一種陣列結構及其制作方法、陣列基板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種陣列結構及其制作方法、基于該陣列結構的陣列基板和顯示裝置，其中陣列結構的制作方法是在柵絕緣層上形成源漏極金屬層之前還包括：對源漏極金屬信號接入端子所在位置對應的柵絕緣層進行刻蝕，在柵絕緣層上形成過孔結構；或者在柵絕緣層上形成源漏極金屬層之后還包括：在源漏極金屬信號接入端子所在位置對應的源漏極金屬層上形成過孔結構，過孔結構的兩側具有緩和的斜坡。通過對源漏極金屬層下方的柵絕緣層進行刻蝕，降低源漏極金屬層上方的導電膜層的高度；或者對源漏極金屬層進行刻蝕，形成兩側具有緩和斜坡的過孔結構，交替布線中SD基和Gate基上方的ITO高度相同，使得導電球受力更加均勻，提高導線性能。
【專利說明】一種陣列結構及其制作方法、陣列基板和顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示【技術領域】，特別涉及一種陣列結構及其制作方法、基于該陣列結構的陣列基板和顯示裝置。
【背景技術】
[0002]目前隨著液晶顯示面板分辨率的不斷提高，特別是對于小尺寸的液晶顯示面板而言，提高分辨率就意味著增加指單位長度內包含的像素點的數量，即PPI (Pixels PerInch，每英寸像素的數目)，因此在相同空間下引線的數目就會隨之增加。
[0003]現有技術一般是通過對ICXIntegrated Circuit,集成電路)采用交替布線的方法來盡量壓縮布線空間，以應對IC引腳越來越多的問題，圖1為柵電極層(Gate層)和源漏金屬層(SD層)交替布線的示意圖，其中01為Gate層，02為SD層。通過Gate層和SD金屬層交替布線，再在其上方進行曝光刻蝕，形成過孔，最后通過IT0(Indium Tin Oxides,銦錫金屬氧化物)層導出，如圖2所示，圖2中左側和右側分別為采用交替布線時Gate層和SD金屬層的截面示意圖，其中03為柵絕緣層，即GI層，04為鈍化層，即PVX層，05為導電膜層，即ITO層。但是交替布線的方法存在以下問題，由于在Gate基和SD基設計Pad(信號接入端子)時形成不同的結構，最終形成的Pad高度不同,造成IC Bonding Pad與IC引腳接觸不良，Gate層和SD金屬層交替布線出現接觸不良的示意圖如圖3所示。圖3中可以看出SD金屬層的高度高于Gate層的高度，導致SD基和Gate基上方的ITO高度存在高度差，圖3中06為導電球，07為IC引腳。
[0004]因此，基于上述現有技術的方法由于SD基和Gate基上方的ITO聞度不同，最后在相鄰IC引腳上對應的ITO與IC Bonding Pad之間出現不同的高度差，導致導電球與ITO的接觸面積不同，受力不均勻，產生不良Bonding狀態，降低導電性能。
【發明內容】
[0005](一)要解決的技術問題
[0006]本發明要解決的技術問題是如何解決交替布線過程中SD基和Gate基上方的ITO高度不同的問題。
[0007](二)技術方案
[0008]為解決上述技術問題，本發明提供了一種陣列結構的制作方法，在柵絕緣層上形成源漏極金屬層之前還包括:對源漏極金屬信號接入端子所在位置對應的柵絕緣層進行刻蝕，在所述柵絕緣層上形成過孔結構。
[0009]進一步地，所述對源漏極金屬信號接入端子所在位置對應的柵絕緣層進行刻蝕之后還包括:在具有過孔結構的柵絕緣層上方逐層形成源漏極金屬層、鈍化層以及導電膜層。
[0010]進一步地，形成源漏極金屬層之后還包括:對所述源漏極金屬層在所述過孔結構所對應的位置進行與所述過孔結構相同的刻蝕，繼續在所述源漏極金屬層上形成鈍化層，也進行相同的刻蝕，最后形成導電膜層。[0011]為解決上述技術問題，本發明還提供了一種陣列結構，該陣列結構是通過以上所述的陣列結構制作方法得到的。
[0012]為解決上述技術問題，本發明還提供了一種顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板，其中所述陣列基板是在玻璃基板上形成以上所述的陣列結構得到的。
[0013]為解決上述技術問題，本發明還提供了一種陣列結構的制作方法，在柵絕緣層上形成源漏極金屬層之后還包括:在所述源漏極金屬信號接入端子所在位置對應的源漏極金屬層上形成過孔結構，所述過孔結構的兩側具有緩和斜坡。
[0014]進一步地，所述過孔結構包括主孔以及主孔兩側的補償孔，所述補償孔小于所述主孔，且上述主孔為全透光，所述補償孔為非全透光。
[0015]進一步地，所述過孔結構包括主孔以及主孔兩側的半透膜，所述主孔為全透光，所半透膜為非全透光。
[0016]進一步地，所述半透膜包括多級不同透過率的次半透膜，并且所述次半透膜的透過率從所述主孔為起始端向兩側逐級遞減分布。
[0017]進一步地，在所述源漏極金屬層通過濕法刻蝕，形成主孔和補償孔或主孔和半透膜的過孔結構，之后在所述源漏極金屬層上形成具有斜坡的光刻膠，所述光刻膠的高度從兩側向所述主孔逐漸降低，并對所述光刻膠進行曝光以及對所述源漏極金屬層進行干法刻蝕。
[0018]進一步地，對所述源漏極金屬層進行干法刻蝕之后還包括:在所述源漏極金屬層上形成鈍化層并在所述過孔結構對應的位置也進行相同的斜坡刻蝕，最后形成導電膜層。
[0019]為解決上述技術問題，本發明還提供了一種陣列結構，該陣列結構是通過以上所述的陣列結構制作方法得到的。
[0020]為解決上述技術問題，本發明還提供了一種顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板，其中所述陣列基板是在玻璃基板上形成以上所述的陣列結構得到的。
[0021](三)有益效果
[0022]本發明實施例提供了一種陣列結構及其制作方法、基于該陣列結構的陣列基板和顯示裝置，其中陣列結構的制作方法是在柵絕緣層上形成源漏極金屬層之前還包括:對源漏極金屬信號接入端子所在位置對應的柵絕緣層進行刻蝕，在柵絕緣層上形成過孔結構；或者在柵絕緣層上形成源漏極金屬層之后還包括:在源漏極金屬信號接入端子所在位置對應的源漏極金屬層上形成過孔結構，過孔結構的兩側具有緩和的斜坡。通過對源漏極金屬層下方的柵絕緣層進行刻蝕，降低源漏極金屬層上方的導電膜層的高度；或者對源漏極金屬層進行刻蝕，形成兩側具有緩和斜坡的過孔結構，交替布線中SD基和Gate基上方的ITO高度相同，使得導電球受力更加均勻，提高導線性能。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0023]圖1為現有技術中Gate層和SD層交替布線的示意圖；
[0024]圖2為現有技術中采用交替布線時Gate層和SD金屬層的截面示意圖；
[0025]圖3為現有技術中Gate層和SD金屬層交替布線出現接觸不良的示意圖；
[0026]圖4是本發明實施例一提供的一種陣列結構的制作方法的流程示意圖；
[0027]圖5為本發明實施例二提供的一種陣列結構的截面示意圖；[0028]圖6為本發明實施例二中IC引腳與IC Bonding Pad之間通過ACF膠相連的示意圖；
[0029]圖7為本發明實施例二中提供的陣列基板的示意圖；
[0030]圖8為本發明實施例三中采用主孔+補償孔的設計方式示意圖；
[0031]圖9為本發明實施例三中采用主孔+半透膜的設計方式示意圖；
[0032]圖10為本發明實施例三中源漏極金屬層上形成具有斜坡的光刻膠的示意圖；
[0033]圖11為本發明實施例三中主孔中間以及兩側具有斜坡的光刻膠在過孔處的光強分布示意圖；
[0034]圖12為本發明實施例三中濕法刻蝕后得到的結果示意圖；
[0035]圖13為本發明實施例三中干法刻蝕后得到的結果示意圖；
[0036]圖14為本發明實施例三提供的陣列結構的制作方法的步驟流程圖；
[0037]圖15為本發明實施例四提供的陣列結構的截面示意圖；
[0038]圖16為本發明實施例四提供的陣列基板的示意圖。
【具體實施方式】
[0039]下面結合附圖和實施例，對本發明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。
[0040]實施例一
[0041]本發明實施例提供了一種陣列結構的制作方法，在柵絕緣層上形成源漏極金屬層之前還包括:對源漏極金屬信號接入端子所在位置對應的柵絕緣層進行刻蝕，在柵絕緣層上形成過孔結構。
[0042]該陣列結構的制作方法通過在制作源漏極金屬層之前，即進行柵絕緣層(即GIMASK)制作時，將源漏極金屬層信號接入端子(即SD Pad)對應位置的柵絕緣層也做同樣的MASK處理，經過GI刻蝕之后，消除SD Pad高度的升高，從而降低Gate基和SD基上導電膜層(ITO)的高度差，使連接相鄰IC引腳的ITO具有相同的高度，使得導電球受力更加均勻，提聞導線性能。
[0043]優選地，本實施例中對源漏極金屬信號接入端子(SD Pad)所在位置對應的柵絕緣層進行刻蝕之后還包括:在具有過孔結構的柵絕緣層(GI)上方逐層形成源漏極金屬層(SD)、鈍化層(PVX)以及導電膜層(ΙΤ0)。
[0044]進一步地，本實施例提供的方法形成源漏極金屬層(SD)、鈍化層(PVX)以及導電膜層(ΙΤ0)之后還包括:對源漏極金屬層(SD)在過孔結構所對應的位置進行與過孔結構相同的刻蝕，繼續在源漏極金屬層(SD)上形成鈍化層(PVX)和導電膜層(ΙΤ0),并在過孔結構對應的位置也進行相同的刻蝕。
[0045]需要說明的是，最后在導電膜層、鈍化層、源漏極金屬層以及柵絕緣層上刻蝕得到的過孔依次減小。
[0046]對于該方法的步驟流程示意圖如圖4所示，具體包括以下步驟:
[0047]步驟S1、在玻璃基板上形成柵絕緣層；
[0048]步驟S2、對柵絕緣層對應SD Pad的位置進行刻蝕，形成過孔結構；
[0049]步驟S3、在柵絕緣層和過孔結構上方依次形成SD層和PVX層，并在過孔結構對應的位置進行與過孔結構相同的刻蝕，最后形成ITO層。
[0050]上述步驟是對SD基一側的處理流程，而在Gate基一側仍然是現有結構，即在玻璃基板形成柵電極層，將Gate基周圍的柵電極層刻蝕掉，形成柵電極01，在柵電極上方形成柵絕緣層(GI )，并將Gate基上方的GI層刻蝕形成過孔，然后再依次在GI層上方經過沉積，并在對應過孔位置進行刻蝕，最后形成ITO層。
[0051]上述方法通過刻蝕掉柵絕緣層(GI)中源漏極金屬信號接入端子(SD Pad)對應的部分，當沉積SD金屬層時，使得SD Pad位置處的SD金屬層更加緊貼玻璃表面，以緩解由于GI的存在將GI基上方ITO墊高的效果。之后再進行后續圖層(即SD層、PVX層和ITO層)的沉積和刻蝕，最后得到的ITO層高度較現有技術有所降低，能夠實現降低Gate基和SD基上方ITO層的高度差，保證IC引腳與IC Bonding Pad之間的空間均勻性，兩者之間的導電球受力更加均勻，提高導線性能。
[0052]實施例二
[0053]基于上述陣列結構的制作方法，本發明實施例二還提供了一種陣列結構，截面示意圖如圖5所不，圖5的左側與圖2的左側相同，都是對Gate基過孔設計，圖5的右側是對SD基進行改進之后的示意圖，其中01為Gate層，02為SD層，03為GI層，04為PVX層，05為ITO層。
[0054]需要說明的是，IC引腳與IC Bonding Pad之間通過ACF膠(AnisotropicConductive Film，各向異性膠)相連的示意圖如圖6所示，其中Ql為IC引腳，Q2為ICBonding Pad, 07為導電球，IC Bonding Pad下方為TFT基板,用U表不。
[0055]另外，基于上述陣列結構，本實施例還提供了一種顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板，其中的陣列基板是在玻璃基板上形成本發明實施例二中陣列結構得到的。
[0056]其中的陣列基板示意圖如圖7所示，是在玻璃基板00上形成上述的陣列結構。
[0057]本實施例提供的陣列基板，能夠實現降低Gate基和SD基上方ITO層的高度差，保證IC引腳與IC Bonding Pad之間的空間均勻性，兩者之間的導電球受力更加均勻，提高導線性能。
[0058]實施例三
[0059]本發明實施例三還提供了一種陣列結構的制作方法，在柵絕緣層(GI層)上形成源漏極金屬層(SD層)之后還包括:在源漏極金屬信號接入端子(SD Pad)所在位置對應的源漏極金屬層(SD層)上形成過孔結構，過孔結構的兩側具有緩和斜坡。
[0060]該方法是在玻璃基板上形成GI層之后，再沉積一層SD層，之后將SD Pad所在位置對應的SD層刻蝕掉，同樣可以降低SD基上ITO層的高度，能夠實現降低Gate基和SD基上方ITO層的高度差，保證IC引腳與IC Bonding Pad之間的空間均勻性，兩者之間的導電球受力更加均勻，提高導線性能。
[0061]優選地，本實施例中的過孔結構包括主孔以及主孔兩側的補償孔，補償孔小于主孔，且上述主孔為全透光，補償孔為非全透光，采用主孔+補償孔的設計方式示意圖如圖8所示，其中A為主孔，BI和B2為補償孔，補償孔的尺寸一般是遠小于曝光機的分辨率的，通過補償孔能夠透過的光可以對中間的主孔透過的光進行疊加和增強，同時主孔的光強能夠緩慢降低。
[0062]或者過孔結構包括主孔以及主孔兩側的半透膜，主孔為全透光，所半透膜為非全透光，采用主孔+半透膜的設計方式示意圖如圖9所示，其中A為主孔，Cl和C2為半透膜。
[0063]進一步地，半透膜Cl和C2包括多級不同透過率的次半透膜，本實施例中是以三級為例，即圖9中的Cll?C13和C21?C23，并且上述次半透膜從主孔為起始端向兩側逐級遞減分布，即C13、C12、Cll的透過率是遞減的，C23、C22、C21的透過率是也遞減的。這種在主孔+半透膜的設計方式能夠保證主孔周邊的光強并給急轉直下，而是逐漸向周圍有光強的過渡，即緩和延伸的光強。
[0064]優選地，對于上述兩種方案都是在源漏極金屬層通過濕法刻蝕，形成主孔和補償孔或主孔和半透膜的過孔結構，之后進一步包括:在源漏極金屬層上形成具有斜坡的光刻膠，光刻膠的高度從兩側向主孔逐漸降低，如圖10所示。在SD層上方對應SD Pad的光刻膠為空的，向兩側是逐漸增高的斜坡，也就是從兩側向SD Pad對應的位置遞減。對于主孔中間以及兩側具有斜坡的光刻膠在過孔處的光強分布如圖11所示，其中PR為光刻膠。
[0065]涂覆光刻膠之后在進行濕法刻蝕，得到如圖12所示的結果。但是本實施例提供的制作工藝是在濕法刻蝕后，還進一步地對光刻膠進行曝光以及對源漏極金屬層進行干法刻蝕，由于光刻膠為斜坡形的，在干法刻蝕過程中光刻膠可有刻蝕作用，隨著干刻的進行，光刻膠的厚度逐漸降低，最終形成SD層比較緩和的結構，經過附加的干法刻蝕后得到的結果如圖13所示。SD層具有緩和的斜坡使得SD Pad形貌于圓球類似，增大了導電球與ITO層的接觸面積，也增大了 ITO和SD金屬的接觸面積，導電性更好。
[0066]優選地，對源漏極金屬層(SD層)進行干法刻蝕之后還包括:在源漏極金屬層上形成鈍化層(PVX)并在過孔結構對應的位置也進行相同的斜坡刻蝕，最后形成導電膜層(ITO層)。
[0067]對于本實施例中提供的步驟流程圖如圖14所示，具體包括以下步驟:
[0068]步驟SI’、在玻璃基板上形成GI層；
[0069]步驟S2’、在GI層上形成SD層，并對SD Pad對應位置的SD層進行濕法刻蝕和干法刻蝕，形成過孔結構；
[0070]步驟S3 ’、在SD層上形成PVX層，并在過孔結構對應的位置進行與過孔結構相同的刻蝕，最后形成ITO層。
[0071]本實施例中上述提供的也是對SD基上方的各層圖形工藝，對于Gate基一側同實施例一中所述，此處不再贅述。
[0072]上述方法通過刻蝕掉柵絕緣層(GI)中源漏極金屬信號接入端子(SD Pad)對應的部分，當沉積SD金屬層時，使得SD Pad位置處的SD金屬層更加緊貼玻璃表面，以緩解由于GI的存在將GI基上方ITO墊高的效果。之后再進行后續圖層(即SD層、PVX層和ITO層)的沉積和刻蝕，最后得到的ITO層高度較現有技術有所降低，能夠實現降低Gate基和SD基上方ITO層的高度差，保證IC引腳與IC Bonding Pad之間的空間均勻性，兩者之間的導電球受力更加均勻，提高導線性能。
[0073]實施例四
[0074]基于上述陣列結構的制作方法，本發明實施例四還提供了一種陣列結構，截面示意圖如圖15所示，圖15的左側與圖2和圖5的左側相同，都是對Gate基過孔設計，圖15的右側是對SD基進行改進之后的示意圖。與圖5不同之處在于，圖15中并未對GI層進行刻蝕，而是將多余高度的SD層刻蝕。[0075]另外，基于上述陣列結構，本實施例還提供了一種顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板，其中的陣列基板是在玻璃基板上形成本發明實施例二中陣列結構得到的。其中的陣列基板示意圖如圖16所示，是在玻璃基板00上形成實施例三提供的陣列結構。
[0076]本實施例提供的陣列基板，能夠實現降低Gate基和SD基上方ITO層的高度差，保證IC引腳與IC Bonding Pad之間的空間均勻性，兩者之間的導電球受力更加均勻，提高導線性能。
[0077]以上實施方式僅用于說明本發明，而并非對本發明的限制，有關【技術領域】的普通技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術方案也屬于本發明的范疇，本發明的專利保護范圍應由權利要求限定。
【權利要求】
1.一種陣列結構的制作方法，其特征在于，在柵絕緣層上形成源漏極金屬層之前還包括:對源漏極金屬信號接入端子所在位置對應的柵絕緣層進行刻蝕，在所述柵絕緣層上形成過孔結構。
2.如權利要求1所述的陣列結構的制作方法，其特征在于，所述對源漏極金屬信號接入端子所在位置對應的柵絕緣層進行刻蝕之后還包括:在具有過孔結構的柵絕緣層上方逐層形成源漏極金屬層、鈍化層以及導電膜層。
3.如權利要求2所述的陣列結構的制作方法，其特征在于，形成源漏極金屬層之后還包括:對所述源漏極金屬層在所述過孔結構所對應的位置進行與所述過孔結構相同的刻蝕，繼續在所述源漏極金屬層上形成鈍化層，也進行相同的刻蝕，最后形成導電膜層。
4.一種陣列結構，其特征在于，所述陣列結構是通過所述權利要求1-3所述的陣列結構制作方法得到的。
5.一種顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板，其特征在于，所述陣列基板是在玻璃基板上形成權利要求4所述的陣列結構得到的。
6.一種陣列結構的制作方法，其特征在于，在柵絕緣層上形成源漏極金屬層之后還包括:在所述源漏極金屬信號接入端子所在位置對應的源漏極金屬層上形成過孔結構，所述過孔結構的兩側具有緩和斜坡。
7.如權利要求6所述的陣列結構的制作方法，其特征在于，所述過孔結構包括主孔以及主孔兩側的補償孔，所述補償孔小于所述主孔，且上述主孔為全透光，所述補償孔為非全透光。
8.如權利要求6所述的陣列結構的制作方法，其特征在于，所述過孔結構包括主孔以及主孔兩側的半透膜，所述主孔為全透光，所半透膜為非全透光。
9.如權利要求8所述的陣列結構的制作方法，其特征在于，所述半透膜包括多級不同透過率的次半透膜，并且所述次半透膜的透過率從所述主孔為起始端向兩側逐級遞減分布。
10.如權利要求7或8所述的陣列結構的制作方法，其特征在于，在所述源漏極金屬層通過濕法刻蝕，形成主孔和補償孔或主孔和半透膜的過孔結構，之后在所述源漏極金屬層上形成具有斜坡的光刻膠，所述光刻膠的高度從兩側向所述主孔逐漸降低，并對所述光刻膠進行曝光以及對所述源漏極金屬層進行干法刻蝕。
11.如權利要求10所述的陣列結構的制作方法，其特征在于，對所述源漏極金屬層進行干法刻蝕之后還包括:在所述源漏極金屬層上形成鈍化層并在所述過孔結構對應的位置也進行相同的斜坡刻蝕，最后形成導電膜層。
12.—種陣列結構，其特征在于，所述陣列結構是通過所述權利要求7-12所述的陣列結構制作方法得到的。
13.—種顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板，其特征在于，所述陣列基板是在玻璃基板上形成權利要求12所述的陣列結構得到的。
【文檔編號】H01L23/498GK103560113SQ201310571411
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年11月15日 優先權日:2013年11月15日
【發明者】史大為, 冀新友, 李付強, 郭建 申請人:北京京東方光電科技有限公司