一種amoled顯示裝置及其制備方法

一種amoled顯示裝置及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供的一種AMOLED顯示裝置，在基板上直接設(shè)置有電容的下極板，在不增加化學(xué)氣相沉積工藝的前提下，以緩沖層和柵極絕緣層作為電容介質(zhì)層，通過調(diào)整緩沖層和柵極絕緣層的厚度來實現(xiàn)電容數(shù)值的調(diào)控。同時，緩沖層材料可以使用高介電常數(shù)的絕緣層材料，以達(dá)到增大電容數(shù)值，降低電容器的面積的目的，從而提高了所述AMOLED顯示裝置的開口率。而且，本發(fā)明提供的一種AMOLED顯示裝置的制備方法，工藝簡單、易于大規(guī)模生產(chǎn)的實施，制備成本低。
【專利說明】—種AMOLED顯示裝置及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種新型AMOLED顯示裝置及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光顯示二極管(英文全稱Organic Light-Emitting D1de,簡稱0LED)是主動發(fā)光器件，具有高對比度、廣視角、低功耗、體積更薄等優(yōu)點，有望成為下一代主流平板顯示技術(shù)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。
[0003]有源矩陣有機發(fā)光器件(英文全稱Active Matrix Organic Lighting EmittingDisplay,簡稱AMOLED),利用薄膜晶體管(英文全稱Thin Film Transistor,簡稱TFT),搭配電容存儲信號，來控制OLED的亮度和灰階表現(xiàn)。每個單獨的AMOLED具有完整的陰極、有機功能層和陽極，陽極覆蓋一個薄膜晶體管陣列，形成一個矩陣。AMOLED具有可大尺寸化，較省電，高解析度，面板壽命較長等特點，因此在顯示【技術(shù)領(lǐng)域】得到了高度重視。
[0004]隨著顯示面板的大尺寸化，顯示裝置的功耗越來越高，研究發(fā)現(xiàn)增大存儲電容可有效增大驅(qū)動階段的電流，從而有效降低功耗；另外，存儲電容增大還可以有效降低會引起顯示屏閃爍、灰度錯亂等問題的跳變電壓。因此，在不影響顯示裝置開口率的條件下，應(yīng)盡量提高電容值。
[0005]多晶硅由于其場效應(yīng)遷移率高并且適應(yīng)于高速操作電路和互補金屬氧化物半導(dǎo)體電路等特點而被廣泛用作TFT的半導(dǎo)體層。在使用多晶硅作為TFT半導(dǎo)體層的AMOLED器件中，通常會在部分多晶硅層中施以參雜離子，使之電極化作為電容的下極板，以達(dá)到減少工藝流程的目的；再以柵極絕緣層和柵極層分別作為電容介質(zhì)層和電容上極板，同時實現(xiàn)TFT制程和電容制程，工藝流程簡單，易于實施。
[0006]但是，上述工藝存在以下幾個問題:
[0007]1、通常情況下，多晶娃層多通過準(zhǔn)分子激光退火(英文全稱為Excimer LaserAnnealer，簡稱ELA)的工藝制備，表面會形成大量的結(jié)晶突起，為了達(dá)到有效的柵極絕緣，再加上結(jié)晶突起的厚度，柵極絕緣層的厚度通常都無法有效降低，一般為10nm左右，因此無法通過降低介質(zhì)層厚度的方式提高存儲電容數(shù)值。
[0008]2、二氧化硅薄膜具有良好的絕緣性，同時它與多晶硅表面接觸的表面態(tài)密度又很低，所以最常用作為柵極絕緣層，但是二氧化硅的介電常數(shù)很低，作為電容介質(zhì)層使用時，相應(yīng)電容的數(shù)值較低。
[0009]3、需要對電容區(qū)域的多晶硅進行摻雜，使之電極化，電極化過程中需要離子注入和掩膜兩道工序，工藝復(fù)雜，制備成本高。
[0010]針對以上問題，一般只能通過增大電容面積來實現(xiàn)存儲電容數(shù)值的增加，而電容面積的增大則會使得顯示裝置的開口率降低，影響顯示裝置的使用效果。
[0011]為了解決上述增大存儲電容數(shù)值會影響顯示裝置開口率的問題，研發(fā)人員提出一個新的解決方案，如圖1所示，具體為:形成具有薄膜晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的基板I;在所述基板I上形成緩沖層3 ;在所述緩沖層3上形成非晶硅層；將所述非晶硅層晶化，從而形成具有晶界的多晶硅層；再將所述多晶硅層圖案化，形成圖案化導(dǎo)體層4，所述圖案化半導(dǎo)體層4設(shè)置在薄膜晶體管區(qū)域中；在電容器區(qū)域中的柵極絕緣層5上形成電容下極板2 ；在所述電容下極板2上形成高介電常數(shù)絕緣材料層作為電容介質(zhì)層63，如SiN層等；再在所述電容介質(zhì)層63上形成電容上極板61 ;在所述基板I上形成層間絕緣層7，且至少覆蓋所述電容上極板61和柵極62。另外，所述層間絕緣層7上還設(shè)置有電連接到所述圖形化半導(dǎo)體層4的源極81和漏極82 ;第一電極10設(shè)置在所述層間絕緣層7上并且電連接到所述源極81或所述漏極82中一個；所述第一電極10上的還依次設(shè)置有有機層12和第二電極13，其中，所述有機層12包括發(fā)光層。
[0012]該方法在不影響顯示裝置開口率的情況下，通過采用高介電常數(shù)的電容介質(zhì)層材料，以達(dá)到增大電容數(shù)值的目的。但是該方法增加了電容介質(zhì)層的制備和電容上極板的制備兩道工序，工序復(fù)雜，工藝成本高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]為此，本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有AMOLED顯示裝置中增大電容數(shù)值的方法工藝復(fù)雜、成本高的問題，提供一種工藝簡化、成本低、可有效增大電容數(shù)值的AMOLED顯示裝置及其制備方法。
[0014]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
[0015]一種AMOLED顯示裝置，包括:
[0016]基板，設(shè)置有薄膜晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域；
[0017]緩沖層，設(shè)置在所述基板上；
[0018]圖案化半導(dǎo)體層，設(shè)置所述薄膜晶體管區(qū)域中的緩沖層上；
[0019]柵極絕緣層，設(shè)置在所述基板上，覆蓋所述圖案化半導(dǎo)體層并延伸至所述電容器區(qū)域；
[0020]柵極，設(shè)置在所述圖案化半導(dǎo)體層的預(yù)定區(qū)域的所述柵極絕緣層上；
[0021]電容上極板，設(shè)置在所述電容器區(qū)域中的所述柵極絕緣層上；
[0022]層間絕緣層，設(shè)置在所述基板上，以覆蓋所述柵極和所述電容上極板；
[0023]源極和漏極，設(shè)置在所述層間絕緣層上并且電連接到所述圖案化半導(dǎo)體層；
[0024]第一電極，設(shè)置在所述層間絕緣層上并且電連接到源極或漏極中的一個；
[0025]有機層，設(shè)置在所述第一電極上，所述有機層包括發(fā)光層；
[0026]第二電極，設(shè)置在所述有機層上；
[0027]所述基板上直接設(shè)置有至少覆蓋所述電容器區(qū)域的電容下極板。
[0028]所述緩沖層和所述柵極絕緣層在所述電容器區(qū)域的厚度均小于或等于在所述薄膜晶體管區(qū)域的厚度。
[0029]所述電容下極板為鑰、鋁、鑰-鎢、銀或銅中的一種。
[0030]所述電容上極板由與所述柵極相同的材料形成。
[0031]所述柵極為單層的鋁層、鑰層、銀層、銅層、鋁合金層或依次沉積的鑰-鋁-鑰層、鑰-鎢層、鑰-鎢-鑰層中的一種。
[0032]所述緩沖層為氧化硅層、氮化硅層中的一種或多種的堆疊層。
[0033]所述柵極絕緣層為氧化硅層、氮化硅層中的一種或多種的堆疊層。
[0034]所述AMOLED顯示裝置還包括設(shè)置在所述基板上，并覆蓋所述層間絕緣層、源極和漏極的鈍化層。
[0035]所述AMOLED顯示裝置還包括設(shè)置在所述鈍化層上，并部分覆蓋所述第一電極層的像素單元限定層。
[0036]一種AMOLED顯示裝置的制備方法，包括如下步驟:
[0037]S1、在基板上劃分薄膜晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域，直接形成至少覆蓋所述電容器區(qū)域的金屬層，作為電容下極板；
[0038]S2、在所述基板上形成至少覆蓋所述薄膜晶體管區(qū)域的緩沖層；
[0039]S3、在所述薄膜晶體管區(qū)域中的所述緩沖層上形成非晶硅層，再進行結(jié)晶處理，形成多晶硅層，最后將所述多晶硅層圖案化形成圖案化半導(dǎo)體層；
[0040]S4、在所述基板上形成覆蓋所述圖案化半導(dǎo)體層并延伸至所述電容器區(qū)域的柵極絕緣層，通過刻蝕工藝對所述電容器區(qū)域的所述柵極絕緣層進行部分刻蝕，以減少所述電容器區(qū)域的所述柵極絕緣層的厚度；
[0041]S5、在所述柵極絕緣層上形成在所述圖案化半導(dǎo)體層預(yù)定區(qū)域中的柵極，形成在所述電容器區(qū)域的電容上基板；
[0042]S6、在所述基板上形成覆蓋所述柵極和所述電容上極板的層間絕緣層；
[0043]S7、在所述層間絕緣層上形成源極和漏極，所述源極和漏極電連接到所述圖案化半導(dǎo)體層；
[0044]S8、在所述層間絕緣層上形成第一電極，所述第一電極電連接到所述源極或所述漏極中的一個；
[0045]S9、在所述第一電極上形成有機層，所述有機層包括發(fā)光層；
[0046]S10、在所述有機層上形成第二電極。
[0047]步驟S2或S3中還包括通過刻蝕工藝對所述電容器區(qū)域的所述緩沖層進行部分或全部刻蝕，以減少所述電容器區(qū)域的所述緩沖層的厚度的步驟。
[0048]步驟SI中所述電容下極板為鑰、鋁、鑰-鎢、銀或銅中的一種。
[0049]步驟S5中所述電容上極板由與所述柵極相同的材料形成。
[0050]所述柵極為單層的鋁層、鑰層、銀層、銅層、鋁合金層或依次沉積的鑰-鋁-鑰層、鑰-鎢層、鑰-鎢-鑰層中的一種。
[0051]步驟S2中所述緩沖層為氧化硅層、氮化硅層中的一種或多種的堆疊層。
[0052]步驟S4中所述柵極絕緣層為氧化硅層、氮化硅層中的一種或多種的堆疊層。
[0053]步驟S7后還包括在所述基板上形成覆蓋所述層間絕緣層、源極和漏極的鈍化層；在所述鈍化層形成部分覆蓋所述第一電極層的像素單元限定層。
[0054]本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點:
[0055]本發(fā)明提供的一種AMOLED顯示裝置，在基板上直接設(shè)置有電容的下極板，在不增加化學(xué)氣相沉積工藝的前提下，以緩沖層和柵極絕緣層作為電容介質(zhì)層，不但可以通過減少電容器區(qū)域中緩沖層和柵極絕緣層的厚度來實現(xiàn)電容數(shù)值的調(diào)控，還可以選擇高介電常數(shù)的絕緣材料作為柵極介質(zhì)層以增大電容數(shù)值，可有效增加所述AMOLED顯示裝置的開口率。
[0056]本發(fā)明提供的一種AMOLED顯示裝置的制備方法，通過在基板上直接形成電容的下極板，以緩沖層和柵極絕緣層作為電容介質(zhì)層，不但可以通過刻蝕工藝調(diào)整電容器區(qū)域中緩沖層和柵極絕緣層的厚度來實現(xiàn)電容數(shù)值的調(diào)控，還可以選擇高介電常數(shù)的絕緣材料作為柵極介質(zhì)層以增大電容數(shù)值；可有效減小電容器的面積，增加所制備的AMOLED顯示裝置的開口率，而且，工藝簡單、易于大規(guī)模生產(chǎn)的實施，制備成本低。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0057]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進一步詳細(xì)的說明，其中
[0058]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中AMOLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0059]圖2是本發(fā)明實施例1中所述AMOLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0060]圖3是本發(fā)明實施例2中所述AMOLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0061]圖4是本發(fā)明實施例3中所述AMOLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0062]圖5是本發(fā)明實施例4中所述AMOLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0063]圖中附圖標(biāo)記表示為:1_基板、2-電容下極板、3-緩沖層、4-圖案化半導(dǎo)體層、5-柵極絕緣層、61-電容上極板、62-柵極、63-電容介質(zhì)層、7-層間絕緣層、81-源極、82-漏極、9-鈍化層、10-第一電極、11-像素單元限定層、12-有機層、13-第二電極。

【具體實施方式】
[0064]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細(xì)描述。
[0065]本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來限定。在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件例如層、區(qū)域或基板被稱作“形成在”或“設(shè)置在”另一元件“上”時，該元件可以直接設(shè)置在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接形成在”或“直接設(shè)置在”另一元件上時，不存在中間元件。
[0066]實施例1
[0067]本實施例提供一種AMOLED顯示裝置，如圖2所示包括:設(shè)置有薄膜晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的基板I ;直接設(shè)置在所述基板I上并覆蓋所述電容器區(qū)域的電容下極板2 ;直接設(shè)置在所述基板I上的緩沖層3，所示緩沖層3覆蓋所述電容下極板2，并延伸至所述薄膜晶體管區(qū)域；設(shè)置所述薄膜晶體管區(qū)域中的緩沖層3上的圖案化半導(dǎo)體層4 ;設(shè)置在所述基板I上，覆蓋所述圖案化半導(dǎo)體層4并延伸至所述電容器區(qū)域的柵極絕緣層5 ;設(shè)置在所述圖案化半導(dǎo)體層4的預(yù)定區(qū)域的所述柵極絕緣層5上的柵極62 ;設(shè)置在所述電容器區(qū)域中的所述柵極絕緣層5上的電容上極板61 ;設(shè)置在所述基板I上，以覆蓋所述柵極62和所述電容上極板61的層間絕緣層7 ;設(shè)置在所述層間絕緣層7上并且電連接到所述圖案化半導(dǎo)體層4的源極81和漏極82 ;設(shè)置在所述層間絕緣層7上并且電連接到源極81或漏極82中一個的第一電極10 ;設(shè)置在所述第一電極10上的有機層12，所述有機層12包括發(fā)光層；設(shè)置在所述有機層12上的第二電極13。
[0068]本實施例中所述基板I為玻璃基板，作為本發(fā)明的可變化實施例，所述基板I還可以為聚合物基板或金屬基板。
[0069]所述電容下極板2選自但不限于鑰、鋁、鑰-鎢、銀或銅等低電阻材料中的一種，本實施例中優(yōu)選鑰作為所述電容下極板2。
[0070]所述電容上極板61由與所述柵極62相同的材料形成。
[0071]所述柵極62選自但不限于單層的鋁層、鑰層、銀層、銅層、鋁合金層或依次沉積的鑰-鋁-鑰層、鑰-鎢層、鑰-鎢-鑰層中等低電阻材料的一種；本實施例中優(yōu)選鑰-鎢層。
[0072]所述緩沖層3選自但不限于氧化硅層、氮化硅層中的一種或多種的堆疊層；本實施例中優(yōu)選依次堆疊的氮化硅層和氧化硅層雙層結(jié)構(gòu)。
[0073]所述柵極絕緣層5選自但不限于氧化硅層、氮化硅層中的一種或多種的堆疊層；本實施例中優(yōu)選氧化硅層。
[0074]所述緩沖層3和所述柵極絕緣層5在所述電容器區(qū)域的厚度均小于或等于在所述薄膜晶體管區(qū)域的厚度，本實施例中優(yōu)選所述緩沖層3和所述柵極絕緣層5在所述電容器區(qū)域的厚度均小于在所述薄膜晶體管區(qū)域的厚度，如圖2中虛線框所示。
[0075]本實施例中提供的一種AMOLED顯示裝置，在所述基板I上直接設(shè)置有電容的所述下極板2，在不增加化學(xué)氣相沉積工藝的前提下，以所述緩沖層3和所述柵極絕緣層5作為電容介質(zhì)層63，不但可以通過減少電容器區(qū)域中所述緩沖層3和所述柵極絕緣層5的厚度來實現(xiàn)電容數(shù)值的調(diào)控，還可以選擇高介電常數(shù)的絕緣材料制備所述電容介質(zhì)層63以增大電容數(shù)值，降低電容器的面積，可有效增加所述AMOLED顯示裝置的開口率。
[0076]所述AMOLED顯示裝置還包括設(shè)置在所述基板I上，并覆蓋所述層間絕緣層7、所述源極81和所述漏極82的鈍化層9。
[0077]所述AMOLED顯示裝置還包括設(shè)置在所述鈍化層9上，并部分覆蓋所述第一電極層10的像素單元限定層11。
[0078]所述AMOLED顯示裝置的制備方法，包括如下步驟:
[0079]S1、在所述基板I上劃分薄膜晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域，所述基板I選自但不限于聚合物基板、玻璃基板或金屬基板，本實施例優(yōu)選玻璃基板；通過直流濺射、射頻濺射、反應(yīng)濺射或磁控濺射等工藝直接形成覆蓋所述電容器區(qū)域的金屬層，作為所述電容下極板2 ；所述電容下極板2選自鑰、鋁、鑰-鎢、銀或銅中的一種，本實施例優(yōu)選直流濺射工藝制備的鑰層。
[0080]S2、在所述基板I上形成覆蓋所述薄膜晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域的所述緩沖層3，所述緩沖層3為通過等離子體加強化學(xué)氣相沉積、直流濺射、射頻濺射、反應(yīng)濺射或磁控濺射等工藝制備的氧化硅層或氮化硅層，本實施例優(yōu)選采用等離子體加強化學(xué)氣相沉積制備的依次沉積的氮化硅層和氧化硅層雙層結(jié)構(gòu)層；通過氟系氣體干法刻蝕工藝對所述電容器區(qū)域的所述緩沖層3進行部分或全部刻蝕，以減少所述電容器區(qū)域的所述緩沖層3的厚度，本實施例優(yōu)選部分刻蝕。
[0081]S3、在所述薄膜晶體管區(qū)域中的所述緩沖層3上通過化學(xué)氣相沉積工藝形成非晶硅層，采用準(zhǔn)分子激光退火(ELA)、固相晶化(SPC)等方法，將非晶硅轉(zhuǎn)換為多晶硅層，最后將所述多晶硅層圖案化形成所述圖案化半導(dǎo)體層4，制備方法同現(xiàn)有技術(shù)。
[0082]作為本發(fā)明的其他實施例，步驟S2中所述緩沖層3和步驟S3中所述非晶硅層可以同時通過等離子體加強化學(xué)氣相沉積法依次制備形成；然后再通過氟系氣體干法刻蝕工藝對所述緩沖層3的和所述多晶硅層進行刻蝕，同時進行所述緩沖層3的刻蝕步驟和所述多晶硅層的圖案化步驟；這種制備方法不但簡化了工藝步驟，降低了生產(chǎn)成本，而且提高了產(chǎn)品的良率；上述方法同樣能達(dá)到本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0083]S4、在所述基板I上形成覆蓋所述圖案化半導(dǎo)體層4并延伸至所述電容器區(qū)域的柵極絕緣層5，所述柵極絕緣層5為通過等離子體加強化學(xué)氣相沉積法、直流濺射、射頻濺射、反應(yīng)濺射或磁控濺射等工藝制備的氧化硅層或氮化硅層，本實施例優(yōu)選等離子體加強化學(xué)氣相沉積法制備的氧化硅層；通過氟系氣體干法刻蝕工藝對所述電容器區(qū)域的所述柵極絕緣層5進行部分刻蝕，以減少所述電容器區(qū)域的所述柵極絕緣層5的厚度。
[0084]S5、在所述柵極絕緣層5上通過直流濺射、射頻濺射、反應(yīng)濺射或磁控濺射等工藝形成金屬層，形成在所述圖案化半導(dǎo)體層4預(yù)定區(qū)域中的柵極62，形成在所述電容器區(qū)域的電容上基板61 ;所述電容上極板61由與所述柵極62相同的材料形成；所述柵極62選自但不限于單層的鋁層、鑰層、銀層、銅層、鋁合金層或依次沉積的鑰-鋁-鑰層、鑰-鎢層、鑰-鎢-鑰層中等低電阻材料的一種；本實施例優(yōu)選通過直流濺射工藝制備的鑰-鎢層。
[0085]S6、在所述基板I上通過等離子體加強化學(xué)氣相沉積法形成以覆蓋所述柵極62和所述電容上極板61層間絕緣層7，所述層間絕緣層7選自但不限于氧化硅層、氮化硅層中的一種或多種的堆疊層；本實施例優(yōu)選依次沉積的氧化娃層和氮化娃層雙層結(jié)構(gòu)層。
[0086]S7、在所述層間絕緣層7上通過直流濺射工藝形成源極81和漏極82，所述源極81和漏極82電連接到所述圖案化半導(dǎo)體層4 ;所述源極81和所述漏極82所用材料相同，選自但不限于鈦、鋁等低電阻材料，本實施例優(yōu)選依次沉積的T1-Al-Ti三層金屬結(jié)構(gòu)層。
[0087]在所述基板I上通過等離子體加強化學(xué)氣相沉積法形成覆蓋所述層間絕緣層7、源極81和漏極82的鈍化層9 ;所述鈍化層9選自但不限于氧化硅層、氮化硅層中的一種或多種的堆疊層；本實施例優(yōu)選依次沉積的氧化娃層和氮化娃層雙層結(jié)構(gòu)層。
[0088]在所述鈍化層9上通過涂布工藝形成部分覆蓋所述第一電極層10的像素單元限定層11，所述像素單元限定層11為光刻膠層；本實施例優(yōu)選旋轉(zhuǎn)涂布工藝制備的光刻膠層，所述光刻膠優(yōu)選日本東麗(Toray)出品的DL1401-B或DL1000C。在像素單元限定層11的保護下進行有機層12的蒸鍍，可有效保護有機層12，不被劃傷。
[0089]S8、在所述層間絕緣層7上通過磁控濺射工藝形成第一電極10，，所述第一電極10電連接到源極81或漏極82中的一個；所述第一電極10選自但不限于功函數(shù)較高的金屬(金、銀、鋁、鎳等)、透明導(dǎo)電金屬氧化物(ΙΤ0:氧化銦錫等)、碳黑、導(dǎo)電聚合物等；本實施例優(yōu)選依次沉積的IT0/Ag/IT0三層結(jié)構(gòu)層。
[0090]S9、在所述第一電極10上形成有機層12,所述有機層12包括發(fā)光層；作為本發(fā)明的其他實施例所述有機層12還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等功能層中，本實施例中的OLED器件中有機層12為:Tmpc2 (1nm)/DCJTB (30nm)/Alq3 (15nm),制備方法同現(xiàn)有技術(shù)。
[0091]其中，Tmpc2為雙酞菁銩，作為空穴注入層；DCJTB是4_ (二氰基乙烯)_2_叔丁基-6- (I, 1，7，7-四甲基久洛尼啶)-4H_呋喃，作為發(fā)光層；Alq3是三(8-羥基喹啉)鋁，作為電子傳輸層；上述材料均為現(xiàn)有技術(shù)中OLED常用材料，均為實驗室合成。
[0092]S10、在所述有機層12上通過直流濺射、射頻濺射、反應(yīng)濺射或磁控濺射等工藝形成第二電極13，所述第二電極13選自但不限于功函數(shù)較小的材料，如堿土金屬、堿金屬等；本實施例優(yōu)選直流濺射工藝制備的鋁電極。
[0093]本實施例提供的一種AMOLED顯示裝置的制備方法，通過在基板I上直接形成所述電容下極板2，以所述緩沖層3和所述柵極絕緣層5作為所述電容介質(zhì)層63，不但可以通過刻蝕工藝調(diào)整電容器區(qū)域中所述緩沖層3和所述柵極絕緣層5的厚度來實現(xiàn)電容數(shù)值的調(diào)控，還可以選擇高介電常數(shù)的絕緣材料所述柵極介質(zhì)層5以增大電容數(shù)值；可有效減小電容器的面積，增加所制備的AMOLED顯示裝置的開口率，而且，工藝簡單、易于大規(guī)模生產(chǎn)的實施，制備成本低。
[0094]實施例2
[0095]本實施例提供一種AMOLED顯示裝置及其制備方法，所述AMOLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)和制備方法同實施例1，唯一不同的是，如圖3所示，步驟S2中覆蓋在電容下極板2上的緩沖層3被全部刻蝕掉,夾在所述電容下極板2和電容上極板61中的電容介質(zhì)層63為部分刻蝕或沒有刻蝕的柵極絕緣層5。
[0096]本實施例提供的一種AMOLED顯示裝置的制備方法，通過在基板I上直接形成所述電容下極板2，僅以所述柵極絕緣層5作為所述電容介質(zhì)層63，可以增大電容數(shù)值，而且還可以通過刻蝕工藝調(diào)整電容器區(qū)域中所述柵極絕緣層5的厚度以及不同介電常數(shù)的材質(zhì)來實現(xiàn)電容數(shù)值的調(diào)控，可有效減小電容器的面積，增加所制備的AMOLED顯示裝置的開口率；而且，工藝簡單、易于大規(guī)模生產(chǎn)的實施，制備成本低。
[0097]實施例3
[0098]本實施例提供一種AMOLED顯示裝置及其制備方法，所述AMOLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)和制備方法同實施例1。唯一不同的是，如圖4所示，步驟SI中電容下極板2不但覆蓋電容器區(qū)域，還延伸至薄膜晶體管區(qū)域；夾在所述電容下極板2和電容上極板61中的電容介質(zhì)層63為部分刻蝕的緩沖層3和柵極絕緣層5。
[0099]本實施例提供的一種AMOLED顯示裝置的制備方法，通過在基板I上直接形成所述電容下極板2，以所述緩沖層3和所述柵極絕緣層5作為所述電容介質(zhì)層63，不但可以通過刻蝕工藝調(diào)整電容器區(qū)域中所述緩沖層3和所述柵極絕緣層5的厚度以及不同介電常數(shù)的材質(zhì)來實現(xiàn)電容數(shù)值的調(diào)控；可有效減小電容器的面積，增加所制備的AMOLED顯示裝置的開口率，而且，所述電容下極板2不但覆蓋電容器區(qū)域，還延伸至薄膜晶體管區(qū)域，不需要進行額外的刻蝕工藝將所述電容下極板2限定在電容器區(qū)域，工藝簡單、易于大規(guī)模生產(chǎn)的實施，制備成本低。
[0100]實施例4
[0101]本實施例提供一種AMOLED顯示裝置及其制備方法，所述AMOLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)和制備方法同實施例1。唯一不同的是，如圖5所示，步驟SI中電容下極板2不但覆蓋電容器區(qū)域，還延伸至薄膜晶體管區(qū)域；步驟S2中覆蓋在所述電容下極板2上所述電容器區(qū)域中的緩沖層3被全部刻蝕掉，夾在所述電容下極板2和電容上極板61中的電容介質(zhì)層63為部分刻蝕或沒有刻蝕的柵極絕緣層5。
[0102]本實施例提供的一種AMOLED顯示裝置的制備方法，通過在基板I上直接形成所述電容下極板2，僅以所述柵極絕緣層5作為所述電容介質(zhì)層63，可以增大電容數(shù)值，而且還可以通過刻蝕工藝調(diào)整電容器區(qū)域中所述柵極絕緣層5的厚度以及不同介電常數(shù)的材質(zhì)來實現(xiàn)電容數(shù)值的調(diào)控，可有效減小電容器的面積，增加所制備的AMOLED顯示裝置的開口率；而且，所述電容下極板2不但覆蓋電容器區(qū)域，還延伸至薄膜晶體管區(qū)域，不需要進行額外的刻蝕工藝將所述電容下極板2限定在電容器區(qū)域，工藝簡單、易于大規(guī)模生產(chǎn)的實施，制備成本低。
[0103]顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護范圍之中。
【權(quán)利要求】
1.一種AMOLED顯示裝置，包括: 基板(I )，設(shè)置有薄膜晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域； 緩沖層(3 )，設(shè)置在所述基板(I)上； 圖案化半導(dǎo)體層(4)，設(shè)置所述薄膜晶體管區(qū)域中的緩沖層(3)上； 柵極絕緣層(5)，設(shè)置在所述基板(I)上，覆蓋所述圖案化半導(dǎo)體層(4)并延伸至所述電容器區(qū)域； 柵極(62)，設(shè)置在所述圖案化半導(dǎo)體層(4)的預(yù)定區(qū)域的所述柵極絕緣層(5)上； 電容上極板(61)，設(shè)置在所述電容器區(qū)域中的所述柵極絕緣層(5)上； 層間絕緣層(7)，設(shè)置在所述基板(I)上，以覆蓋所述柵極(62)和所述電容上極板(61)； 源極(81)和漏極(82)，設(shè)置在所述層間絕緣層(7)上并且電連接到所述圖案化半導(dǎo)體層⑷； 第一電極(10)，設(shè)置在所述層間絕緣層(7)上并且電連接到源極(81)或漏極(82)中的一個； 有機層(12)，設(shè)置在所述第一電極(10)上，所述有機層(12)包括發(fā)光層； 第二電極(13)，設(shè)置在所述有機層(12)上； 其特征在于， 所述基板(I)上直接設(shè)置有至少覆蓋所述電容器區(qū)域的電容下極板(2 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述緩沖層(3)和所述柵極絕緣層(5)在所述電容器區(qū)域的厚度均小于或等于在所述薄膜晶體管區(qū)域的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述電容下極板(2)為鑰、鋁、鑰-鎢、銀或銅中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述電容上極板(61)由與所述柵極(62)相同的材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述柵極(62)為單層的鋁層、鑰層、銀層、銅層、鋁合金層或依次沉積的鑰-鋁-鑰層、鑰-鎢層、鑰-鎢-鑰層中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述緩沖層(3)為氧化娃層、氮化娃層中的一種或多種的堆疊層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述柵極絕緣層(5)為氧化硅層、氮化硅層中的一種或多種的堆疊層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述AMOLED顯示裝置還包括設(shè)置在所述基板(I)上，并覆蓋所述層間絕緣層(7)、源極(81)和漏極(82)的鈍化層(9)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述AMOLED顯示裝置還包括設(shè)置在所述鈍化層(9 )上，并部分覆蓋所述第一電極層(10 )的像素單元限定層(11)。
10.一種AMOLED顯示裝置的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: S1、在基板(I)上劃分薄膜晶體管區(qū)域和電容器區(qū)域，直接形成至少覆蓋所述電容器區(qū)域的金屬層，作為電容下極板(2)； 52、在所述基板(I)上形成至少覆蓋所述薄膜晶體管區(qū)域的緩沖層(3)； 53、在所述薄膜晶體管區(qū)域中的所述緩沖層(3)上形成非晶硅層，再進行結(jié)晶處理，形成多晶硅層，最后將所述多晶硅層圖案化形成圖案化半導(dǎo)體層(4)； 54、在所述基板(I)上形成覆蓋所述圖案化半導(dǎo)體層(4)并延伸至所述電容器區(qū)域的柵極絕緣層(5)，通過刻蝕工藝對所述電容器區(qū)域的所述柵極絕緣層(5)進行部分刻蝕，以減少所述電容器區(qū)域的所述柵極絕緣層(5)的厚度； 55、在所述柵極絕緣層(5)上形成在所述圖案化半導(dǎo)體層(4)預(yù)定區(qū)域中的柵極(62)，形成在所述電容器區(qū)域的電容上基板(61)； 56、在所述基板(I)上形成覆蓋所述柵極(62)和所述電容上極板(61)的層間絕緣層(7)； 57、在所述層間絕緣層(7)上形成源極(81)和漏極(82 )，所述源極(81)和漏極(82 )電連接到所述圖案化半導(dǎo)體層(4)； 58、在所述層間絕緣層(7)上形成第一電極(10)，所述第一電極(10)電連接到所述源極(81)或所述漏極(82)中的一個； 59、在所述第一電極(10)上形成有機層(12)，所述有機層(12)包括發(fā)光層； S10、在所述有機層(12)上形成第二電極(13)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的AMOLED顯示裝置的制備方法，其特征在于，步驟S2或S3中還包括通過刻蝕工藝對所述電容器區(qū)域的所述緩沖層(3)進行部分或全部刻蝕，以減少所述電容器區(qū)域的所述緩沖層(3)的厚度的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的AMOLED顯示裝置的制備方法，其特征在于，步驟SI中所述電容下極板(2)為鑰、鋁、鑰-鎢、銀或銅中的一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求10-12任一所述的AMOLED顯示裝置的制備方法，其特征在于，步驟S5中所述電容上極板(61)由與所述柵極(62)相同的材料形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求10-13任一所述的AMOLED顯示裝置的制備方法，其特征在于，所述柵極(62)為單層的鋁層、鑰層、銀層、銅層、鋁合金層或依次沉積的鑰-鋁-鑰層、鑰-鎢層、鑰-鎢-鑰層中的一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求10-14任一所述的AMOLED顯示裝置的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述緩沖層(3)為氧化硅層、氮化硅層中的一種或多種的堆疊層。
16.根據(jù)權(quán)利要求10-15任一所述的AMOLED顯示裝置的制備方法，其特征在于，步驟S4中所述柵極絕緣層(5)為氧化硅層、氮化硅層中的一種或多種的堆疊層。
17.根據(jù)權(quán)利要求10-16任一所述的AMOLED顯示裝置的制備方法，其特征在于，步驟S7后還包括在所述基板(I)上形成覆蓋所述層間絕緣層(7)、源極(81)和漏極(82)的鈍化層(9);在所述鈍化層(9)形成部分覆蓋所述第一電極層(10)的像素單元限定層(11)。
【文檔編號】H01L51/56GK104425543SQ201310376369
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月26日
【發(fā)明者】卜維亮, 李南征 申請人:昆山國顯光電有限公司