晶圓的加工方法及通過該晶圓的加工方法得到的晶圓的制作方法
【專利摘要】本發明提供晶圓的加工方法及通過該晶圓的加工方法得到的晶圓，該晶圓的加工方法在進行任意適當的加工工序前包括溶劑清洗工序，在該加工工序中，可適當地保持晶圓，并防止粘合片剝離后的殘膠。本發明的晶圓的加工方法包括：粘合片粘貼工序，在具有包含輻射線固化型粘合劑的粘合劑層和基材的晶圓加工用粘合片上粘貼晶圓；輻射線照射工序，對該晶圓加工用粘合片的粘合劑層照射輻射線；清洗工序，用溶劑清洗該晶圓；以及加工工序，加工該晶圓。本發明的晶圓的加工方法中，在該清洗工序前進行該輻射線照射工序。
【專利說明】晶圓的加工方法及通過該晶圓的加工方法得到的晶圓【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及晶圓的加工方法及通過該晶圓的加工方法得到的晶圓。
【背景技術】
[0002]晶圓的加工工序中，為了在加工中適當地保持晶圓而使用粘合片。晶圓的加工工序中，為了進行粘附于晶圓的異物的去除和/或晶圓的保護膜的剝離等，在進行任意適當的加工工序前，有時進行清洗粘貼于粘合片的晶圓的工序(例如，專利文獻I)。該清洗工序中，由于用于清洗的溶劑，粘合片的粘合劑層溶解或溶脹，有時無法適當地保持晶圓自身、用于晶圓加工的晶圓加工用環。另外，在加工工序后剝尚粘合片時，有時晶圓廣生殘I父。為了解決這種問題，例如提出了具備耐溶劑性和耐水性優異的粘合劑層的粘合片(專利文獻2)。
[0003]現有技術文獻
[0004]專利文獻
[0005]專利文獻1:日本特開2008-41987號公報
[0006]專利文獻2:日本特開2004-214521號公報
【發明內容】
_7] 發明要解決的問 題
[0008]本發明是為了解決上述現有問題而做出的，其目的在于，提供一種晶圓的加工方法，該晶圓的加工方法在進行任意適當的晶圓的加工工序前包括溶劑清洗工序，在該加工工序中，可適當地保持晶圓，并防止粘合片剝離后的殘膠。
_9] 用于解決問題的方案
[0010]本發明的晶圓的加工方法包括:粘合片粘貼工序，在具有包含輻射線固化型粘合劑的粘合劑層和基材的晶圓加工用粘合片上粘貼晶圓；輻射線照射工序，對該晶圓加工用粘合片的粘合劑層照射輻射線；清洗工序，用溶劑清洗該晶圓和加工用粘合片；以及加工工序，加工該晶圓。本發明的晶圓加工方法中，在該清洗工序前進行該輻射線照射工序。
[0011]在優選的實施方式中，在上述輻射線照射工序中，從上述粘合片的粘合劑層側照射該輻射線。
[0012]在優選的實施方式中，在上述粘合片粘貼工序中，上述粘合片為粘貼到晶圓加工用環上的粘合片。
[0013]在優選的實施方式中，在上述輻射線照射工序中，僅對上述粘合劑層的不與晶圓和/或晶圓加工用環接觸的部分照射該輻射線。
[0014]根據本發明的另一個方面，提供一種晶圓。該晶圓是通過上述晶圓的加工方法得到的。
[0015]發明的效果
[0016]根據本發明的加工方法，即使在任意適當的加工工序前包括溶劑清洗工序時，在該加工工序中也能夠適當地保持晶圓。因此，可以將經過溶劑清洗工序后的粘合片直接用于切割等加工工序。進而，加工后剝離粘合片時，能夠防止在晶圓上產生殘膠。因此，可以更加效果良好地進行質量高的晶圓的加工。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017]圖1為由本發明的優選實施方式的得到的粘合片的截面示意圖。
[0018]附圖標記說明
[0019]10粘合劑層
[0020]20基材層
[0021]100粘合片
【具體實施方式】
[0022]本發明的晶圓的加工方法包括:粘合片粘貼工序，在具有包含輻射線固化型粘合劑的粘合劑層和基材的晶圓加工用粘合片上粘貼晶圓；輻射線照射工序，對該晶圓加工用粘合片的粘合劑層照射輻射線；清洗工序，用溶劑清洗該晶圓和加工用粘合片；以及加工工序，加工該晶圓。本發明的晶圓加工方法中，在該清洗工序前進行該輻射線照射工序。
[0023]<A.在晶圓加工用粘合片上粘貼晶圓的工序〉
[0024]本發明的晶 圓的加工方法包括在晶圓加工用粘合片上粘貼晶圓的工序。該晶圓加工用粘合片具有包含輻射線固化型粘合劑的粘合劑層和基材。在該工序中，晶圓加工用粘合片優選在向晶圓粘貼前被粘貼到晶圓加工用環上。通過在與晶圓粘貼前在上述晶圓加工用粘合片上粘貼晶圓加工用環，在晶圓加工工序中能夠適當地保護晶圓。另外，也可以將晶圓和晶圓加工用環同時粘貼到晶圓加工用粘合片上。
[0025]該晶圓加工用粘合片與晶圓的粘貼工序可以通過任意適當的手段進行。例如，可以使用任意適當的粘貼裝置，將晶圓加工用粘合片與晶圓貼合。
[0026]〈A-1.晶圓加工用粘合片〉
[0027]上述晶圓加工用粘合片具有包含輻射線固化型粘合劑的粘合劑層和基材。圖1為由本發明的優選實施方式得到的粘合片的截面示意圖。本發明的粘合片100具備基材10和粘合劑層20。上述粘合片還可以進一步具備任意適當的其它層。作為上述任意的其它層，可列舉出抗靜電層、背面輕剝離化處理層、減摩層、易粘接處理層等。另外，在上述基材與粘合劑層之間還可以具備中間層、或底漆層等。
[0028]上述粘合片的厚度可以設定為任意適當的值。例如，上述粘合片的厚度為15μηι~2000μηι。上述基材的厚度可以設定為任意適當的值。例如，上述基材的厚度為ΙΟμπι~500μηι。上述粘合劑層的厚度可以設定為任意適當的值。例如，上述粘合劑層的厚度為I P m~500 μ m。
[0029]〈A-l-1.粘合劑層 >
[0030]上述粘合劑層可以通過使用任意適當的粘合劑組合物而形成。該粘合劑組合物包含輻射線固化型粘合劑層。該粘合劑層優選包含輻射線固化型粘合劑、光聚合引發劑、和交聯劑。
[0031]〈A-1-1-1.粘合劑〉[0032]作為上述輻射線固化型粘合劑，可以使用可利用輻射線的照射進行固化的任意適當的粘合劑。作為輻射線固化型粘合劑，例如，可列舉出:包含在丙烯酸類聚合物的側鏈、主鏈中、或者至少一個主鏈末端具有輻射線固化性的官能團的聚合物作為基礎聚合物的粘合齊?、以及在丙烯酸類粘合劑、橡膠系粘合劑、有機硅系粘合劑、聚乙烯基醚系粘合劑等任意適當的粘合劑中添加輻射線固化性的單體成分和/或輻射線固化性的低聚物成分而成的組合物。另外，也可以在上述包含具有輻射線固化性的官能團的基礎聚合物的粘合劑中添加可利用輻射線照射進行固化的單體成分、低聚物成分來使用。
[0033]作為上述丙烯酸類聚合物，可以使用任意適當的丙烯酸類聚合物。例如，作為上述丙烯酸類聚合物，可列舉出包含丙烯酸酯作為主單體成分的聚合物。作為上述丙烯酸酯，例如可列舉出甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等包含碳數I~30的直鏈狀或支鏈狀的烷基的丙烯酸烷基酯；環戊酯、環己酯等丙烯酸環烷基酯等。這些單體可以僅使用一種，也可以組合兩種以上來使用。
[0034]上述丙烯酸類聚合物也可以包含可與上述丙烯酸酯共聚的含羥基單體作為單體成分。作為含羥基單體，例如可列舉出(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等。上述含羥基單體可以僅使用一種，也可以組合兩種以上來使用。
[0035]另外，上述粘合劑組合物還可以進一步包含分子內具有輻射線固化性的官能團的異氰酸酯系化合物。作為該異氰酸酯化合物，例如，可以列舉出:甲基丙烯酰基異氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯、2-丙烯酰氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰1酸酷等。
[0036]上述丙烯酸類聚合物可以將單體成分通過任意適當的聚合方法聚合而得到。作為該重合方法，例如可列舉出溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等。
[0037]作為上述輻射線固化性的單體成分、低聚物成分，可以使用任意適當的化合物。例如可列舉出上述異氰酸酯系化合物、氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。
[0038]〈Α-1-1-2.光聚合引發劑〉
[0039]上述粘合劑組合物優選還包含光聚合引發劑。上述粘合劑組合物通過包含光聚合引發劑，使用紫外線作為輻射線時，可以使粘合劑層更快速地固化。
[0040]作為光聚合引發劑，可以使用任意適當的引發劑。作為光聚合引發劑，例如可列舉出4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α，α 二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α -酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2，2- 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2- 二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉代丙烷-1等苯乙酮系化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚系化合物；芐基二甲基縮酮等縮酮系化合物；2_萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯酮-1，1-丙二酮-2-(0-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、3，3’ - 二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4- 二氯噻噸酮、2，4- 二乙基噻噸酮、2，4- 二異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵代酮；酰基氧化膦；酰基膦酸酯等。光聚合引發劑的用量相對于構成粘合劑的基礎聚合物100重量份，例如為0.05?20重量份。
[0041]作為上述光聚合引發劑，也可以使用市售品。例如可列舉出BASF公司制造的商品名 “IRGACURE651”、“IRGACURE184 ”、“IRGACURE369 ”、“IRGACURE819 ”、“IRGACURE2959 ” 等。
[0042]〈A-1-1-3.交聯劑 >
[0043]上述粘合劑組合物優選還包含交聯劑。作為上述交聯劑，可以使用任意適當的交聯劑。例如，可以列舉出:異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、尿素系交聯劑、金屬醇鹽系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二亞胺系交聯劑、噁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。交聯劑可以僅使用一種，也可以組合兩種以上來使用。需要說明的是，交聯劑的用量可以根據使用用途設定為任意適當的值。交聯劑的用量例如相對于100重量份基礎聚合物，為20重量份以下。
[0044]作為上述交聯劑，也可以使用市售的交聯劑。具體而言，可列舉出Asahi KaseiChemicals Corporation.制造的商品名“DURANATE TPA-100”、日本聚氨酯工業株式會社制造的商品名 “ CORONATE L”、商品名 “ C0R0NATEHL ”、商品名 “ CORONATE HK”、商品名 “ C0R0NATEHX ”、商品名 “ C0R0NATE2096 ” 等。
[0045]〈A-1-1-4.添加劑 >
[0046]上述粘合劑組合物還可以包含任意適當的添加劑。作為上述添加劑，例如可列舉出增粘劑、防老劑、填充劑、著色劑、抗靜電劑、增塑劑、表面活性劑等。上述添加劑可以單獨使用，也可以組合兩種以上來使用。使用兩種以上的添加劑時，可以每種逐一添加，也可以同時添加兩種以上的添加劑。上述添加劑的配混量可以設定為任意適當的量。
[0047]〈A-1-2.基材 >
[0048]作為基材，可以使用任意適當的基材。上述基材優選為塑料薄膜。作為塑料薄膜的構成材料，例如可列舉出低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚酰亞胺、聚醚酮、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、氟樹脂、有機硅樹脂、纖維素系樹脂、以及它們的交聯物。
[0049]為了提高與鄰接的層的密合性、和保持性等，上述基材的表面也可以實施任意的表面處理。作為上述表面處理，例如可列舉出鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化輻射線處理等化學或物理處理、涂布處理。另外，為了賦予抗靜電性能，上述基材也可以在基材上設置由金屬、合金、或它們的氧化物等構成的厚度為3(從?50(認左右的導電性物質的蒸鍍層。
[0050]作為基材的制造方法，可以采用任意適當的方法。具體而言，例如可以適宜地使用壓延法、澆鑄法、吹脹法、T模擠出法。另外，也可以使用市售的塑料薄膜作為基材。
[0051]〈B.對粘合劑層照射輻射線的工序〉[0052]本發明的晶圓的加工方法包括對粘合劑層照射輻射線的工序。本發明的晶圓的加工方法中，對該粘合劑層照射輻射線的工序在后述用溶劑清洗晶圓和粘合片的工序前進行。通過該輻射線照射工序，上述部分的粘合劑層中所含的樹脂成分進行交聯。由此，在后續的溶劑清洗工序中，能夠防止可直接接觸溶劑的粘合劑層的溶解和/或溶脹。在該工序中，優選僅對粘合劑層的不與晶圓接觸的部分、或者粘合劑層的不與晶圓或晶圓加工用環接觸的部分照射輻射線。在該工序中，粘合劑層的與晶圓或者與晶圓和晶圓加工用環接觸的部分在輻射線照射后也適當地保持粘合劑層的粘合力。因此，在清洗工序后的晶圓加工工序中，可以維持晶圓被適當地保持著的狀態。
[0053]上述輻射線的照射可以通過任意適當的照射手段進行。作為該照射手段，例如可列舉出高壓汞燈、低壓汞燈、黑光燈等。
[0054]上述輻射線的照射工序也可以在氮氣氣氛下進行。通過在氮氣氣氛下進行輻射線的照射工序，能夠防止因氧氣而導致妨礙上述交聯反應。
[0055]優選的是，上述輻射線的照射從上述粘合片的粘合劑層側、即晶圓或晶圓和晶圓加工用環側進行。由此，可以容易地僅對粘合劑層的不與晶圓接觸的部分、或者粘合劑層的不與晶圓或晶圓加工用環接觸的部分照射輻射線。
[0056]從上述粘合片的基材側進行上述輻射線的照射時，優選將輻射線照射量調整為任意適當的值。從上述粘合片的基材側照射輻射線時，輻射線的照射量優選為lOmJ/cm2?4000mJ/cm2、更優選為50mJ/cm2?3000mJ/cm2。照射量為上述范圍內時，可以適當地維持粘合劑層與晶圓或與晶圓和晶圓加工用環的粘合力，并且可以適當地進行該粘合劑層的不與它們接觸的部分的樹脂成分的交聯。
[0057]另外，從上述粘合片的基材側進行上述輻射線的照射時，也可以使用任意適當的掩模來進行照射。對上述基材的與晶圓或與晶圓和晶圓加工用環對應的部分應用掩模，進行輻射線的照射，從而可以適當地維持粘合劑層與晶圓或晶圓和晶圓加工用環的粘合力，并且可以適當地進行該粘合劑層的不與它們接觸的部分的交聯反應。
[0058]〈C.利用溶劑的清洗工序〉
[0059]本發明的晶圓的加工方法包括在將晶圓或晶圓和晶圓加工用環粘貼到上述晶圓加工用粘合片上的狀態下用溶劑清洗的工序。通過經過該清洗工序，能夠進行加工前的附著于晶圓的異物的去除、和/或晶圓的保護膜的剝離等。
[0060]上述利用溶劑的清洗工序可以通過任意適當的方法進行。例如，向上述晶圓加工用粘合片與晶圓、或晶圓和晶圓加工用環的層疊體將任意適當的溶劑從噴嘴噴霧或噴出、
浸潰等。
[0061]作為上述溶劑，根據目的等，可以使用任意適當的溶劑。作為該溶劑，例如可列舉出乙醇、甲醇、異丙醇等醇類、丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮等酮類、N-甲基-2-吡咯烷酮、乙二醇、丙二醇1-單甲醚2-乙酸酯、甲苯、檸檬烯、水、檸檬酸等酸性水溶液等。溶劑可以單獨使用，也可以混合兩種以上來使用。
[0062]<D.晶圓的加工工序〉
[0063]本發明的晶圓的加工方法包括對經過上述各工序后的晶圓實施任意適當的加工的工序。如上所述，本發明的晶圓的加工方法在上述晶圓的清洗工序前進行對晶圓加工用粘合片的粘合劑層照射輻射線的工序。由此，在晶圓的加工工序前進行附著于晶圓的異物的除去和/或晶圓的保護膜的剝離等成為可能，進而，利用晶圓加工用粘合片的晶圓或晶圓和晶圓加工用環的適當的保持成為可能。因此，通過使用本發明的晶圓的加工方法，在晶圓的加工工序中，例如，可以防止切割時芯片的飛散等，可以提聞加工效率。
[0064]作為對上述晶圓實施的加工工序，沒有特別限制，可列舉出可對晶圓實施的任意適當的加工工序。例如可列舉出離子注入工序、通孔形成工序、切割工序等。
[0065]<E.晶圓〉
[0066]本發明的晶圓可以通過上述晶圓的加工方法得到。上述晶圓的加工方法能夠通過進行清洗工序去除附著于晶圓的異物等，得到的晶圓的質量得以提高。另外，通過使用上述晶圓的加工方法，即使在經過利用溶劑的清洗工序后，晶圓加工用粘合片也能夠適當地保持晶圓。因此，能夠以高精度進行晶圓的加工。進而，通過使用上述晶圓的加工方法，在加工工序后的晶圓加工用粘合片的剝離時還能夠防止在晶圓上的殘膠。因此，通過上述晶圓的加工方法得到的晶圓的質量得以提高。
[0067]實施例
[0068]以下，通過實施例對本發明進行具體說明，但本發明不受這些實施例的任何限定。需要說明的是，實施例等中的試驗和評價方法如下所述。另外，份意味著重量份。
[0069][制造例I]粘合劑組合物的制備
[0070]對100 份樹脂成分(TORAY COATEX C0., LTD.制造，商品名:Rheocoat R-1020)、3份作為交聯劑的異氰酸酯系交聯劑(日本聚氨酯工業株式會社制造，商品名:C0R0NATEL)、3份光聚合引發劑(BASF公司制造，商品名:IRGA⑶RE651)、70份UV固化性低聚物(日本化藥株式會社制造，商品名:KAYARAD DPHA)進行攪拌，得到粘合劑組合物。
[0071][制造例2]晶圓加工用粘合片的制作
[0072]將制造例I中得到的粘合劑組合物以干燥后的厚度為20μπι的方式涂布到厚度38 μ m的脫模處理過的薄膜的脫模處理面，使用干燥機在120°C下進行2分鐘干燥，形成粘合劑層。將該粘合劑層與基材(聚乙烯薄膜)貼合，得到半導體晶圓加工用粘合片。
[0073][實施例1]
[0074]從制造例2中得到的晶圓加工用粘合片剝離PET薄膜，使用貼合裝置將晶圓和晶圓加工用環同時貼合。接著，從該晶圓加工用粘合片的粘合劑層側(層疊有晶圓和晶圓加工用環的一側)在下述條件下照射紫外線，使粘合劑層的不與晶圓和晶圓加工用環接觸的部分交聯。接著，從晶圓加工用粘合片與晶圓和晶圓加工用環的層置體的晶圓和晶圓加工用環側噴淋作為溶劑的甲醇，對晶圓進行清洗。然后，從基材側在下述條件下照射紫外線，將晶圓加工用粘合片從晶圓剝尚。
[0075]<紫外線照射條件>
[0076]裝置:日東精機株式會社制造，商品名:UM810
[0077]照度:460mJ/cm2
[0078]照射時間:11秒
[0079]光量:41mW/cm2
[0080][實施例2]
[0081]除了將用于晶圓清洗的溶劑由甲醇變更為異丙醇之外，進行與實施例1同樣的操作。[0082][實施例3]
[0083]除了將用于晶圓清洗的溶劑由甲醇變更為甲苯之外，進行與實施例1同樣的操作。
[0084](比較例I)
[0085]除了未進行紫外線照射工序之外，進行與實施例1同樣的操作。
[0086](比較例2)
[0087]除了未進行紫外線照射工序之外，進行與實施例2同樣的操作。
[0088](比較例3)
[0089]除了未進行紫外線照射工序之外，進行與實施例3同樣的操作。
[0090][評價]
[0091]實施例1?3的加工方法中，在清洗工序后晶圓加工用粘合片也適當地保持了晶圓，能夠效率良好地進行晶圓的加工工序。另外，通過目視確認剝離了晶圓加工用粘合片的晶圓，結果在晶圓上未產生殘膠。
[0092]比較例I?3的加工方法中，在晶圓加工工序中，未能適當地保持晶圓，晶圓加工工序的加工效率降低。另外，通過目視確認剝離了晶圓加工用粘合片的晶圓，結果在晶圓上附著有粘合劑組合物。進而，比較例I和3中，用于清洗的溶劑到達至基材，基材溶脹。因此，對晶圓的保持產生障礙。
[0093]產業h的可利用件
[0094]根據本發明的加工方法，能夠在該加工工序中適當地保持晶圓，并且防止粘合片剝離后的殘膠。因此，能夠更加效率良好地進行質量高的晶圓的加工。
【權利要求】
1.一種晶圓的加工方法，其包括: 粘合片粘貼工序，在具有包含輻射線固化型粘合劑的粘合劑層和基材的晶圓加工用粘合片上粘貼晶圓； 輻射線照射工序，對該晶圓加工用粘合片的粘合劑層照射輻射線； 清洗工序，用溶劑清洗該晶圓和加工用粘合片；和 加工工序，加工該晶圓， 在該清洗工序前進行該輻射線照射工序。
2.根據權利要求1所述的晶圓的加工方法，其中，在所述輻射線照射工序中，從所述粘合片的粘合劑層側照射該輻射線。
3.根據權利要求1或2所述的晶圓的加工方法，其中，在所述粘合片粘貼工序中，該粘合片為粘貼到晶圓加工用環上的粘合片。
4.根據權利要求1或2所述的晶圓的加工方法，其中，在所述輻射線照射工序中，僅對所述粘合劑層的不與晶圓接觸的部分照射該輻射線。
5.根據權利要求3所述的晶圓的加工方法，其中，在所述輻射線照射工序中，僅對所述粘合劑層的不與晶圓和/或晶圓加工用環接觸的部分照射該輻射線。
6.一種晶圓，其是通過權利要求1所述的晶圓加工方法加工而成的。
【文檔編號】H01L21/683GK103811301SQ201310551934
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年11月7日 優先權日:2012年11月8日
【發明者】杉村敏正, 田中俊平, 高橋智一, 秋月伸也 申請人:日東電工株式會社