三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的制備方法
【專利摘要】本發明涉及一種三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的制備方法，過程包括1.制備剛性復合襯底；2.在剛性復合襯底的聚酰亞胺膜上制備柔性太陽電池，所述的太陽電池中采用三步法制備銅銦鎵硒吸收層，然后在銅銦鎵硒吸收層上再制一層氟化鈉預置層；3.將聚酰亞胺膜與蘇打玻璃分離，完成剛性襯底制備三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的過程。本發明聚酰亞胺襯底依靠與玻璃之間的附著力，保證高溫時聚酰亞胺襯底不變形，生長出的柔性太陽電池不疏松、不脫落，生長吸收層前摻入鈉元素，進一步提升了吸收層的電學特性，實現了高轉換效率的柔性太陽電池。
【專利說明】三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的制備方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于太陽電池制作【技術領域】，特別是涉及一種三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的制備方法。
【背景技術】
[0002]銅銦鎵硒材料(CIGS)屬于1-1I1-VI族四元化合物半導體，具有黃銅礦的晶體結構。銅銦鎵硒薄膜太能電池自20世紀70年代出現以來，得到非常迅速的發展，并將逐步實現產業化。此電池有以下特點:①銅銦鎵硒的禁帶寬度可以在1.04ev-l.67ev范圍內調整。②銅銦鎵硒是一種直接帶隙半導體，對可見光的吸收系數高達105cm-l。銅銦鎵硒吸收層厚度只需1.5?2.5 μ m，整個電池的厚度為3?4μ m。③抗輻照能力強，比較適合作為空間電源。④轉換效率高。2010年德國太陽能和氫能研究中心(ZSW)研制的小面積銅銦鎵硒薄膜太陽電池轉換效率已高達20.3%。⑤弱光特性好。因此銅銦鎵硒多晶薄膜太陽電池有望成為下一代太陽電池的主流產品之一。
[0003]隨著科學技術的發展，越來越多的領域需要太陽電池即有較高的質量比功率，又能夠在惡劣環境中正常使用，這就促進了柔性太陽電池技術的發展。為實現既具有較高的質量比功率，又具有柔性、可折疊性和不怕摔碰的銅銦鎵硒薄膜太陽電池，聚酰亞胺(PI)為襯底的銅銦鎵硒薄膜太陽電池脫穎而出。然而由于聚酰亞胺的熱膨脹系數無法與銅銦鎵硒材料本身具有很好的匹配，并且在溫度較高時，作為襯底的聚酰亞胺會產生較大的形變，導致銅銦鎵硒薄膜較為疏松，容易脫落，而溫度較低時，生長出的銅銦鎵硒薄膜結晶質量較差，晶粒細小，缺陷較多，增加了載流子的復合，縮短了少子的壽命，進而影響了電池性能。
【發明內容】
[0004]本發明為解決公知技術中存在的技術問題而提供一種高溫時襯底不變形，生長出的銅銦鎵硒薄膜不脫落，并且銅銦鎵硒薄膜結晶質量好，晶粒大，缺陷少，電學特性好的三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的制備方法。
[0005]本發明包括如下技術方案:
[0006]三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的制備方法，其特點是:包括以下制備步驟:
[0007]步驟1.制備聚酰亞胺膜-蘇打玻璃構成的剛性復合襯底；
[0008]步驟2.在剛性復合襯底的聚酰亞胺膜上制備后摻鈉柔性太陽電池；制備過程包括:在步驟I的聚酰亞胺膜上依次制備Mo背接觸層、銅銦鎵硒吸收層、氟化鈉預置層、硫化鎘緩沖層、透明窗口層和上電極；所述銅銦鎵硒吸收層的制備過程包括:制有Mo背接觸層的剛性復合襯底置于薄膜制備系統的硒化爐中；⑴將硒化爐抽真空，剛性復合襯底溫度為350-400°C，共蒸發In、Ga、Se，其中In蒸發源溫度為850-900°C，Ga蒸發源溫度為880-920°C, Se蒸發源溫度為240_280°C，蒸發時間為15_20min，控制原子比例In:Ga=0.7:0.3, (In+Ga):Se為2:3 J2)剛性復合襯底升溫至550_580°C，共蒸發Cu、Se，其中Cu蒸發源溫度為1120-1160°C，Se蒸發源溫度為240_280°C，蒸發時間為15_20min 剛性復合襯底溫度保持550-580°C，共蒸發In、Ga、Se，其中In蒸發源溫度為850-900°C，Ga蒸發源溫度為880-920°C，Se蒸發源溫度為240_280°C，In和Ga的蒸發時間為2_4min，控制Cu/(In+Ga)在0.88-0.92，襯底冷卻到350_400°C，關閉Se蒸發源，剛性復合襯底冷卻到25°C時，背接觸層上形成1.5-2 μ m厚的p-CIGS薄膜，即為銅銦鎵硒吸收層；所述氟化鈉預置層的制備過程包括:制有銅銦鎵硒吸收層的剛性復合襯底置于薄膜制備系統的硒化爐中，將硒化爐抽真空，襯底溫度為200-300°C，NaF蒸發源的溫度達到800_850°C時，蒸發l_2min ；襯底溫度達到400-450°C，在Se氣氛下進行退火，其中Se蒸發源的溫度為240_280°C，退火時間為20-30min ;銅銦鎵硒吸收層上形成化學分子式為NaF、厚度為20_30nm的氟化鈉預置層。
[0009]步驟3.將聚酰亞胺膜與蘇打玻璃分離，完成剛性襯底制備三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的過程。
[0010]本發明還可以采用如下技術措施:
[0011]步驟I中剛性復合襯底的制備過程包括:⑴對蘇打玻璃進行表面清洗#)將聚酰亞胺膠均勻涂覆于蘇打玻璃表面，形成聚酰亞胺預制膜；(3)將涂有聚酰亞胺預制膜的蘇打玻璃放入烘箱內進行固化，即得到聚酰亞胺膜-蘇打玻璃構成的剛性復合襯底。
[0012]步驟3中聚酰亞胺膜與蘇打玻璃分離過程包括:⑴將制有三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的剛性復合襯底放入真空烘箱，加熱至80-90°C，持續2-3min J2)將剛性復合襯底取出蘸入零下100°C的液氮后，自然回復至室溫，聚酰亞胺膜自動從蘇打玻璃上脫落，完成剛性襯底制備三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的過程。
[0013]本發明具有的優點和積極效果:
[0014]1、本發明采用三步法制備銅銦鎵硒吸收層，并在制備吸收層上再制一層氟化鈉預置層，使鈉元素摻入到銅銦鎵硒吸收層中，可以進一步提升的電學特性；采用聚酰亞胺膜-蘇打玻璃剛性復合襯底，充分利用了蘇打玻璃與銅銦鎵硒吸收層熱膨脹系數接近和耐高溫的特點，聚酰亞胺依靠與玻璃之間的附著力，高溫時聚酰亞胺襯底不變形，生長出的銅銦鎵硒薄膜不疏松、不脫落，并且銅銦鎵硒薄膜結晶質量好，晶粒大，缺陷少，分離掉剛性的蘇打玻璃后，實現了具有較大柱狀晶粒高轉換效率的三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池。
[0015]2、本發明將聚酰亞胺膠涂于玻璃表面，可以較好改善襯底的粗糙度；具有制備工藝簡單、易于實施，制備出的產品能夠適應于各種環境，具有極其廣泛的應用前景。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1是本發明在剛性復合襯底上制備的三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池分離剛性襯底前的示意圖。
[0017]圖中，1-蘇打玻璃，2-聚酰亞胺膜，3-背接觸層，4-銅銦鎵硒吸收層，5-氟化鈉預置層，6-硫化鎘緩沖層，7-透明窗口層，8-上電極。
【具體實施方式】
[0018]為能進一步公開本發明的
【發明內容】
、特點及功效，特例舉以下實例并結合附圖進行詳細說明如下:
[0019]三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的制備方法，包括以下制備步驟:
[0020]步驟1.制備聚酰亞胺膜2-蘇打玻璃I構成的剛性復合襯底；
[0021]步驟2.在剛性復合襯底的聚酰亞胺膜上制備后摻鈉柔性太陽電池；制備過程包括:在步驟I的聚酰亞胺膜上依次制備Mo背接觸層3、銅銦鎵硒吸收層4、氟化鈉預置層5、硫化鎘緩沖層6、透明窗口層7和上電極8 ;所述銅銦鎵硒吸收層的制備過程包括:制有Mo背接觸層的剛性復合襯底置于薄膜制備系統的硒化爐中；⑴將硒化爐抽真空，剛性復合襯底溫度為350-400°C，共蒸發In、Ga、Se，其中In蒸發源溫度為850-900°C，Ga蒸發源溫度為880-920°C，Se蒸發源溫度為240_280°C，蒸發時間為15_20min，控制原子比例In:Ga=0.7:0.3, (In+Ga):Se為2:3 #)剛性復合襯底升溫至550_580°C，共蒸發Cu、Se，其中Cu蒸發源溫度為1120-1160°C，Se蒸發源溫度為240_280°C，蒸發時間為15_20min 剛性復合襯底溫度保持550-580°C，共蒸發In、Ga、Se，其中In蒸發源溫度為850-900°C，Ga蒸發源溫度為880-920°C，Se蒸發源溫度為240_280°C，In和Ga的蒸發時間為2_4min，控制Cu/(In+Ga)在0.88-0.92，襯底冷卻到350_400°C，關閉Se蒸發源，剛性復合襯底冷卻到25°C時，背接觸層上形成1.5-2 μ m厚的p-CIGS薄膜，即為銅銦鎵硒吸收層；所述氟化鈉預置層的制備過程包括:制有銅銦鎵硒吸收層的剛性復合襯底置于薄膜制備系統的硒化爐中，將硒化爐抽真空，襯底溫度為200-300°C，NaF蒸發源的溫度達到800_850°C時，蒸發l_2min ；襯底溫度達到400-450°C，在Se氣氛下進行退火，其中Se蒸發源的溫度為240_280°C，退火時間為20-30min ;銅銦鎵硒吸收層上形成化學分子式為NaF、厚度為20_30nm的氟化鈉預置層。
[0022]步驟3.將聚酰亞胺膜與蘇打玻璃分離，完成剛性襯底制備三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的過程。
[0023]所述步驟I中剛性復合襯底的制備過程包括:⑴對蘇打玻璃進行表面清洗；⑵將聚酰亞胺膠均勻涂覆于蘇打玻璃表面，形成聚酰亞胺預制膜；(3)將涂有聚酰亞胺預制膜的蘇打玻璃放入烘箱內進行固化，即得到聚酰亞胺膜-蘇打玻璃構成的剛性復合襯底。
[0024]所述步驟3中聚酰亞胺膜與蘇打玻璃分離過程包括:⑴將制有三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的剛性復合襯底放入真空烘箱，加熱至80-90°C，持續2-3min ;⑵將剛性復合襯底取出蘸入零下100°C的液氮后，自然回復至室溫，聚酰亞胺膜自動從蘇打玻璃上脫落，完成剛性襯底制備三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的過程。
[0025]實施例:
[0026]1、制備聚酰亞胺膜-蘇打玻璃剛性復合襯底
[0027]⑴清洗蘇打玻璃:將1cmX 10cm、厚度為1.5_2mm的蘇打玻璃放入重鉻酸鉀溶液中浸泡2h，將蘇打玻璃取出用去離子水沖洗；將沖洗潔凈的蘇打玻璃置于濃度為99.5%的丙酮溶液中，放入超聲波清洗機中，超聲波頻率為20-30kHz，清洗20-25min ;將蘇打玻璃從丙酮溶液中取出，用去離子水沖洗后，再將蘇打玻璃置于濃度為99.7%的酒精中，放入超聲波清洗機中，超聲波頻率為20-30kHz，清洗20-25min ;最后將蘇打玻璃從酒精中取出，放入盛有去離子水的燒杯中，在超聲波清洗機中超聲波頻率為20-30kHz，每20-25min清洗一遍，共清洗三遍；
[0028]⑵制備聚酰亞胺預制膜:把清洗過后的蘇打玻璃用氮氣吹干，放在勻膠機的轉盤上，將聚酰亞胺膠涂覆于蘇打玻璃表面，以1300-1500r/min的轉速勻速勻膠35_45s，蘇打玻璃表面形成聚酰亞胺預制膜；
[0029]⑶固化聚酰亞胺預制膜:將有聚酰亞胺預制膜的蘇打玻璃放入烘箱，10_20min，烘箱溫度從 25°C升至 125-135°C ;125_135°C維持 20_30min ;5_10min，烘箱溫度從 125_135°C升至 150-160 °C ; 150-160 °C 維持 10_15min ；5-10min,烘箱溫度從 150-160 °C 升溫至200-2100C ;200-210°C 維持 15_20min ;5_10min,烘箱溫度從 200_210°C 升至 250-260°C ；250-260°C維持 15-20min ;5_10min，將烘箱溫度從 250_260°C升至 340_350°C ;340-350°C維持10-15min，然后自然降至25°C，聚酰亞胺預制膜固化在蘇打玻璃上，蘇打玻璃上面形成一層25-30 μ m的聚酰亞胺膜，完成聚酰亞胺膜-蘇打玻璃形成的剛性復合襯底的制作過程。
[0030]2、在剛性復合襯底上制作柔性太陽電池
[0031]⑴制作背接觸層:直流磁控濺射沉積系統的沉積室中，純度為99.99%的Mo為靶材沉積在剛性復合襯底的聚酰亞胺膜上；制作過程為:沉積室中真空度為3.0X10_4Pa，工作氣壓l_2Pa，剛性復合襯底溫度25-50°C，射頻功率500-700W，Ar氣流量30-50sccm，靶材以4-6mm/s的速度在剛性復合襯底的聚酰亞胺膜上方往復行走2_4次，聚酰亞胺膜上沉積一層80-120nm厚的高阻層Mo薄膜；再將工作氣壓調制0-0.5Pa，剛性復合襯底溫度保持25-50°C，射頻功率1500-2000W，Ar氣流量15_50sccm，靶材仍以4-6mm/s速度在高阻層Mo薄膜表面往復行走4-6次，高阻層Mo薄膜表面形成600-700nm厚的低阻層Mo薄膜，高阻層Mo薄膜和低阻層Mo薄膜構成了 Mo背接觸層；
[0032]⑵制作銅銦鎵硒吸收層:制有Mo背接觸層的剛性復合襯底置于薄膜制備系統的硒化爐中，采用共蒸發三步法在背接觸層上制作銅銦鎵硒吸收層；制作過程包括:①硒化爐真空度為3.0X 10_4Pa，剛性復合襯底溫度為350-400°C，背接觸層上共蒸發In、Ga、Se，其中In蒸發源溫度為850-900°C，Ga蒸發源溫度為880-920°C，Se蒸發源溫度為240_280°C，蒸發時間為15-20min，控制原子比例In:Ga=0.7:0.3, (In+Ga)/Se=2:3 ;②剛性復合襯底升溫至550-580°C，共蒸發Cu、Se，其中Cu蒸發源溫度為1120_1160°C，Se蒸發源溫度為240-280°C，蒸發時間為15-20min ;③剛性復合襯底溫度保持550_580°C，共蒸發In、Ga、Se，其中In蒸發源溫度為850-900°C，Ga蒸發源溫度為880-920°C，Se蒸發源溫度為240-280°C, In和Ga的蒸發時間為2_4min，當襯底冷卻到350-400°C時，關閉Se蒸發源，再將襯底冷卻到25°C，控制Cu/(In+Ga)比例在0.88-0.92，背接觸層上形成1.5-2 μ m厚的p-CIGS薄膜，即為銅銦鎵硒吸收層；p_CIGS薄膜的化學分子式為CuIrvxGaxSe2，式中x為0.25-0.35，導電類型為P型的稍微貧Cu的銅銦鎵硒黃銅礦結構；
[0033]⑶制作氟化鈉預置層:制有銅銦鎵硒吸收層的剛性復合襯底置于薄膜制備系統的硒化爐中，采用共蒸發法在銅銦鎵硒吸收層上制作氟化鈉預置層；制作過程包括:硒化爐真空度為8.0X 10_4Pa，剛性復合襯底溫度為200-300°C，NaF蒸發源的溫度達到800_850°C時，蒸發l_2min ;剛性復合襯底溫度達到400-450°C，在Se氣氛下進行退火，其中Se蒸發源的溫度為240-280°C，退火時間為20-30min ;銅銦鎵硒吸收層上形成化學分子式為NaF、厚度為20-30nm的氟化鈉預置層；
[0034]⑷制作硫化鎘緩沖層:采用化學水浴法在氟化鈉預置層上制作硫化鎘緩沖層，制作過程包括:①配置濃度為0.01mol/L的硫脲SC(NH2)2溶液；醋酸鎘(CH3COO)2Cd和醋酸氨CH3COONH4混合溶液，其中醋酸鎘溶液濃度為0.0Olmol/L，醋酸氨溶度為0.003mol/L ;濃度為1.3X 10_3mol/L的氨水NH3.H2O溶度；②將25mL硫脲溶液、25mL醋酸鎘和醋酸氨混合溶液、4滴氨水溶液在燒杯中攪拌均勻；③將制有氟化鈉預置層的剛性復合襯底放入燒杯中，并將燒杯放入水浴鍋內；水浴溫度設置為78-80°C，反應50-60min ;④取出襯底，用去離子水沖洗干凈，氟化鈉預置層表面形成一層化學分子式為CdS，導電類型為η型，厚度為45-50nm的n-CdS層作為硫化鎘緩沖層；
[0035](5)制作透明窗口層:制有硫化鎘緩沖層的剛性復合襯底置于射頻磁控濺射制備系統的沉積室中，以純度為99.99%的1-ZnO為靶材，沉積室中真空度調制3.0X 10_4Pa，剛性復合襯底溫度為25-50°C，射頻功率為800-1000W，Ar氣流量為10-20sCCm，O2氣流量為2-6sccm,祀材在硫化鎘緩沖層上以2-6mm/s的速度行走6_10次,硫化鎘緩沖層表面沉積一層50-100nm厚的i_ZnO高阻本征氧化鋅薄膜；制有高阻本征氧化鋅薄膜的剛性復合襯底置于直流磁控濺射制備系統的沉積室中，以純度為99.99%的ZnO = Al為靶材，沉積室中真空度調至3.0X 10_4Pa，剛性復合襯底溫度為25°C，直流功率為1000-1200W，Ar氣流量為12-18sccm,祀材在高阻本征氧化鋅薄膜上以2_6mm/s速度行走10-15次,高阻本征氧化鋅薄膜表面沉積一層0.4-0.6 μ m厚的η-Ζη0:Α1低阻氧化鋅鋁薄膜；高阻本征氧化鋅薄膜和低阻氧化鋅鋁薄膜構成了 η型導電類型的透明窗口層；
[0036](6)制作上電極:
[0037]制有透明窗口層的剛性復合襯底上的透明窗口層朝下置于共蒸發制備系統的蒸發室中，掛有鋁條的鑰(Mo)加熱絲位于透明窗口層的正下方，蒸發室中真空度調制3.0X l(T4Pa，加熱絲分別通20Α電流持續l_2min、通50A電流持續l_2min、通80A電流持續l-2min、通120A電流持續5_8min，停止加熱，加熱絲自然冷卻到室溫，透明窗口層表面形成兩條相互平行、0.8-1.5 μ m厚的Al薄膜作為上電極，形成如圖1所示分離剛性襯底前的后摻鈉柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池；
[0038](7)分離剛性復合襯底:
[0039]將制有柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池的剛性復合襯底放入真空烘箱，加熱至80-90°C，持續2-3min后，將剛性復合襯底取出蘸入零下100°C的液氮后，室溫環境中自然回復至室溫，聚酰亞胺膜自動從蘇打玻璃上脫落，完成剛性襯底上制作的三步法吸收層后摻鈉柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池的過程。
[0040]盡管上面結合附圖對本發明的優選實施例進行了描述，但是本發明并不局限于上述的【具體實施方式】，上述的【具體實施方式】僅僅是示意性的，并不是限制性的，本領域的普通技術人員在本發明的啟示下，在不脫離本發明宗旨和權利要求所保護的范圍情況下，還可以作出很多形式。這些均屬于本發明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的制備方法，其特征在于:包括以下制備步驟: 步驟1.制備聚酰亞胺膜-蘇打玻璃構成的剛性復合襯底； 步驟2.在剛性復合襯底的聚酰亞胺膜上制備后摻鈉柔性太陽電池；制備過程包括:在步驟I的聚酰亞胺膜上依次制備Mo背接觸層、銅銦鎵硒吸收層、氟化鈉預置層、硫化鎘緩沖層、透明窗口層和上電極；所述銅銦鎵硒吸收層的制備過程包括:制有Mo背接觸層的剛性復合襯底置于薄膜制備系統的硒化爐中；⑴將硒化爐抽真空，剛性復合襯底溫度為350-400°C，共蒸發In、Ga、Se，其中In蒸發源溫度為850-900°C，Ga蒸發源溫度為880-920°C, Se蒸發源溫度為240_280°C，蒸發時間為15_20min，控制原子比例In:Ga=0.7:0.3, (In+Ga):Se為2:3 J2)剛性復合襯底升溫至550_580°C，共蒸發Cu、Se，其中Cu蒸發源溫度為1120-1160°C，Se蒸發源溫度為240_280°C，蒸發時間為15_20min 剛性復合襯底溫度保持550-580°C，共蒸發In、Ga、Se，其中In蒸發源溫度為850-900°C，Ga蒸發源溫度為880-920°C，Se蒸發源溫度為240_280°C，In和Ga的蒸發時間為2_4min，控制Cu/(In+Ga)在0.88-0.92，襯底冷卻到350_400°C，關閉Se蒸發源，剛性復合襯底冷卻到25°C時，背接觸層上形成1.5-2 μ m厚的p-CIGS薄膜，即為銅銦鎵硒吸收層；所述氟化鈉預置層的制備過程包括:制有銅銦鎵硒吸收層的剛性復合襯底置于薄膜制備系統的硒化爐中，將硒化爐抽真空，襯底溫度為200-300°C，NaF蒸發源的溫度達到800_850°C時，蒸發l_2min ；襯底溫度達到400-450°C，在Se氣氛下進行退火，其中Se蒸發源的溫度為240_280°C，退火時間為20-30min ;銅銦鎵硒吸收層上形成化學分子式為NaF、厚度為20_30nm的氟化鈉預置層。 步驟3.將聚酰亞胺膜與蘇打玻璃分離，完成剛性襯底制備三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的過程。
2.根據權利要求1所述的三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的制備方法，其特征在于:步驟I中剛性復合襯底的制備過程包括:⑴對蘇打玻璃進行表面清洗M)將聚酰亞胺膠均勻涂覆于蘇打玻璃表面，形成聚酰亞胺預制膜；(3)將涂有聚酰亞胺預制膜的蘇打玻璃放入烘箱內進行固化，即得到聚酰亞胺膜-蘇打玻璃構成的剛性復合襯底。
3.根據權利要求1所述的三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的制備方法，其特征在于:步驟3中聚酰亞胺膜與蘇打玻璃分離過程包括:⑴將制有三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的剛性復合襯底放入真空烘箱，加熱至80-90°C，持續2-3min ;⑵將剛性復合襯底取出蘸入零下100°C的液氮后，自然回復至室溫，聚酰亞胺膜自動從蘇打玻璃上脫落，完成剛性襯底制備三步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的過程。
【文檔編號】H01L31/20GK104425655SQ201310395080
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年9月3日 優先權日:2013年9月3日
【發明者】李微, 張嘉偉, 趙彥民, 喬在祥 申請人:中國電子科技集團公司第十八研究所