一種基于不同尺寸芯片采用植球優化技術的框架csp封裝件及其制作工藝的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種基于不同尺寸芯片采用植球優化技術的框架csp封裝件及其制作工藝，所述封裝件主要由引線框架、鍍銀層、植球、芯片、鍵合線和塑封體組成。所述制作工藝的主要流程如下：晶圓減薄→劃片→框架鍍銀層→鍍銀層上植球→上芯→壓焊→塑封→蝕刻引線框架→成品。本發明的芯片不再需要制作特殊的圖形，即可實現不同尺寸的芯片無需特殊設計也能在同一條框架上完成生產流程，節約生產成本，提高產品的生產能力。
【專利說明】—種基于不同尺寸芯片采用植球優化技術的框架CSP封裝件及其制作工藝
【技術領域】
[0001]本發明專利涉及一種基于框架CSP的封裝領域，更進一步說是一種基于不同尺寸芯片采用植球優化技術的框架CSP封裝件及其制作工藝，屬于集成電路封裝【技術領域】。
【背景技術】
[0002]CSP (Chip Scale Package)封裝,是芯片級封裝的意思。CSP封裝是最新一代的內存芯片封裝技術，與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍。CSP封裝內存不但體積小，同時也更薄，大大提高了內存芯片在長時間運行后的可靠性，而且線路阻抗顯著減小，芯片運行速度也隨之得到大幅度提高。CSP封裝內存芯片的中心引腳形式有效地縮短了信號的傳導距離，其衰減隨之減少，芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時間比有極大提高。還具有多輸入/輸出端數、電性能好和熱性能好等特點。
[0003]現有csp框架產品開發均要先設計框架再開發框架，設計周期以及開發周期都比較長，而且以前一條框架只能封裝同一種尺寸的芯片，使得生產成本高和生產效率較低。
[0004]
【發明內容】
[0005]針對上述常規框架的缺陷，本發明的目的是提供一種基于不同尺寸芯片采用植球優化技術的框架csp封裝件及其制作工藝，使IC芯片在封裝過程中不再受框架設計的限制，可以直接和框架連接，省去設計框架的步驟。同時可以滿足一條框架實現不同尺寸芯片同時進行封裝的先進工藝，不再被以前一條框架只能封裝同一種尺寸的芯片，由于芯片不再需要制作特殊的圖形，即可實現不同尺寸的芯片無需特殊設計也能在同一條框架上完成生產流程,節約生產成本,提高產品的生產能力。
[0006]一種基于不同尺寸芯片采用植球優化技術的框架csp封裝件，主要由引線框架、鍍銀層、植球、芯片、鍵合線和塑封體組成。所述引線框架與芯片通過鍍銀層相連，鍵合線從芯片連接到引線框架上，鍍銀層上有植球，塑封體包圍了引線框架、鍍銀層、植球、芯片和鍵合線，芯片、鍵合線、植球和引線框架構成了電路的電源和信號通道。所述引線框架上有鍍銀層，鍍銀層上有植球和芯片，植球在芯片的兩端，鍍銀層、植球和芯片都在引線框架的一偵U。所述引線框架上有若干段鍍銀層，每段鍍銀層為不同長度的尺寸，對應的芯片也為不同尺寸的芯片。
[0007]植球為金、銅或者合金球。
[0008]鍵合線為金線、銅線或合金線。
[0009]一種基于不同尺寸芯片采用植球優化技術的框架csp封裝件的制作工藝，主要流程如下:晶圓減薄一劃片一框架鍍銀層一鍍銀層上植球一上芯一壓焊一塑封一蝕刻引線框架一成品。[0010]
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011]圖1為引線框架剖面圖；
圖2為引線框架鍍銀后剖面圖；
圖3為引線框架植球剖面圖；
圖4為上芯后廣品首I]面圖；
圖5為壓焊后產品剖面圖；
圖6為塑封后產品剖面圖；
圖7為蝕刻引線框架后產品剖面圖和成品剖面圖。
圖中，I為引線框架，2為鍍銀層，3為植球，4為芯片，5為鍵合線，6為塑封體。
[0012]【具體實施方式】
[0013]如圖所示，一種基于不同尺寸芯片采用植球優化技術的框架csp封裝件，主要由引線框架1、鍍銀層2、植球3、芯片4、鍵合線5和塑封體6組成。所述引線框架I與芯片4通過鍍銀層2相連，鍵合線5從芯片4連接到引線框架I上，鍍銀層2上有植球3，塑封體6包圍了引線框架1、鍍銀層2、植球3、芯片4和鍵合線5，芯片4、鍵合線5、植球3和引線框架I構成了電路的電源和信號通道。所述引線框架I上有鍍銀層2，鍍銀層2上有植球3和芯片4，植球3在芯片4的兩端，鍍銀層2、植球3和芯片4都在引線框架I的一側。所述引線框架I上有若干段鍍銀層2，每段鍍銀層2為不同長度的尺寸，對應的芯片4也為不同尺寸的芯片。
[0014]植球3為金、銅或者合金球。
[0015]鍵合線5為金線、銅線或合金線。
[0016]一種基于不同尺寸芯片采用植球優化技術的框架csp封裝件的制作工藝，主要流程如下:晶圓減薄一劃片一框架鍍銀層一鍍銀層上植球一上芯一壓焊一塑封一蝕刻引線框架一成品。
[0017]如圖所示，一種基于不同尺寸芯片采用植球優化技術的框架csp封裝件的制作工藝，其按照如下具體步驟進行:
(一)晶圓減薄:減薄厚度50μ m~200 μ m,粗糙度Ra 0.1Omm~0.05mm ；
(二)劃片:150μπι以上晶圓同普通QFN劃片工藝，但厚度在150μπι以下晶圓，使用雙刀劃片機及其工藝；
(三)框架鍍銀層，鍍銀層上植球:鍍銀層2及植球同常規csp工藝，不同的是，鍍銀層2為若干段，每段鍍銀層2長度尺寸不同；
(四)上芯、壓焊、塑封:上芯、壓焊、塑封同常csp工藝，不同的是，芯片4的尺寸和鍍銀層2的尺寸對應；
(五)蝕刻引線框架:在產品完成塑封后，使用蝕刻液將引線框架I全部蝕刻后，鍍銀層2會全部露出，即可做接觸點直接形成連通。
[0018]本發明可用于單芯片封裝也可用于多芯片堆疊式封裝。
[0019]本發明采用一種新型植球工藝，該工藝通過植球，即可實現在框架上直接進行芯片的焊接，省去設計框架的繁瑣步驟以及較高的生產成本，此法靈活性高，由于可在同一條框架上同時實現多種尺寸芯片的生產流程，進一步提高產品生產總值，顯著提高產品可靠性，并實現降低產品生產成本。
【權利要求】
1.一種基于不同尺寸芯片采用植球優化技術的框架CSP封裝件，其特征在于:主要由引線框架(I)、鍍銀層(2)、植球(3)、芯片(4)、鍵合線(5)和塑封體(6)組成；所述引線框架(1)與芯片(4)通過鍍銀層(2)相連，鍵合線(5)從芯片(4)連接到引線框架(I)上，鍍銀層(2)上有植球(3)，塑封體(6)包圍了引線框架(I)、鍍銀層(2)、植球(3)、芯片(4)和鍵合線(5)，芯片(4)、鍵合線(5)、植球(3)和引線框架(I)構成了電路的電源和信號通道；所述引線框架(I)上有鍍銀層(2)，鍍銀層(2)上有植球(3)和芯片(4)，植球(3)在芯片(4)的兩端，鍍銀層(2)、植球(3)和芯片(4)都在引線框架(I)的一側；所述引線框架(I)上有若干段鍍銀層(2)，每段鍍銀層(2)為不同長度的尺寸，對應的芯片(4)也為不同尺寸的芯片。
2.一種基于不同尺寸芯片采用植球優化技術的框架csp封裝件的制作工藝，其特征在于:其按照如下具體步驟進行: (一)晶圓減薄:減薄厚度50μ m?200 μ m,粗糙度Ra 0.1Omm?0.05mm ； (二)劃片:150μπι以上晶圓同普通QFN劃片工藝，但厚度在150μπι以下晶圓，使用雙刀劃片機及其工藝； (三)框架鍍銀層，鍍銀層上植球:鍍銀層(2)及植球同常規csp工藝，不同的是，鍍銀層(2)為若干段，每段鍍銀層(2)長度尺寸不同； (四)上芯、壓焊、塑封:上芯、壓焊、塑封同常csp工藝，不同的是，芯片(4)的尺寸和鍍銀層(2)的尺寸對應； (五)蝕刻引線框架:在產品完成塑封后，使用蝕刻液將引線框架(I)全部蝕刻后，鍍銀層(2)會全部露出，即可做接觸點直接形成連通。
【文檔編號】H01L21/60GK103560121SQ201310387860
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年8月31日 優先權日:2013年8月31日
【發明者】郭小偉, 蒲鴻鳴, 謝建友, 李萬霞, 崔夢 申請人:華天科技（西安）有限公司