一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法
【專利摘要】本發明涉及一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法。其特點是，包括如下步驟：（1）在1#預清洗槽內加入雙氧水溶液并且浸沒過返工片，溶液中雙氧水質量濃度為4%—6%，同時配合超聲清洗返工片，控制超聲功率及頻率范圍：1.8kW，頻率20—40kHz，時間300s—550s；（2）在2#預清洗槽內加入純水并且浸沒過返工片，控制溫度為55℃—65℃，同時配合超聲對返工片進行漂洗，控制超聲功率及頻率范圍：1.8kW，頻率20—40kHz，時間250s—300s。經過試用證明，采用本發明的方法后，返工硅片表面油污、白斑、手印等臟污經過清洗后完全洗凈，降低硅片的報廢比例30%以上。
【專利說明】一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法。
【背景技術】
[0002]在物理冶金法單晶太陽能電池片生產過程中，由于人員操作失誤、工藝穩定性不足或原材料原因，不可避免的會產生返工片。物理冶金法單晶太陽能電池片的生產過程主要包括以下幾個流程:清洗制絨；擴散；刻蝕、去PSG ；PECVD ;絲網印刷、燒結、測試分選。可做返工處理的返工片主要是絲網印刷、燒結、測試分選前的幾道工序產生的返工片。
[0003]其中清洗制絨工序返工片類型主要包括:油污片、手印片、白斑片、局部泛白片、雨點片、水痕印片。擴散工序返工片類型包括:高方阻片、低方阻片、燒焦片、臟片。刻蝕工序返工片類型包括:過刻片、臟片。PECVD工序返工片類型包括:彩虹片、膜過厚片、膜過薄片。上述返工片的出現，若不做返工處理，它不僅影響物理冶金法單晶太陽能電池片的外觀還會影響轉換效率。
【發明內容】
[0004]本發明的目的是提供一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法，能夠減少電池片生產過程中返工片數量，提高返工片的轉換效率及成品率。
[0005]一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法，其特別之處在于，包括如下步驟:
[0006](I)在1#預清洗槽內加入雙氧水溶液并且浸沒過返工片，溶液中雙氧水質量濃度為4% — 6%，同時配合超聲清洗返工片，控制超聲功率及頻率范圍:1.8kW，頻率20— 40kHz，時間 300s—550s ；
[0007](2)在2#預清洗槽內加入純水并且浸沒過返工片，控制溫度為55°C — 65°C，同時配合超聲對返工片進行漂洗，控制超聲功率及頻率范圍:1.8kff,頻率20— 40kHz，時間250s—300so
[0008]當制絨槽內的溶液為剛失效的溶液時，先將制絨槽內的溶液排掉1/3，然后注入等量純水稀釋溶液，然后在溶液內補加添加劑、NaOH和異丙醇，控制每升稀釋后的溶液加入
1.55mL添加劑，8.2g NaOH，IOmL異丙醇；最后將步驟(2)得到的返工片在上述制絨槽內進行清洗制絨工序即可。
[0009]其中返工片是指清洗制絨工序、擴散工序或刻蝕工序產生的返工片。
[0010]其中返工片是指PECVD工序產生的返工片，并且先用質量濃度為8% —15%的HF溶液浸泡該返工片28— 35分鐘，從而將其表面的減反射膜去掉，最后干燥即可。
[0011]其中添加劑采用單晶硅片制絨輔助劑。
[0012]經過試用證明，采用本發明的方法后，返工硅片表面油污、白斑、手印等臟污經過清洗后完全洗凈，降低硅片的報廢比例30%以上，減少了由于物理冶金法返工硅片所需的化學品的使用量10%左右。【具體實施方式】
[0013]本發明主要從以下幾個方面解決上述技術問題，其中PECVD工序的返工片先用溶液濃度為10%HF溶液將其表面的減反射膜泡掉，浸泡時間為30分鐘，甩干后將其和其它工序的返工片統一返回清洗制絨工序做統一處理。在清洗制絨工序預清洗采用高濃度H2O2和超聲清洗結合，調節溫度和清洗時間，配合滿產狀態下剛剛失效的制絨溶液，調整濃度、溫度、制絨時間、單批化學品補加量。其中剛剛失效的制絨溶液具體是指:例如根據生產經驗，制絨槽內新配置好的溶液恰好可以對10000片125硅片進行制絨，那么當10000片125硅片制絨完畢后即視為剛剛失效的制絨溶液，此時溶液酸度過高已經不再適合制絨。
[0014]實施例1:
[0015]1、在1#預清洗槽內加入雙氧水溶液，溶液浸沒過返工片(本例中返工片頂端位于液面下方Icm處)，溶液中雙氧水質量濃度為5.3%，同時配合超聲進行清洗返工片(超聲功率及頻率范圍:1.8kW，頻率30kHz，時間400s)；
[0016]2、在2#預清洗槽內加純水，純水浸沒過返工片(本例中返工片頂端位于液面下方Icm處)，控制溫度為60°C，配合超聲對返工片進行漂洗(超聲功率及頻率范圍:1.8kW，頻率30kHz ;時間 250s)；
[0017]上述清洗完畢后的返工片可以直接用于正常的清洗制絨工序，也可以配合下列重新激活后的制絨槽內溶液進行清洗制絨，從而進一步節約成本。
[0018]1、制絨槽內的溶液采用剛失效的165L溶液，先將制絨槽內的溶液排掉55L溶液，然后注入新的純水55L稀釋溶液，然后在稀釋后的溶液內補加添加劑(即單晶硅片制絨輔助劑，昆山大遠化工科技有限公司、制絨添加劑型號DY-810)、NaOH和異丙醇，用量為每一升稀釋液補加1.55mL添加劑，8.2g NaOH, IOmL異丙醇。
[0019]2、完成1#、2#預清洗槽配制、制絨槽溶液激活后:
[0020]①分別取清洗制絨工序中產生的白斑、手印、臟污片等返工片2000片；擴散工序中產生的高方阻、低方阻、燒焦片等返工片2000片；刻蝕工序中產生的過刻、手印、臟污片等返工片2000片；PECVD工序產生的彩虹片、膜厚片、膜薄片等返工片2000片。
[0021]②先將PECVD工序產生的返工片用質量濃度為10%的HF溶液浸泡該返工片30分鐘，從而將其表面的減反射膜去掉，最后干燥。
[0022]③將上述各工序產生的返工片分別插入花籃，放入提籃(每花籃25片，每提籃200片)。
[0023]④經過1#、2#預清洗槽的預清洗、制絨槽內制絨、最后酸洗即可完成整個清洗制絨過程，再經過擴散、刻蝕去PSG、PECVD、絲網印刷、測試分選即可完成電池片的整個制成過程。
【權利要求】
1.一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法，其特征在于，包括如下步驟: (1)在1#預清洗槽內加入雙氧水溶液并且浸沒過返工片，溶液中雙氧水質量濃度為4% — 6%，同時配合超聲清洗返工片，控制超聲功率及頻率范圍:1.8kW，頻率20— 40kHz，時間 300s—550s ； (2)在2#預清洗槽內加入純水并且浸沒過返工片，控制溫度為55°C—65°C，同時配合超聲對返工片進行漂洗，控制超聲功率及頻率范圍:1.8kW，頻率20— 40kHz，時間250s—300s。
2.如權利要求1所述的一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法，其特征在于:當制絨槽內的溶液為剛失效的溶液時，先將制絨槽內的溶液排掉1/3，然后注入等量純水稀釋溶液，然后在溶液內補加添加劑、NaOH和異丙醇，控制每升稀釋后的溶液加入1.55mL添加劑，8.2g NaOH，IOmL異丙醇；最后將步驟(2)得到的返工片在上述制絨槽內進行清洗制絨工序即可。
3.如權利要求1所述的一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法，其特征在于:其中返工片是指清洗制絨工序、擴散工序或刻蝕工序產生的返工片。
4.如權利要求1所述的一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法，其特征在于:其中返工片是指PECVD工序產生的返工片，并且先用質量濃度為8%—15%的HF溶液浸泡該返工片28— 35分鐘，從而將其表面的減反射膜去掉，最后干燥即可。
5.如權利要求2所述的一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法，其特征在于:其中添加劑采用單晶硅片制絨輔助劑。
【文檔編號】H01L21/02GK103531666SQ201310522024
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年10月29日 優先權日:2013年10月29日
【發明者】彭文強, 廖建剛, 丁艷, 李歸利 申請人:寧夏銀星能源股份有限公司