在接地電極310和熔絲F之間。盡管沒有示出，但是接地電極310可與提供接地電壓的接合焊墊(未示出)電連接。例如，接地電極310和接合焊墊可由互連層122連接。因此，從接合焊墊提供的接地電壓通過連接層122施加到接地電極310。浮置電極320可形成在印刷電路板200的上表面上，也就是核心210的第一表面211。因為底填構件500插設在浮置電極320和熔絲F之間，所以浮置電極320可與熔絲F絕緣和隔離。此夕卜，浮置電極320可布置為實質上面對接地電極310，浮置電極和接地電極之間插設有熔絲F0
[0045]電源電極330可形成在印刷電路板200的下表面上，也就是核心210的第二表面212。電源電極330可通過插設在電源電極330與浮置電極320之間的核心210而與浮置電極320絕緣和隔離。
[0046]連接線240可形成在核心210的第二表面212上。連接線240可電連接提供電源電壓的外部電極230'與電源電極330。因此，從外部電極230'提供的電源電壓通過連接線240施加到電源電極330。
[0047]參見圖3，浮置電極320和電源電極330之間可產生耦合效應。因此，浮置電極320可具有(+)水平的電勢。從而，(+)水平的浮置電極320和接地水平的接地電極310之間誘導電勢差，從浮置電極320朝著接地電極310產生E-場(電場)。該E-場可作用在與從熔絲F的陽極電極A延伸到陰極電極C的方向垂直的方向上。在E-場的影響下，防止斷開熔絲F的陽極電極A的金屬離子朝著斷開熔絲F的陰極電極C遷移。S卩，防止斷開熔絲F的金屬離子的遷移。因此，因為能夠防止由于斷開熔絲F的金屬離子遷移引起的斷開熔絲F變成非斷開狀態現象的發生，所以可改善半導體裝置的可靠性。
[0048]參見圖4，半導體裝置2100可具有電源電極330a和連接線240a的位置在上面參考圖1描述的半導體裝置中改變的構造。從而，半導體裝置2100可具有與圖1的半導體裝置2000實質上相同的構造，除了電源電極330a和連接線240a外。因此，這里將省略相同部件的重復描述，并且相同的術語和相同的附圖標記用于表示相同的部件。
[0049]參見圖4，電源電極330a可形成在核心210內。連接線240a可形成在核心210內，并且可電連接電源電極330a與提供電源電壓的外部電極230'。
[0050]因為每個電源電極330a和每個浮置電極320之間的間隔可減小到核心210的厚度下，所以可改善浮置電極320和電源電極330a之間的耦合比率。因為浮置電極320的電勢可與浮置電極320和電源電極330a之間的耦合比率成比例，所以可采用電源電壓的低電位實現浮置電極320的所希望水平的電勢。就是說，根據本實施例，因為可降低防止斷開熔絲的金屬離子遷移所需的電源電壓水平，所以可降低功耗。
[0051]參見圖5，半導體裝置2200具有這樣的構造，可省略底填構件500，并且模制部件600a可填充在半導體芯片100和印刷電路板200之間。從而，半導體裝置2200可具有與圖1的半導體裝置2000實質上相同的構造，除了底填構件500和模制部件600a外。因此，這里省略相同部件的重復描述，并且相同的術語和相同的附圖標記用于表示相同的部件。
[0052]模制部件600a可構造為填充半導體芯片100和印刷電路板200之間的間隔。此夕卜，模制部件600a可形成在印刷電路板200的包括半導體芯片100的上表面上以成型半導體芯片100，如上所述。模制部件600a可包括環氧樹脂模塑料(EMC)。
[0053]參見圖6，半導體裝置2300可包括半導體芯片100和防遷移模塊300。此外，半導體裝置2300可包括第一絕緣層810、第二絕緣層820、第一重新分配線860、第二重新分配線830和830'、連接線840、保護層850和外部連接端子700。
[0054]半導體芯片100可具有與根據上面參考圖1和2描述的實施例的半導體芯片100實質上相同的結構。因此，這里省略半導體芯片100的重復描述，并且相同的術語和相同的附圖標記用于表示相同的部件。
[0055]第一絕緣層810可形成在半導體芯片100的一個表面101上以覆蓋熔絲F且暴露接合焊墊121。
[0056]第一重新分配線860可形成在第一絕緣層810上以分別與通過第一絕緣層810暴露的接合焊墊121電連接。
[0057]防遷移模塊300的每一個可包括接地電極310、浮置電極320和電源電極330。防遷移模塊300可提供為防止熔絲F的金屬離子遷移到熔絲F的斷開區域CZ且斷開熔絲F改變成非斷開狀態的失敗發生。
[0058]接地電極310可形成在半導體芯片100的電路圖案層120中以實質上面對熔絲F，在接地電極和熔絲之間插設有絕緣層123。例如，熔絲F可為斷開熔絲。盡管沒有示出，但是接地電極310可通過互連層122與提供接地電壓的接合焊墊(未示出)電連接，并且因此接地電壓施加到接地電極310。
[0059]浮置電極320可形成在第一絕緣層810上，通過第一絕緣層810與熔絲F絕緣和隔離，并且實質上面對接地電極310，浮置電極和接地電極之間插設有熔絲F。
[0060]第二絕緣層820形成在包括第一重新分配線860和浮置電極320的第一絕緣層810上，以暴露各第一重新分配線860的部分。
[0061]電源電極330可形成在第二絕緣層820上，實質上面對浮置電極320，并且通過第二絕緣層820與浮置電極320絕緣和隔離，該第二絕緣層插設在電源電極和浮置電極之間。[0062]第二重新分配線830和830'形成在第二絕緣層820上，并且分別與第一重新分配線860的通過第二絕緣層820暴露的部分電連接。連接線840可形成在第二絕緣層820上,并且電連接第二重新分配線830'與電源電極330。
[0063]保護層850可形成在包括電源電極330、第二重新分配線830和830'和連接線840的第二絕緣層820上，以暴露第二重新分配線830和830'的部分。第二重新分配線830和830'的通過保護層850暴露的部分構成用于外部連接的電極830A和830' A。外部連接端子700安裝到用于外部連接的電極830A和830' A。來自諸如母板的外部結構體(未示出)的電源電壓通過外部連接端子700提供到第二重新分配線830'。因此，來自外部結構體的電源電壓通過外部連接端子700和第二重新分配線830'施加到電源電極330。
[0064]參見圖7，半導體裝置2400可包括半導體芯片100a、印刷電路板200和防遷移模塊300。此外，半導體裝置可包括導電連接構件400、第一和第二模制部件610和620、外部連接端子700和粘合劑構件800。
[0065]半導體芯片IOOa可具有中心焊墊型結構，與半導體裝置2000、2100、2200和2300的半導體芯片100不同。換言之，半導體芯片IOOa的接合焊墊121可沿著半導體芯片IOOa的一個表面101的中心部分形成。從而，半導體芯片IOOa可具有與根據上面參考圖1描述的實施例的半導體芯片100實質上相同的構造，除了接合焊墊121外。因此，這里省略相同部件的重復描述，并且相同的術語和相同的附圖標記用于表示相同的部件。
[0066]印刷電路板200可包括核心210、連接焊墊220、外部電極230和230'和連接線240。
[0067]核心210可具有面對半導體芯片IOOa的一個表面101的第一表面211、背對第一表面211的第二表面212、以及通過第一表面211和第二表面212且暴露半導體芯片IOOa的接合焊墊121的開口 213。核心210可由絕緣物質(例如，注入環氧樹脂的玻璃纖維)形成。
[0068]連接焊墊220可形成在核心210的第二表面212上，鄰近開口 213的邊緣。外部電極230和23(V可形成在核心210的第二表面212上，遠離連接焊墊220。諸如焊料球的外部連接端子700可安裝到各外部電極230和230'。來自諸如母板的外部結構體(未示出)的電源電壓通過外部連接端子700提供到外部電極230'。
[0069]導電連接構件400可通過開口 213電連接半導體芯片IOOa的接合焊墊121和印刷電路板200的連接焊墊220。例如，導電連接構件400形成為配線。
[0070]粘合劑構件800可形成在半導體芯片IOOa和印刷電路板200之間，并且將半導體芯片IOOa和印刷電路板200彼此粘合。
[0071]第一模制部件610可形成在印刷電路板200的包括半導體芯片IOOa的上表面上，也就是核心210的第一表面211上，并且成型半導體芯片100a。第二模制部件620可形成在核心210的第二表面212的包括開口 213的中心部分之中和之上，并且成型包括導電連接構件400的開口 213。例如，第一和第二模制部件610和620的每一個可包括環氧樹脂模塑料(HMC)。
[0072]防遷移模塊300的每一個可包括接地電極310、浮置電極320和電源電極330。防遷移模塊300可提供為防止熔絲F的金屬離子遷移到熔絲F的斷開區域CZ且斷開熔絲F改變成未斷開狀態的失敗發生。接地電極310可形成在半導體芯片IOOa的電路圖案層120中以實質上面對熔絲F，接地電極和熔絲之間插設有絕緣層123。盡管沒有示出，但是接地電極310可通過互連層122與提供接地電壓的接合焊墊(未示出)電連接，并且因此接地電壓可施加到接地電極310。
[0073]浮置電極320可形成在印刷電路板200的上表面上，也就是在核心210的第一表面211上，以與熔絲F絕緣和隔離，浮置電極和熔絲之間插設有粘合劑構件800。浮置電極可布置為面對接地電極310，浮置電極和接地電極之間插設有熔絲F。
[0074]電源電極330可形成在印刷電路板200的下表面上，也就是核心210的第二表面212上，并且與浮置電極320絕緣和隔離，電源電極和浮置電極之間插設有核心210。
[0075]連接線240可電連接提供電源電壓的外部電極230'與電源電極330。因此，來自外部電極230'的電源電壓可施加到電源電極330。
[0076]上面描述的半導體裝置2000、2100、2200、2300和2400可應用于各種電子設備。
[0077]參見圖8，半導體裝置2000、2100、2200、2300和2400可應用于諸如便攜式電話的電子設備1000。因為半導體裝置2000、2100、2200、2300和2400可防止失敗發生，所以提供改善電子設備1000可靠性上的優點。電子設備1000不限于圖8所示的便攜式電話，而是可包括各種電子設備，例如，移動電子設備、膝上計算機、筆記本計算機、便攜式多媒體播放器(PMP)、MP3播放器、攝像機、網絡寫字板、無線電話、導航儀、個人數字助理(PDA)等等。
[0078]參見圖9，電子系統1300可包括控制器1310、輸入/輸出單元1320和存儲器1330。控制器1310、輸入/輸出單元1320和存儲器1330可通過總線1350而彼此連接。總線1350用作通過其傳輸數據的通道。例如，控制器1310可包括至少一個微處理器、至少一個數字信號處理器、至少一個微控制器和能執行與這些部件相同的功能的邏輯裝置中的至少任何一個。控制器1310和存儲器1330可包括半導體裝置2000、2100、2200、2300和2400。輸入/輸出單元1320可包括在鍵區、鍵盤、顯示裝置等之間選擇的至少一個。存儲器1330是存儲數據的裝置。存儲器1330可存儲將由控制器1310等執行的數據和/或指令。存儲器1330可包括易失性存儲裝置和/或非易失性存儲裝置。另外，存儲器1330可由閃存構成。例如，可應用本發明的技術的閃存可安裝到信息處理系統，例如，移動終端或臺式計算機。閃存可由固態驅動器(SSD)構成。在此情況下，電子系統1300可穩定地存儲大量的數據在閃存系統中。電子系統1300還可包括接口 1340，其構造為傳輸數據到通訊網絡且從通訊網絡接收數據。接口 1340可為有線或無線類型。例如，接口 1340可包括天線或者有線或無線收發器。此外，盡管沒有示出，但是本領域的技術人員易于理解電子系統1300可另外提供有應用芯片集、相機成像處理器(CIS)、輸入/輸出單元等。
[0079]盡管為了說明的目的已經描述了各種實施例，但是本領域的技術人員應理解，在不脫離如所附權利要求公開的本發明的范圍和精神的情況下，可進行各種修改、附加和替代。
[0080]本申請要求2012年12月3日提交韓國知識產權局的韓國專利申請第10-2012-0138754號在U.S.Cl 19 (a)下的優先權，其全文通過引用結合于此。
【權利要求】
1.一種半導體裝置，包括: 半導體芯片，形成有斷開熔絲；以及 防遷移模塊，分別形成為實質上面對該斷開熔絲；其中，每個防遷移模塊包括: 接地電極，形成在該半導體芯片中以實質上面對該熔絲，該接地電極和該熔絲之間插設有第一絕緣構件； 浮置電極，形成在該熔絲之上以實質上面對該接地電極，該浮置電極和該熔絲之間插設有第二絕緣構件，該浮置電極和該接地電極之間插設有該熔絲；以及 電源電極，形成在該浮置電極之上，該電源電極和該浮置電極之間插設有第三絕緣構件。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置， 其中，該半導體芯片包括基板和電路圖案層，該基板形成有半導體器件，該電路圖案層形成在該基板之上且使該半導體芯片的一個表面作為其上表面，并且其中，該電路圖案層包括: 接合焊墊，形成在該半導體芯片的該一個表面之上； 互連層，電連接該半導體器件與該接合焊墊，并且電連接該半導體器件與該熔絲；以及絕緣層，使該半導體器件與該互連層絕緣和隔離、使該互連層彼此絕緣和隔離、使該互連層與該接合焊墊絕緣和隔離、以及使該配線層與該熔絲絕緣和隔離。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，該接地電極形成在該電路圖案層中，并且該第一絕緣構件由該電路圖·案層的該絕緣層構成。
4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，該第三絕緣構件由印刷電路板的核心構成,該核心具有面對該半導體芯片的該一個表面的第一表面和背對該第一表面的第二表面且由絕緣物質形成，并且該印刷電路板具有連接焊墊，該連接焊墊分別與該半導體芯片的該接合焊墊電連接，其中，該浮置電極和該電源電極形成在該印刷電路板之上。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，該連接焊墊形成在該核心的該第一表面之上。
6.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，該核心形成為具有開口，該開口通過該第一表面和該第二表面且暴露該半導體芯片的該接合焊墊，并且該連接焊墊形成在該核心的該第二表面之上，鄰近該開口的邊緣。
7.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，該浮置電極形成在該核心的該第一表面之上。
8.一種半導體裝置，包括: 斷開熔絲，其中，該斷開熔絲包括陽極電極、陰極電極和在該陽極電極和該陰極電極之間的斷開部分；以及 場施加單元，構造為產生對于該斷開部分的電場。
9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，該電場的方向垂直于該陽極電極和該陰極電極之間的延伸方向。
10.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，該場施加單元包括: 接地電極，形成在該斷開熔絲之上以實質上面對該斷開熔絲； 浮置電極，形成在該斷開熔絲之下以實質上面對該斷開熔絲；電源電極，構造為 選擇性地連接到該浮置電極。
【文檔編號】H01L23/525GK103855128SQ201310625016
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年11月28日 優先權日:2012年12月3日
【發明者】金載敏, 樸明根 申請人:愛思開海力士有限公司