元件基板、顯示裝置及元件基板的制造方法

元件基板、顯示裝置及元件基板的制造方法
【專利摘要】本發明提供了一種元件基板、顯示裝置及元件基板的制造方法，該元件基板包括一軟性基板、一元件層、一緩沖層以及一界面層。元件層設置于軟性基板上。緩沖層設置于軟性基板上，并與元件層分別位于軟性基板的相反側。界面層位于軟性基板與緩沖層之間，界面層分別包含軟性基板與緩沖層的部分材料。本發明具有高耐熱性而適用于高溫工藝，且通過界面層所具有的互穿聚合網絡現象來使軟性基板與緩沖層之間具有良好的附著力，進而使元件基板及顯示裝置可以高溫工藝來制作元件，使元件基板及顯示裝置具有較佳的電性及良率。
【專利說明】元件基板、顯示裝置及元件基板的制造方法

【技術領域】
[0001]本發明是關于一種元件基板、顯示裝置及元件基板的制造方法，特別關于一種軟性的元件基板、顯示裝置及元件基板的制造方法。

【背景技術】
[0002]隨著科技的進步，平面顯示裝置已經廣泛的被運用在各種領域，尤其是液晶顯示裝置或是有機發光二極管顯示裝置，因具有體型輕薄、低功率消耗及無輻射等優越特性，已經漸漸地取代傳統陰極射線管顯示裝置，而應用至許多種類的電子產品中，例如移動電話、便攜式多媒體裝置、筆記本電腦、平板電腦及其它顯示裝置等。
[0003]以液晶顯示裝置為例,液晶顯示裝置主要包含一液晶顯示面板(IXD Panel),而液晶顯示面板具有一薄膜晶體管基板、一彩色濾光基板以及一夾設于兩基板間的液晶層，兩基板與液晶層可形成多個陣列設置的像素。當光線穿過液晶顯示面板時，可經由各像素顯示色彩而形成圖像。以液晶顯示裝置及有機發光二極管顯示裝置的未來發展趨勢而言，一般業界都希望采用塑膠基板取代現有的玻璃基板，再將TFT、電極、電容等元件制作于塑膠基板上，以達到重量輕、可撓曲、耐摔不易破碎及耐沖擊等特性。
[0004]但是，塑膠基板在剛性上無法與現有的玻璃基板相提并論，無法直接將塑膠基板應用于目前的TFT生產線上。目前使用的方式是將塑膠基板設置在一剛性襯底(例如玻璃基板)上，再運用現有使用于玻璃基板的工藝設備及技術來制作TFT等元件。不過，于制作TFT等元件之前，需要先以暫時性的粘著材料使塑膠基板粘著于剛性襯底上，在完成TFT元件制作之后，再將具有塑膠基板及TFT元件的薄膜晶體管基板與剛性襯底分離，以得到薄膜晶體管基板。
[0005]然而，于現有技術中，受限于沒有適合的粘著材料，于塑膠基板制作TFT等元件時只能使用低溫工藝來制作，不過，于低溫工藝中制作TFT等元件時，元件的電性并不佳，例如薄膜晶體管的通道層的載流子傳輸速率較差，造成良率降低。但是，若使用高溫工藝制作TFT等元件時，雖然可使元件具有較佳的電性，但是，并沒有合適的粘著材料可適用于高溫工藝的溫度。


【發明內容】

[0006]有鑒于上述課題，本發明的目的為提供一種元件基板、顯示裝置及元件基板的制造方法，可具有高耐熱性而適用于高溫工藝制作元件，并使制得的元件基板及顯示裝置具有較佳的電性及良率。
[0007]為達上述目的，依據本發明的一種元件基板包括一軟性基板、一元件層、一緩沖層以及一界面層(interface layer)。元件層設置于軟性基板上。緩沖層設置于軟性基板上，并與元件層分別位于軟性基板的相反側。界面層位于軟性基板與緩沖層之間，其中界面層分別包含軟性基板與緩沖層的部分材料，并經由一熱處理工藝而形成。
[0008]為達上述目的，依據本發明的一種顯示裝置包括一元件基板，元件基板具有一軟性基板、一元件層、一緩沖層以及一界面層。元件層設置于軟性基板上。緩沖層設置于軟性基板上，并與元件層分別位于軟性基板的相反側。界面層位于軟性基板與緩沖層之間，其中界面層分別包含軟性基板與緩沖層的部分材料，并經由一熱處理工藝而形成。
[0009]為達上述目的，依據本發明的一種元件基板制造方法包括:提供一剛性襯底；形成一緩沖層于剛性襯底之上；形成一軟性基板于緩沖層上；進行一熱處理工藝，以于軟性基板與緩沖層之間形成一界面層；以及形成一元件層于軟性基板上。
[0010]在一實施例中，軟性基板包含有機高分子材料。
[0011]在一實施例中，緩沖層的材料包含聚酰亞胺、丙烯或聚硅氧烷的高分子材料。
[0012]在一實施例中，界面層是由熱處理工藝經冷卻后所產生的一互穿聚合網絡所形成。
[0013]在一實施例中，元件基板更包括一離型層，其設置于緩沖層上。
[0014]在一實施例中，兀件基板為一薄膜晶體管基板、一彩色濾光基板、一有機發光二極管基板或一觸控基板。
[0015]在一實施例中，于形成緩沖層的步驟之前，制造方法更包括:形成一離型層于剛性襯底上。
[0016]在一實施例中，元件基板制造方法更包括:分離離型層與緩沖層，以得到元件基板，其中元件基板包含元件層、軟性基板、界面層及緩沖層。
[0017]在一實施例中，元件基板制造方法更包括:分離離型層與剛性襯底，以得到元件基板，其中元件基板包含元件層、軟性基板、界面層、緩沖層及離型層。
[0018]在一實施例中，元件基板制造方法更包括:分離緩沖層與剛性襯底，以得到元件基板，其中元件基板包含元件層、軟性基板、界面層及緩沖層。
[0019]在一實施例中，于形成緩沖層的步驟之前，離型層具有一第一表面及與第一表面相對的一第二表面，第一表面面向剛性襯底，第二表面具有一第一部分及一第二部分，第二部分圍設于第一部分，制造方法更包括:調控離型層的第二表面的粘著性，以使第一部分相對于第二部分具有較低的粘著性。
[0020]在一實施例中，于形成緩沖層的步驟之前，離型層具有一第一表面及與第一表面相對的一第二表面，第一表面面向剛性襯底，制造方法更包括:調控離型層的第一表面與第二表面的粘著性，以使第二表面相對于第一表面具有較低的粘著性。
[0021]在一實施例中，于形成緩沖層的步驟之前，離型層具有一第一表面及與第一表面相對的一第二表面，第一表面面向剛性襯底，制造方法更包括:調控離型層的第一表面與第二表面的粘著性，以使第一表面相對于第二表面具有較低的粘著性。
[0022]在一實施例中，于形成緩沖層的步驟之前，剛性襯底具有一表面，表面具有一第一部分及一第二部分，第二部分圍設于第一部分，制造方法更包括:調控剛性襯底的表面的粘著性，以使第一部分相對于第二部分具有較低的粘著性。
[0023]承上所述，因依據本發明的元件基板、顯示裝置及元件基板的制造方法中，元件基板包括一軟性基板、一元件層、一緩沖層以及一界面層，其中，是通過熱處理工藝，以于軟性基板與緩沖層之間形成一層具有較高附著力的界面層。藉此，與現有技術相較，不會受限于粘著材料，本發明具有高耐熱性而適用于高溫工藝，且通過界面層所具有的互穿聚合網絡現象來使軟性基板與緩沖層之間具有良好的附著力，進而使元件基板及顯示裝置可以高溫工藝來制作元件，使元件基板及顯示裝置具有較佳的電性及良率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1為本發明較佳實施例的一種元件基板制造方法的流程步驟圖；
[0025]圖2A至圖21分別為本發明第一實施例的元件基板制造方法的過程示意圖；
[0026]圖2J為互穿聚合網絡現象的示意圖；
[0027]圖3A至圖3C分別為本發明第二實施例的元件基板制造方法的過程示意圖；
[0028]圖4A及圖4B分別為本發明第三實施例的元件基板制造方法的過程示意圖；
[0029]圖5為本發明另一較佳實施例的一種元件基板制造方法的流程步驟圖；
[0030]圖6A至圖6D分別為本發明第四實施例的元件基板的制造方法的過程示意圖；
[0031]圖7A為未離型前的元件基板的剖視圖；
[0032]圖7B為圖7A的一區域的放大示意圖；
[0033]圖7C為圖2F的結構，但以外力去除軟性基板后的SEM圖；
[0034]圖7D為未經熱處理的緩沖層、離型層及剛性基板的SEM圖。
[0035]附圖標記
[0036]1、Ia:元件基板
[0037]11:剛性襯底
[0038]111:表面
[0039]12:離型層
[0040]121:第一表面
[0041]122:第二表面
[0042]13:緩沖層
[0043]14:軟性基板
[0044]15:界面層
[0045]16:元件層
[0046]A:區域
[0047]C:切割線
[0048]IPN:互穿聚合網絡
[0049]Pl:第一部分
[0050]P2:第二部分
[0051]SOl ?S07、S071:步驟

【具體實施方式】
[0052]以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例的元件基板、顯示裝置及元件基板的制造方法，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。
[0053]以下，通過元件基板制造方法的詳細說明，可得到本發明的元件基板及包含元件基板的顯示裝置。
[0054]請參照圖1及圖2A至圖21所示,其中，圖1為本發明較佳實施例的一種元件基板制造方法的流程步驟圖，而圖2A至圖21分別為本發明第一實施例的元件基板制造方法的過程示意圖。
[0055]如圖1所示，本發明的元件基板制造方法包括步驟SOl至步驟S07。
[0056]首先，如圖1及圖2A所示,步驟SOl為:提供一剛性襯底(carrier plate)ll。于此，剛性襯底11例如為玻璃板、金屬板、玻璃纖維板、厚塑膠板，或金屬/有機材料復合板坐寸ο
[0057]接著，進行步驟S02:形成一離型層12于剛性襯底11上，離型層12的其中一表面用以作為元件基板I及剛性襯底11的分離界面，在本實施例中，如圖2B及圖2C所示。其中，圖2B為側視圖，而圖2C為圖2B的俯視圖。于此，離型層12是以旋涂法(spin coating)、噴涂法(spray coating)或刮涂法(slit coating)全面涂布于剛性襯底11上,使得離型層12的尺寸與剛性襯底11大約相同。其中，離型層12具有一第一表面121及與第一表面121相對的一第二表面122,第一表面121面向剛性襯底11。另外，第二表面122具有一第一部分Pl及一第二部分P2，第二部分P2圍設于第一部分Pl。其中，第一部分Pl的尺寸大于或等于元件基板的尺寸。離型層12的材料可包含聚硅氧烷(polysiloxane)、聚酰亞胺(polyimide,PI)、聚酰胺酸型(Polyamic acid,PAA)或氟系高分子材料等。在本實施例中，是以聚硅氧烷材料為例。
[0058]形成離型層12之后，于形成緩沖層的步驟S03之前，制造方法更可包括:調控離型層12的第二表面122的粘著性，以使第二表面122的第一部分Pl相對于第二部分P2具有較低的粘著性，第二部分P2的高粘性用以提供工藝中基板固定于襯底之用，而第一部分Pl的低粘性用以提供基板與襯底的一分離界面之用。具體而言，本發明是使用紫外線(UV)照射或電漿(plasma)轟擊方式將離型層12的第二表面122改質(切斷表面的官能基來改變附著力)，使第二表面122的第一部分Pl的粘著性低于第二部分P2的粘著性(亦即圖案化第二表面122的附著力)。
[0059]完成之后，接著，如圖2D所示，進行步驟S03，形成一緩沖層13于剛性襯底11之上。在本實施例中，仍以旋涂法、噴涂法或刮涂法全面涂布在剛性襯底11及離型層12上形成一層緩沖層13。其中，緩沖層13、離型層12及剛性襯底11于俯視方式的尺寸大約相等。緩沖層13的材料可包含聚酰亞胺(PI)、壓克力(丙烯,acrylic)、聚娃氧燒(polysiloxane)的有機或無機高分子材料。于此，緩沖層13的材料是以聚酰亞胺為例。
[0060]之后，如圖2E所示，執行步驟S04:形成一軟性基板14于緩沖層13上。于此，軟性基板14為一軟性薄膜(film)，并以層壓(laminat1n)的方式，通過滾輪將其貼合于緩沖層13上。其中，軟性基板14包含有機高分子材料，并為熱塑性材料，例如為聚酰亞胺(PI)、聚乙烯(Polyethylene, PE)、聚氯乙烯(Polyvinylchloride, PVC)、聚苯乙烯(PS)、壓克力(丙烯，acrylic)、氟化聚合物(Fluoropolymer)、聚酯纖維(polyester)或尼龍(nylon)。在本實施例中，軟性基板14的材料是以聚酰亞胺(PI)為例。
[0061]接著，如圖2F所示，進行步驟S05,進行一熱處理(heat treatment)工藝，以于軟性基板14與緩沖層13之間形成一界面層15。在本實施例中，由于軟性基板14與緩沖層13的材料均為聚酰亞胺系，故熱處理工藝的溫度大約介于300°C?500°C之間，于此是以400°C為例。不過，于不同的材料中，熱處理溫度可能會不同，例如當軟性基板14與緩沖層13的材料為聚酰亞胺及壓克力時，則熱處理溫度可低于200°C。在經熱處理工藝并冷卻后，在軟性基板14與緩沖層13之間會產生一互穿聚合網絡(Interpenetrated polymernetwork, IPN)現象,此互穿聚合網絡現象會形成一層界面層15。
[0062]請先參照圖2J所示，其為互穿聚合網絡現象的示意圖。互穿聚合網絡現象是指兩高分子材料(圖2J的左側及中間的圖示)以凡得瓦力或氫鍵互相嵌合而形成附著。在本實施例中，由于高溫熱處理的溫度400°C接近甚至高于軟性基板14或緩沖層13至少其中之一玻璃轉移溫度(即接近軟性基板14及緩沖層13的材料的Tg)時，兩者的高分子網絡即部分交互溶解、互穿聚合在連接界面中，以通過互穿聚合網絡IPN (圖2J的右側圖示)現象形成一層具有較高附著力的界面層15，故界面層15分別包含軟性基板14與緩沖層13的部分材料。
[0063]接著，如圖2G所示，步驟S06為:形成一元件層16于軟性基板14上。其中，緩沖層13與元件層16分別位于軟性基板14的相反側。在本實施例中，是于軟性基板14上以高溫工藝制作薄膜晶體管基板的元件，以得到一層元件層16。于此，元件層16可包含薄膜晶體管、電容、導電層、透明電極等元件。不過，若制作一彩色濾光基板時，元件層16則可包含濾光層、遮光層(BM)、透明電極等元件；若制作一有機發光二極管基板時，元件層16則可包含薄膜晶體管、發光二極管等元件；此外，若制作一觸控基板時，元件層16則可包含圖案化透明電極。因此，本發明的元件基板制造方法制造的元件基板I不限于為薄膜晶體管基板、彩色濾光基板、有機發光二極管基板或觸控基板，并不加以特別限定。
[0064]最后，如圖2H及圖21所示，進行步驟S07:分離離型層12與緩沖層13，以得到元件基板1，其中元件基板I包含元件層16、軟性基板14、界面層15及緩沖層13。由于本實施例在進行步驟SOl之后，已將離型層12的第二表面122改質，使第二表面122的第一部分Pl的粘著性低于第二部分P2的粘著性，故如圖2H所示，兩切割線C沿元件基板I邊緣切割使得第一部分Pl與第二部分P2分離，切割線C深度達離型層12。接著，可自緩沖層13與離型層12的第一部分Pl之間離型，以得到如圖21的元件基板I。
[0065]另外，請參照圖3A至圖3C所示，其分別為本發明第二實施例的元件基板制造方法的過程示意圖。
[0066]與上述第一實施例主要的不同在于，于第二實施例的步驟S02中，形成離型層12于剛性襯底11上時，如圖3A及圖3B所示，并非以全面的方式在剛性襯底11的表面上形成離型層12，而是在剛性襯底11上以圖案化涂布方式形成一層離型層12，使離型層12位于剛性襯底11的中間部分。其中，離型層12的尺寸大于或等于制得的元件基板的尺寸，且離型層12的尺寸小于剛性襯底11。
[0067]圖3A的離型層12 —樣具有第一表面121及與第一表面121相對的第二表面122，第一表面121面向剛性襯底11。另外，在本實施例中，需調控離型層12的第一表面121與第二表面122的粘著性，以使第二表面122相對于第一表面121具有較低的粘著性。換言之，離型層12的第一表面121的粘著性大于第二表面122的粘著性。另外，由于只于剛性襯底11的中間部分形成離型層12，因此，于步驟S03時，如圖3C所示，形成緩沖層13時，緩沖層13除了位于離型層12上之外，亦位于離型層12的側面四周而包覆離型層12，且與剛性襯底11直接接觸。
[0068]最后，于步驟S07的離型步驟時，與第一實施例相同，由于離型層12的第一表面121的粘著性大于第二表面122的粘著性，故可由第二表面122將離型層12與緩沖層13分離而得到元件基板I (可參照圖2H及圖21)，且元件基板I 一樣包含元件層16、軟性基板14、界面層15及緩沖層13。
[0069]此外，第二實施例的元件基板制造方法及過程的其它技術特征可參照第一實施例，不再贅述。
[0070]接著，請參照圖4A及圖4B所示，其分別為本發明第三實施例的元件基板制造方法的過程示意圖。
[0071]第三實施例的離型層12 —樣具有第一表面121及與第一表面121相對的第二表面122，且第一表面121面向剛性襯底11。本實施例一樣需調控離型層12的第一表面121與第二表面122的粘著性，不過，與上述第二實施例主要的不同在于，調控離型層12的第一表面121與第二表面122的粘著性時,是使第一表面121相對于第二表面122具有較低的粘著性。換言之，本實施例的離型層12的第一表面121的粘著性小于第二表面122的粘著性。
[0072]因此，于最后的于離型步驟S07時，與第二實施例不同的是，由于離型層12的第一表面121的粘著性小于第二表面122的粘著性，故如圖4A所示，其分離界面為第一表面121，也就是離型層12與剛性襯底11之間，以得到圖4B的元件基板la，其中元件基板Ia包含元件層16、軟性基板14、界面層15、緩沖層13及離型層12。
[0073]此外，第三實施例的元件基板制造方法及過程的其它技術特征可參照第二實施例，不再贅述。
[0074]另外，請參照圖5及圖6A至圖6D所示，其中，圖5為本發明另一較佳實施例的一種元件基板制造方法的流程步驟圖，而圖6A至圖6D分別為本發明第四實施例的元件基板的制造方法的過程示意圖。
[0075]圖5與圖1主要的不同在于，圖5不具有圖1的步驟S02。換言之，第三實施例與第一實施例主要的不同在于，第三實施例不具有步驟S02，因此，如圖6B所示，直接于剛性襯底11上形成緩沖層13。不過，于形成緩沖層13之前，需先進行剛性襯底11的表面改質。其中，剛性襯底11具有一表面111，表面111具有一第一部分Pl及一第二部分P2，第二部分P2圍設于第一部分P1。于此，需先調控剛性襯底11的表面111的粘著性，使第一部分Pl相對于第二部分P2具有較低的粘著性。具體而言，是例如以圖案化的紫外線照射或電漿轟擊，使剛性襯底11的外側周緣表面(即第二部分P2)的附著力大于中間的附著力(即第一部分P1)。之后，再形成一層緩沖層13于改質后的剛性襯底11上。
[0076]步驟S04?步驟S06與上述相同，不再多作說明。最后，于步驟S071的離型步驟時，由于剛性襯底11的表面111的第一部分Pl相對于第二部分P2具有較低的粘著性，故離型時，如圖6C及6D所示，是分離緩沖層13與剛性襯底11，以得到元件基板I。與第一實施例相同，元件基板I 一樣包含元件層16、軟性基板14、界面層15及緩沖層13。
[0077]此外，第四實施例的元件基板制造方法及過程的其它技術特征可參照第一實施例，不再贅述。
[0078]另外，請參照相關SEM圖，以說明經熱處理工藝之后，于軟性基板14與緩沖層13之間產生互穿聚合網絡而形成一層界面層15的證據。請參照圖7A至圖7D所示，其分別為一 SEM (掃描式電子顯微鏡)圖。其中，圖7A為未離型前的兀件基板的剖視圖，而圖7B為圖7A的一區域A的放大示意圖。另外，圖7C是將經熱處理的圖2F的結構，但以外力去除軟性基板14后的SEM圖，而圖7D為未經熱處理工藝的緩沖層13、離型層12及剛性基板11的SEM圖。此外，由于離型層12較薄，圖7A至圖7D未特別標示，且圖7A未顯示界面層15。
[0079]由圖7B可發現，在軟性基板14與緩沖層13之間產生互穿聚合網絡而形成一層界面層15。于界面層15中可發現，其具有軟性基板14的部分材料，亦具有緩沖層13的部分材料。換言之，軟性基板14與緩沖層13的材料產生交互溶解、互穿聚合在連接界面中而形成界面層15，可使軟性基板14與緩沖層13具有較高的附著力。
[0080]另外，如圖7C及圖7D所示，圖7C及圖7D的左側分別為剖視圖，而圖7C的右側為圖7C左側的上視圖，圖7D的右側為圖7D左側的上視圖。比較圖7C的右側圖與圖7D的右側圖可發現，本發明(圖7C)的結構經由熱處理之后，白色的軟性基板14的高分子網絡與灰黑色的緩沖層13的高分子網絡交互溶解、互穿聚合在連接界面中，證明互穿聚合網絡現象的存在。
[0081]最后，本發明的顯示裝置具有上述的元件基板l、la。其中，元件基板I與元件基板Ia的結構已于上述中詳述，不再贅述。若顯示裝置為一液晶顯示裝置時，則元件基板1、Ia可為一薄膜晶體管基板或為一彩色濾光基板；若顯不裝置為一有機發光二極管顯不裝置時，則元件基板l、la可為一有機發光二極管基板；若顯示裝置為一觸控面板時，則元件基板1、Ia可為一觸控基板。
[0082]綜上所述，因依據本發明的元件基板、顯示裝置及元件基板的制造方法中，元件基板包括一軟性基板、一元件層、一緩沖層以及一界面層，其中，是通過一熱處理工藝，以于軟性基板與緩沖層之間形成一層具有較高附著力的界面層。藉此，與現有技術相較，不會受限于粘著材料，本發明具有高耐熱性而適用于高溫工藝，且通過界面層所具有的互穿聚合網絡現象來使軟性基板與緩沖層之間具有良好的附著力，進而使元件基板及顯示裝置可以高溫工藝來制作元件，使元件基板及顯示裝置具有較佳的電性及良率。
[0083]以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明的精神與范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應包含于權利要求中。
【權利要求】
1.一種元件基板，其特征在于，所述元件基板包括: 一軟性基板； 一元件層，設置于所述軟性基板上； 一緩沖層，設置于所述軟性基板上，并與所述元件層分別位于所述軟性基板的相反側；以及 一界面層，位于所述軟性基板與所述緩沖層之間，所述界面層分別包含所述軟性基板與所述緩沖層的部分材料。
2.根據權利要求1所述的元件基板，其特征在于，所述軟性基板包含有機高分子材料。
3.根據權利要求1所述的元件基板，其特征在于，所述緩沖層的材料包含聚酰亞胺、丙烯或聚硅氧烷的高分子材料。
4.根據權利要求1所述的元件基板，其特征在于，所述界面層由一互穿聚合網絡所形成。
5.根據權利要求1所述的元件基板，其特征在于，所述元件基板更包括: 一離型層，設置于所述緩沖層上。
6.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括: 一元件基板，具有: 一軟性基板； 一元件層，設置于所述軟性基板上； 一緩沖層，設置于所述軟性基板上，并與所述元件層分別位于所述軟性基板的相反側；及 一界面層，位于所述軟性基板與所述緩沖層之間，所述界面層分別包含所述軟性基板與所述緩沖層的部分材料。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述軟性基板包含有機高分子材料，所述緩沖層的材料包含聚酰亞胺、丙烯或聚硅氧烷的高分子材料。
8.根據權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述界面層由一互穿聚合網絡所形成。
9.根據權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述元件基板更具有一離型層，所述離型層設置于所述緩沖層上。
10.根據權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述元件基板為一薄膜晶體管基板、一彩色濾光基板、一有機發光二極管基板或一觸控基板。
11.一種元件基板制造方法，其特征在于，所述元件基板制造方法包括: 提供一剛性襯底； 形成一緩沖層于所述剛性襯底之上； 形成一軟性基板于所述緩沖層上； 進行一熱處理工藝，以于所述軟性基板與所述緩沖層之間形成一界面層；以及 形成一元件層于所述軟性基板上。
12.根據權利要求11所述的元件基板制造方法，其特征在于，于形成所述緩沖層的步驟之前，所述元件基板制造方法更包括: 形成一離型層于所述剛性襯底上。
13.根據權利要求12所述的元件基板制造方法，其特征在于，所述元件基板制造方法更包括: 分離所述離型層與所述緩沖層，以得到所述元件基板，其中所述元件基板包含所述元件層、所述軟性基板、所述界面層及所述緩沖層。
14.根據權利要求12所述的元件基板制造方法，其特征在于，所述元件基板制造方法更包括: 分離所述離型層與所述剛性襯底，以得到所述元件基板，其中所述元件基板包含所述元件層、所述軟性基板、所述界面層、所述緩沖層及所述離型層。
15.根據權利要求11所述的元件基板制造方法，其特征在于，所述元件基板制造方法更包括: 分離所述緩沖層與所述剛性襯底，以得到所述元件基板，其中所述元件基板包含所述元件層、所述軟性基板、所述界面層及所述緩沖層。
16.根據權利要求13所述的元件基板制造方法，其特征在于，于形成所述緩沖層的步驟之前，所述離型層具有一第一表面及與所述第一表面相對的一第二表面，所述第一表面面向所述剛性襯底，所述第二表面具有一第一部分及一第二部分，所述第二部分圍設于所述第一部分，所述元件基板制造方法更包括: 調控所述離型層的所述第二表面的粘著性，以使所述第一部分相對于所述第二部分具有較低的粘著性。
17.根據權利要求13所述的元件基板制造方法，其特征在于，于形成所述緩沖層的步驟之前，所述離型層具有一第一表面及與所述第一表面相對的一第二表面，所述第一表面面向所述剛性襯底，所述元件基板制造方法更包括: 調控所述離型層的所述第一表面與所述第二表面的粘著性，以使所述第二表面相對于所述第一表面具有較低的粘著性。
18.根據權利要求14所述的元件基板制造方法，其特征在于，于形成所述緩沖層的步驟之前，所述離型層具有一第一表面及與所述第一表面相對的一第二表面，所述第一表面面向所述剛性襯底，所述元件基板制造方法更包括: 調控所述離型層的所述第一表面與所述第二表面的粘著性，以使所述第一表面相對于所述第二表面具有較低的粘著性。
19.根據權利要求15所述的元件基板制造方法，其特征在于，于形成所述緩沖層的步驟之前，所述剛性襯底具有一表面，所述表面具有一第一部分及一第二部分，所述第二部分圍設于所述第一部分，所述元件基板制造方法更包括: 調控所述剛性襯底的所述表面的粘著性，以使所述第一部分相對于所述第二部分具有較低的粘著性。
20.根據權利要求11所述的元件基板制造方法，其特征在于，所述界面層由所述熱處理工藝經冷卻后所產生的一互穿聚合網絡所形成，并分別包含所述軟性基板與所述緩沖層的部分材料。
【文檔編號】H01L27/12GK104425514SQ201310388267
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月30日 優先權日:2013年8月30日
【發明者】蔡奇哲, 許惠珍, 吳威諺, 張瑋蕓 申請人:群創光電股份有限公司