環境敏感電子元件封裝體的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種環境敏感電子元件封裝體，包括第一基板、第二基板、環境敏感電子元件、側壁阻障結構以及填充層。第一基板具有至少一預定撓曲區域。第二基板配置于第一基板上方。環境敏感電子元件配置于第一基板上，且位于第一基板與第二基板之間。側壁阻障結構位于第一基板與第二基板之間，其中側壁阻障結構環繞環境敏感電子元件。側壁阻障結構具有撓曲應力分散結構，其中撓曲應力分散結構位于預定撓曲區域內。填充層位于第一基板與第二基板之間，且包覆側壁阻障結構及環境敏感電子元件。
【專利說明】環境敏感電子元件封裝體
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種封裝體，特別是涉及一種環境敏感電子元件封裝體。
【背景技術】
[0002]隨著顯示技術的進步，顯示器已朝向薄型化及可撓式發展，其中又以軟性顯示器(可撓性顯示器)逐漸成為顯示器往后發展的主要方向。利用可撓性基板取代傳統硬質基板來制作軟性顯示器，其可卷曲、方便攜帶、符合安全性及產品應用廣，但其較不耐高溫、水、氧氣阻絕性較差、耐化學藥品性較差及熱膨脹系數大。典型的可撓性基板可用來承載電子元件及/或用來作為蓋板(cover)以對電子元件進行封裝，由于可撓性基板并無法完全阻隔水氣及氧氣的穿透，因此水氣及氧氣的滲入將加速可撓性基板上之電子元件老化，進而導致電子元件的壽命減短。
[0003]為解決上述問題,部分現有技術是采用側壁阻障(side wall barrier)結構來增加軟性顯示器的側向阻水、氧氣能力，其中側壁阻障結構是形成于可撓性基板上，并且利用膠材使側壁阻障結構與另一可撓性基板貼合，以提高軟性顯示器阻水、氧氣的能力。然而，軟性顯示器在長時間撓曲下，可能造成側壁阻障結構產生形變或破壞的情形，以致無法有效阻絕外界水氣或氧氣的入侵。
【發明內容】
[0004]本發明實施例提供一種環境敏感電子元件封裝體，以改善環境敏感電子元件封裝體在長時間撓曲下，其側壁阻障結構產生形變或破壞的問題。
[0005]本發明實施例提出一種環境敏感電子元件封裝體，其包括第一基板、第二基板、環境敏感電子元件、至少一側壁阻障結構以及填充層。第一基板具有至少一預定撓曲區域。第二基板配置于第一基板上方。環境敏感電子兀件配置于第一基板上，且于第一基板與第二基板之間。側壁阻障結構位于第一基板與第二基板之間，其中側壁阻障結構環繞環境敏感電子元件，且側壁阻障結構具有至少一撓曲應力分散結構。撓曲應力分散結構位于預定撓曲區域內。填充層位于第一基板與第二基板之間，且包覆側壁阻障結構及環境敏感電子元件。
[0006]在本發明的一實施例中,側壁阻障結構配置于第一基板上。
[0007]在本發明的一實施例中，側壁阻障結構配置于第二基板上
[0008]在本發明的一實施例中，側壁阻障結構包括:
[0009]至少一第一側壁阻障結構，配置于該第一基板上；以及
[0010]至少一第二側壁阻障結構，配置于該第二基板上，其中該第一側壁阻障結構與該第二側壁阻障結構交替排列于該第一基板與該第二基板之間。
[0011]在本發明的一實施例中，側壁阻障結構的截面包括多邊型、圓型或橢圓型，且截面
垂直于第一基板。
[0012]在本發明的一實施例中，側壁阻障結構包括:[0013]一阻障層，位于該第一基板或該第二基板上；以及
[0014]一包覆層，其中該包覆層覆蓋該阻障層。
[0015]在本發明的一實施例中，側壁阻障結構包括底面積為直線型的環狀結構。
[0016]在本發明的一實施例中，側壁阻障結構包括底面積為非直線型的環狀結構。
[0017]在本發明的一實施例中，側壁阻障結構包括底面積為直線型與非直線型組合的環狀結構。
[0018]在本發明的一實施例中，撓曲應力分散結構的數量為多個，撓曲應力分散結構的底面積為直線型，且平行排列于預定撓曲區域內。
[0019]在本發明的一實施例中，撓曲應力分散結構的數量為多個，撓曲應力分散結構的底面積為直線型，且行列交錯排列于預定撓曲區域內。
[0020]在本發明的一實施例中，撓曲應力分散結構的數量為多個，撓曲應力分散結構的底面積為非直線型，且交替排列于預定撓曲區域內。
[0021]在本發明的一實施例中，撓曲應力分散結構的數量為多個，撓曲應力分散結構的底面積為非直線型，且不規則分布于預定撓曲區域內。
[0022]在本發明的一實施例中，撓曲應力分散結構的數量為多個，撓曲應力分散結構的俯視形狀為網格狀結構，且規律排列于預定撓曲區域內。
[0023]在本發明的一實施例中，撓曲應力分散結構的數量為多個，撓曲應力分散結構的底面積為島狀，且不規則分布于預定撓曲區域內。
[0024]在本發明的一實施例中，撓曲應力分散結構及側壁阻障結構與第一基板或該第二基板為相同材質所構成，且材質為金屬或玻璃。基于上述，由于本發明實施例的環境敏感電子元件封裝體的基板具有預定撓曲區域，其中預定撓曲區域內的側壁阻障結構具有撓曲應力分散結構，如此可避免環境敏感電子元件封裝體在長時間撓曲下，造成側壁阻障結構產生形變或破壞的情形，以確保環境敏感電子元件封裝體阻水、氧氣的能力，進而有效延長環境敏感電子元件的壽命。
[0025]為讓本發明能更明顯易懂，以下特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0026]圖1A是本發明第一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖；
[0027]圖1B是圖1A的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0028]圖1C是圖1B的環境敏感電子元件封裝體沿1-1’剖面線的局部剖面示意圖；
[0029]圖1C’是其它可能實施例的環境敏感電子元件封裝體的局部剖面示意圖；
[0030]圖1D是本發明第一實施例的另一環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖；
[0031]圖1E是本發明第一實施例的又一環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。
[0032]圖2是本發明第二實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0033]圖3是本發明第三實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0034]圖4是本發明第四實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0035]圖5是本發明第五實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0036]圖6a是本發明第六實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0037]圖6b至圖6c是圖6a其它可能實施例的撓曲應力分散結構的波浪型結構的局部示意圖；
[0038]圖7是本發明第七實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0039]圖8是本發明第八實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0040]圖9a是本發明第九實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0041]圖9b至圖9f是圖9a其它可能實施例的撓曲應力分散結構的網格結構的局部示意圖；
[0042]圖10是本發明第十實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0043]圖11是本發明第十一實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0044]圖12是本發明第十二實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0045]圖13是本發明第十三實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖；
[0046]圖14是本發明第十四實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。
[0047]附圖標記
[0048]100A、100A’、100A”:環境敏感電子元件封裝體
[0049]100B~100N:環境敏感電子元件封裝體
[0050]110:第一基板120:第二基板
[0051]130:環境敏感電子元件`132:導線
[0052]140:側壁阻障結構140a:阻障層
[0053]140b:包覆層142:撓曲應力分散結構
[0054]142a~142e:撓曲應力分散結構 142e_l、142e_2:撓曲應力分散結構
[0055]142f~142h:撓曲應力分散結構 142h_l~142h_5:撓曲應力分散結構
[0056]142?~142m:撓曲應力分散結構 144:第一側壁阻障結構
[0057]146:第二側壁阻障結構150:填充層
[0058]PFA:預定撓曲區域
【具體實施方式】
[0059]圖1A是本發明第一實施例的環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。圖1B是圖1A的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。圖1C是圖1B的環境敏感電子元件封裝體沿1-1’剖面線的局部剖面示意圖。圖1C’是其它可能實施例的環境敏感電子元件封裝體的局部剖面示意圖。請參考圖1A以及圖1B，在本實施例中，環境敏感電子元件封裝體100A包括第一基板110、第二基板120、環境敏感電子元件130、至少一側壁阻障結構140以及填充層150。第一基板110具有至少一預定撓曲區域PFA。第二基板120配置于第一基板110上方。環境敏感電子兀件130配置于第一基板110上,且位于第一基板110與第二基板120之間。側壁阻障結構140位于第一基板110與第二基板120之間，其中側壁阻障結構140環繞環境敏感電子元件130，且側壁阻障結構140具有至少一撓曲應力分散結構142。撓曲應力分散結構142位于預定撓曲區域PFA內。填充層150位于第一基板110與第二基板120之間，且包覆側壁阻障結構140及環境敏感電子元件130。
[0060]在本實施例中，第一基板110與第二基板120例如是可撓性基板，其中可撓性基板的材質可為聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚間苯二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate, PEN)、聚醚石風(Polyethersulfone, PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate, PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚亞酸胺(PI)或金屬箔(metal foil)。當然,第一基板110與第二基板120也可以是硬質基板,其中硬質基板例如是金屬或玻璃基板，本發明在此并不加以限制。
[0061]環境敏感電子元件130例如是主動式環境敏感電子顯示元件或被動式環境敏感電子顯示元件，其中主動式環境敏感電子顯示元件例如是一主動型矩陣有機發光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode, AM-0LED)或者是主動型矩陣電泳顯不器(Active Matrix Electro Phoretic Display, AM-EF1D),俗稱電子紙，或者是主動型矩陣液晶顯示器(Active Matrix Liquid Crystal Display, AM-1XD),或者是主動型矩陣藍相液晶顯不器(Active Matrix Blue Phase Liquid Crystal Display)。被動式環境敏感電子顯示元件則例如是被動驅動式有機電激發光元件陣列基板(Passive Matrix0LED, PM-0LED)或者是超扭轉向列型液晶顯不器(Super Twisted Nematic Liquid CrystalDisplay, STN-LCD)。此外，環境敏感電子元件封裝體100A還包括一導線132。導線132配置于第一基板110上，以電性連接至環境敏感電子元件130，一般而言，導線132例如是通過濕式涂布法而形成于第一基板110上的金屬導線層。
[0062]另一方面，如圖1C’所示，在其它可能的實施例中，環境敏感電子元件130也可以是配置于第二基板120上，本發明在此并不加以限制。
[0063]請參考圖1A以及圖1C，側壁阻障結構140的數量例如是多個，其中側壁阻障結構140垂直于第一基板110的截面可以是多邊型、圓型或橢圓型。具體而言，在本實施例中，側壁阻障結構140垂直于第一基板110的截面是以梯型為例作說明。進一步詳言之，側壁阻障結構140例如是配置于第一基板110上，且側壁阻障結構140可進一步包括阻障層140a以及包覆層140b，其中阻障層140a位于第一基板110上并且由包覆層140b所覆蓋。
[0064]一般而言，阻障層140a的材質例如是有機材料、金屬材料、無機材料或有機與無機的混合材料，其中阻障層140a例如是有機光阻材料，如感光型聚亞酰胺(Photosensitive PI)借由曝光、顯影及蝕刻等制造工程形成于第一基板110上。另一方面，包覆層140b可以是無機材料或金屬材料，其中無機材料例如是硅化物或鋁化物，且硅化物可以是硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或硅氮氧化物(SiNxOy )等，而鋁化物則例如是如氧化鋁(Al2O3),且前述無機材料例如是通過化學氣相沉積法、蒸鍍法或濺鍍法等方法形成于阻障層140a上。另一方面，金屬材料例如是鑰、鈦、鋁或鉻，且前述金屬材料例如是借由濺鍍法、蒸鍍法或濕式涂布法等方法形成于阻障層140a上。在此必須說明的是，阻障層140a、包覆層140b與第一基板110也可為相同材質所構成，例如是金屬或玻璃等材質經由曝光、顯影及蝕刻等制造工程形成于第一基板110上，本發明在此并不加以限制。
[0065]請參考圖1B及圖1C，在本實施例中，側壁阻障結構140例如是底面積為直線型的環狀結構，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140例如是借由蝕刻等制造工程而形成多個撓曲應力分散結構142。更具體而言，于預定撓曲區域PFA內形成撓曲應力分散結構142的方法例如是在阻障層140a上形成包覆層140b之前，首先蝕刻預定撓曲區域PFA內的阻障層140a的部分結構，直至暴露出第一基板110，但以不蝕刻到第一基板110的表面為原貝U。之后，再于阻障層140a上形成包覆層140b，以于預定撓曲區域PFA內形成撓曲應力分散結構142。換言之，撓曲應力分散結構142也屬于側壁阻障結構140的一部分，且任兩相鄰撓曲應力分散結構142例如是通過阻障層140a相互連接而形成一連續性結構。當然，在其它未示出的實施例中，任兩相鄰的側壁阻障結構140或撓曲應力分散結構142也可以是互不相連的非連續性結構，本發明在此并不加以限制。
[0066]在其它未示出的實施例中，側壁阻障結構140也可以是僅具有阻障層140a的單層阻氣結構，其中撓曲應力分散結構142例如是借由蝕刻阻障層140a后所形成。更具體而言，于預定撓曲區域PFA內形成撓曲應力分散結構142的方法例如是首先于第一基板110上形成阻障層140a。之后，蝕刻預定撓曲區域PFA內的阻障層140a，且以不暴露出第一基板110的表面為原則，以于預定撓曲區域PFA內形成撓曲應力分散結構142。一般而言，任兩相鄰的撓曲應力分散結構142例如是借由阻障層140a相互連接，此外，撓曲應力分散結構142也可借由阻障層140a與預定撓曲區域PFA外的側壁阻障結構140相互連接。
[0067]另一方面，本實施例的預定撓曲區域PFA的數量例如是一個，其中撓曲應力分散結構142的底面積例如是直線型，且撓曲應力分散結構142平行排列于預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100A沿預定撓曲區域PFA褶彎時，撓曲應力分散結構142的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。
[0068]請繼續參考圖1A，填充層150例如是膠材通過紫外光固化或熱固化所形成。膠材的材質例如是亞克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(expoxy)。在本實施例中,填充層150在未固化前的型態例如是片狀(Sheet type)膠材或液態狀(liquid type)膠材。
[0069]簡言之，環境敏感電子元件封裝體100A的側壁阻障結構140具有底面積為直線型的撓曲應力分散結構142，可避免側壁阻障結構140因長時間撓曲而產生形變或破壞的情形，從而確保環境敏感電子元件封裝體100A阻水氧的能力，以有效延長環境敏感電子元件130的壽命。此外，雖然本實施例的環境敏感電子元件封裝體100A的側壁阻障結構140是以環繞環境敏感電子元件130的四周的連續環狀結構，且環狀結構的底面積為直線型以作說明，但并非用以限制本發明的范疇。換言之，在其它可能的實施例中，本發明的側壁阻障結構例如是僅配置于環境敏感電子元件的任一側的線狀結構，或者是環繞環境敏感電子元件的U型結構或L型結構，也可以是環繞環境敏感電子元件的其它非連續結構，其中上述結構的底面積可以是直線型或非直線型。
[0070]圖1D是本發明第一實施例的另一環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。如圖1D所示，圖1D的環境敏感電子元件封裝體100A’與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A大致上相同或相似，其不同之處在于:圖1D的環境敏感電子元件封裝體100A’的側壁阻障結構140例如是配置于第二基板120上，且側壁阻障結構140可進一步包括阻障層140a以及包覆層140b，其中阻障層140a位于第二基板120上并且由包覆層140b所覆蓋。一般而言，阻障層140a的材質例如是有機材料、金屬材料、無機材料或有機與無機的混合材料,其中阻障層140a例如是有機光阻材料,如感光型聚亞酰胺(Photosensitive PI)借由曝光、顯影及蝕刻等制造工程形成于第二基板120上。另一方面，包覆層140b可以是無機材料或金屬材料，其中無機材料例如是硅化物或鋁化物，且硅化物可以是硅氮化物(SiNx )、硅氧化物(SiOx)或硅氮氧化物(SiNxOy)等，而鋁化物則例如是如氧化鋁Al2O3,且前述無機材料例如是通過化學氣相沉積法、蒸鍍法或濺鍍法等方法形成于阻障層140a上。另一方面，金屬材料例如是鑰、鈦、鋁或鉻，且前述金屬材料例如是借由濺鍍法、蒸鍍法或濕式涂布法等方法形成于阻障層140a上。在此必須說明的是，阻障層140a、包覆層140b與第二基板120也可為相同材質所構成，例如是金屬或玻璃等材質經由曝光、顯影及蝕刻等制造工程形成于第一基板110上，本發明在此并不加以限制。
[0071]圖1E是本發明第一實施例的又一環境敏感電子元件封裝體的剖面示意圖。如圖1E所示，圖1E的環境敏感電子元件封裝體100A”與圖1A的環境敏感電子元件封裝體100A大致上相同或相似，其不同之處在于:圖1E的環境敏感電子元件封裝體100A”的側壁阻障結構140可進一步包括第一側壁阻障結構144以及第二側壁阻障結構146。第一側壁阻障結構144配置于第一基板110上。第二側壁阻障結構146配置于第二基板120上，其中第一側壁阻障結構144與第二側壁阻障結構146例如是交替排列于第一基板110與第二基板120之間。當然，在其它未示出的實施例中，第一側壁阻障結構144也可正對于第二側壁阻障結構146而排列于第一基板110與第二基板120之間，本發明在此并不加以限制。
[0072]在此必須說明的是，雖然上述實施例的側壁阻結構140具有底面積為直線型的撓曲應力分散結構142，且撓曲應力分散結構142平行排列于預定撓曲區域PFA內。然而，在其它的實施例中，可避免側壁阻障結構140因長時間撓曲而形變或破壞的不同結構設計或配置，仍屬于本發明可采用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的范圍。以下將列舉多個不同的實施例來分別說明環境敏感電子元件封裝體100B?100N的設計。
[0073]圖2是本發明第二實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖2，圖2的環境敏感電子元件封裝體100B與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖2的環境敏感電子元件封裝體100B的預定撓曲區域PFA的數量例如是兩個，底面積為直線型的撓曲應力分散結構142a平行排列于預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100B沿預定撓曲區域PFA折彎時，撓曲應力分散結構142a的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。
[0074]圖3是本發明第三實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖3，圖3的環境敏感電子元件封裝體100C與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖3的環境敏感電子元件封裝體100C的預定撓曲區域PFA的數量例如是多個，更具體而言，預定撓曲區域PFA幾乎涵蓋了環境敏感電子元件130的全部表面，其中底面積為直線型的撓曲應力分散結構142b平行排列于預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100C沿預定撓曲區域PFA折彎時，撓曲應力分散結構142b的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。
[0075]圖4是本發明第四實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖4，圖4的環境敏感電子元件封裝體100D與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖4的環境敏感電子元件封裝體100D的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為直線型的撓曲應力分散結構142c，且撓曲應力分散結構142c行列交錯排列于預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100D沿預定撓曲區域PFA折彎時，撓曲應力分散結構142c的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。
[0076]圖5是本發明第五實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖5，圖5的環境敏感電子元件封裝體100E與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖5的環境敏感電子元件封裝體IOOE的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為直線型的撓曲應力分散結構142d，且撓曲應力分散結構142d行列交錯排列于預定撓曲區域PFA內。值得一提的是，預定撓曲區域PFA內的撓曲應力分散結構142d例如是彼此交互相連，以增加預定撓曲區域PFA內阻隔水、氧氣能力。在此必須說明的是，預定撓曲區域PFA內的撓曲應力分散結構142d彼此交互相連的位置及樣式，本發明在此不加以限制。因此，當環境敏感電子元件封裝體100E沿預定撓曲區域PFA折彎時，撓曲應力分散結構142d的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。
[0077]圖6a是本發明第六實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖6a，圖6a的環境敏感電子元件封裝體100F與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖6a的環境敏感電子元件封裝體100F的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為非直線型的撓曲應力分散結構142e，且撓曲應力分散結構142e交替排列于預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100F沿預定撓曲區域PFA折彎時，撓曲應力分散結構142e的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。
[0078]圖6b至圖6c是圖6a其它可能實施例的撓曲應力分散結構的非直線型結構的局部示意圖。請參考圖6b，撓曲應力分散結構142e_l例如是方型波浪結構，其中撓曲應力分散結構142e-l交替排列于預定撓曲區域PFA內。請參考圖6c，撓曲應力分散結構142e_2例如是梯型波浪結構，其中撓曲應力分散結構142e-2交替排列于預定撓曲區域PFA內。當然，在其它未示出的實施例中，撓曲應力分散結構也可是由其它不同型態非直線結構所構成，本發明在此并不加以限制。
[0079]圖7是本發明第七實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖
7,圖7的環境敏感電子元件封裝體100G與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖7的環境敏感電子元件封裝體100G的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為非直線型的撓曲應力分散結構142f，且撓曲應力分散結構142f不規則排列于預定撓曲區域PFA內。更詳細而言，撓曲應力分散結構142f例如是彼此相互交連，以增加預定撓曲區域PFA內阻隔水、氧氣能力。在此必須說明的是，撓曲應力分散結構142f彼此交互相連的位置及樣式，本發明在在此不加以限制。因此，當環境敏感電子元件封裝體100G沿預定撓曲區域PFA折彎時，撓曲應力分散結構142f的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。
[0080]圖8是本發明第八實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖8，圖8的環境敏感電子元件封裝體100H與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖8的環境敏感電子元件封裝體100H的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為島狀的撓曲應力分散結構142g，且撓曲應力分散結構142g不規則分布于預定撓曲區域PFA內。更詳細而言，撓曲應力分散結構142g例如是彼此獨立或相互交連。因此，當環境敏感電子元件封裝體100H沿預定撓曲區域PFA折彎時，撓曲應力分散結構142g的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。
[0081]圖9a是本發明第九實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖9a，圖9a的環境敏感電子元件封裝體1001與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖9a的環境敏感電子元件封裝體1001的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型的環狀結構，其中側壁阻障結構140的撓曲應力分散結構142h例如是菱型網格狀結構，且撓曲應力分散結構142h規律排列于預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體1001沿預定撓曲區域PFA折彎時，撓曲應力分散結構142h的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。
[0082]值得注意的是，圖9b至圖9f是圖9a其它可能實施例的撓曲應力分散結構的網格結構示意圖。請參考圖％，撓曲應力分散結構142h-l例如是六邊型網格狀結構，其中六邊型網格可以是粗細相等或不等的網網格線交連構成。請參考圖9c，撓曲應力分散結構142h-2例如是圓型網格狀結構，其中圓型網格可以是粗細相等或不等的網網格線交連構成。請參考圖9d，撓曲應力分散結構142h-3例如是十字型網格狀結構，其中十字型網格可以是粗細相等或不等的網網格線交連構成。請參考圖9e，撓曲應力分散結構142h-4例如是梯型網格狀結構，其中梯型網格可以是粗細相等或不等的網網格線交連構成。請參考圖9f，撓曲應力分散結構142h-5例如是心型網格狀結構，其心型網格可以是粗細相等或不等的網格線交連構成。當然，在其它未示出的實施例中，撓曲應力分散結構也可是由其它不同型態多邊型網格所構成的網格狀結構，本發明在此并不加以限制。
[0083]圖10是本發明第十實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖10，圖10的環境敏感電子元件封裝體100J與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖10的環境敏感電子元件封裝體100J的側壁阻障結構140例如是底面積為非直線型的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為非直線型的撓曲應力分散結構142i，且撓曲應力分散結構142i交替排列于預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100J沿預定撓曲區域PFA折彎時，撓曲應力分散結構142i的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。
[0084]圖11是本發明第十一實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖11，圖11的環境敏感電子元件封裝體100K與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖11的環境敏感電子元件封裝體100K的側壁阻障結構140例如是底面積為非直線型的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為非直線型的撓曲應力分散結構142 j，且撓曲應力分散結構142 j不規則排列于預定撓曲區域PFA內。在本實施例中，撓曲應力分散結構142j例如是彼此相互交連。當然，在其它未示出的實施例中，側壁阻障結構140也可具有底面積例如是直線型、島狀或網格狀結構的撓曲應力分散結構，本發明在此并不加以限制。因此，當環境敏感電子元件封裝體100K沿預定撓曲區域PFA折彎時，撓曲應力分散結構142j的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。
[0085]圖12是本發明第十二實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖12，圖12的環境敏感電子元件封裝體100L與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖12的環境敏感電子元件封裝體IOOL的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型與非直線型組合的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為直線型的撓曲應力分散結構142k，且撓曲應力分散結構142k交替排列于預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100L沿預定撓曲區域PFA折彎時，撓曲應力分散結構142k的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。
[0086]圖13是本發明第十三實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖13，圖13的環境敏感電子元件封裝體100M與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖13的環境敏感電子元件封裝體100M的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型與非直線型組合的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為非直線型的撓曲應力分散結構1421，且撓曲應力分散結構1421交替排列于預定撓曲區域PFA內。因此，當環境敏感電子元件封裝體100M沿預定撓曲區域PFA折彎時，撓曲應力分散結構1421的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。
[0087]圖14是本發明第十四實施例的環境敏感電子元件封裝體的上視示意圖。請參考圖14，圖14的環境敏感電子元件封裝體100N與圖1B的環境敏感電子元件封裝體100A相似，其不同之處在于:圖14的環境敏感電子元件封裝體100N的側壁阻障結構140例如是底面積為直線型與波浪型組合的環狀結構，其中側壁阻障結構140具有底面積為島狀的撓曲應力分散結構142m，且撓曲應力分散結構142m不規則分布于預定撓曲區域PFA內。另一方面，撓曲應力分散結構142m例如是彼此獨立或相互交連。因此，當環境敏感電子元件封裝體100N沿預定撓曲區域PFA折彎時，撓曲應力分散結構142m的設置可避免在長時間撓曲下，預定撓曲區域PFA內的側壁阻障結構140因應力集中而產生形變或破壞的情形。值得一提的是，在其它未示出的實施例中，側壁阻障結構140的撓曲應力分散結構也可以是網格狀結構，且網格狀的撓曲應力分散結構規律排列于預定撓曲區域PFA內。
[0088]在此必須說明的是，在其它可能的實施例中，側壁阻障結構即例如是撓曲應力分散結構所構成，換言之，環境敏感電子元件封裝體的可以朝任何方向撓曲，且當環境敏感電子元件封裝體朝任何方向撓曲時，側壁阻障結構并不會因應力集中而產生形變或破壞的情形。
[0089]綜上所述，由于本發明的環境敏感電子元件封裝體的基板具有預定撓曲區域，其中預定撓曲區域內的側壁阻障結構具有撓曲應力分散結構。撓曲應力分散結構的底面積可以是直線型、非直線型、島狀或網格狀，換言之，本發明可依據環境敏感電子元件封裝體的不同撓曲方式，而調整撓曲應力分散結構的形式與配置，如此可避免環境敏感電子元件封裝體在長時間撓曲下，造成側壁阻障結構產生形變或破壞的情形，以確保環境敏感電子元件封裝體阻水氧的能力，進而有效延長環境敏感電子元件的壽命。
[0090]雖然本發明已以實施例揭示如上，然而其并非用以限定本發明，任何所屬【技術領域】中具有通常知識的人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，可作些許的變更與修飾，故本發明的保護范圍應當由所附的權利要求書所界定為準。
【權利要求】
1.一種環境敏感電子元件封裝體，其特征在于，包括: 第一基板，具有至少一預定撓曲區域； 第二基板，配置于該第一基板上方； 環境敏感電子元件，配置于該第一基板上，且該環境敏感電子元件位于該第一基板與該第二基板之間； 至少一側壁阻障結構，位于該第一基板與該第二基板之間，其中該側壁阻障結構環繞該環境敏感電子元件且該側壁阻障結構具有至少一撓曲應力分散結構，該撓曲應力分散結構位于該預定撓曲區域內；以及 填充層，位于該第一基板與該第二基板之間，且包覆該側壁阻障結構及該環境敏感電子元件。
2.根據權利要求1所述的環境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該側壁阻障結構配置于該第一基板上。
3.根據權利要求1所述的環境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該側壁阻障結構配置于該第二基板上。
4.根據權利要求1所述的環境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該側壁阻障結構包括: 至少一第一側壁阻障結構，配置于該第一基板上；以及 至少一第二側壁阻障結構，配置于該第二基板上，其中該第一側壁阻障結構與該第二側壁阻障結構交替排列于該第一基板與該第二基板之間。
5.根據權利要求1所述的環境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該側壁阻障結構的截面包括多邊型、圓型或橢圓型，且該截面垂直于該第一基板。
6.根據權利要求1所述的環境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該側壁阻障結構包括: 阻障層，位于該第一基板或該第二基板上；以及 包覆層，其中該包覆層覆蓋該阻障層。
7.根據權利要求1所述的環境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該側壁阻障結構包括底面積為直線型的環狀結構。
8.根據權利要求1所述的環境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該側壁阻障結構包括底面積為非直線型的環狀結構。
9.根據權利要求1所述的環境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該側壁阻障結構包括底面積為直線型與非直線型組合的環狀結構。
10.根據權利要求1所述的環境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該撓曲應力分散結構的數量為多個，該些撓曲應力分散結構的底面積為直線型，且平行排列于該預定撓曲區域內。
11.根據權利要求1所述的環境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該撓曲應力分散結構的數量為多個，該些撓曲應力分散結構的底面積為直線型，且行列交錯排列于該預定撓曲區域內。
12.根據權利要求1所述的環境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該撓曲應力分散結構的數量為多個，該些撓曲應力分散結構的底面積為非直線型，且交替排列于該預定撓曲區域內。
13.根據權利要求1所述的環境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該撓曲應力分散結構的數量為多個，該些撓曲應力分散結構的底面積為非直線型，且不規則分布于該預定撓曲區域內。
14.根據權利要求1所述的環境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該撓曲應力分散結構的數量為多個，該些撓曲應力分散結構的俯視形狀為網格狀結構，且規律排列于該預定撓曲區域內。
15.根據權利要求1所述的環境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該撓曲應力分散結構的數量為多個，該些撓曲應力分散結構的底面積為島狀，且不規則分布于該預定撓曲區域內。
16.根據權利要求1所述的環境敏感電子元件封裝體，其特征在于，該撓曲應力分散結構及該側壁 阻障結構與該第一基板或該第二基板為相同材質所構成，且該材質為金屬或玻3? ο
【文檔編號】H01L51/52GK103794733SQ201310392046
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年9月2日 優先權日:2012年10月31日
【發明者】陳光榮, 林偉義 申請人:財團法人工業技術研究院