一種低介電損耗絕緣材料及其制備方法
【專利摘要】本發明公開了一種低介電損耗絕緣材料及其制備方法，所述低介電損耗絕緣材料的成分包括：環氧丙烯酸樹脂、氟烯烴、納米多孔二氧化硅、醚類引發劑、胺類促進劑、三乙烯四胺固化劑和導熱添加劑；所述各組分的重量份組成為：環氧丙烯酸樹脂100、氟烯烴10、納米多孔二氧化硅26、醚類引發劑2、胺類促進劑1、三乙烯四胺固化劑8、導熱添加劑3。本發明制備的低介電損耗絕緣材料的介電常數為2.5。本發明的制備方法簡便，通過功能性填料及添加劑的加入，有效降低了材料的介電常數，提高了熱釋放速率，所制備的絕緣材料介電損耗低，在保證良好耐電弧和耐瞬時電擊性能的同時，具有優異的耐熱擊穿性能，滿足了在外加場強下的使用要求。
【專利說明】一種低介電損耗絕緣材料及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及絕緣材料【技術領域】，特別是涉及一種低介電損耗絕緣材料及其制備方法。
【背景技術】
[0002]聚合物基絕緣材料通常為固體介質，具有較好的耐電弧和耐瞬時電擊性能，應用較為廣泛。但由于固體介質的電阻溫度系數為負值，當固體電介質在電場中使用時，由于介質損耗引起的發熱會使電阻減小，電流進一步增大，損耗發熱也隨之增大，此時，過高的溫度會引起絕緣介質的熱擊穿，因而限制了聚合物基絕緣材料的應用。
【發明內容】
[0003]本發明主要解決的技術問題是提供一種低介電損耗絕緣材料及其制備方法。
[0004]為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是:提供一種低介電損耗絕緣材料，包括:環氧丙烯酸樹脂、氟烯烴、納米多孔二氧化硅、醚類引發劑、胺類促進劑、三乙烯四胺固化劑和導熱添加劑；所述各組分的重量份組成為:環氧丙烯酸樹脂100、氟烯烴10、納米多孔二氧化硅26、醚類引發劑2、胺類促進劑1、三乙烯四胺固化劑8、導熱添加劑3。
[0005]在本發明一個較佳實施例中，所述納米多孔二氧化硅的粒子尺寸為20~50nm。
[0006]為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是:提供一種低介電損耗絕緣材料的制備方法，包括以下步驟:
(O混料:按配方將環氧丙烯酸樹脂、氟烯烴、納米多孔二氧化硅、醚類引發劑、胺類促進劑、三乙烯四胺固化劑和導熱添加劑分3次加入電攪拌器中，在60~80°C下以150轉/min的轉速攪拌2~3h，得到混合物料；
(2)脫氣泡:將步驟(1)中制備的混合物料以1000~1500轉/min的轉速高速攪拌2h，同時對其進行抽真空操作，直至混合料中無氣泡為止；
(3)固化成型:將步驟(2)中抽真空處理的混合物料澆筑到模具中，室溫固化48h，低介電損耗絕緣材料。
[0007]氟烯烴及納米多孔二氧化硅的加入，可有效降低絕緣材料的介電損耗，導熱添加劑的加入有助于絕緣材料中熱量的快速散出，可及時有效地降低低介電損耗絕緣材料自身的溫度，避免因熱量過高引起自身炭化，降低了熱擊穿的可能性。
[0008]本發明的有益效果是:本發明一種低介電損耗絕緣材料的制備方法簡便，通過功能性填料及添加劑的加入，有效降低了材料的介電常數，提高了熱釋放速率，所制備的絕緣材料在保證良好耐電弧和耐瞬時電擊性能的同時，具有優異的耐熱擊穿性能，滿足了在外加場強下的使用要求。
【具體實施方式】
[0009]下面對本發明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
[0010]本發明實施例包括:
一種低介電損耗絕緣材料，包括:環氧丙烯酸樹脂、氟烯烴、納米多孔二氧化硅、醚類引發劑、胺類促進劑、三乙烯四胺固化劑和導熱添加劑；所述納米多孔二氧化硅的粒子尺寸為20~50nm。氟烯烴及納米多孔二氧化硅的加入，可有效降低絕緣材料的介電損耗，導熱添加劑的加入有助于絕緣材料中熱量的快速散出，可及時有效地降低絕緣材料自身的溫度，避免因熱量過高引起自身炭化，降低了熱擊穿的可能性。
[0011]所述各組分的重量份組成為:環氧丙烯酸樹脂100、氟烯烴10、納米多孔二氧化硅26、醚類引發劑2、胺類促進劑1、三乙烯四胺固化劑8、導熱添加劑3。
[0012]本發明的制備方法包括以下步驟:
(O混料:按配方將環氧丙烯酸樹脂、氟烯烴、納米多孔二氧化硅、醚類引發劑、胺類促進劑、三乙烯四胺固化劑和導熱添加劑分3次加入電攪拌器中，在60~80°C下以150轉/min的轉速攪拌2~3h，得到混合物料；
(2)脫氣泡:將步驟(1)中制備的混合物料以1000~1500轉/min的轉速高速攪拌2h，同時對其進行抽真空操作，直至混合料中無氣泡為止；
(3)固化成型:將步驟(2)中抽真空處理的混合物料澆筑到模具中，室溫固化48h，低介電損耗絕緣材料。
[0013]上述低介電損 耗絕緣材料的介電常數為2.8。
[0014]以上所述僅為本發明的實施例，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的【技術領域】，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。
【權利要求】
1.一種低介電損耗絕緣材料，其特征在于，包括:環氧丙烯酸樹脂、氟烯烴、納米多孔二氧化硅、醚類引發劑、胺類促進劑、三乙烯四胺固化劑和導熱添加劑；所述各組分的重量份組成為:環氧丙烯酸樹脂100、氟烯烴10、納米多孔二氧化硅26、醚類引發劑2、胺類促進劑1、三乙烯四胺固化劑8、導熱添加劑3。
2.根據權利要求1所述的低介電損耗絕緣材料，其特征在于，所述納米多孔二氧化硅的粒子尺寸為20~50nm。
3.—種權利要求1所述的低介電損耗絕緣材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (O混料:按配方將環氧丙烯酸樹脂、氟烯烴、納米多孔二氧化硅、醚類引發劑、胺類促進劑、三乙烯四胺固化劑和導熱添加劑分3次加入電攪拌器中，在60~80°C下以150轉/min的轉速攪拌2~3h，得到混合物料； (2)脫氣泡:將步驟(1)中制備的混合物料以1000~1500轉/min的轉速高速攪拌2h，同時對其進行抽真空操作，直至混合料中無氣泡為止； (3)固化成型:將步驟(2)中抽真空處理的混合物料澆筑到模具中，室溫固化48h，低介電損耗絕緣材料 。
【文檔編號】H01B3/40GK103589120SQ201310480568
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年10月15日 優先權日:2013年10月15日
【發明者】周巧芬 申請人:昆山市奮發絕緣材料有限公司