基板處理裝置制造方法

基板處理裝置制造方法
【專利摘要】基板處理裝置具有腔室、基板保持部、基板旋轉機構、受液部及上下噴嘴。腔室具有腔室主體和腔室蓋部，并且腔室蓋部能夠進行升降。在腔室蓋部與腔室主體相接觸的狀態下，形成小的密閉空間，并且進行伴隨著減壓或者加壓進行的處理。當腔室蓋部上升時，在腔室蓋部和腔室主體之間形成環狀開口。第一罩部以及第二罩部位于環狀開口的外側。從基板飛散的處理液被第一罩部或者第二罩部接受。在基板處理裝置中，能夠在小的腔室內進行各種處理。
【專利說明】基板處理裝置【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及用于處理基板的基板處理裝置。
【背景技術】
[0002]以往，在半導體基板(下面，僅稱為“基板”)的制造工序中，利用各種基板處理裝置對基板進行各種處理。例如，向在表面上形成有抗蝕劑的圖案的基板供給藥液，由此對基板的表面進行蝕刻等處理。另外，在蝕刻處理結束后，還進行除去基板上的抗蝕劑或對基板進行清洗的處理。
[0003]在日本特開平9-246156號公報(文獻I)的裝置中，通過沖洗液沖掉晶片上的顯影液等之后，對晶片進行干燥處理。具體地說，在晶片被搬入至沖洗處理部中并被晶片吸附部吸附，且沖洗處理部的開口被閘門堵塞之后，對沖洗處理部的內部空間進行排氣。然后，在變為減壓環境的內部空間內，一邊使晶片與晶片吸附部一起進行低速旋轉，一邊供給沖洗液，然后使晶片進行高速旋轉，由此對晶片進行干燥處理。另外，在日本特開2006-105524號公報(文獻2)中，公開了如下的減壓干燥裝置，即，在使容置有基板的腔室內形成減壓環境的狀態下，對在基板的主面上形成的薄膜進行干燥。
[0004]但是，要在同一腔室內進行利用各種液體的處理和干燥處理，則各種處理液附著于腔室內壁上，從而降低處理液的回收效率，或者縮短再利用的處理液的壽命。另外，在由于多個處理液而在腔室內壁上產生析出物時，也會成為顆粒的產生原因。而且，也可能由于多個處理液混合而產生發熱或產生煙的反應。另一方面，為了減少處理中使用的氣體的量，優選腔室內的空間的體 積小。

【發明內容】

[0005]本發明涉及用于處理基板的基板處理裝置，其目的在于提供一種能夠高效地回收處理液，并且能夠在小的腔室內進行各種處理的基板處理裝置。另外，其目的還在于通過配置在腔室的外部的罩部，在密閉的空間內接受處理液。
[0006]本發明的基板處理裝置，具有:腔室，其形成密閉的內部空間；腔室開閉機構，其使所述腔室的包括上部或者下部的腔室活動部相對于其它部位進行升降；基板保持部，其配置在所述腔室內，且以水平狀態保持基板；基板旋轉機構，其使所述基板與所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心軸為中心進行旋轉；處理液供給部，其向所述基板的上表面或者下表面供給處理液；罩部，其位于通過所述腔室活動部的移動而形成在所述基板的周圍的環狀開口的徑向外側，并接受從旋轉的所述基板飛散的處理液。由此，能夠提供能夠高效地回收處理液，且能夠在小的腔室內進行各種處理的基板處理裝置。
[0007]在本發明的其它方面中，基板處理裝置具有:腔室，其形成密閉的內部空間；腔室開閉機構，其使所述腔室的包括上部的腔室蓋部相對于其它部位進行升降；基板保持部，其配置在所述腔室內，且以水平狀態保持基板；基板旋轉機構，其使所述基板與所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心軸為中心進行旋轉；處理液供給部，其向所述基板上供給處理液；頂板，其呈與所述中心軸相垂直的板狀，以能夠以所述中心軸為中心旋轉的方式安裝在所述腔室蓋部上，并且在所述腔室形成密閉的所述內部空間的狀態下，在以所述中心軸為中心的周向上與所述基板保持部相卡合。由此，能有用簡單的結構防止附著于腔室內部的液體向基板落下。
[0008]在本發明的其它方面中，基板處理裝置具有:腔室，其具有腔室主體以及腔室蓋部，通過所述腔室蓋部堵塞所述腔室主體的上部開口來形成密閉的內部空間，腔室開閉機構，其使所述腔室蓋部相對于所述腔室主體在上下方向上進行移動，基板保持部，其配置在所述腔室內，且以水平狀態保持基板，基板旋轉機構，其使所述基板與所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心軸為中心進行旋轉，處理液供給部，其向所述基板上供給處理液，罩部，其在整周上位于通過使所述腔室蓋部與所述腔室主體分離而形成在所述基板的周圍的環狀開口的徑向外側，接受從旋轉的所述基板飛散的處理液，罩移動機構，其使所述罩部在位于所述環狀開口的徑向外側的第一位置和所述第一位置的下方的第二位置之間在所述上下方向上進行移動；所述罩部具有:大致圓筒狀的側壁部，在所述第一位置，在所述徑向上與所述環狀開口相向，第一密封部，在所述第一位置，在整周上在與所述腔室蓋部之間形成第一密封結構，第二密封部，在所述第一位置，在整周上在與所述腔室主體之間形成第二密封結構；由形成所述環狀開口的狀態下的所述腔室蓋部以及所述腔室主體、位于所述第一位置的所述罩部形成密閉的空間。由此，能夠通過配置在腔室的外部的罩部，在密閉的空間內接受處理液。
[0009]在本發明的其它方面中，基板處理裝置具有:基板支撐部，其以水平狀態從下側支撐基板，上側旋轉構件，其配置在所述基板支撐部的上方，位置限制構件，其在以朝向上下方向的中心軸為中心的周向上，限制所述上側旋轉構件相對于所述基板支撐部的相對位置，基板按壓部，其固定在所述上側旋轉構件上，并從上側按壓被所述基板支撐部支撐的所述基板，基板旋轉機構，其使所述基板與所述基板支撐部、所述基板按壓部及所述上側旋轉構件一起進行旋轉，處理液供給部，其向所述基板上供給處理液；所述基板支撐部具有多個第一接觸部，該多個第一接觸部分別在多個第一接觸位置與所述基板的外緣部接觸；所述基板按壓部具有多個第二接觸部，該多個第二接觸部分別在多個第二接觸位置與所述基板的所述外緣部接觸，其中，所述第二接觸位置是在所述周向上與所述多個第一接觸位置不同的位置。由此，能夠抑制在保持基板的保持結構的附近殘留有處理液的情況。
[0010]在本發明的其它方面中，基板處理裝置具有:腔室，其具有腔室主體以及腔室蓋部，通過所述腔室蓋部堵塞所述腔室主體的上部開口來形成密閉的內部空間；腔室開閉機構，其使所述腔室蓋部相對于所述腔室主體在上下方向上進行移動；基板支撐部，其配置在所述腔室內，且以水平狀態支撐基板；頂板，其配置在所述基板支撐部的上方，具有與所述基板相向并且與朝向上下方向的中心軸相垂直的下表面；位置限制構件，其在以所述中心軸為中心的周向上，限制所述頂板相對于所述基板支撐部的相對位置；基板旋轉機構，其使所述基板與所述基板支撐部以及所述頂板一起以所述中心軸為中心進行旋轉；處理液供給部，其向所述基板上供給處理液；頂板移動機構，其利用磁力使所述頂板相對于所述腔室蓋部在所述上下方向上進行移動。由此，能夠在腔室內變更頂板和基板之間的上下方向上的距離。
[0011]上述的目的以及其它目的、特征、方式以及優點，參照附加的附圖標記，在下面進行的本發明的詳細的說明中明確。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是第一實施方式的基板處理裝置的剖視圖。
[0013]圖2是示出處理液供給部和處理液回收部的框圖。
[0014]圖3是受液部附近的放大圖。
[0015]圖4是示出基板處理裝置的動作的一例的圖。
[0016]圖5是基板處理裝置的剖視圖。
[0017]圖6是基板處理裝置的剖視圖。
[0018]圖7是基板處理裝置的剖視圖。
[0019]圖8是基板處理裝置的剖視圖。
[0020]圖9是第二實施方式的基板處理裝置的剖視圖。
[0021]圖10是基板處理裝置的剖視圖。
[0022]圖11是基板處理裝置的剖視圖。
[0023]圖12是基板處理裝置的剖視圖。
[0024]圖13是基板處理裝置的剖視圖。
[0025]圖14是第三實施方式的基板處理裝置的剖視圖。
[0026]圖15是將頂板軸部附近放大而示出的剖視圖。
[0027]圖16是示出處理液供給部和處理液回收部的框圖。
[0028]圖17是將腔室以及受液部的一部分放大而示出的圖。
[0029]圖18是頂板的仰視圖。
[0030]圖19是基板支撐部的俯視圖。
[0031]圖20是將腔室以及受液部的一部分放大而示出的圖。
[0032]圖21是將腔室以及受液部的一部分放大而示出的圖。
[0033]圖22是將基板保持部的一部分放大而示出的俯視圖。
[0034]圖23是將第一接觸部附近放大而示出的側視圖。
[0035]圖24是將第二接觸部附近放大而示出的側視圖。
[0036]圖25是示出基板的處理的流程的圖。
[0037]圖26是示出基板處理裝置的一部分的剖視圖。
[0038]圖27是示出基板處理裝置的一部分的剖視圖。
[0039]圖28是示出基板處理裝置的一部分的剖視圖。
[0040]圖29是示出基板處理裝置的一部分的剖視圖。
[0041]圖30是基板處理裝置的剖視圖。
[0042]圖31是第四實施方式的基板處理裝置的剖視圖。
[0043]圖32是示出基板處理裝置的一部分的剖視圖。
[0044]圖33是示出基板處理裝置的一部分的剖視圖。
[0045]圖34是示出第五實施方式的基板處理裝置的一部分的剖視圖。
[0046]圖35是示出基板處理裝置的一部分的剖視圖。
[0047]圖36是第六實施方式的基板處理裝置的剖視圖。[0048]圖37是示出基板處理裝置的一部分的剖視圖。
[0049]圖38是示出基板處理裝置的一部分的剖視圖。
[0050]圖39是示出基板處理裝置的一部分的剖視圖。
[0051]圖40是示出基板處理裝置的其它例的剖視圖。
【具體實施方式】
[0052]圖1是示出本發明的第一實施方式的基板處理裝置I的結構的圖。基板處理裝置I是向大致圓板狀的半導體基板9 (下面，僅稱為“基板9”)供給處理液來逐張地處理基板9的單張式的裝置。
[0053]基板處理裝置I具有腔室12、腔室開閉機構131、基板保持部14、基板旋轉機構
15、受液部16及殼體17。
[0054]腔室12具有腔室主體121、腔室蓋部122及頂板123。腔室主體121由非磁性體形成。腔室主體121具有腔室底部21和腔室側壁部22。腔室底部21具有:大致圓板狀的中央部211 ;筒狀的內側壁部212，其從中央部211的外緣部向下方延伸；基座部213，其從內側壁部212向徑向外側延伸。在基板保持部14上保持有基板9的情況下，基板9的下表面92與中央部211的上表面相向。腔室側壁部22是以朝向上下方向的中心軸Jl為中心的環狀，從基座部213向上方突出。形成腔室側壁部22的構件，如后述那樣兼作為受液部16的一部分。
[0055]腔室蓋部122是與中心軸Jl相垂直的大致圓盤狀，包括腔室12的上部。腔室蓋部122堵塞腔室主體121的上部開口。在圖1中，示出了腔室蓋部122與腔室主體121分離的狀態。在腔室蓋部122堵塞腔室主體121的上部開口時，腔室蓋部122的外緣部與腔室側壁部22的上部相接觸。
[0056]頂板123是與中心軸Jl相垂直的大致圓盤板狀。在頂板123的中央形成有開口。當基板9被基板保持部14保持時，基板9的上表面91與頂板123的下表面相向。頂板123以從腔室蓋部122垂下的方式安裝在腔室蓋部122上。更準確地說，頂板123以能夠變更與腔室蓋部122之間的距離的狀態安裝在腔室蓋部122上。頂板123還能夠相對于腔室蓋部122以中心軸Jl為中心進行旋轉。
[0057]腔室開閉機構131使作為腔室12的活動部的腔室蓋部122相對于腔室12的其它部位升降。下面，將腔室開閉機構131稱為“蓋部升降機構131”。腔室蓋部122與腔室主體121相接觸，而且通過朝向腔室主體121按壓腔室蓋部122，由此在腔室12內形成密閉的內部空間120 (參照圖7)。
[0058]基板保持部14是以中心軸Jl為中心的環狀，用于保持基板9的外緣部。基板保持部14配置在腔室12內，用于保持水平狀態的基板9。S卩，基板9以上表面91與中心軸Jl垂直地朝向上側的狀態被基板保持部14保持。基板保持部14作為保持基板9的夾緊機構，可以利用各種構件。
[0059]基板旋轉機構15是所謂的中空馬達。基板旋轉機構15具有以中心軸Jl為中心的環狀的定子部151和環狀的轉子部152。轉子部152包括大致圓環狀的永久磁鐵。永久磁鐵的表面由PTFE樹脂注塑而成的。轉子部152配置在內側壁部212和腔室側壁部22之間的有底的環狀空間內。轉子部152經由連接構件與基板保持部14相連接。[0060]定子部151配置在腔室12外(B卩，內部空間120的外側)的轉子部152的徑向外偵U。在本實施方式中，定子部151固定在基座部213上，且位于受液部16的下方。定子部151包括在以中心軸Jl為中心的周向上排列的多個線圈。
[0061]通過向定子部151供電，在定子部151和轉子部152之間產生以中心軸Jl為中心的旋轉力。由此，轉子部152以中心軸Jl為中心以水平狀態進行旋轉。轉子部152借助作用于定子部151和轉子部152之間的磁力，在腔室12內既不直接也不間接地與腔室12接觸而懸浮，并且轉子部152使基板9與基板保持部14 一起以中心軸Jl為中心進行旋轉。
[0062]受液部16具有第一罩部161、第一罩升降機構162、第二罩部163及第二罩升降機構164。如上所述，受液部16包括形成腔室側壁部22的構件的一部分。第二罩部163是以中心軸Jl為中心的環狀，位于腔室側壁部22的徑向外側。第一罩部161也是環狀，位于第二罩部163的徑向外側。第一罩升降機構162使第一罩部161上下移動。第二罩升降機構164使第二罩部163上下移動。
[0063]第二罩部163的內周部的下部位于環狀的第二凹部166內，并且該第二凹部166位于腔室側壁部22的外側。第一罩部161的下部位于環狀的第一凹部165內，并且該第一凹部165位于第二凹部166的外側。形成第一凹部165以及第二凹部166的構件與形成腔室側壁部22的構件相連續。
[0064]在腔室蓋部122的中央固定有上部噴嘴181。上部噴嘴181與頂板123的中央的開口相向。在腔室底部21的中央部211的中央安裝有下部噴嘴182。第一凹部165的底部與第一排出路191相連接。第二凹部166的底部與第二排出路192相連接。內側壁部212和腔室側壁部22之間的凹部的底部與第三排出路193相連接。此外，上述上部噴嘴181、下部噴嘴182的設置位置并不一定限定于中央部分，例如只要是與基板9的周緣部相向的位置即可。
[0065]殼體17用于覆蓋腔室12的上方以及側方。在殼體17的上部配置有多孔部171。通過從形成在多孔部171的多個孔流出空氣，在殼體17內產生下降流。由此，防止顆粒從受液部16和腔室底部21向基板9上升的情況。
[0066]圖2是示出基板處理裝置I所具有的處理液供給部18和處理液回收部19的框圖。處理液供給部18除了上述的上部噴嘴181以及下部噴嘴182之外，還具有第一處理液供給部183、第二處理液供給部184及第三處理液供給部185。第一處理液供給部183、第二處理液供給部184及第三處理液供給部185分別經由閥與上部噴嘴181相連接。第一處理液供給部183以及第二處理液供給部184分別經由閥與下部噴嘴182相連接。上部噴嘴181還與氣體供給部186相連接。在上部噴嘴181的中央形成有處理液噴出口，在上部噴嘴181的周圍形成有氣體噴出口。因此，準確地說，上部噴嘴181的一部分是向基板9供給氣體的廣義上的氣體供給部的一部分。在下部噴嘴182的中央形成有處理液噴出口。
[0067]腔室12與加壓部187相連接，該加壓部187用于在腔室12被密閉時對腔室12的內部空間120進行加壓。由于加壓部187，內部空間120變為比大氣壓高的加壓環境。此夕卜，氣體供給部186也可以兼作為加壓部。在不需要進行加壓處理的情況下，可以省略加壓部 187。
[0068]連接在受液部16的第一凹部165的第一排出路191與廢液路相連接。連接在第二凹部166的第二排出路192與第一回收部194相連接。連接在腔室底部21的第三排出路193與第二回收部195相連接。第一回收部194以及第二回收部195與減壓部196相連接。通過驅動減壓部196，來由第一回收部194以及第二回收部195回收處理液。另外，在腔室12被密閉的情況下，通過減壓部196對內部空間120進行減壓，從而變為比大氣壓低的減壓環境。第一回收部194以及第二回收部195還與廢液路相連接，從而還能夠從第二排出路192以及第三排出路193排出廢液。
[0069]第一處理液供給部183、第二處理液供給部184、第三處理液供給部185、氣體供給部186、加壓部187、第一回收部194、第二回收部195、減壓部196及各種閥被控制部10控制。蓋部升降機構131、基板保持部14、基板旋轉機構15、第一罩升降機構162及第二罩升降機構164也被控制部10控制。
[0070]在本實施方式中，第一處理液供給部183所供給的第一處理液是氫氟酸、羥化四甲銨水溶液等蝕刻液。第二處理液供給部184所供給的第二處理液是純水(DIW =DeionizedWater)。第三處理液供給部185所供給的第三處理液是異丙醇(IPA)。另外，氣體供給部186向腔室12內供給氮(N2)氣。
[0071]圖3是受液部16附近的放大圖。在腔室蓋部122的外緣部的下部設置有兩個環狀的唇形密封件231、232。唇形密封件231位于第二罩部163的上端部的上方。唇形密封件232位于腔室側壁部22的上端部的上方。當腔室蓋部122下降且第二罩部163上升時，唇形密封件231和第二罩部163的上端部相接觸。當腔室蓋部122下降至腔室側壁部22時，唇形密封件232和腔室側壁部22的上端部相接觸。
[0072]在作為腔室12的上部的腔室蓋部122的外緣部的下部設置有凹部233，該凹部233在整周上向上方且向徑向內側凹入。當腔室蓋部122下降且第一罩部161上升時，第一罩部161的上端部和凹部233在上下方向上相接觸。也可以僅讓它們接近。當第二罩部163下降時，腔室側壁部22的上部和第二罩部163的上端部相接觸。
[0073]在頂板123的外緣部的下表面沿著周向排列有多個第一卡合部241。在基板保持部14的上表面上沿著周向排列有多個第二卡合部242。優選這些卡合部設置3組以上，在本實施方式中設置有4組。在第一卡合部241的下部設置有朝向上方凹入的凹部。第二卡合部242從基板保持部14朝向上方突出。
[0074]當腔室蓋部122下降時，第二卡合部242嵌入于第一卡合部241的凹部中。由此，頂板123在以中心軸Jl為中心的周向上與基板保持部14相卡合。在該狀態下通過基板旋轉機構15使基板保持部14旋轉時，頂板123也旋轉。當頂板123下降時，控制基板保持部14的旋轉位置，以使第一卡合部241和第二卡合部242相嵌合。
[0075]接著，參照圖4，對通過控制部10的控制在基板處理裝置I中處理基板9的流程進行說明。圖4的處理僅僅是一例，在基板處理裝置I中，能夠按各種順序進行各種處理。在基板處理裝置I中，首先，在腔室蓋部122如圖1所示那樣位于上方的狀態下，搬運基板9并被基板保持部14保持(步驟S11)。腔室蓋部122下降，如圖5所示，頂板123與基板保持部14相卡合。腔室蓋部122和腔室側壁部22相分離，在基板9的周圍(即，徑向外側)，在腔室蓋部122和腔室側壁部22之間形成有環狀開口 81。
[0076]第二罩部163上升，位于環狀開口 81的徑向外側。這樣，第二罩升降機構164使第二罩部163在環狀開口 81的徑向外側的位置和該位置的下方的位置之間移動。第二罩部163的上端部與唇形密封件231相接觸。由此，在腔室12內的基板9的周邊形成密閉空間，因此即使從上方落下顆粒，也能夠防止顆粒進入第二罩部163內。此外，第一罩部161的上端部也與腔室蓋部122相接觸，從而還能夠防止顆粒進入第一罩部161內。下面，將形成有環狀開口 81的腔室12的狀態稱為“半開狀態”。另外，將圖1的狀態稱為“打開狀態”。
[0077]接著，通過基板旋轉機構15使基板保持部14以及基板9開始進行高速旋轉。另夕卜，通過省略圖示的加熱器對基板9進行加熱。來自第一處理液供給部183 (參照圖2)的第一處理液從上部噴嘴181供給至基板9的上表面91的中央部。第一處理液由于基板9的旋轉而向外周部擴散，由此整個上表面91被第一處理液覆蓋(步驟S12)。
[0078]從下部噴嘴182也向基板9的下表面92的中央部供給第一處理液，并且處理液由于基板9的旋轉而向外周部擴散。從基板9的上表面91以及下表面92飛散的第一處理液經由環狀開口 81被第二罩部163接受，并被第二回收部195回收。在能夠再利用所回收的第一處理液的情況下，通過過濾器等來從第一處理液中除去雜質等后再利用。頂板123的外緣部以隨著朝向徑向外側而稍稍朝向下方的方式傾斜。處理液被至頂板123的外緣部引導，由此處理液經由環狀開口 81恰當地被受液部16接受。
[0079]當通過第一處理液進行的蝕刻結束時，停止供給第一處理液，并從上部噴嘴181噴出氮氣，通過使基板9旋轉來從基板9上除去第一處理液。頂板123與基板保持部14 一起旋轉，因此在頂板123的下表面上幾乎不殘留有第一處理液，由此不會從頂板123落下第
一處理液。
[0080]接著，在腔室12處于半開狀態時第二罩部163下降，如圖6所示，第一罩部161位于環狀開口 81的徑向外側。即，通過第二罩升降機構164，在第二罩部163接受來自基板9的處理液的狀態和第一罩部161接受來自基板9的處理液的狀態之間進行切換。第二罩部163的上端部與腔室側壁部22的上部相接觸，由此腔室12內部和第二罩部163的內側的空間相分離。第一罩部161的上端部與腔室蓋部122處于相接觸的狀態。
[0081]在頂板123和基板保持部14卡合的狀態下，位于頂板123的中央的上部噴嘴181連續地噴出純水即第二處理液，由此向旋轉中的基板9的上表面91的中央部供給第二處理液。第二處理液由于基板9的旋轉而向外周部擴散，并從基板9的外周緣向外側飛散。從下部噴嘴182向基板9的下表面92的中央部供給第二處理液，并且第二處理液由于基板9的旋轉而向外周部擴散。從基板9飛散的作為第二處理液的使用后的水被第二罩部163接受并被廢棄(步驟S13)。在通過第二處理液沖洗基板9的過程中，中途停止向下表面92供給第二處理液，基板9的轉速變小。由此，頂板123和基板9之間被第二處理液充滿。SP，成為在基板9上攪(puddling)有純水的狀態。
[0082]接著，停止供給第二處理液，僅從上部噴嘴181向基板9的上表面91供給IPA即第三處理液。頂板123和基板9之間被第三處理液充滿，停止供給第三處理液。由此基板9上的純水被置換為IPA (步驟S14)。然后，如圖7所示，腔室蓋部122以及第一罩部161下降。腔室蓋部122的唇形密封件232和腔室側壁部22的上部相接觸。由此，腔室12形成密閉的內部空間120。由于頂板123能夠相對于腔室蓋部122在上下方向上移動，因此能夠維持頂板123和基板保持部14之間的卡合狀態。在腔室12密閉的狀態下，基板9以及基板保持部14直接與腔室12的側壁相向，在它們之間不存在其它受液部。此外，也可以在步驟S14之前使腔室12密閉。此外，在上述步驟S13、S14中，在此由處理液將頂板123和基板9之間充滿而形成為液密狀態來進行處理，但是還能夠使頂板123的高度變高，而不由處理液將頂板123和基板9之間充滿的狀態來進行處理。
[0083]基板9在密閉空間內進行高速旋轉，并且從上部噴嘴181噴出氮氣，從而從基板9除去第三處理液。從基板9飛散的第三處理液被腔室側壁部22接受，并被第二回收部195回收。此時，通過減壓部196對腔室12的內部空間120進行減壓，從而促進基板9的干燥(步驟S15)。在再利用第二回收部195所回收的第三處理液的情況下，從第三處理液中除去雜質等。當基板9的干燥結束時，基板9停止旋轉。
[0084]此外，干燥時也可以對基板9進行加熱。另外，減壓前也可以通過加壓部187對內部空間120進行加壓。由此，能夠使第三處理液容易地進入基板9上的圖案內。
[0085]然后，內部空間120恢復為常壓，腔室蓋部122如圖1所示那樣上升。由于頂板123與基板保持部14 一起旋轉，因此在頂板123的下表面幾乎不殘留有液體，由此在腔室蓋部122上升時不會從頂板123落下液體。基板9被外部的搬運機構搬出(步驟S16)。在腔室蓋部122上升時，設置于腔室蓋部122的多個突起244嵌入于在頂板123的上部的下表面上設置的環狀的槽部243中，從而相對于腔室蓋部122對頂板123進行調心。此外，作為調心結構，也可以采用其它結構。
[0086]如圖8所示，也可以在基板處理裝置I的處理液供給部18中增加掃描噴嘴188。在利用掃描噴嘴188時,腔室蓋部122向上方遠離腔室主體121,從而形成頂板123與基板保持部14分離的打開狀態。因此，頂板123不進行旋轉。這樣，在腔室蓋部122與腔室12的其它部位之間的距離為第一距離的情況下，頂板123在周向上與基板保持部14相卡合，在腔室蓋部122與腔室12的其它部位之間的距離為大于第一距離的第二距離的情況下，頂板123與基板保持部14相分離。從腔室12的外部向腔室蓋部122和腔室主體121之間插入掃描噴嘴188，并移動到基板9的上方。掃描噴嘴188是雙流體噴嘴，例如，在進行SCl處理之后進行純水清洗。掃描噴嘴188也可以是除了雙流體噴嘴之外的類型的噴嘴。掃描噴嘴188 —邊在水平方向上進行擺動,一邊向基板9的上表面91供給處理液。掃描噴嘴188也可以是其它處理用的其它種類的噴嘴。在利用雙流體噴嘴作為掃描噴嘴188時，優選在殼體17內連接未圖示的排氣設備，以便能夠充分排出所產生的處理液霧。
[0087]在廢棄來自掃描噴嘴188的處理液的情況下，第一罩部161上升，第二罩部163下降。基板9的外緣部和第一罩部161在徑向上相向。在回收處理液來再利用的情況下，第一罩部161以及第二罩部163上升。基板9的外緣部和第二罩部163在徑向上相向。
[0088]如上面說明那樣，在基板處理裝置I中，能夠進行以將腔室12密閉的狀態進行的處理(下面，稱為“密閉處理”)以及以半開狀態或者打開狀態進行的處理(下面，稱為“打開處理”)。即，與以往相比，能夠在一個裝置中進行各種處理。尤其，能夠連續地進行伴隨著減壓或加壓的密閉處理和打開處理。在設置有掃描噴嘴188的情況下，利用掃描噴嘴188的處理也能夠與密閉處理連續地進行。另外，由于受液部16配置在腔室12的外部，因此能夠高效地回收處理液，并且能夠實現腔室12的小型化和小容積化，由此容易且高效地進行伴隨著加壓或減壓的處理，另外能夠減少向腔室12充填的氣體的量。另外，即使處于半開狀態，也能夠大致使腔室12內的基板9的周圍密閉，因此能夠阻止殼體17內的不希望的環境氣體流入腔室12內。例如在上述的步驟S12中，在如圖5所示的半開的狀態下，一邊從上部噴嘴181噴出氮氣，一邊向基板9供給第一處理液，由此在腔室12內的基板9的周圍形成氮氣環境，排除不希望的氧和/或藥液環境，從而能夠在低氧環境的狀態下進行處理。這樣的在低氧環境中進行的處理，例如在如下等情況下是很有用的，即，在對形成有銅布線的基板進行除去聚合物的處理等時，要防止銅布線氧化。
[0089]在受液部16上設置有第一罩部161以及第二罩部163，因此能夠將多種處理液分開來回收。密閉處理時的處理液和打開處理時的處理液也能夠分開回收。由此，與僅通過腔室的內壁接受多種處理液并通過多通道閥(multiple valve)分開回收的情況相比，能夠提高處理液的回收效率，從而能夠延長處理液的壽命。而且還能夠容易地防止因不同種類的處理液混合而產生的顆粒、發熱、產生煙等現象。
[0090]也可以在腔室12中以密閉狀態向基板9供給純水。在密閉狀態下，腔室12接受從基板9飛散的使用后的水和IPA，在處理液為與基板9發生化學反應的藥液的情況下，在半開狀態下，處理液被罩部接受，由此能夠降低腔室12內的污染。這樣，將腔室12的內壁和各罩部作為特定的處理液的專用受液部，由此能夠回收高純度且損耗少的處理液。
[0091]另外，由于所有的罩部都能夠升降，因此在搬入基板9時，能夠容易地操作基板9。
[0092]在基板處理裝置I中，能夠通過頂板123以簡單的結構防止附著于腔室內部的液體向基板落下的情況。處理時，在頂板123和基板保持部14卡合的狀態下，頂板123接近基板9，因此能夠減少用處理液覆蓋基板9的上表面91時所需的處理液的量。還能夠減少向頂板123和基板9之間供給的氣體的量。
[0093]由于頂板123能夠相對于腔室蓋部122在上下方向上進行移動，因此無論在密閉狀態下還是半開狀態下，都能夠使頂板123與基板保持部14 一起旋轉。另外，在半開狀態下使腔室蓋部122稍上升，就能夠解除頂板123和基板保持部14之間的卡合。還能夠在這樣的打開狀態下，從上部噴嘴181噴出處理液來進行處理。
[0094]在基板處理裝置I中，轉子部152配置在能夠密閉的內部空間120中，定子部151配置在腔室12的外部。由此，能夠容易地形成具有高的密閉性的內部空間120。結果，能夠在密閉的內部空間120中容易地實現基板9的單張處理。另外，與將馬達設置在腔室底部的下方的裝置相比，能夠容易地在腔室底部21設置下部噴嘴182等各種結構。
[0095]在基板旋轉機構15中，轉子部152在內部空間120中以懸浮狀態進行旋轉。因此，不必在內部空間120設置用于支撐轉子部152的結構，從而能夠實現基板處理裝置I的小型化以及裝置結構的簡單化。不會存在轉子部152和支撐結構摩擦而產生粉塵等的情況，因此能夠提高內部空間120的潔凈度。而且，不會有支撐結構所產生的摩擦阻力作用于轉子部152中，因此能夠容易地實現轉子部152的高速旋轉。
[0096]圖9至圖13是第二實施方式的基板處理裝置Ia的剖視圖。圖9示出搬入搬出基板9時的裝置的狀態。圖10示出在半開狀態下從基板9飛散的處理液被第二罩部163接受的狀態。圖11示出在半開狀態下從基板9飛散的處理液被第一罩部161接受的狀態。圖12示出進行密閉處理的狀態。圖13示出利用掃描噴嘴188來進行處理的狀態。
[0097]如圖9所示，在基板處理裝置Ia中，在殼體17上設置有分隔板172。分隔板172從腔室12向徑向外側延伸。從分隔板172向徑向內側連續的部位即包括分隔板172的構件的內周部向下方突出，構成腔室12的一部分。下面，將該部位稱為“腔室固定部124”。換言而之，分隔板172從腔室固定部124向外側延伸。分隔板172位于第一罩部161以及第二罩部163的上方。通過分隔板172，能夠防止在半開狀態下氣流進入腔室12內的情況。
[0098]通過腔室升降機構132使部位125進行升降，該部位125是包括腔室12的下部的部位，且位于腔室固定部124的下側。如后述那樣，半開狀態和密閉狀態能夠由腔室升降機構132來實現，因此在本實施方式中，腔室升降機構132發揮腔室開閉機構的功能。下面，將部位125稱為“腔室活動部”。腔室蓋部122位于腔室固定部124的上側。此外，與第一實施方式同樣地，蓋部升降機構131也可以作為腔室開閉機構。
[0099]第一罩部161以第一罩部161的上端部接近分隔板172的狀態被固定位置。通過第二罩升降機構164使第二罩部163升降。基板旋轉機構15a是軸旋轉型的馬達，基板保持部14為板狀。基板旋轉機構15a的旋轉軸與基板保持部14的中央相連接。下部噴嘴182設置在基板旋轉機構15a的上端。其它結構與第一實施方式大致相同。處理動作的例子也與第一實施方式相同。
[0100]在腔室蓋部122的外緣部上設置有環狀的唇形密封件234。如圖10所示，在半開狀態下，腔室蓋部122的唇形密封件234與分隔板172相接觸。另一方面，腔室活動部125與分隔板172相分離。由此，在腔室活動部125和分隔板172之間形成環狀開口 81。環狀開口 81位于基板9的周圍。在圖10中，第二罩部163位于環狀開口 81的徑向外側。從旋轉的基板9飛散的處理液，與第一實施方式同樣地，經由第二罩部163被第一回收部194(參照圖2)回收。
[0101]在圖11中，腔室12處于半開的狀態，通過在圖10所示狀態下使第二罩部163下降，由此第一罩部161位于環狀開口 81的徑向外側。這樣，與第一實施方式同樣地，第二罩升降機構164使第二罩部163在環狀開口 81的徑向外側的位置和該位置下方的位置之間進行移動。由此，在第二罩部163接受來自基板9的處理液的狀態和第一罩部161接受來自基板9的處理液的狀態之間進行切換。從基板9飛散的處理液被第一罩部161接受并被廢棄。
[0102]在圖12中，腔室活動部125上升來與分隔板172相接觸。由此，在腔室12內形成密閉的內部空間120。從基板9飛散的處理液被作為腔室活動部125的外周部的腔室側壁部22a接受，并被第二回收部195回收。
[0103]如圖13所示，在使用掃描噴嘴188的情況下，腔室蓋部122與分隔板172分離，在腔室蓋部122和分隔板172之間插入掃描噴嘴188。腔室活動部125也與分隔板172分離，由此形成環狀開口 81。從旋轉的基板9飛散的處理液被位于環狀開口 81的徑向外側的罩部接受。在圖13的情況下，第一罩部161位于環狀開口 81的徑向外側。當然，也可以使第二罩部163位于環狀開口 81的徑向外側。
[0104]與第一實施方式同樣地，在半開狀態以及密閉狀態下，頂板123在周向上與基板保持部14相卡合，且與基板保持部14 一起旋轉。由此，能夠減少處理液以及處理氣體的使用量。在圖13的情況下，頂板123不進行旋轉。
[0105]圖14是示出本發明的第三實施方式的基板處理裝置Ib的剖視圖。基板處理裝置Ib是向大致圓板狀的半導體基板9 (下面，僅稱為“基板9”)供給處理液來逐張地處理基板9的單張式的裝置。在圖14中，省略基板處理裝置Ib的局部結構的截面的剖面線(在其它剖視圖中也相同)。
[0106]基板處理裝置Ib具有腔室12、頂板123、頂板移動機構126、腔室開閉機構131、基板保持部14、基板旋轉機構15、受液部16及殼體17。
[0107]腔室12具有腔室主體121和腔室蓋部122。腔室主體121以及腔室蓋部122由非磁性體形成。腔室主體121具有腔室底部21和腔室側壁部22。腔室底部21具有:大致圓板狀的中央部211 ;筒狀的內側壁部212，其從中央部211的外緣部向下方延伸；基座部213，其從內側壁部212向徑向外側延伸。腔室側壁部22是以朝向上下方向的中心軸Jl為中心的環狀，從基座部213的徑向中央部向上方突出。構成腔室側壁部22的構件，如后述那樣兼作為受液部16的一部分。在下面的說明中，將由腔室側壁部22、內側壁部212及基座部213包圍的空間稱為下部環狀空間217。在基板保持部14的基板支撐部141 (后述)支撐有基板9的情況下，基板9的下表面92與中央部211的上表面相向。
[0108]腔室蓋部122是與中心軸Jl相垂直的大致圓板狀，包括腔室12的上部。腔室蓋部122堵塞腔室主體121的上部開口。在圖14中，示出腔室蓋部122與腔室主體121分離的狀態。在腔室蓋部122堵塞腔室主體121的上部開口時，腔室蓋部122的外緣部與腔室側壁部22的上部相接觸。在腔室蓋部122的中央設置有向上方凹入的有蓋的大致圓筒狀的容置部221。
[0109]腔室開閉機構131使作為腔室12的活動部的腔室蓋部122相對于作為腔室12的其它部位的腔室主體121在上下方向上進行移動。腔室開閉機構131是使腔室蓋部122升降的蓋部升降機構。在通過腔室開閉機構131使腔室蓋部122在上下方向上進行移動時，頂板123也與腔室蓋部122 —起在上下方向上進行移動。腔室蓋部122與腔室主體121相接觸來堵塞上部開口，而且，朝向腔室主體121按壓腔室蓋部122，由此在腔室12內形成密閉的內部空間120 (參照圖20以及圖21)。
[0110]基板保持部14配置在腔室12內，并以水平狀態保持基板9。S卩，基板9以上表面91與中心軸Jl垂直地朝向上側的狀態被基板保持部14保持。基板保持部14具有:上述的基板支撐部141，其從下側支撐基板9的外緣部；基板按壓部142，其從上側按壓被基板支撐部141支撐的基板9的外緣部。基板支撐部141具有:以中心軸Jl為中心的大致圓環板狀的支撐部基座413 ;多個第一接觸部411，其固定在支撐部基座413的上表面上。基板按壓部142具有固定在頂板123的下表面上的多個第二接觸部421。實際上，多個第二接觸部421在周向上的位置和多個第一接觸部411在周向上的位置不同。
[0111]頂板123是與中心軸Jl相垂直的大致圓板狀。頂板123配置在腔室蓋部122的下方且基板支撐部141的上方。在頂板123的中央形成有開口。當基板9被基板支撐部141支撐時，基板9的上表面91和與中心軸Jl相垂直的頂板123的下表面相向。頂板123的直徑大于基板9的直徑，頂板123的外周緣在整周上位于基板9的外周緣的徑向外側。
[0112]在腔室蓋部122的下表面，沿著以中心軸Jl為中心的周向排列有多個板保持部222，該板保持部222用于保持頂板123。在頂板123的上表面的與多個板保持部222相向的位置，沿著周向排列有多個凸部236。由多個板保持部222保持多個凸部236，由此頂板123以從腔室蓋部122垂下的方式被腔室蓋部122支撐。
[0113]在頂板123的上表面上固定有頂板軸部235。頂板123以及頂板軸部235由非磁性體形成。頂板軸部235是以中心軸Jl為中心的大致圓柱狀。頂板軸部235的至少一部分(在本實施方式中為，除了下端部之外的大部分)，容置在腔室蓋部122的容置部221中。在頂板軸部235以及腔室蓋部122上配置有頂板移動機構126。頂板移動機構126利用磁力來使頂板123相對于腔室蓋部122在上下方向上進行移動。
[0114]圖15是將頂板軸部235附近放大示出的剖視圖。如圖15所示，頂板移動機構126具有第一磁鐵261、第二磁鐵262及磁鐵移動機構263。第一磁鐵261在頂板軸部235的內部在周向上沿著頂板軸部235的外周面配置。第一磁鐵261固定在頂板軸部235上。第二磁鐵262在容置部221的周圍沿著周向配置在環狀孔264內，該環狀孔264在腔室蓋部122中形成在容置部221的周圍。在本實施方式中，第一磁鐵261以及第二磁鐵262分別是以中心軸Jl為中心的大致圓環狀。第一磁鐵261的上部為N極，下部為S極。第二磁鐵262的上部為S極，下部為N極。環狀孔264的上下方向上的高度大于第二磁鐵262的上下方向上的高度。通過磁鐵移動機構263使第二磁鐵262在環狀孔264內在上下方向上進行移動。
[0115]圖14所示的基板旋轉機構15是所謂的中空馬達。基板旋轉機構15具有以中心軸Jl為中心的環狀的定子部151和環狀的轉子部152。轉子部152包括大致圓環狀的永久磁鐵。永久磁鐵的表面被PTFE樹脂鑄模。轉子部152配置在腔室12的內部空間120的下部環狀空間217內。轉子部152的上部經由連接構件安裝有基板支撐部141的支撐部基座
413。支撐部基座413配置在轉子部152的上方。
[0116]定子部151配置在腔室12外(B卩，內部空間120的外側)的轉子部152的周圍即徑向外側。在本實施方式中，定子部151固定在基座部213上，并位于受液部16的下方。定子部151包括沿著以中心軸Jl為中心的周向排列的多個線圈。
[0117]通過向定子部151供電，在定子部151和轉子部152之間產生以中心軸Jl為中心的旋轉力。由此，轉子部152以中心軸Jl為中心以水平狀態進行旋轉。轉子部152借助作用于定子部151和轉子部152之間的磁力，在腔室12內既不直接也不間接地與腔室12接觸而懸浮，并且轉子部152使基板9與基板保持部14 一起以中心軸Jl為中心以懸浮狀態進行旋轉。
[0118]受液部16具有罩部161a和罩移動機構162a。如上所述，受液部16包括形成腔室側壁部22的構件的一部分。罩部161a是以中心軸Jl為中心的環狀，并位于腔室側壁部22的徑向外側。罩移動機構162a使罩部161a在上下方向上進行移動。
[0119]罩部161a的下部位于環狀的受液凹部165a內，并且該受液凹部165a位于腔室側壁部22的外側。在包圍受液凹部165a的外周的大致圓筒狀的外壁部168的上端部，固定有以中心軸Jl為中心的大致圓環板狀的外密封部169。外密封部169從外壁部168的上端部向徑向內側延伸，在整周上覆蓋受液凹部165a的上部開口的外周部。
[0120]在腔室蓋部122的中央固定有上部噴嘴181。上部噴嘴181插入于在頂板軸部235的中央形成的貫通孔內，并插入于頂板123的中央的開口。在腔室底部21的中央部211的中央安裝有安裝有下部噴嘴182。受液凹部165a的底部與第一排出路191相連接。內側壁部212和腔室側壁部22之間的下部環狀空間217的底部與第二排出路192相連接。此外，上部噴嘴181以及下部噴嘴182的設置位置并不一定限定于中央部分，例如也可以是與基板9的周緣部相向的位置。
[0121]殼體17用于覆蓋腔室12的上方以及側方。在殼體17的上部配置有多孔部171。從形成在多孔部171上的多個孔流出空氣，由此在殼體17內產生下降流。由此，能夠防止顆粒從受液部16和腔室底部21向基板9上升的情況。
[0122]圖16是示出基板處理裝置Ib所具有的處理液供給部18和處理液回收部19的框圖。處理液供給部18除了上述的上部噴嘴181以及下部噴嘴182之外，還具有第一處理液供給部183、第二處理液供給部184及第三處理液供給部185。第一處理液供給部183、第二處理液供給部184及第三處理液供給部185分別經由閥與上部噴嘴181相連接。第一處理液供給部183以及第二處理液供給部184分別經由閥與下部噴嘴182相連接。上部噴嘴181還與氣體供給部186相連接。在上部噴嘴181的中央形成有處理液噴出口，在上部噴嘴181的周圍形成有氣體噴出口。因此，準確地說，上部噴嘴181的一部分是向基板9供給氣體的廣義的氣體供給部的一部分。在下部噴嘴182的中央形成有處理液噴出口。
[0123]腔室12與加壓部187相連接，該加壓部187用于在腔室12被密閉了時對腔室12的內部空間120進行加壓。通過加壓部187，內部空間120形成比大氣壓高的加壓環境。此外，氣體供給部186也可以兼作為加壓部。在不需要進行加壓處理的情況下，可以省略加壓部 187。
[0124]與受液部16的受液凹部165a連接的第一排出路191與第一回收部194相連接。連接在腔室底部21的第二排出路192與第二回收部195相連接。第一回收部194以及第二回收部195與減壓部196相連接。減壓部196進行驅動，由此由第一回收部194以及第二回收部195回收處理液。另外，在腔室12密閉的情況下，通過減壓部196對內部空間120進行減壓，從而變為比大氣壓低的減壓環境。第一回收部194以及第二回收部195還與廢液路相連接，從而還能夠從第一排出路191以及第二排出路192排出廢液。
[0125]第一處理液供給部183、第二處理液供給部184、第三處理液供給部185、氣體供給部186、加壓部187、第一回收部194、第二回收部195、減壓部196及各種閥被控制部10控制。腔室開閉機構131、基板保持部14、基板旋轉機構15及罩移動機構162a (參照圖14)也被控制部10控制。
[0126]在本實施方式中，從第一處理液供給部183向基板9上供給的第一處理液是氫氟酸、氫氧化四甲基銨水溶液等蝕刻液。第二處理液供給部184所供給的第二處理液是純水(DIff =Deionized Water)。第三處理液供給部185所供給的第三處理液是異丙醇(IPA)。另外，氣體供給部186向腔室12內供給氮(N2)氣。
[0127]圖17是將腔室12以及受液部16的一部分放大示出的圖。罩部161a具有側壁部611、上面部612和下面部613。側壁部611是以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀。上面部612是以中心軸Jl為中心的大致圓環板狀，從側壁部611的上端部向徑向內側延伸。下面部613是以中心軸Jl為中心的大致圓環板狀，從側壁部611的下端部向徑向外側延伸。上面部612以及下面部613與中心軸Jl大致垂直。在圖17所示的狀態下，罩部161a的大致整個側壁部611以及下面部613位于受液凹部165a內。
[0128]在腔室蓋部122的外緣部的下表面設置有環狀的唇形密封件231、232。唇形密封件231位于腔室側壁部22的上端部的上方。唇形密封件232位于罩部161a的上面部612的內緣部的上方。當腔室蓋部122下降且罩部161a上升時，唇形密封件232與罩部161a的上面部612的內緣部在上下方向上接觸。當腔室蓋部122下降至腔室側壁部22時，唇形密封件231與腔室側壁部22的上端部相接觸。
[0129]圖18是頂板123的仰視圖。圖19是基板支撐部141的俯視圖。在圖18以及圖19中，用雙點劃線描畫基板9。如圖17至圖19所示，在頂板123的外緣部的下表面\沿著
周向排列有多個第--^合部241,在支撐部基座413的上表面沿著周向排列有多個第二卡
合部242。優選這些卡合部設置3組以上，在本實施方式中設置有4組。在第一卡合部241的下部設置有朝向上方凹入的凹部。第二卡合部242從支撐部基座413朝向上方突出。
[0130]如圖20所示，當腔室蓋部122下降至腔室側壁部22時，第二卡合部242嵌入于第一^^合部241的凹部中。由此，頂板123在以中心軸Jl為中心的周向上與基板支撐部141的支撐部基座413相卡合。換言而之，第一卡合部241以及第二卡合部242是位置限制構件，該位置限制構件用于限制在旋轉方向上頂板123相對于基板支撐部141的相對位置(B卩，固定周向上的相對位置)，當頂板123下降時，通過基板旋轉機構15控制支撐部基座413的旋轉位置，以使第—^合部241和第二卡合部242相卡合。此外，并不通過第—^合部241以及第二卡合部242來固定頂板123和基板支撐部141的上下方向上的相對位置。
[0131]在圖20所示的狀態下，解除板保持部222對頂板123的保持，頂板123與腔室蓋部122分離并接近基板9。頂板123在上下方向上的位置，由作用于頂板移動機構126的第一磁鐵261和第二磁鐵262之間的磁力(引力)決定。具體地說，以使第一磁鐵261的上下方向上的中央部和第二磁鐵262的上下方向上的中央部位于上下方向上的大致相同的位置的方式，使第一磁鐵261和第二磁鐵262在徑向上相向。由此,固定在上下方向上頂板123相對于腔室蓋部122的位置。此外，頂板123的水平方向上的位置由第一卡合部241和第二卡合部242決定，因此頂板軸部235和容置部221的內側面不會接觸。
[0132]在下面的說明中，將圖20所示的頂板123的位置稱為“第一接近位置”。在頂板123位于第一接近位置的狀態下，基板保持部14的基板按壓部142不與基板9接觸，不對基板9的外緣部進行按壓。在該狀態下，當通過基板旋轉機構15使基板支撐部141旋轉時，頂板123與基板支撐部141、被基板支撐部141以水平狀態支撐的基板9及基板按壓部142一起旋轉。頂板123是與基板支撐部141 一起旋轉的上側旋轉構件。
[0133]如圖19所示，在支撐部基座413的上表面沿著周向排列有基板支撐部141的多個第一接觸部411。多個第一接觸部411配置在多個第二卡合部242的徑向內側。另外，如圖18所示，在頂板123的外緣部的下表面沿著周向排列有基板按壓部142的多個第二接觸部421。多個第二接觸部421配置在多個第一^^合部241的徑向內側。如上所述，多個第二接觸部421的周向上的位置與多個第一接觸部411的周向上的位置不同。在本實施方式中，4個第一接觸部411沿著周向以等角度間隔配置。另外，將相鄰的兩個第二接觸部421作為一組，4組第二接觸部421沿著周向以等角度間隔配置。
[0134]如圖21所示，在頂板移動機構126中，當通過磁鐵移動機構263使第二磁鐵262向下方移動時，借助作用于第一磁鐵261和第二磁鐵262之間的磁力(引力)，使頂板軸部235以及頂板123向下方移動。由此，頂板123進一步接近基板9。在下面的說明中，將圖21所示的頂板123的位置稱為“第二接近位置”。在本實施方式中，第二接近位置上的頂板123的下表面和基板9的上表面91之間在上下方向上的距離為大約2mm。另外，第一接近位置上的頂板123的下表面和基板9的上表面91之間在上下方向上的距離為大約10mm。
[0135]即使在頂板123位于第二接近位置的狀態下，由于第一卡合部241和第二卡合部242相卡合，因此在周向上頂板123相對于基板支撐部141的支撐部基座413的相對位置被固定。另外，頂板軸部235和容置部221的內側面不會接觸。另一方面，在頂板123位于第二接近位置的狀態下，與位于第一接近位置的狀態不同，基板按壓部142的多個第二接觸部421與基板9的外緣部相接觸。
[0136]圖22是將用于保持基板9的基板保持部14的一部分放大示出的俯視圖。在圖22中，省略圖示了腔室蓋部122。如圖22所示，在基板支撐部141的一個第一接觸部411的周向上的兩側，相鄰地配置有基板按壓部142的兩個第二接觸部421。第一接觸部411和兩個第二接觸部421以分別在周向上隔開少量的間隙而分離的方式配置。其它第一接觸部411以及第二接觸部421也同樣。各第一接觸部411和與該第一接觸部411相鄰的第二接觸部421之間的周向上的距離，小于該第二接觸部421和其它第一接觸部411之間的周向上的距離。若將將基板9的外緣部中的第一接觸部411所接觸的位置稱為“第一接觸位置”，且將第二接觸部421所接觸的位置稱為“第二接觸位置”，則多個第二接觸位置分別與多個第一接觸位置在周向上不同。
[0137]圖23是將一個第一接觸部411附近放大示出的側視圖。其它第一接觸部411的結構也與圖23所示的第一接觸部411相同。多個第一接觸部411分別具有第一傾斜面412，該第一傾斜面412越朝向徑向內側越朝向下側。各第一接觸部411通過第一傾斜面412與基板9的外緣部相接觸。
[0138]圖24是將一個第二接觸部421附近放大示出的側視圖。其它第二接觸部421的結構也與圖24所示第二接觸部421相同。多個第二接觸部421分別具有第二傾斜面422，該第二傾斜面422越朝向徑向內側越朝向上側。各第二接觸部421通過第二傾斜面422與基板9的外緣部相接觸。
[0139]在圖23中，將與第一接觸部411相鄰配置的第二接觸部421用雙點劃線一并描畫。另外，在圖24中，將與第二接觸部421相鄰配置的第一接觸部411用雙點劃線一并描畫。如圖23以及圖24所示，第一接觸部411的上端部位于基板9的上表面91的上方，第二接觸部421的下端部位于基板9的下表面92的下方。因此，在基板保持部14中，多個第一接觸部411的各上端部位于多個第二接觸部421的各下端部的上方。
[0140]接著，對參照圖25，對通過控制部10的控制在基板處理裝置Ib中處理基板9流程進行說明。圖25的處理僅僅是一例，在基板處理裝置Ib中，能夠按各種順序進行各種處理。在基板處理裝置Ib中，首先，在腔室蓋部122如圖14所示那樣位于上方的狀態下，基板9被搬運并被基板保持部14保持(步驟S21)。腔室蓋部122向下方移動，如圖26所示，通過第一卡合部241以及第二卡合部242，對在周向上頂板123相對于基板支撐部141的相對位置進行固定。
[0141]接著，如圖27所示，解除板保持部222對頂板123的保持，腔室蓋部122向上方移動，腔室蓋部122與頂板123分離。頂板123相對于腔室蓋部122以及基板支撐部141的上下方向上的位置，由頂板移動機構126的第一磁鐵261以及第二磁鐵262固定。頂板123位于上述的第一接近位置，基板按壓部142未與基板9接觸。另外，腔室蓋部122與腔室側壁部22相分離，在基板9的周圍(S卩，徑向外側)的腔室蓋部122和腔室側壁部22之間形成有環狀開口 81。下面，將形成有環狀開口 81的腔室12的狀態稱為“半開狀態”。另外，將圖14的狀態稱為“打開狀態”。
[0142]罩部161a從圖14所示的位置上升，如圖27所示，罩部161a在整周上位于環狀開口 81的徑向外側。這樣，罩移動機構162a (參照圖14)使罩部161a在環狀開口 81的徑向外側的第一位置和第一位置的下方的第二位置(參照圖14)之間在上下方向上進行移動。位于第一位置的罩部161a的側壁部611在徑向上與環狀開口 81相向。
[0143]在位于第一位置的罩部161a中，上面部612的內緣部的上表面在整周上與腔室蓋部122的唇形密封件232相接觸。由此，在腔室蓋部122和罩部161a的上面部612之間形成用于防止氣體和/或液體通過的第一密封結構615。另外,罩部161a的下面部613的上表面在整周上與腔室主體121的外密封部169的下表面相接觸。由此，在腔室主體121和罩部161a的下面部613之間形成防止氣體和/或液體通過的第二密封結構616。
[0144]在基板處理裝置Ib中，罩部161a的上面部612是在第一位置上形成第一密封結構615的第一密封部，下面部613是在第一位置上形成第二密封結構616的第二密封部。并且，由半開狀態的腔室12 (即，形成有環狀開口 81的狀態的腔室主體121以及腔室蓋部122)以及位于第一位置的罩部161a，形成密閉的空間160 (下面，稱為“密閉空間160”)。當形成密閉空間160時，從上部噴嘴181供給氮氣，從而在密閉空間160內形成氮環境(即，低氧環境)。
[0145]接著，通過基板旋轉機構15使基板支撐部141、基板9及頂板123開始旋轉。另夕卜，通過省略圖示的加熱器對基板9進行加熱。來自第一處理液供給部183 (參照圖16)的第一處理液，從與頂板123的中央的開口相向的上部噴嘴181被供給至基板9的上表面91的中央部。第一處理液由于基板9的旋轉而向外周部擴散，從而整個上表面91被第一處理液覆蓋來在氮氣環境中進行蝕刻(步驟S22)。
[0146]從下部噴嘴182也向基板9的下表面92的中央部供給第一處理液，第一處理液由于基板9的旋轉而向外周部擴散。在密閉空間160中，從基板9的上表面91以及下表面92飛散的第一處理液經由環狀開口 81被罩部161a接受，并由第一回收部194 (參照圖16)回收。在能夠再利用所回收的第一處理液的情況下，通過過濾器等來從第一處理液中除去雜質等后進行再利用。
[0147]當通過第一處理液進行的蝕刻結束時，停止供給第一處理液。然后，上部噴嘴181噴出氮氣，且通過基板9的旋轉，從基板9上除去第一處理液。由于頂板123與基板支撐部141 一起旋轉，因此在頂板123的下表面上幾乎不殘留第一處理液，由此不會從頂板123落下第一處理液。
[0148]接著，如圖28所示，腔室蓋部122以及罩部161a向下方移動。并且，腔室蓋部122的唇形密封件231與腔室側壁部22的上部相接觸，由此腔室12形成密閉的內部空間120。在腔室12被密閉的狀態下，基板9與腔室12的內壁直接相向，在它們之間不存在其它受液部。內部空間120與密閉空間160同樣地具有氮環境(即，低氧環境)。
[0149]在腔室蓋部122移動時，以第一磁鐵261的上下方向上的位置不發生變化，即頂板123相對于基板支撐部141以及基板9的上下方向上的位置不發生變化的方式，通過磁鐵移動機構263對第二磁鐵262的位置進行調整因此，頂板123不從第一接近位置移動，基板按壓部142不與基板9相接觸。
[0150]當形成內部空間120時，上部噴嘴181連續地噴出純水即第二處理液，由此向旋轉中的基板9的上表面91的中央部供給第二處理液。第二處理液由于基板9的旋轉而向外周部擴散，并從基板9的外周緣向外側飛散。從下部噴嘴182向基板9的下表面92的中央部供給第二處理液，并且第二處理液由于基板9的旋轉而外周部擴散。從基板9飛散的作為第二處理液的使用后的水被腔室12的內壁(即，腔室蓋部122以及腔室側壁部22的內壁)接受，并經由第二回收部195 (參照圖16)被廢棄(步驟S23)。由此，也對腔室12內進行清洗。[0151]當通過純水進行的沖洗進行了規定的時間時，停止供給第二處理液，如圖29所示，通過頂板移動機構126使頂板123向下方移動，頂板123位于上述的第二接近位置。在頂板123位于第二接近位置的狀態下，基板按壓部142的多個第二接觸部421與基板9的外緣部相接觸。基板按壓部142借助頂板123的自重朝向基板支撐部141按壓基板9。基板9被基板支撐部141和基板按壓部142上下夾持而牢固地被保持。
[0152]接著，第三處理液供給部185所供給的IPA即第三處理液，經由上部噴嘴181從頂板123的中央的開口噴出。然后，當頂板123和基板9之間被第三處理液充滿時，停止供給第三處理液。由此，基板9上的純水被置換為IPA (步驟S24)。此外，在步驟S23中，頂板123和基板9之間不被第二處理液充滿。
[0153]接著，在內部空間120內，基板9與基板支撐部141、基板按壓部142及頂板123 —起進行高速旋轉，并且從上部噴嘴181噴出氮氣，從而從基板9上除去第三處理液。基板9以比在步驟S22、S23中的轉速高的轉速進行旋轉。從基板9飛散的第三處理液被腔室12的內壁接受，并被第二回收部195回收。此時，通過減壓部196對腔室12的內部空間120進行減壓，從而促進基板9的干燥(步驟S25)。在再利用第二回收部195所回收的第三處理液的情況下，從第三處理液中除去雜質等。當基板9的干燥結束時，基板9停止旋轉。此夕卜，也可以在干燥時對基板9進行加熱。
[0154]然后，內部空間120恢復常壓。另外，通過頂板移動機構126使頂板123向上方移動，如圖26所示，通過腔室蓋部122保持頂板123。然后，腔室蓋部122和頂板123上升，如圖14所示，腔室12成為打開狀態。在步驟S25中，由于頂板123與基板支撐部141 一起旋轉，因此在頂板123的下表面上幾乎不殘留液體，由此不會存在在腔室蓋部122上升時從頂板123向基板9上落下液體的情況。基板9被外部的搬運機構搬出(步驟S26)。
[0155]如圖30所示，也可以在基板處理裝置Ib的處理液供給部18中增加掃描噴嘴188。在利用掃描噴嘴188時,腔室蓋部122向上方遠離腔室主體121,從而形成頂板123與基板保持部14分離的打開狀態。因此，頂板123不進行旋轉。從腔室12的外部向腔室蓋部122和腔室主體121之間插入掃描噴嘴188，并移動至基板9的上方。掃描噴嘴188是雙流體噴嘴，例如，在進行SCl處理之后進行純水清洗。掃描噴嘴188也可以是除了雙流體噴嘴之外的類型的噴嘴。掃描噴嘴188 —邊在水平方向上進行擺動,一邊向基板9的上表面91供給處理液。掃描噴嘴188也可以是其它處理用的其它種類的噴嘴。來自掃描噴嘴188的處理液被位于第一位置的罩部161a接受并回收，并根據需要來再利用該處理液。在利用雙流體噴嘴作為掃描噴嘴188時，優選在殼體17內連接未圖示的排氣設備，以便能夠充分排出所產生的處理液霧。
[0156]如上面說明那樣，在基板處理裝置Ib中，能夠在腔室12密閉的狀態下在內部空間120中對基板9進行處理，并且能夠在腔室12處于半開狀態下，在由腔室12和罩部161a形成的密閉空間160中對基板9進行處理。另外，還能夠在腔室12處于打開狀態下對基板9進行處理。即，在基板處理裝置Ib中，以以往相比能夠通過一個裝置進行各種處理。
[0157]在下面的說明中，將在腔室12的內部空間120內進行的處理稱為“第一密閉處理”，將在密閉空間160內進行的處理稱為“第二密閉處理”，將在打開狀態下進行的處理稱為“打開處理”。在基板處理裝置Ib中，能夠連續地進行在減壓環境或加壓環境下進行處理的第一密閉處理、使用受液部16的第二密閉處理及打開處理。在設置有掃描噴嘴188的情況下，利用掃描噴嘴188的處理也能夠與第一密閉處理和/或第二密閉處理連續地進行。此外，在基板處理裝置Ib中，不用使密閉空間160形成為減壓環境或加壓環境。
[0158]在第二密閉處理中，在罩部161a和腔室蓋部122之間形成第一密封結構615，在罩部161a和腔室主體121之間形成第二密封結構616，由此由腔室12以及罩部161a形成密閉空間160。由此，通過配置在腔室12的外部的罩部161a，能夠在密閉空間160內接受處理液。如上所述，使密閉空間160具有低氧環境來對基板9進行處理，由此能夠抑制基板9上的膜被氧化。這樣的在低氧環境中進行的處理，例如在如下等情況下是很有用的，即，在形成有銅布線的基板中進行除去聚合物的處理等時要防止銅布線氧化。另外，由于罩部161a配置在腔室12的外部，因此能夠使腔室12實現小型化。由此，能夠減少在第一密閉處理時填充在腔室12的內部空間120內的氣體的量，并能夠縮短伴隨著內部空間120中的減壓或加壓而進行的處理所需的時間。
[0159]而且，在第一密閉處理中，通過第二回收部195回收處理液，在第二密閉處理中，通過第一回收部194回收處理液，由此能夠一邊通過多種處理液連續地進行處理，一邊將該多種處理液分開回收。由此，與僅通過腔室的內壁接受多種處理液并通過多通道閥分開回收的情況相比，能夠提高處理液的回收效率，從而能夠延長處理液的壽命。而且還能夠容易地防止因不同種類的處理液混合而產生的顆粒、發熱、發煙等情況。
[0160]如上所述，罩部161a具有從側壁部611的上端部向徑向內側延伸的大致圓環板狀的上面部612，并且上面部612與腔室蓋部122相接觸。另外，罩部161a具有從側壁部611的下端部向徑向外側延伸的大致圓環板狀的下面部613，并且下面部613與腔室主體121相接觸。這樣，在基板處理裝置Ib中，能夠以簡單的結構容易地在腔室蓋部122和罩部161a之間形成第一密封結構615，并容易地在腔室主體121和罩部161a之間形成第二密結構616。
[0161]在基板處理裝置Ib中，能夠通過頂板123以簡單的結構，防止附著于腔室內部的液體向基板9落下。另外，頂板123的外周緣在整周上位于基板9的外周緣的徑向外側，因此基板9的上表面91的整個外周部被頂板123覆蓋。結果，能夠抑制從基板9的外周緣飛散的處理液從腔室12的內壁等彈回而附著于基板9上的情況。而且，通過在頂板123位于第二接近位置的狀態下進行處理，能夠減少用處理液覆蓋基板9的上表面91時所需的處理液的量。還能夠減少向頂板123和基板9之間供給的氣體的量。
[0162]如上所述，頂板123能夠相對于腔室蓋部122在上下方向上進行移動，因此在進行第一密閉處理以及第二密閉處理時，能夠使頂板123與基板支撐部141 一起進行旋轉。另夕卜，在通過腔室蓋部122保持頂板123的狀態下使腔室蓋部122上升，由此能夠容易地解除頂板123和基板支撐部141之間的卡合。在這樣的打開狀態下，也能夠從上部噴嘴181噴出處理液來進行處理。
[0163]在基板保持部14中，基板支撐部141的多個第一接觸部411在多個第一接觸位置上與基板9的外緣部相接觸。并且，在頂板123位于第二接近位置的狀態下，基板按壓部142的多個第二接觸部421，在與多個第一接觸位置不同的多個第二接觸位置上與基板9的外緣部相接觸。這樣，從下側支撐基板9的結構和從上側按壓基板9的結構，在周向的不同的位置上與基板9相接觸，因此能夠抑制從基板9的中央部朝向外緣部移動的處理液殘留在用于保持基板9的外緣部的保持結構的附近的情況。另外，還能夠抑制處理液被該保持結構彈回。
[0164]如上所述，在基板保持部14中，在基板支撐部141的各第一接觸部411的周向上的兩側相鄰地配置有基板按壓部142的兩個第二接觸部421。由此，在通過基板支撐部141和基板按壓部142來夾持并保持基板9時，在各第一接觸部411附近在基板9上產生應力，因此能夠通過基板保持部14牢固地保持基板9。此外，也可以在各第二接觸部421的周向上的兩側相鄰地配置兩個第一接觸部411。在該情況下，也在各第二接觸部421附近在基板9上產生應力，因此能夠通過基板保持部14牢固地保持基板9。
[0165]如上所述，基板支撐部141的各第一接觸部411的上端部位于基板按壓部142的各第二接觸部421的下端部的上方。即，在上下方向上，第一接觸部411與第二接觸部421局部重疊。由此，通過基板支撐部141和基板按壓部142緊緊地夾持基板9，從而能夠更牢固地保持基板9。另外，基板按壓部142借助頂板123的自重朝向基板支撐部141按壓基板9，由此能夠進一步牢固地保持基板9。
[0166]在基板支撐部141中，各第一接觸部411的第一傾斜面412與基板9的外緣部相接觸，并且該第一傾斜面412越朝向徑向內側越朝向下側。由此，使第一接觸部411和基板9之間的接觸面積變小，從而能夠降低因基板9與基板支撐部141接觸而被污染的可能性。在基板按壓部142中，各第二接觸部421的第二傾斜面422與基板9的外緣部相接觸，并且該第二傾斜面422為朝向徑向內側越朝向上側。由此，使第二接觸部421和基板9之間的接觸面積變小，從而能夠降低因基板9與基板按壓部142接觸而被污染的可能性。
[0167]頂板移動機構126利用磁力使頂板123相對于腔室蓋部122進行移動。由此，不必設置直接與頂板123相連接的移動機構，從而能夠容易地變更頂板123和基板9之間的上下方向上的距離。結果，即使在進行第一密閉處理或第二密閉處理時，在密閉的內部空間120或密閉空間160內，也能夠容易地變更頂板123和基板9之間的距離。
[0168]頂板移動機構126具有:第一磁鐵261,其設置在頂板軸部235上；第二磁鐵262,其設置在腔室蓋部122上；磁鐵移動機構263，其使第二磁鐵262在上下方向上進行移動。在基板處理裝置Ib中，能夠這樣用簡單的結構容易地實現頂板123在上下方向上的移動。
[0169]如上所述，基板按壓部142固定在頂板123的下表面上，在腔室12處于密閉狀態而頂板123位于第二接近位置的狀態下，基板按壓部142從上側按壓基板9。另外，在頂板123位于第一接近位置的狀態下，基板按壓部142與基板9分離。這樣，通過頂板移動機構126變更頂板123的位置，從而能夠按照對基板9進行的處理內容來容易地切換基板保持部14保持基板9的保持狀態。
[0170]在基板處理裝置Ib中，在頂板123位于第二接近位置的狀態下，經由上部噴嘴181從頂板123的中央噴出處理液，由此頂板123和基板9之間被處理液充滿。結果，能夠減少處理液的使用量。另外，能夠抑制基板9的上表面91上的處理液與周圍的氣體接觸，因此在周圍的氣體中含有氧的情況下，能夠抑制處理液氧化。
[0171]在基板處理裝置Ib中，轉子部152配置在腔室12的內部空間120，定子部151配置在腔室12的外部。由此，能夠容易地形成具有高的密閉性的內部空間120。結果，能夠容易地實現在密閉的內部空間120中進行基板9的單張處理。另外，與將馬達設置在腔室底部的下方的裝置相比，能夠容易地在腔室底部21設置下部噴嘴182等各種結構。
[0172]在基板旋轉機構15中，轉子部152在內部空間120中以懸浮狀態進行旋轉。因此，不必在內部空間120中設置用于支撐轉子部152的結構，從而能夠實現基板處理裝置Ib的小型化以及裝置結構的簡單化。由于不會存在轉子部152和支撐結構摩擦而產生粉塵等的情況，因此能夠提高內部空間120的潔凈度。而且，不會有支撐結構所產生的摩擦阻力作用于轉子部152，因此能夠容易地實現轉子部152的高速旋轉。
[0173]圖31是示出第四實施方式的基板處理裝置Ic的剖視圖。在基板處理裝置Ic中，在受液部16上設置有形狀與圖14所示的罩部161a不同的罩部161b，并且腔室主體121具有配置在受液凹部165a的外側的環狀的液體貯存部166a。其它結構與圖14所示的基板處理裝置Ib相同，在下面的說明中，對于對應的結構標注相同的附圖標記。
[0174]如圖31所示，液體貯存部166a由腔室側壁部22以及形成受液凹部165a的構件構成。液體貯存部166a在包圍受液凹部165a的外周的外壁部168的外側以在周向上的整周上包圍受液凹部165a的方式設置。在液體貯存部166a中貯存有密封用液體167。作為密封用液體167，例如能夠利用純水。
[0175]圖32是示出基板處理裝置Ic的一部分的剖視圖。罩部161b具有側壁部611、上面部612及外筒部614。側壁部611是以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀。上面部612是以中心軸Jl為中心的大致圓環板狀，從側壁部611的上端部向徑向內側以及徑向外側延伸。外筒部614是以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀，從上面部612的外緣部向下方延伸。外筒部614以在側壁部611的周圍與側壁部611分離的方式配置。外筒部614的內周面在徑向上與側壁部611的外周面相向。在圖32所示的狀態下，側壁部611的除了上部之外的大部分位于受液凹部165a內，外筒部614的除了上部之外的大部分位于在液體貯存部166a中貯存的密封用液體167內。
[0176]圖33是示出在密閉空間160內進行第二密閉處理的狀態的基板處理裝置Ic的一部分的剖視圖。如圖33所示，腔室12處于半開狀態，在腔室主體121和腔室蓋部122之間形成有環狀開口 81。罩部161b位于環狀開口 81的徑向外側的第一位置，側壁部611在徑向上與環狀開口 81相向。
[0177]在位于第一位置的罩部161b中，與基板處理裝置Ib同樣，上面部612的內緣部的上表面在整周上與腔室蓋部122的唇形密封件232相接觸。由此，在腔室蓋部122和罩部161b的上面部612之間形成第一密封結構615,該第一密封結構615用于防止氣體和/或液體通過。另外，罩部161b的外筒部614的下端部在整周上位于貯存在腔室主體121的液體貯存部166a中的密封用液體167內。由此，在腔室主體121和罩部161b的外筒部614之間形成第二密封結構616，該第二密封結構616用于防止氣體和/或液體通過。
[0178]罩部161b的上面部612是在第一位置上形成第一密封結構615的第一密封部，夕卜筒部614是在第一位置上形成第二密封結構616的第二密封部。由半開狀態的腔室12和位于第一位置的罩部161b，形成密閉空間160。
[0179]這樣，在基板處理裝置Ic中，能夠用簡單的結構容易地在腔室蓋部122和罩部161b之間形成第一密封結構615，且容易地在腔室主體121和罩部161b之間形成第二密封結構616。另外，第二密封結構616是使罩部161b的外筒部614的下端部位于密封用液體167內來形成的，因此能夠更可靠地防止從第二密封結構616漏出氣體和/或液體。
[0180]圖34是示出第五實施方式的基板處理裝置Id的一部分的剖視圖。在基板處理裝置Id中，在受液部16上設置有形狀以及結構與圖14所示的罩部161a不同的罩部161c。其它結構與圖14所示的基板處理裝置Ib相同，在下面的說明中，對于對應的結構標注相同的附圖標記。
[0181]如圖34所示，罩部161c具有側壁部611、上面部612及波紋管617。側壁部611是以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀。上面部612是以中心軸Jl為中心的大致圓環板狀，從側壁部611的上端部向徑向內側以及徑向外側延伸。波紋管617是以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀，且能夠在上下方向上進行伸縮。波紋管617由不使氣體和/或液體通過的材料形成。
[0182]波紋管617在整周上設置在側壁部611的周圍。波紋管617的上端部在整周上與上面部612的外緣部的下表面相連接。換言而之，波紋管617的上端部經由上面部612間接地與側壁部611相連接。波紋管617和上面部612之間的連接部，能夠防止氣體和/或液體通過。波紋管617的下端部經由構成腔室側壁部22以及受液凹部165a的構件間接地與腔室主體121相連接。波紋管617的下端部、腔室側壁部22以及構成受液凹部165a的構件之間的連接部，也能夠防止氣體和/或液體通過。
[0183]圖35是示出在密閉空間160內進行第二密閉處理的狀態的基板處理裝置Id的一部分的剖視圖。如圖35所示，腔室12處于半開狀態，在腔室主體121和腔室蓋部122之間形成有環狀開口 81。罩部161c位于環狀開口 81的徑向外側的第一位置，側壁部611在徑向上與環狀開口 81相向。
[0184]在位于第一位置的罩部161c中，與基板處理裝置Ib同樣地，上面部612的內緣部的上表面在整周上與腔室蓋部122的唇形密封件232相接觸。由此，在腔室蓋部122和罩部161c的上面部612之間形成第一密封結構615，該第一密封結構615用于防止氣體和/或液體通過。另外，在側壁部611的周圍，波紋管617的上端部與上面部612相連接，波紋管617的下端部間接地與腔室主體121相連接。由此，在腔室主體121和罩部161c之間形成第二密封結構616，該第二密封結構616用于防止氣體和/或液體通過。
[0185]罩部161c的上面部612是在第一位置上形成第一密封結構615的第一密封部，波紋管617是在第一位置上形成第二密封結構616的第二密封部。由半開狀態的腔室12和位于第一位置的罩部161C，形成密閉空間160。
[0186]這樣，在基板處理裝置Id中，能夠用簡單的結構容易地在腔室蓋部122和罩部161c之間形成第一密封結構615，容易地在腔室主體121和罩部161c之間形成第二密封結構616。另外，由于第二密封結構616是使罩部161c的波紋管617的下端部與腔室主體121相連接來形成的，因此能夠更可靠地防止從第二密封結構616漏出氣體和/或液體漏出。
[0187]圖36是示出本發明的第六實施方式的基板處理裝置Ie的剖視圖。在基板處理裝置Ie中，腔室蓋部122保持頂板123的保持方法不同。其它結構與圖14所示的基板處理裝置Ib相同，在下面的說明中，對于對應的結構標注相同的附圖標記。
[0188]如圖36所示，腔室蓋部122具有環狀的板保持部222a。板保持部222a具有以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀的筒部223和以中心軸Jl為中心的大致圓板狀的凸緣部224。筒部223從腔室蓋部122的下表面向下方延伸。凸緣部224從筒部223的下端向徑向外側延伸。
[0189]頂板123具有環狀的被保持部237。被保持部237具有以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀的筒部238和以中心軸Jl為中心的大致圓板狀的凸緣部239。筒部238從頂板123的上表面向上方延伸。凸緣部239從筒部238的上端向徑向內側延伸。筒部238位于板保持部222a的筒部223的徑向外側，在徑向上與筒部223相向。凸緣部239位于板保持部222a的凸緣部224的上方，在上下方向上與凸緣部224相向。被保持部237的凸緣部239的下表面與板保持部222a的凸緣部224的上表面相接觸，由此頂板123以從腔室蓋部122垂下的方式安裝在腔室蓋部122上。
[0190]圖37是示出在密閉空間160內進行第二密閉處理的狀態的基板處理裝置Ie的一部分的剖視圖。如圖37所示，腔室12處于半開狀態，在腔室主體121和腔室蓋部122之間形成有環狀開口 81。罩部161a位于環狀開口 81的徑向外側的第一位置，并且側壁部611在徑向上與環狀開口 81相向。
[0191]在位于第一位置的罩部161a中，與基板處理裝置Ib同樣地，上面部612的內緣部的上表面在整周上與腔室蓋部122的唇形密封件232相接觸。由此，在腔室蓋部122和罩部161a的上面部612之間形成第一密封結構615，該第一密封結構615用于防止氣體和/或液體通過。另外，下面部613的上表面在整周上與腔室主體121的外密封部169的下表面相接觸。由此，腔室主體121和罩部161a的下面部613之間形成第二密封結構616，該第二密封結構616用于防止氣體和/或液體通過。 [0192]第二卡合部242嵌入于第一^^合部241中，由此頂板123在周向上與基板支撐部141的支撐部基座413相卡合。換言而之,通過第—^合部241以及第二卡合部242,限制在旋轉方向上頂板123相對于基板支撐部141的相對位置。另外，基板按壓部142的多個第二接觸部421與基板9的外緣部相接觸。
[0193]被保持部237的凸緣部239與板保持部222a的凸緣部224分離而位于凸緣部224的上方。在圖37所示的狀態下，頂板123和腔室蓋部122之間的上下方向上的距離小于在圖36所示的狀態下的距離。即，頂板123以能夠變更頂板123和腔室蓋部122之間的上下方向上的距離的狀態安裝在腔室蓋部122上。
[0194]在圖37所示的狀態下，板保持部222a和被保持部237沒有接觸，頂板123經由基板按壓部142以及基板9被基板支撐部141支撐。基板按壓部142借助頂板123的自重朝向基板支撐部141按壓基板9。
[0195]圖38是從與圖37不同的位置剖切進行第二密閉處理的狀態的基板處理裝置Ie的一部分的剖視圖。如圖38所示，頂板123的下表面以及基板支撐部141的支撐部基座413上設置有在上下方向上相向的一對磁鐵143a、143b (下面,將兩個磁鐵總稱為“磁鐵對143”)。在基板處理裝置I中，多個磁鐵對143在周向上以相等角度間隔配置在與第一接觸部411、第二接觸部421、第一卡合部241及第二卡合部242 (參照圖37)不同的位置上。在基板按壓部142與基板9接觸的狀態下，借助作用于一對磁鐵143a、143b之間的磁力(弓丨力)，向頂板123作用朝下的力。由此，如圖37所示，基板按壓部142朝向基板支撐部141按壓基板9。
[0196]在基板處理裝置Ie中，基板按壓部142借助頂板123的自重以及多個磁鐵對143的磁力，朝向基板支撐部141按壓基板9,從而能夠通過基板按壓部142和基板支撐部141上下夾持基板9來牢固地保持。此外，可以僅設置一個磁鐵對143，即使在該情況下，也能夠借助磁鐵對143的磁力牢固地保持基板9。
[0197]在如圖37以及圖38所示的狀態下，如上所述，板保持部222a和被保持部237沒有接觸，頂板123相對腔室蓋部122獨立，并且通過基板旋轉機構15使頂板123與基板保持部14以及被基板保持部14保持的基板9 一起進行旋轉。
[0198]圖39是示出在腔室12的內部空間120內進行第一密閉處理的狀態的基板處理裝置Ie的一部分的剖視圖。如圖39所示，腔室12處于密閉狀態，罩部161a位于上述的第二位置。在如圖39所示的狀態下，頂板123和腔室蓋部122之間的上下方向上的距離小于在圖36以及圖37所示的狀態下的距離。另外，在圖39所示的狀態下，頂板123和基板9之間的上下方向上的距離與在圖37所示的狀態下的距離相同，基板按壓部142與基板9的外緣部相接觸來朝向基板支撐部141按壓基板9。板保持部222a和被保持部237沒有接觸，頂板123相對腔室蓋部122獨立，并且頂板123與基板保持部14以及被基板保持部14保持的基板9一起進行旋轉。
[0199]當腔室蓋部122上升至圖36所示的打開狀態時，設置在板保持部222a的凸緣部224的上表面上的多個突起嵌入于在被保持部237的凸緣部239的下表面上設置的環狀的槽部中，由此相對于腔室蓋部122對頂板123進行調心。此外，作為調心結構，也可以采用其它結構。
[0200]在基板處理裝置Ie中，也能夠與基板處理裝置Ib同樣地，通過配置在腔室12的外部的罩部161a來在密閉空間160內接受處理液。另外，能夠抑制處理液殘留在用于保持基板9的外緣部的保持結構的附近的情況。還能夠抑制處理液被該保持結構彈回的情況。在基板處理裝置Ie中，也可以增加如圖30所示的掃描噴嘴188。
[0201]以上，對于本發明的實施方式進行了說明，但是本發明并不限定于上述實施方式，能夠進行各種變更。
[0202]在基板處理裝置1、Ia?Ie中，可以進行其它各種處理。例如，也可以通過SPM(硫酸-過氧化氫混合液)進行處理。在打開狀態、半開狀態及密閉狀態下進行的處理的順序和處理內容也能夠進行各種變更。
[0203]可以將受液部16的罩部所接受的處理液全部廢棄。相反，也可以全部回收。腔室12所接受的處理液也可以廢棄也可以回收。罩部的數量可以是一個也可以是3個以上。多個罩部可以同時進行升降。在處理液稍微混合而不會產生問題的情況下，各罩部也可以接受多種處理液。此時，也可以在來自罩部的排液路上設置多通道閥。
[0204]在罩部161a、161b及161c中，也可以通過使除了上面部612之外的部位(例如，側壁部611)與腔室蓋部122相接觸，來在罩部161a、161b及161c和腔室蓋部122之間形成第一密封結構615。罩部161a、161b及161c的形狀可以適當地進行變更。
[0205]上部噴嘴181和下部噴嘴182的形狀并不限定于突出的形狀。只要是處于噴出處理液的噴出口的部位，都包含在本實施方式的噴嘴的概念中。
[0206]腔室開閉機構可以是以各種方式對腔室12進行開閉的機構，只要是使腔室12的包括上部或者下部的腔室活動部相對于其它部位進行升降的機構即可。通過腔室活動部的移動，在基板9的周圍形成環狀開口 81。
[0207]例如，腔室開閉機構131不必一定使腔室蓋部122在上下方向上進行移動，也可以在固定腔室蓋部122的狀態下，使腔室主體121在上下方向上進行移動來將腔室12的狀態在打開狀態、半開狀態及密閉狀態之間進行切換。
[0208]在基板處理裝置l、la中，也可以采用其它結構，使頂板123和基板保持部14在周向上進行卡合。例如，也可以僅使從頂板123向下方突出的突起和從基板保持部14向上方突出的突起在周向上相接觸。
[0209]在基板處理裝置Ib?Ie中，作為使頂板123和基板支撐部141在周向上卡合的機構，也可以采用與第一卡合部241以及第二卡合部242不同的結構。例如，也可以僅使從頂板123向下方突出的突起和從基板支撐部141的支撐部基座413向上方突出的突起在周向上相接觸。
[0210]圖1所示的基板旋轉機構15的結構可以進行各種變更。轉子部152不必一定以懸浮狀態進行旋轉，也可以在腔室12的內部空間120內設置用于機械地支撐轉子部152的引導件等結構，并且使轉子部152沿著該引導件進行旋轉。
[0211]基板旋轉機構15不必一定是中空馬達，如圖40所示，也可以利用作為軸旋轉型的馬達的基板旋轉機構15a。基板旋轉機構15a配置在腔室12的外部的腔室12的下方。在基板支撐部141的大致圓環板狀的支撐部基座413的下表面上固定有大致圓板狀的連接部
414。基板旋轉機構15a的旋轉軸155與連接部414的中央的開口相連接。下部噴嘴182設置在基板旋轉機構15a的旋轉軸155的上端。
[0212]在基板處理裝置I中，也可以省略上部噴嘴181或者下部噴嘴182中的一方。即，處理液供給部18向基板9的上表面或者下表面供給處理液。另外，也可以省略頂板123。
[0213]也可以在省略受液部16且僅進行密閉處理的裝置上采用腔室蓋部122以及頂板123的結構。
[0214]在頂板移動機構126中，不必一定設置磁鐵移動機構263。例如，也可以在腔室蓋部122的容置部221的周圍，在上下方向上排列多個環狀的電磁鐵，并選擇性地使一個或者兩個電磁鐵通電，從而控制第一磁鐵261的上下方向上的位置，由此使頂板123在上下方向上進行移動。在進行第二密閉處理的密閉空間160內，也可以通過頂板移動機構126變更頂板123的位置。
[0215]基板處理裝置Ie的磁鐵對143也可以設置在基板處理裝置lb、lc及Id的頂板123以及基板支撐部141上。
[0216]在上述的基板處理裝置中，作為配置在基板支撐部141的上方并與基板支撐部141 一起旋轉的上側旋轉構件，設置了頂板123，但是例如也可以設置大致圓環板狀的上側旋轉構件并在上側旋轉構件的下表面上設置基板按壓部142，來代替頂板123。在該情況下，在基板處理裝置lb、Ic及Id中，通過從頂板軸部235以放射狀延伸的連接部，來連接頂板軸部235和大致圓環板狀的上側旋轉構件。另外，在基板處理裝置Ie中，在上側旋轉構件的上表面上固定有被保持部237。在上述的基板處理裝置中，也可以省略上側旋轉構件。
[0217]在基板保持部14中，在基板支撐部141的各第一接觸部411的周向上的兩側相鄰地配置有基板按壓部142的兩個第二接觸部421，但是也可以使在一個第一接觸部411的兩側相鄰地配置的兩個第二接觸部421為一個構件的在周向上相分離的兩個部位。另外，在各第二接觸部421的周向上的兩側相鄰地配置兩個第一接觸部411的情況下，也可以使兩個第一接觸部411為一個構件的在周向上相分離的兩個部位。此外，第一接觸部411和第二接觸部421不必一定相鄰地配置，例如也可以使4個第一接觸部411以及4個第二接觸部421交錯地以等角度間隔排列。
[0218]基板保持部14不必一定分開設置為基板支撐部141和基板按壓部142。例如也可以在支撐部基座413上設置分別具有向徑向外側凹入的凹部的多個保持結構，并將基板9的外緣部插入于各保持結構的凹部中，由此使各保持結構從基板9的下側、側方及上側與基板9接觸來保持基板9。
[0219]在上述的步驟S21?S26中，在想要將第三處理液與第一處理液以及第二處理液分開回收的情況下，在步驟S23和步驟S24之間，腔室12從半開狀態變為密閉狀態。另外，在對基板9進行的處理中，也可以不一定向基板9的下表面92供給處理液。在上述的基板處理裝置中，可以向基板9供給各種處理液(例如，SPM (硫酸-過氧化氫混合液))，來進行除了步驟S21?S26所示的處理以外的各種處理。另外，腔室12的內部空間120和密閉空間160的環境氣體可以變更為各種各樣。此外，不一定必須設置腔室12。
[0220]在基板處理裝置中處理的基板并不限定于半導體基板，也可以是玻璃基板或其它基板。
[0221]上述實施方式以及各變形例的結構在彼此不矛盾的情況下可以適當地進行組合。
[0222]詳細地描寫并說明了發明，但是上述的說明僅僅為例示，并不是限定的內容。因此，在不脫離本發明的范圍內，能夠進行各種變形和以各種方式實施。
【權利要求】
1.一種基板處理裝置，用于處理基板，其特征在于， 具有: 腔室，其形成密閉的內部空間； 腔室開閉機構，其使所述腔室的包括上部或者下部的腔室活動部相對于其它部位進行升降； 基板保持部，其配置在所述腔室內，且以水平狀態保持基板； 基板旋轉機構，其使所述基板與所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心軸為中心進行旋轉； 處理液供給部，其向所述基板的上表面或者下表面供給處理液； 罩部，其位于通過所述腔室活動部的移動而形成在所述基板的周圍的環狀開口的徑向外側，并接受從旋轉的所述基板飛散的處理液。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有罩升降機構，該罩升降機構通過使所述罩部進行升降，來使所述罩部在所述環狀開口的徑向外側的位置和該位置的下方的其它位置之間進行移動。
3.根據權利要求2所述的基板處理裝置， 其特征在于， 還具有位于所述腔室的徑向外側的其它罩部， 通過所述罩升降機構使所述罩部進行升降，由此在所述罩部接受來自所述基板的處理液的狀態和所述其它罩部接受來自所述基板的處理液的狀態之間進行切換。
4.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述處理液供給部包括噴嘴，該噴嘴在所述腔室活動部和所述其它部位分離的狀態下，從所述腔室外部移動至所述基板的上方。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述罩部接受從所述基板飛散的處理液的狀態下，所述罩部的上部與所述腔室的所述上部相接近或者相接觸。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述腔室活動部包括所述腔室的所述下部， 所述腔室具有: 腔室固定部，其位于所述腔室活動部的上側， 腔室蓋部，其位于所述腔室固定部的上側； 所述基板處理裝置還具有: 蓋部升降機構，其使所述腔室蓋部進行升降， 分隔板，其在所述罩部的上方，從所述腔室固定部向外側延伸。
7.根據權利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述處理液供給部向所述基板供給純水和藥液， 在所述腔室內密閉的狀態下，所述腔室接受從所述基板飛散的異丙醇或者水， 在形成所述環狀開口的狀態下，所述罩部接受從所述基板飛散的藥液。
8.根據權利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有對所述腔室內進行減壓的減壓部。
9.根據權利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有對所述腔室內進行加壓的加壓部。
10.一種基板處理裝置，用于處理基板，其特征在于， 具有: 腔室，其形成密閉的內部空間； 腔室開閉機構，其使所述腔室的包括上部的腔室蓋部相對于其它部位進行升降； 基板保持部，其配置在所述腔室內，且以水平狀態保持基板； 基板旋轉機構，其使所述基板與所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心軸為中心進行旋轉； 處理液供給部，其向所述基板上供給處理液； 頂板，其呈與所述中心軸相垂直的板狀，以能夠以所述中心軸為中心旋轉的方式安裝在所述腔室蓋部上，并且在所述腔室形成密閉的所述內部空間的狀態下，在以所述中心軸為中心的周向上與所述基板保持部相卡合。
11.根據權利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，所述處理液供給部包括噴嘴，該噴嘴在所述頂板和所述基板保持部相卡合的狀態下，從所述頂板的中央噴出處理液，由此向所述頂板和所述基板之間供給處理液。
12.根據權利要求11所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有氣體供給部，該氣體供給部在所述頂板和所述基板保持部相卡合的狀態下，向所述頂板和所述基板之間供給氣體。
13.根據權利要求10`所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具有位于所述腔室的周圍的罩部， 在通過所述腔室蓋部的移動而在所述基板的周圍形成環狀開口的狀態下，所述罩部位于所述環狀開口的徑向外側，且接受從旋轉的所述基板飛散的處理液。
14.根據權利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述頂板以能夠變更與所述腔室蓋部之間的距離的狀態安裝在所述腔室蓋部上， 在所述腔室蓋部和所述腔室的所述其它部位之間的距離為第一距離的情況下，所述頂板在所述周向上與所述基板保持部相卡合， 在所述腔室蓋部和所述腔室的所述其它部位之間的距離為大于所述第一距離的第二距離的情況下，所述頂板與所述基板保持部分離。
15.根據權利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有罩升降機構，該罩升降機構通過使所述罩部進行升降，使所述罩部在所述環狀開口的徑向外側的位置和該位置的下方的其它位置之間進行移動。
16.根據權利要求15所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具有位于所述腔室的徑向外側的其它罩部， 通過所述罩升降機構使所述罩部進行升降，由此在所述罩部接受來自所述基板的處理液的狀態和所述其它罩部接受來自所述基板的處理液的狀態之間進行切換。
17.根據權利要求13至16中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述罩部接受從所述基板飛散的處理液的狀態下，所述罩部的上部與所述腔室的所述上部相接近或者相接觸。
18.根據權利要求13至16中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，所述處理液供給部向所述基板供給純水和藥液， 在所述腔室內密閉的狀態下，所述腔室接受從所述基板飛散的IPA或者水， 在形成所述環狀開口的狀態下，所述罩部接受從所述基板飛散的藥液。
19.一種基板處理裝置，用于處理基板，其特征在于， 具有: 腔室，其具有腔室主體以及腔室蓋部，通過所述腔室蓋部堵塞所述腔室主體的上部開口來形成密閉的內部空間， 腔室開閉機構，其使所述腔室蓋部相對于所述腔室主體在上下方向上進行移動， 基板保持部，其配置在 所述腔室內，且以水平狀態保持基板， 基板旋轉機構，其使所述基板與所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心軸為中心進行旋轉， 處理液供給部，其向所述基板上供給處理液， 罩部，其在整周上位于通過使所述腔室蓋部與所述腔室主體分離而形成在所述基板的周圍的環狀開口的徑向外側，接受從旋轉的所述基板飛散的處理液， 罩移動機構，其使所述罩部在位于所述環狀開口的徑向外側的第一位置和所述第一位置的下方的第二位置之間在所述上下方向上進行移動； 所述罩部具有: 大致圓筒狀的側壁部，在所述第一位置，在所述徑向上與所述環狀開口相向， 第一密封部，在所述第一位置，在整周上在與所述腔室蓋部之間形成第一密封結構，第二密封部，在所述第一位置，在整周上在與所述腔室主體之間形成第二密封結構；形成所述環狀開口的狀態下的所述腔室蓋部以及所述腔室主體、位于所述第一位置的所述罩部形成密閉的空間。
20.根據權利要求19所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述第一密封部呈從所述側壁部的上端部向徑向內側延伸的大致圓環狀， 通過使所述第一密封部與所述腔室蓋部相接觸，來在所述第一密封部和所述腔室蓋部之間形成所述第一密封結構。
21.根據權利要求19所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述腔室主體具有液體貯存部，該液體貯存部設置在以所述中心軸為中心的整個周向上，且用于貯存密封用液體， 所述第二密封部呈大致圓筒狀，且配置在所述側壁部的周圍， 通過使所述第二密封部的下端部位于在所述液體貯存部中所貯存的所述密封用液體內，在第二密封部和所述腔室主體之間形成所述第二密封結構。
22.根據權利要求19所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述第二密封部為在整周上設置在所述側壁部的周圍的波紋管， 所述第二密封部的上端部與所述側壁部相連接， 所述第二密封部的下端部與所述腔室主體相連接。
23.根據權利要求19至22中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述基板旋轉機構具有: 環狀的轉子部，其配置在所述腔室的所述內部空間內，且安裝有所述基板保持部；定子部，其配置在所述腔室外的所述轉子部的周圍，并且在與所述轉子部之間產生旋轉力。
24.根據權利要求23所述的基板處理裝置，其特征在于，所述轉子部借助作用于所述轉子部和所述定子部之間的磁力，在所述內部空間內以懸浮狀態進行旋轉。
25.—種基板處理裝置，用于處理基板，其特征在于， 具有: 基板支撐部，其以水平狀態從下側支撐基板， 上側旋轉構件，其配置在所述基板支撐部的上方， 位置限制構件，其在以朝向上下方向的中心軸為中心的周向上，限制所述上側旋轉構件相對于所述基板支撐部的相對位置， 基板按壓部，其固定在所述上側旋轉構件上，并從上側按壓被所述基板支撐部支撐的所述基板， 基板旋轉機構，其使所述基板與所述基板支撐部、所述基板按壓部及所述上側旋轉構件一起進行旋轉， 處理液供給部，其向所述基板上供給處理液； 所述基板支撐部具有多個第一接觸部，該多個第一接觸部分別在多個第一接觸位置與所述基板的外緣部接觸， 所述基板按壓部具有多個第二接觸部，該第二接觸部分別在多個第二接觸位置與所述基板的所述外緣部接觸，其中，所述第二接觸位置是在所述周向上與所述多個第一接觸位置不同的位置。
26.根據權利要求25所述的基板處理裝置，其特征在于，在各第一接觸部的周向上的兩側以與各所述第一接觸部相鄰的方式配置有兩個第二接觸部，或者在各第二接觸部的周向上的兩側以與各所述第二接觸部相鄰的方式配置有兩個第一接觸部。
27.根據權利要求25所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述多個第一接觸部分別具有第一傾斜面，該第一傾斜面越朝向以所述中心軸為中心的徑向內側越朝向下側，并且所述第一傾斜面與所述基板的外緣部相接觸。
28.根據權利要求25所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述多個第二接觸部分別具有第二傾斜面，該第二傾斜面越朝向以所述中心軸為中心的徑向內側越朝向上側，并且所述第二傾斜面與所述基板的外緣部相接觸。
29.根據權利要求25所述的基板處理裝置，其特征在于，所述多個第一接觸部各自的上端部位于所述多個第二接觸部各自的下端部的上方。
30.根據權利要求25所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具有: 腔室，其具有腔室主體以及腔室蓋部，通過所述腔室蓋部堵塞所述腔室主體的上部開口來形成密閉的內部空間， 腔室開閉機構，其使所述腔室蓋部相對于所述腔室主體在所述上下方向上進行移動； 所述基板支撐部配置在所述腔室內， 在所述腔室蓋部在所述上下方向上進行相對移動時，所述上側旋轉構件被所述腔室蓋部支撐并與所述腔室蓋部一起進行移動。
31.根據權利要求25所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述上側旋轉構件呈與所述中心軸垂直的板狀， 所述上側旋轉構件的下表面與所述基板的上表面相向。
32.根據權利要求31所述的基板處理裝置，其特征在于，所述上側旋轉構件的外周緣，在以所述中心軸為中心的徑向上，在整周上位于所述基板的外周緣的外側。
33.根據權利要求25所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述基板支撐部以及所述上側旋轉構件上設置有在所述上下方向上相向的一對磁鐵，所述基板按壓部借助作用于所述一對磁鐵之間的磁力，朝向所述基板支撐部按壓所述基板。
34.根據權利要求25所述的基板處理裝置，其特征在于，所述基板按壓部借助所述上側旋轉構件的自重，朝向所述基板支撐部按壓所述基板。
35.根據權利要求25至34中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述基板旋轉機構具有: 環狀的轉子部，其配置在所述腔室的所述內部空間內，并安裝有所述基板支撐部； 定子部，其配置在所述腔室外的所述轉子部的周圍，在與所述轉子部之間產生旋轉力。
36.根據權利要求35所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述轉子部借助作用于所述轉子部和所述定子部之間的磁力，在所述內部空間內以懸浮狀態進行旋轉。
37.一種基板處理裝置，用于處理基板，其特征在于， 具有: 腔室，其具有腔室主體以及腔室蓋部，通過所述腔室蓋部堵塞所述腔室主體的上部開口來形成密閉的內部空間； 腔室開閉機構，其使所述腔室蓋部相對于所述腔室主體在上下方向上進行移動； 基板支撐部，其配置在所述腔室內，且以水平狀態支撐基板； 頂板，其配置在所述基板支撐部的上方，具有與所述基板相向并且與朝向上下方向的中心軸相垂直的下表面； 位置限制構件，其在以所述中心軸為中心的周向上，限制所述頂板相對于所述基板支撐部的相對位置； 基板旋轉機構，其使所述基板與所述基板支撐部以及所述頂板一起以所述中心軸為中心進行旋轉； 處理液供給部，其向所述基板上供給處理液； 頂板移動機構，其利用磁力使所述頂板相對于所述腔室蓋部在所述上下方向上進行移動。
38.根據權利要求37所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具有頂板軸部，該頂板軸部呈以所述中心軸為中心的大致圓柱狀，并固定在所述頂板的上表面上； 所述頂板軸部的至少一部分容置于在所述腔室蓋部上所設置的大致有蓋圓筒狀的容置部中， 所述頂板移動機構具有: 第一磁鐵，其在所述周向上沿著所述頂板軸部的外周面配置在所述頂板軸部中，第二磁鐵，其在所述容置部的周圍，在所述周向上配置在所述腔室蓋部中， 磁鐵移動機構，其通過使所述第二磁鐵在所述上下方向上進行移動，來使所述頂板軸部與所述頂板一起在所述上下方向上進行移動。
39.根據權利要求37所述的基板處理裝置，其特征在于， 在以所述中心軸為中心的徑向上，所述頂板的外周緣在整周上位于所述基板的外周緣的外側。
40.根據權利要求37所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具有固定在所述頂板上的基板按壓部， 所述基板支撐部從下側支撐所述基板， 通過所述頂板移動機構使所述頂板向下方移動，由此使所述基板按壓部與所述基板的外緣部接觸來從上側按壓所述基板。
41.根據權利要求37所述的基板處理裝置，其特征在于，所述處理液供給部包括噴嘴，該噴嘴通過從所述頂板的中央噴出處理液，來用處理液充滿所述頂板和所述基板之間。
42.根據權利要求37至41中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述基板旋轉機構具有: 環狀的轉子部，其配置在所述腔室的所述內部空間內，且安裝有所述基板保持部； 定子部，其配置在所述腔室外的所述轉子部的周圍，并且在與所述轉子部之間產生旋轉力。
43.根據權利要求42所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述轉子部借助作用于所述轉子部和所述定子部之間的磁力，在所述內部空間內以懸浮狀態進行旋轉。
【文檔編號】H01L21/02GK103681237SQ201310388692
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年8月30日 優先權日:2012年8月31日
【發明者】中井仁司, 大橋泰彥 申請人:大日本網屏制造株式會社