制造薄膜晶體管陣列板的方法
【專利摘要】一種制造薄膜晶體管陣列板的方法，其包括：在基底上形成半導體；在半導體上形成柵極絕緣層；以及在柵極絕緣層上形成包括開口的犧牲層。并且該方法還包括：在犧牲層上形成銅覆層，該銅覆層填充開口；通過化學機械拋光將銅覆層拋光而形成柵極布線，直到犧牲層被暴露；以及除去犧牲層。此外，該方法還包括：通過將柵極布線用作掩模以將導電雜質摻雜在半導體上而形成源極區和漏極區；形成覆蓋柵極布線的第一層間絕緣層；以及在第一層間絕緣層上形成源電極和漏電極，該源電極和漏電極分別連接至源極區和漏極區。
【專利說明】制造薄膜晶體管陣列板的方法
【技術領域】
[0001]本發明的實施方式涉及制造薄膜晶體管陣列板的方法。
【背景技術】
[0002]通常，薄膜晶體管(TFT)陣列板用作用于獨立地驅動液晶顯示器(IXD)、有機電發光(EL)顯示器等中每個像素的電路板。薄膜晶體管是用于根據柵極信號傳輸或阻擋被傳輸至像素電極的數據電壓的開關元件。
[0003]該【背景技術】部分中公開的以上信息僅用于增強對所描述的技術背景的理解，因此其可包括對本國本領域的普通技術人員公知但并非屬于現有技術的信息。
【發明內容】
[0004]本發明的實施方式涉及制造薄膜晶體管陣列板的方法，其包括:在基底上形成半導體；在半導體上形成柵極絕緣層；以及在柵極絕緣層上形成包括開口的犧牲層。該方法還包括:在犧牲層上形成填充上述開口的銅覆層；通過化學機械拋光將銅覆層拋光而形成柵極布線，直到犧牲層被暴露；以及除去犧牲層。此外，該方法還包括:通過將柵極布線用作掩模以將導電雜質摻雜在半導體上而形成源極區和漏極區；形成覆蓋柵極布線的第一層間絕緣層；以及在第一層間絕緣層上形成源電極和漏電極，該源電極和漏電極分別連接至源極區和漏極區。
[0005]犧牲層可由氮化硅或鎢形成。
[0006]犧牲層可形成為厚度為約3,500 A.至約4,500 A。
[0007]本發明的實施方式還涉及制造薄膜晶體管陣列板的方法，其包括:在基底上形成半導體；在半導體上形成柵電極絕緣層；以及在柵極絕緣層上形成蝕刻停止層。該方法還包括:在蝕刻停止層上形成包括開口的犧牲層；在犧牲層上形成填充上述開口的銅覆層；通過化學機械拋光將銅覆層拋光而形成柵電極的上層，直到犧牲層被暴露；以及除去犧牲層。此外，該方法還包括:通過除去被暴露的蝕刻停止層而形成柵電極的下層；通過將柵電極用作掩模以將導電雜質摻雜在半導體上而形成源極區和漏極區；形成覆蓋柵電極的上層和柵電極的下層的第一層間絕緣層；以及在第一層間絕緣層上形成源電極和漏電極，該源電極和漏電極分別連接至源極區和漏極區。
[0008]犧牲層可由氮化硅形成。
[0009]犧牲層可形成為厚度為約3,500 A.至約4，500 A。
[0010]蝕刻停止層可由鎢形成。
toon] 蝕刻停止層可形成為厚度為約100 A.至約500 A。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]通過參照附圖詳細地描述示例性實施方式，本發明的特征將對本領域的普通技術人員變得顯而易見，在附圖中:
[0013]圖1是示出了包括在根據示例性實施方式的有機發光二極管顯示器中的像素電路的電路圖；
[0014]圖2是圖1的有機發光二極管顯示器的一個像素的布局視圖；
[0015]圖3是沿圖2的線II1-1II的剖視圖；
[0016]圖4至圖10是根據工序順序示出制造根據示例性實施方式的有機發光二極管顯示器的方法；
[0017]圖11是沿圖2的線II1-1II的根據另一示例性實施方式的有機發光二極管顯示器的剖視圖；
[0018]圖12至圖15是示出制造根據另一示例性實施方式的有機發光二極管顯示器的方法的剖視圖。
【具體實施方式】
[0019]下文中將參照附圖更加全面地描述本發明的示例性實施方式；然而，可以通過不同的形式實施本發明，并且本發明不應被解釋為受本文實施方式的限制。相反，提供這些實施方式以使本公開詳盡且完整，并且本公開將更全面地將示例性實施方式的范圍傳達給本領域的技術人員。
[0020]為了清晰起見，在附圖中放大了層、膜、板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解當元件如層、膜、區域、或襯底被稱為是位于另一元件“上”時，其可以直接位于另一元件上或者還可以存在插入的元件。相反地，當元件被稱為是直接位于另一元件上時，則不存在插入的元件。
[0021]下文中，將參照附圖詳細描述根據示例性實施方式的有機發光二極管顯示器。
[0022]圖1是示出了包括在根據示例性實施方式的有機發光二極管顯示器中的像素電路的電路圖。
[0023]在圖1所示的示例性實施方式中,根據該示例性實施方式的有機發光二極管顯示器包括多個信號線121、171、及172，和連接至信號線121、171、及172且約設置在矩陣中的多個像素PX。
[0024]該多個信號線包括用于傳輸柵極信號(或掃描信號)的多個柵極線121、用于傳輸數據信號的多個數據線171、以及用于傳輸驅動電壓Vdd的多個驅動電壓線172。柵極線121約在行方向上延伸且大體上彼此平行，數據線171和驅動電壓線172在垂直方向上的部分約在列方向上延伸且大體上彼此平行。
[0025]每個像素(PX)包括開關薄膜晶體管Qs、驅動薄膜晶體管Qd、存儲電容器Cst、以及有機發光二極管(OLED) LD。
[0026]開關薄膜晶體管Qs包括控制端、輸入端、以及輸出端，其中控制端連接至柵極線121，輸入端連接至數據線171，而輸出端連接至驅動薄膜晶體管Qd。開關薄膜晶體管Qs響應于施加至柵極線121的掃描信號將施加至數據線171的數據信號傳輸至驅動薄膜晶體管Qd0
[0027]驅動薄膜晶體管Qd也包括控制端、輸入端、以及輸出端，其中控制端連接至開關薄膜晶體管Qs，輸入端連接至驅動電壓線172，而輸出端連接至有機發光二極管LD。驅動薄膜晶體管Qd允許輸出電流ILD流過，輸出電流ILD的大小根據施加在控制端與輸出端之間的電壓而改變。
[0028]存儲電容器Cst連接在驅動薄膜晶體管Qd的輸入端與控制端之間。存儲電容器Cst為施加至驅動薄膜晶體管Qd的控制端的數據信號充電，并且在開關晶體管關閉后維持被充電的信號。
[0029]有機發光二極管LD包括連接至驅動薄膜晶體管Qd的輸出端的陽極和連接至公共電壓Vss的陰極。有機發光二極管LD通過發光而顯示圖像并且根據驅動薄膜晶體管Qd的輸出電流ILD改變光強度。
[0030]在下文中，將參照圖2和圖3詳細描述根據示例性實施方式的有機發光二極管顯示器。
[0031]圖2是圖1的有機發光二極管顯示器的一個像素的布局視圖，圖3是沿圖2的線II1-1II的剖視圖。
[0032]在圖2和圖3所示的示例性實施方式中，緩沖層120形成在基底111上。
[0033]基底111可以是由例如玻璃、石英、陶瓷、或塑料形成的透明絕緣襯底，并且基底111可以是由例如不銹鋼等形成的金屬襯底。
[0034]緩沖層120可形成為由氮化硅(SiNx)形成的單層或層疊有氮化硅(SiNx)和氧化硅(Si02)的雙層結構。緩沖層120同時可用來防止不期望的元素如雜質或水穿透，并使表面平面化。
[0035]由例如多晶娃形成的第二半導體135b、第一半導體135a以及第一電容器電極138形成在緩沖層120上。
[0036]第一半導體135a和第二半導體135b分成溝道區1355a和1355b、源極區1356a和1356b以及漏極區1357a和1357b，其中源極區1356a和1356b與漏極區1357a和1357b分別形成在溝道區1355a和1355b的兩側。第二半導體135b和第一半導體135a的溝道區1355a和1355b可以是多晶娃本征半導體,其上不摻雜雜質。第一半導體135a和第二半導體135b的漏極區1357a和1357b與源極區1356a和1356b可以是多晶硅雜質半導體，其上慘雜有導電雜質。
[0037]摻雜在源極區1356a和1356b、漏極區1357a和1357b、以及第一電容器電極138上的雜質可以是P型雜質和N型雜質中任一種。
[0038]柵極絕緣層140形成在第一半導體135a、第二半導體135b、以及第一電容器電極138上。柵極絕緣層140可以是包括例如正硅酸乙酯(TE0S)、氮化硅、氧化硅等中一個或多個的多層或單層。
[0039]柵極線121在水平方向上延伸以傳輸柵極信號，并包括從柵極線121朝向第一半導體135a凸起的第一柵電極155a。
[0040]第一柵電極155a和第二柵電極155b分別與溝道區1355a和1355b相疊，而第二電容器電極158與第一電容器電極138相疊。
[0041]第二電容器電極158、柵極線121、以及第二柵電極155b可由銅(Cu)或銅合金形成。
[0042]通過將柵極絕緣層140用作電介質，第一電容器電極138和第二電容器電極158形成存儲電容器Cst。存儲電容器Cst可形成MM型電容器，并且具有與第二電容器電極158相疊的分離的金屬圖案以及絕緣層插設在兩者之間，而不是第一電容器電極138。例如，通過使用第二電容器電極158和將在下文描述的作為電介質的第二層間絕緣層或第一層間絕緣層，并且與形成在與漏電極或第一電極相同層上的金屬圖案相疊，而形成存儲電容器Cst。
[0043]第一層間絕緣層160形成在柵極線121、第二柵電極155b、以及第二電容器電極158 上。
[0044]類似于柵極絕緣層140，第一層間絕緣層160可由例如由正硅酸乙酯(TE0S)、氮化硅、或氧化硅形成的多層或單層形成。
[0045]第一層間絕緣層160和柵極絕緣層140包括源極接觸孔166和漏極接觸孔167，源極區1356a和1356b以及漏極區1357a和1357b分別通過源極接觸孔166和漏極接觸孔167被暴露。
[0046]數據線171包括第一源電極176a、驅動電壓線172包括第二源電極176b，并且第一漏電極177a和第二漏電極177b形成在第一層間絕緣層160上。
[0047]數據線171傳輸數據信號并在與柵極線121相交的方向上延伸，驅動電壓線172傳輸預定電壓并在與數據線171相同的方向上延伸并且與數據線171相分離。
[0048]第一源電極176a從數據線171朝向第一半導體135a凸起,第二源電極176b從驅動電壓線172朝向第二半導體135b凸起。第一源電極176a和第二源電極176b穿過源極接觸孔166分別連接至源極區1356a和源極區1356b。
[0049]第一漏電極177a面對第一源電極176a，并穿過接觸孔167與漏極區1357a相聯系。此外，第二漏電極177b面對第二源電極176b，并穿過接觸孔167與漏極區1357b相聯
系O
[0050]第一漏電極177a沿柵極線延伸，并穿過接觸孔81與第二柵電極155b電連接。
[0051]數據線171、驅動電壓線172、第一漏電極177a、以及第二漏電極177b可形成為由低阻材料或金屬如Al、T1、Mo、Cu、N1、或其合金形成的多層或單層。例如，數據線171、驅動電壓線172、第一漏電極177a、以及第二漏電極177b可形成為由Ti/Cu/T1、Ti/Ag/T1、或Mo/Al/Mo形成的三層。
[0052]第一柵電極155a、第一源電極176a、以及第一漏電極177a與第一半導體135a —起形成第一薄膜晶體管(TFT)Qa，而第二柵電極155b、第二源電極176b、以及第二漏電極177b與第二半導體135b —起形成第二薄膜晶體管Qb。
[0053]第一薄膜晶體管Qa和第二薄膜晶體管Qb的溝道分別形成在位于第一源電極176a與第一漏電極177a之間的第一半導體135a處，以及位于第二源電極176b與第二漏電極177b之間的第二半導體135b處。
[0054]第二層間絕緣層180形成在數據線171、驅動電壓線172、第一漏電極177a、以及第二漏電極177b上。
[0055]類似于第一層間絕緣層160，第二層間絕緣層180可由單層或多層形成，并可由具有低介電常數的有機材料形成，其中該單層或多層由例如正硅酸乙酯(TE0S)、氮化硅、或氧化娃形成。
[0056]第二層間絕緣層180包括接觸孔82，第二漏電極177b穿過接觸孔82被暴露。
[0057]第一電極710形成在第二層間絕緣層180上。第一電極710可以是圖1的有機發光裝置的陽電極。在該示例性實施方式中，層間絕緣層形成在第一電極710與第二漏電極177b之間,但是第一電極710可與第二漏電極177b形成在同一層上,并與第二漏電極177b一體地形成。
[0058]像素限定層190形成在第一電極710上。
[0059]像素限定層190包括開口 195，第一電極710穿過開口 195被暴露。像素限定層190可由樹脂，如聚丙烯基(聚丙烯酸酯)樹脂或聚酰亞胺基(聚酰亞胺)樹脂及硅基無機材料形成。
[0060]有機發光層720形成在像素限定層190的開口 195上。
[0061]有機發光層720可形成為多層，包括發光層、一個或多個空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、以及電子注入層(EIL)。當有機發光層720包括所有這些層時，空穴注入層形成在像素電極710即陽電極上，空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、以及電子注入層順序地形成在空穴注入層上。
[0062]第二電極730形成在像素限定層190和有機發光層720上。
[0063]第二電極730為有機發光二極管的陰電極。因此,第一電極710、有機發光層720、以及第二電極730形成有機發光二極管70。
[0064]根據有機發光二極管70發光的方向，有機發光二極管顯示器可具有頂顯示類型、背顯示類型、以及兩側顯示類型中任一種結構。
[0065]在頂顯示類型的情況下，第一電極710形成為反射層，第二電極730形成為半透層或透射層。然而，在背顯示類型的情況下，第一電極710形成為半透層，第二電極730形成為反射層。此外，在兩側顯示類型的情況下，第一電極710和第二電極730形成為透明層或
半透層。
[0066]反射層和半透層可由鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)、和鋁(Al)，或其合金中至少一種金屬制成。反射層和半透層是基于厚度而確定的，半透層可形成為200nm或更小的厚度。當厚度變小時，透光度增大。然而，當厚度非常小時，電阻增大。
[0067]透明層可由諸如氧化銦錫(1!'0)、氧化銦鋅(120)、氧化鋅(2]10)或氧化銦(In2O3)的材料形成。
[0068]在下文中，將參照圖4至圖10以及上述的圖2和圖3詳細描述制造有機發光二極管顯示器的方法。
[0069]圖4至圖10是根據工序順序示出制造根據示例性實施方式的有機發光二極管顯示器的方法。
[0070]首先，如圖4所示，在基底111上形成緩沖層120。緩沖層120可由氮化硅或氧化娃形成。
[0071]此外，通過在緩沖層120上形成非晶硅層而形成半導體135a和135b，并將該非晶硅層晶化并且然后圖案化。
[0072]然后，如圖5所示，在半導體135a和135b上形成柵極絕緣層140和犧牲圖案50。
[0073]柵極絕緣層140可由氧化硅或氮化硅形成為厚度為約1,000 A至約1,300 A。
此外，犧牲層140可由氧化硅或鎢形成為厚度為約；3J00 A至約4,500 A。
[0074]犧牲圖案50可通過光刻工序將犧牲層圖案化而形成，并包括開口 55，其與期望形成的布線相同。
[0075]然后，如圖6所示，形成銅覆層60以填充開口 55。在這種情況下，銅覆層可形成為厚度為約3，000 A至約5,000 A0銅覆層60可通過諸如濺射或覆鍍的方法形成。
[0076]然后，如圖7所示，通過化學機械拋光形成包括第一柵電極155a和第二柵電極155b的柵極線。
[0077]在這種情況下，拋光繼續到犧牲圖案50被暴露，并且甚至犧牲圖案50的上部可被部分地除去以充分地除去留在電極上的犧牲圖案。因此，可執行拋光，直到留下銅覆層的約
1,000 A.至約3,000人的厚度。
[0078]然后，如圖8所示，在犧牲圖案50被除去之后，通過將包括柵電極155a和柵電極155b的柵極線用作掩模,在半導體135a和135b上以高濃度摻雜導電雜質離子而形成源極區1356a和1356b以及漏極區1357a和1357b。源極區1356a和1356b與漏極區1357a和1357b之間的間距作為溝道區1355a和1355b。
[0079]然后，如圖9所不,在柵電極155a和柵電極155b上形成第一層間絕緣層160。
[0080]然后，通過蝕刻第一層間絕緣層160和柵極絕緣層140形成接觸孔166和167，第一半導體135a和第二半導體135b穿過接觸孔166和接觸孔167被暴露，以及通過蝕刻第一層間絕緣層160形成接觸孔(未示出)，第二柵電極155b通過該接觸孔被暴露。
[0081]然后，如圖10所示，通過在第一層間絕緣層160上形成金屬層并將該金屬層圖案化而形成數據線(未示出)和驅動電壓線172，其中該數據線包括第一源電極176a，驅動電壓線172包括第二源電極176b、第一漏電極177a、以及第二漏電極177b，數據線和驅動電壓線172分別穿過接觸孔166和接觸孔167連接至源極區1356a和源極區1356b以及漏極區1357a和漏極區1357b。
[0082]然后，在包括第一源電極176a的數據線和包括第二源電極176b、第一漏電極177a、以及第二漏電極177b的驅動電壓線172上形成第二層間絕緣層180。
[0083]然后，通過蝕刻第二層間絕緣層180形成接觸孔82，第二漏電極177b穿過接觸孔82被暴露。
[0084]接著，如圖3所示，通過在第二層間絕緣層180上形成金屬層，然后將該金屬層圖案化而形成第一電極710。
[0085]然后，在第一電極710上形成包括開口 195的像素限定層190，有機發光層720形成在像素限定層190的開口 195內，第二電極730形成在有機發光層720上。
[0086]圖11是沿圖2的線II1-1II的根據另一示例性實施方式的有機發光二極管顯示器的剖視圖。
[0087]在圖11所示的示例性實施方式中，根據該示例性實施方式的有機發光二極管顯示器具有與圖2的中間層配置大部分相同的配置，因此下面將詳細描述不同的部分。
[0088]圖11的有機發光二極管顯示器的第二柵電極155b和第一柵電極155a包括下層1551a以及1551b和上層1553a以及1553b。
[0089]下層1551a和1551b由鎢(W)形成，而上層1553a和1553b由銅(Cu)形成。
[0090]因為上層的銅與位于上層之下的柵極絕緣層140不直接接觸，所以下層防止銅擴散至柵極絕緣層140。[0091]在下文中，將參照圖12至圖15以及上述的圖4、圖9以及圖10詳細描述制造圖11的有機發光二極管顯示器的方法。
[0092]圖12至圖15是示出制造根據另一示例性實施方式的有機發光二極管顯示器的方法的剖視圖。
[0093]首先，如圖4所示，在基底111上形成緩沖層120。緩沖層120可由氮化硅或氧化娃形成。
[0094]此外，通過在緩沖層120上形成非晶硅層而形成半導體135a和135b，并將該非晶硅層晶化并且然后圖案化。
[0095]然后，如圖12所示，在半導體135a和半導體135b上層疊柵極絕緣層140和蝕刻停止層45，以及在蝕刻停止層45上形成犧牲圖案50。
[0096]柵極絕緣層140可由氧化硅或氮化硅形成為厚度為約1，000 A至約丨,300 A，并且蝕刻停止層45可由鎢形成為厚度為約丨00 A.至約500 A。
[0097]此外，犧牲圖案50可由氮化硅形成為厚度為約3,500 A至約4,500 A,然后其通
過光刻過程被圖案化。在這種情況下，可執行蝕刻直到蝕刻停止層45被暴露。
[0098]如上所述，當形成了蝕刻停止層45時，可防止柵極絕緣層140的表面由于在蝕刻期間柵極絕緣層140暴露給蝕刻工序而被損壞。
[0099]然后，如圖13所示，形成銅覆層60以填充開口 55。在這種情況下，銅覆層可形成為約3,000 A至約5,000 A的厚度。
[0100]然后，如圖14所示，拋光繼續至犧牲圖案50通過使用化學機械拋光而被暴露。
[0101]在拋光之后，銅覆層可形成為厚度為約1，000 A至約3,000 A。
[0102]然后，如圖15所示，通過除去犧牲圖案50和位于犧牲圖案之下的蝕刻停止層45，形成包括第一柵電極155a和第二柵電極155b的柵極線,其中第一柵電極155a包括下層1551a和上層1553a，而第二柵電極155b包括下層1551b和上層1553b。
[0103]通過磷酸可除去犧牲圖案50，并且可通過過氧化氫除去蝕刻停止層45。
[0104]然后,如圖9所不,在柵電極155a和柵電極155b上形成第一層間絕緣層160,并且形成接觸孔166和接觸孔167。
[0105]然后，如圖10所示，在第一層間絕緣層160上形成數據線171和驅動電壓線172，其中該數據線包括第一源電極176a，驅動電壓線172包括第二源電極176b、第一漏電極177a、以及第二漏電極177b，數據線和驅動電壓線172分別穿過接觸孔166和接觸孔167連接至源極區1356a和源極區1356b以及漏極區1357a和漏極區1357b。
[0106]然后，在包括第一源電極176a的數據線171和包括第二源電極176b、第一漏電極177a、以及第二漏電極177b的驅動電壓線172上形成第二層間絕緣層180。
[0107]然后，通過蝕刻第二層間絕緣層180形成接觸孔82，第二漏電極177b穿過接觸孔82被暴露。
[0108]接著，如圖11所示，通過在第二層間絕緣層180上形成金屬層，然后將該金屬層圖案化而形成第一電極710。然后，在第一電極710上形成包括開口 195的像素限定層190，有機發光層720形成在像素限定層190的開口 195內，第二電極730形成在有機發光層720上。
[0109]通過總結和回顧，薄膜晶體管陣列板可包括用于傳輸掃描信號的柵極布線和用于傳輸圖像信號的數據布線，并可包括薄膜晶體管和像素電極等，其中薄膜晶體管與柵極布線和數據布線相連接，像素電極與該薄膜晶體管相連接。根據通過柵極布線傳輸的柵極信號，數據電壓通過數據布線傳輸至像素電極。薄膜晶體管包括半導體層、源電極和漏電極(源電極和漏電極屬于數據布線)，其中柵電極(屬于柵極布線)和溝道形成在半導體層上。在這種薄膜晶體管陣列板中，當基底的尺寸增大時，可生成由于布線的電阻和電容而導致的RC延遲。因此，可使用低電阻布線。可使用各種金屬例如銅以形成具有低電阻的布線。
[0110]如上所述，本發明的實施方式可提供制造薄膜晶體管陣列板的方法，在該薄膜晶體管陣列板中布線由銅(具有低電阻的金屬)形成。當通過根據本發明實施方式的方法制造薄膜晶體管陣列板時，可形成具有低電阻的布線。
[0111]本文中已經公開了示例性實施方式，并且雖然使用了特定的術語，但是應該僅以一般性和描述性的意義使用和理解這些術語而不是用于限制的目的。在一些情況下，如本申請的提交一樣對本領域的普通技術人員顯而易見的是，結合特定的實施方式描述的特征、特性、和/或元件可以單獨使用或與結合其他實施方式描述的特征、特性和/或元件組合使用，除非另外特別指出。因此，本領域的技術人員應該理解，在不背離如所附權利要求書所闡明的本發明的精神和范圍的情況下，可以在形式和細節方面對本發明做出各種修改。
【權利要求】
1.制造薄膜晶體管陣列板的方法，包括； 在基底上形成半導體； 在所述半導體上形成柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上形成犧牲層，所述犧牲層包括開口 ； 在所述犧牲層上形成銅覆層，所述銅覆層填充所述開口 ； 通過化學機械拋光將所述銅覆層拋光而形成柵極布線，直到所述犧牲層被暴露； 除去所述犧牲層； 通過將所述柵極布線用作掩模以將導電雜質摻雜在所述半導體上而形成源極區和漏極區； 形成覆蓋所述柵極布線的第一層間絕緣層；以及 在所述第一層間絕緣層上形成源電極和漏電極，其中所述源電極和所述漏電極分別連接至所述源極區和所述漏極區。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述犧牲層由氮化硅或鎢形成。
3.根據權利要求1所述的方法，其中所述犧牲層形成為厚度為3,500A至4,500 A。
4.制造薄膜晶體管陣列板的方法，包括: 在基底上形成半導體； 在所述半導體上形成柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上形成蝕刻停止層； 在所述蝕刻停止層上形成犧牲層，所述犧牲層包括開口 ； 在所述犧牲層上形成銅覆層，所述銅覆層填充所述開口 ； 通過化學機械拋光將所述銅覆層拋光而形成柵電極的上層，直到所述犧牲層被暴露； 除去所述犧牲層； 通過除去被暴露的蝕刻停止層而形成所述柵電極的下層； 通過將所述柵電極用作掩模以將導電雜質摻雜在所述半導體上而形成源極區和漏極區； 形成覆蓋所述柵電極的上層和所述柵電極的下層的第一層間絕緣層；以及在所述第一層間絕緣層上形成源電極和漏電極，其中所述源電極和所述漏電極分別連接至所述源極區和所述漏極區。
5.根據權利要求4所述的方法，其中所述犧牲層由氮化硅形成。
6.根據權利要求5所述的方法，其中所述犧牲層形成為厚度為3,500A至4,500 A。
7.根據權利要求4所述的方法，其中所述蝕刻停止層由鎢形成。
8.根據權利要求4所述的方法，其中所述蝕刻停止層形成為厚度為丨00A至500 A。
【文檔編號】H01L21/336GK103839887SQ201310571473
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2013年11月13日 優先權日:2012年11月20日
【發明者】樸源模 申請人:三星顯示有限公司