三極管的制作方法
【專利摘要】本發明涉及一種三極管，包括：第一類型襯底；一第二類型阱區；一第一類型輕摻雜區域；一第二類型高摻雜區域；一第一類型高摻雜區域；該第一類型高摻雜區域、該第二類型高摻雜區域、該第一類型輕摻雜區域、該第二類型阱區及該第一類型襯底依次層疊設置，該第一類型輕摻區域為該三極管之集電極區域，該第二類型高摻雜區域為該三極管之基極區域，該第一類型高摻雜區域為該三極管之發射極區域，該第二類型阱區與該第二類型高摻雜區域被施加相同的電壓。
【專利說明】三極管
【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種三極管。
【背景技術】
[0002] 隨著科技之發展，電子產品種類越來越多。而三極管由于其具有電流放大作用，常 常作為電子產品中的電流放大器件而被廣泛使用。然而，目前三極管在制做的時候容易產 生寄生的三極管，比如，在制做一 PNP三極管的時候則會生成一寄生PNP三極管及一寄生 NPN三極管。該寄生NPN三極管之發射極和集電極之間容易產生漏電流，從而造成對該PNP 三極管的損壞。
【發明內容】
[0003] 因此，有必要提供一種不容易損壞的三極管。
[0004] 一種三極管，包括： 第一類型襯底； 一第二類型阱區； 一第一類型輕摻雜區域； 一第二類型高摻雜區域； 一第一類型高摻雜區域； 該第一類型高摻雜區域、該第二類型高摻雜區域、該第一類型輕摻雜區域、該第二類型 阱區及該第一類型襯底依次層疊設置，該第一類型輕摻區域為該三極管之集電極區域，該 第二類型高摻雜區域為該三極管之基極區域，該第一類型高摻雜區域為該三極管之發射極 區域，該第二類型阱區與該第二類型高摻雜區域被施加相同的電壓。
[0005] 與現有技術相較，本發明三極管中第二類型阱區與該第二類型高摻雜區域被加載 相同的電壓以使第二類型阱區與該第二類型高摻雜區域不會因為摻雜濃度的比例控制不 當而造成第二類型阱區與該第二類型高摻雜區域之間擊穿之現象，從而避免了該三極管的 損壞。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0006] 下面結合附圖及較佳實施方式對本發明作進一步詳細描述。
[0007] 圖1為本發明三極管第一實施例之平面結構示意圖。
[0008] 圖2為本發明圖1中所示三極管沿II-II線第一實施例的剖面結構示意圖。
[0009] 圖3為本發明圖1中所示三極管沿II-II線第二實施例的剖面結構示意圖。
[0010] 圖4為本發明三極管第一實施例之等效電路結構示意圖。
[0011] 圖5為本發明三極管第二實施例之平面結構示意圖。
[0012] 圖6為本發明圖5中所示三極管沿VI-VI線第一實施例的剖面結構示意圖。
[0013] 圖7為本發明圖5中所示三極管沿VI-VI線第二實施例的剖面結構示意圖。
[0014] 圖8為本發明三極管第三實施例之平面結構示意圖。
[0015] 圖9為本發明圖8中所示三極管沿IX-IX線第一實施例的剖面結構示意圖。
[0016] 圖10為本發明圖8中所示三極管沿IX-IX線第二實施例的剖面結構示意圖。
[0017] 圖11為本發明三極管第三實施例之等效電路結構示意圖。
[0018] 主要元件符號說明
【權利要求】
1. 一種三極管，包括： 第一類型襯底； 一第二類型阱區； 一第一類型輕摻雜區域； 一第二類型高摻雜區域； 一第一類型高摻雜區域； 該第一類型高摻雜區域、該第二類型高摻雜區域、該第一類型輕摻雜區域、該第二類型 阱區及該第一類型襯底依次層疊設置，該第一類型輕摻區域為該三極管之集電極區域，該 第二類型高摻雜區域為該三極管之基極區域，該第一類型高摻雜區域為該三極管之發射極 區域，該第二類型阱區與該第二類型高摻雜區域被施加相同的電壓。
2. 如權利要求1所述的三極管，其特征在于，該三極管還包括自該第一類型高摻雜區 域引出第一金屬引線，自該第二類型高摻雜區域引出第二金屬引線，自該第一類型輕摻雜 區域引出第三金屬引線，及自該第二類型阱區引出的第四金屬引線；其中，該第一金屬引 線為該三極管之發射極，該第一類型高摻雜區域透過該第一金屬引線加載發射極電壓；該 第二金屬引線為該三極管之基極，該第二類型高摻雜區域透過該第二金屬引線加載基極電 壓；該第三金屬引線為該三極管之集電極，該第一類型輕摻雜區域透過該第三金屬引線加 載集電極電壓，該第二類型阱區透過該第四金屬引線加載與該第二類型高摻雜區域上加載 的電壓相同的電壓。
3. 如權利要求2所述的三極管，其特征在于，該第二金屬引線與該第四金屬引線透過 金屬布線電連接。
4. 如權利要求2所述的三極管，其特征在于，該三極管的表面覆蓋有絕緣層，其該絕緣 層分別對應該第一類型高摻雜區域開設第一開孔、對應該第二類型高摻雜區域開設第二開 孔、對應該第一類型輕摻雜區域開設第三開孔及對該第二類型阱區開設第四開孔，該三極 管分別自該第一開孔引出該第一金屬引線，自該第二開孔引出該第二金屬引線，自該第三 開孔引出該第三金屬引線，自該第四開孔引出該第四金屬引線。
5. 如權利要求4所述的三極管，其特征在于，該保護層還包括對應該第一類型襯底開 始的第五開孔，該三極管自該第五開孔引出第五金屬引線，該第五金屬引線接地。
6. 如權利要求4所述的三極管，其特征在于，該保護層為二氧化硅。
7. 如權利要求2所述的三極管，其特征在于，該三極管還包括對該第一類型高摻雜區 域進行第一類型摻雜形成的發射極歐姆接觸區，對該第二類型高摻雜區域進行第二類型摻 雜形成的基極歐姆接觸區，對該第一類型輕摻雜區域進行第二類型摻雜形成的基極歐姆接 觸區，對該第二類型阱區進行第二類型摻雜形成的阱區歐姆接觸區，該三極管透過該發射 極歐姆接觸區引出該第一金屬引線，透過該基極歐姆接觸區引出該第二金屬引線，透過該 基極歐姆接觸區引出該第三金屬引線，透過該阱區歐姆接觸區引出該第四金屬引線。
8. 如權利要求1所述的三極管，其特征在于，該第一類型襯底、該第二類型阱區、該第 一類型輕摻雜區域、該第二類型高摻雜區域為"凹"字型。
9. 如權利要求1所述的三極管，其特征在于，該第一類型為N型，該第二類型為P型。
10. 如權利要求1所述的三極管，其特征在于，該第一類型為P型，該第二類型為N型。
11. 如權利要求1所述的三極管，其特征在于，第二類型高摻雜區域還包括主體部及聯 通部，且該聯通部聯通并電連接該第二類型阱區及該主體部。
12. 如權利要求11所述的三極管，其特征在于，該第一類型輕摻雜區域包括第一部分 及第二部分，該第二部分位于該聯通部及該第一部分之間，該第一部分的摻雜濃度大于該 第二部分的摻雜濃度。
13. 如權利要求11所述的三極管，其特征在于，該第二類型阱區包括第一區域及第二 區域，該第一區域、該第一類型輕摻雜區域及該聯通部設置于該第二區域上，該第一區域鄰 近該第一部分的外側設置，該第一區域的摻雜濃度小于該第二區域的摻雜濃度。
【文檔編號】H01L21/331GK104518012SQ201310456663
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2013年9月30日 優先權日:2013年9月30日
【發明者】鄭志男 申請人:天鈺科技股份有限公司