包括同時拋光襯底晶片的正面和反面的拋光半導體晶片的方法

包括同時拋光襯底晶片的正面和反面的拋光半導體晶片的方法
【專利摘要】用于拋光半導體晶片的方法，其包括在拋光介質的存在下同時拋光襯底晶片的正面和反面，并實現從襯底晶片的正面和反面去除材料，所述方法分為第一和第二步驟，第一步驟中的材料去除速度高于第二步驟，其中將第一拋光漿液用作第一步驟中的拋光介質，并將第二拋光漿液用作第二步驟中的拋光介質，并且第二拋光漿液與第一拋光漿液的區別至少在于第二拋光漿液包含聚合物添加劑。
【專利說明】3具有經拋光的正面和反面的狀態，其意圖程度地平行。“塌邊(6(186 1*011-0打廣是磨圓和拋光邊緣的前方區域中顯著降低時兒具體是23？職和200。在通過03？的拋光職和200值表示。
「的03？分為兩步驟，在第一步驟中使用產驟中切換為產生相對低的材料去除的拋光而不影響半導體晶片的平坦度和表面粗糙
方法可以在完成03？時仍可實現較低的塌
去實現該目的，所述方法包括在拋光介質的I襯底晶片的正面和反面去除材料，所述方隹速度高于第二步驟，其中將第一拋光漿液I用作第二步驟中的拋光介質，并且第二拋6漿液包含聚合物添加劑。斗活性成分，優選膠體分散的二氧化硅。磨
0且不大于13的？！！，并且包含至少一種以七鉀、氫氧化銨和四甲基氫氧化銨。堿性化
晶硅組成的半導體晶片。在襯底晶片根據的半導體晶片的邊緣幾何形狀優選不大于，其中測量最高的塌邊。
更優選為300111111或450111111的直徑。
匕施至少一個另外的拋光操作，優選實施正&件的襯底的側面。
1拋光半導體晶片8對于半導體晶片的直徑1的拋光半導體晶片V對半導體晶片的直徑光的半導體晶片V的拋光半導體晶片邊緣的幾何形狀的典型值。
[0032]表:
[0033]
【權利要求】
1.一種用于拋光半導體晶片的方法，其包括在拋光介質的存在下同時拋光襯底晶片的正面和反面，以實現從所述襯底晶片的正面和反面去除材料，所述方法分為第一和第二步驟，第一步驟中的材料去除速度高于第二步驟中的材料去除速度，其中第一拋光漿液被用作第一步驟中的拋光介質，第二拋光漿液被用作第二步驟中的拋光介質，并且第二拋光漿液與第一拋光漿液的區別至少在于第二拋光漿液包含聚合物添加劑。
2.權利要求1的方法，其中材料去除速度在第一步驟中為不小于0.4ym/min且不大于1.0 μ m/min,并且在第二步驟中為不小于0.15 μ m/min且不大于0.5 μ m/min。
3.權利要求1或2的方法，其中每單位側面面積的材料去除在第一步驟中為不小于4 μ m且不大于15 μ m,并且在第二步驟中為不小于0.5 μ m且不大于2.0 μ m。
4.權利要求1-3中任一項所述的方法，其中以ESFQI^x表示的拋光半導體晶片的塌邊不大于40nm。
【文檔編號】H01L21/304GK103839798SQ201310585234
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2013年11月19日 優先權日:2012年11月20日
【發明者】A·海爾邁爾, L·米斯圖爾, K·勒特格, 田畑誠 申請人:硅電子股份公司