光阻擋元件和包括所述光阻擋元件的顯示器面板的制作方法
【專利摘要】本申請公開了一種包含金屬顆粒和陶瓷材料的光阻擋元件以及包括所述光阻擋元件的顯示器件。
【專利說明】光阻擋元件和包括所述光阻擋元件的顯示器面板
【技術領域】
[0001]本申請涉及一種光阻擋元件和包括該元件的顯示器件。
【背景技術】
[0002]顯示器件可以表示圖像并包括例如液晶顯示器(IXD)、有機發光二極管(OLED)顯示器、電泳顯示器件等。
[0003]在【背景技術】部分揭示的以上信息僅用于增強對本發明的背景的理解，因此該信息可能含有未構成本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
【發明內容】
[0004]一個示例性實施方式提供了一種光阻擋元件，所述光阻擋元件防止了在降低顯示性能效果的同時由外部光線引起的對顯示器性能的損害。
[0005]另一個實施方式提供了一種顯示器件，所述顯示器件可以包括所述光阻擋元件。
[0006]根據一個示例性實施方式，提供了一種包括金屬顆粒和陶瓷材料的光阻擋元件。
[0007]可以混合物或合金的形式包含所述金屬顆粒和所述陶瓷材料。
[0008]所述金屬顆粒可以包括銀(Ag)、鑰(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉭(Ta)或其組合物。
[0009]所述金屬顆粒可以具有約IOA至約1000A的平均粒徑。
[0010]所述陶瓷材料可以包括氧化鈮、氧化鈦、氧化鋁或其組合。
[0011]所述光阻擋元件可以包括以第一用量包含所述金屬顆粒并包含所述陶瓷材料的第一層和以大于所述第一用量的第二用量包含所述金屬顆粒并包含所述陶瓷材料的第二層。
[0012]基于在所述第一層中所述金屬顆粒和所述陶瓷材料的總量，所述第一用量可以為約1&丨％至約15at%，而基于在所述第二層中所述金屬顆粒和所述陶瓷材料的總量，所述第二用量可以為約10at%至約50at%。
[0013]所述第一層可以比所述第二層具有更高的透光率。
[0014]所述第一層可以比所述第二層更靠近光入射側。
[0015]所述第一層可以具有約〗OOA至約U000A的厚度,而所述第二層可以具有約500人
至約IO5OOOA的厚度。
[0016]根據另一個實施方式，提供了一種包括所述光阻擋元件的顯示器件。
[0017]所述顯示器件可以包括第一基板、置于所述第一基板上的薄膜晶體管、電連接至所述薄膜晶體管的第一電極、面向所述第一電極的第二電極和置于所述第一電極和所述第二電極之間的發光層，其中所述光阻擋元件可被置于除了重疊所述第一電極、所述第二電極和所述發光層的區域以外的至少一個區域中。
[0018]所述光阻擋元件可位于所述第一基板和所述薄膜晶體管之間。
[0019]所述光阻擋元件可位于所述薄膜晶體管和所述第二電極之間。
[0020]所述顯示器件可以進一步包括面向著所述第一基板的第二基板，且所述光阻擋元件可位于所述第二基板的一側上。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021]通過結合附圖參考以下詳細的說明會使對本發明的更全面的理解及其多種附帶優點變得顯而易見并得到更好的理解，其中相同的參考標號表示相同或相似的組件，其中:
[0022]圖1為顯示了根據一個實施方式的光阻擋元件的示意圖。
[0023]圖2為顯示了根據另一個實施方式的光阻擋元件的示意圖。
[0024]圖3為顯示了根據一個實施方式的有機發光二極管(OLED)顯示器的示意圖。
[0025]圖4為顯示了根據另一個實施方式的有機發光二極管(OLED)顯示器的截面圖。
[0026]圖5為顯示了根據又一個實施方式的有機發光二極管(OLED)顯示器的截面圖。
[0027]圖6為顯示了根據實施例3的光阻擋元件反射率的曲線圖。
【具體實施方式】
[0028]參考附圖下文將更全面地描述本公開，在附圖中顯示了本公開的示例性實施方式。然而，本發明的構思可以多種不同的形式體現而不應被解釋為受限于本文給出的實施例。在附圖中，為清楚起見可以放大各層和各區域的尺寸和相對尺寸。正如本領域的技術人員會認識到的那樣，所描述的實施方式可以按各種不同的方式修改，其中所有修改都不背離本公開的精神或范圍。
[0029]在附圖中，為清楚起見放大了各層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中相同的附圖標記表示相同的部分。應該理解在提到一個元件如層、膜、區域或基板在另一個元件“上”時，該元件可以直接在其他元件上或者還可以存在中間元件。相反，在提到一個元件“直接在”另一個元件“上”時，不存在中間元件。
[0030]應該理解在提到一個元件或層“連接至”或“耦合到”另一個元件或另一層時，該元件或層可以直接連接或耦合到其他元件或層，或者可以存在中間元件或中間層。相反，在提到一個元件或層“直接連接至”或“直接結合到”另一個元件或層時，不存在中間元件或層。相同或相似的附圖標記全部指相同或相似的元件。如本文所用的，術語“和/或”包括一種或多種相關的所列項目的任意和所有組合。
[0031]應該理解，盡管本文可使用術語第一、第二、第三等來描述各元件、組件、區域、層、模式和/或部分，但是這些元件、組件、區域、層、模式和/或部分不應被這些術語限制。這些術語僅用于區別一個元件、組件、區域、層、模式或部分與另一個區域、層、模式或部分。因此，以下討論的第一元件、組件、區域、層或部分也可以叫做第二元件、組件、區域、層或部分而不會背離實施例的教導。
[0032]空間相對術語，如“低于”、“之下”、“較低的”、“之上”、“較高的”等，可以用于本文以便說明書描述如圖所示的一個元件或一個零件與另一個(些)元件或另一個(些)零件的關系。應該理解空間相對術語旨在涵蓋除了圖中所示方向以外的使用或操作中器件的不同方向。例如，如果將圖中的器件翻轉，那么所描述的在其他元件或零件“之下”或“低于”其他元件或零件的元件會位于其他元件或零件“之上”。因此，示例性的術語“之下”可以涵蓋之上和之下兩個方向。另外可以標定所述器件方向(旋轉90度或其他方向)且因而可以解釋為本文所用的空間相對描述符。
[0033]本文所用的術語僅是出于描述具體實施例的目的并非旨在限制本發明。如本文所用的，除非上下文清楚地表明其他情況，單數形式“一種(a、an)”和“所述(the)”同樣旨在包括復數形式。應該進一步理解術語“包含(comprises)”和/或“包含……的(comprising)”在用于說明書時具體說明了存在所述的特征、整數、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或增加了一個或多個其他特征、整數、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0034]本文參照截面圖解描述了實施例，所述截面圖解為本發明構思的理想化的說明性實施例(和中間結構)的示例性圖解。因此，作為例如生產工藝和/或耐受性(tolerance)的結果，可以預期圖解的形狀變化。因此，實施例不應解釋為受到本文所說明的區域的具體形狀限制，而要包括由例如生產導致的形狀偏差。圖中說明的區域實際上是示意的，其形狀并非旨在說明器件區域的實際形狀也非旨在限制本發明構思的范圍。
[0035]除非另外定義，本文使用的所有術語(包括技術的和科學的術語)具有與本發明構思所屬領域的普通技術人員通常理解所相同的含義。應該進一步理解，除非本文明確地如此定義，諸如那些在通常所用的詞典中定義的術語應該解釋為具有與相關領域的語境中的含義一致的含義，而不應按理想化的或過于正規的意義解釋。
[0036]通常，顯示器件可以包括多條金屬線和多個金屬電極。金屬線和金屬電極具有高反射率并可以反射從外部進入的光線。反射的光線會被觀眾看到并會損害顯示器性能。
[0037]為了減少外部光線反射，已經提出了一種包含鉻(Cr)并吸收外部光線的光阻擋元件。然而，包含鉻(Cr)的光阻擋元件會增加光阻擋元件與金屬線之間和/或光阻擋元件與金屬電極之間的寄生電容，并因此影響器件性能同時也不環保。
[0038]參照圖1，下文中描述了根據一個實施方式的光阻擋元件。
[0039]圖1為顯示了根據一個實施方式的光阻擋元件的示意圖。
[0040]參照圖1，根據一個實施方式的光阻擋元件280可以包含金屬顆粒260和陶瓷材料270。
[0041]可以混合物或合金的形式包含金屬顆粒260和陶瓷材料270，并且混合物可以包括，例如分散于陶瓷材料270中的金屬顆粒260。
[0042]金屬顆粒260可以由不透明的金屬形成，可以包括例如銀(Ag)、鑰(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉭(Ta)或其組合。金屬顆粒260可以具有各種尺寸，例如約IOA至約LO(K)A的平均粒徑。
[0043]陶瓷材料270可以為金屬氧化物，可以包括例如氧化鈮、氧化鈦、氧化鋁或其組合 ο
[0044]光阻擋元件280可以通過由金屬顆粒260散射和/或吸收光線而降低反射率。光阻擋元件280可以具有小于或等于約10%的反射率，例如約1%至約10%。
[0045]此外，由于陶瓷材料270，光阻擋元件280可以具有高電阻并因此可以防止光阻擋元件280與金屬線之間和/或光阻擋元件280與金屬電極之間的寄生電容增加。因此，可
以防止由于寄生電容造成的對器件性能的損害。光阻擋元件280可以在約2,000A的厚度
范圍內具有約IkQ/ □至100MΩ/ □的薄層電阻。[0046]圖2為顯示了根據另一個示例性實施方式的光阻擋元件。
[0047]參照圖2，根據另一個實施方式的光阻擋元件280可以包括多層，這些層可以包括第一層280a和第二層280b。
[0048]第一層280a可以第一用量包含金屬顆粒260并包含陶瓷材料270，而第二層280b可以高于第一用量的第二用量包含金屬顆粒260并包含陶瓷材料270。只要高于第一用量，第二用量就沒有特殊限制。例如，基于在第一層中金屬顆粒260和陶瓷材料270的總量，第一用量可以在約1&七％至約15at%的范圍內，而基于在第二層中金屬顆粒260和陶瓷材料270的總量，第二用量可以在約1(^七％至約50at%的范圍內。
[0049]第一層280a可以具有高透光率，這是因為至于其中的金屬顆粒比第二層280b少，并因此可以靠近光入射側。第二層280b可以增強光線散射和吸收，并因此提高光阻擋效應，這是因為置于第二層280b中的金屬顆粒比第一層280a中的多。第一層280a可以部分散射并吸收外部光線，然后第二層280b可以主要地散射和吸收穿過第一層280a的光線并因此可以減弱來自第一層280a的光反射。
[0050]第一層280a可以具有約100A至約1,000A的厚度，而第二層280b可以具有約50()A至約10,000A的厚度。
[0051]上述光阻擋元件280可以應用于顯示器件。
[0052]顯示器件可以包括，例如，液晶顯示器(IXD)、有機發光二極管(OLED)顯示器、電泳顯示器件等，但本發明不限于此。
`[0053]光阻擋元件280可以減弱對進入顯示器件的外部光線的反射并防止由于反射光被觀眾看到而造成的對顯示器性能的損害。因此，光阻擋元件280在顯示器件的前部不需要單獨的偏振板來減弱外部光線反射，并因此可以降低成本且同時改善發光效率。
[0054]下文將說明根據一個實施方式的顯示器件。
[0055]參照以下附圖，本文將說明作為顯示器件的實例的有機發光二極管(OLED)顯示器。
[0056]圖3為顯示了根據一個實施方式的有機發光二極管(OLED)顯示器的示意圖。
[0057]參照圖3，根據一個實施方式的有機發光二極管(OLED)顯示器可以包括包含開關薄膜晶體管的開關晶體管區(Qs)、包含驅動薄膜晶體管的驅動晶體管區(Qd)和在每個像素中包含有機發光二極管(OLED)的發光區(LD)。
[0058]開關薄膜晶體管具有控制終端、輸入終端和輸出終端。控制終端可以連接至柵極線上(未示出)。輸入終端可以連接至數據線上(未示出)。輸出終端可以連接至驅動薄膜晶體管上。開關薄膜晶體管對應用于柵極線的掃描信號作出響應并向驅動薄膜晶體管傳輸數據信號。
[0059]驅動薄膜晶體管也具有控制終端、輸入終端和輸出終端。控制終端可以連接至開關薄膜晶體管上。輸入終端可以連接至驅動電壓線(未示出)上。輸出終端可以連接至有機發光二極管(OLED)上。根據控制終端和輸出終端之間的電壓，驅動薄膜晶體管可以放出不同大小的輸出電流。
[0060]有機發光二極管(OLED)包括連接至驅動薄膜晶體管輸出終端的陽極和連接至公共電壓(common voltage)的陰極。根據驅動薄膜晶體管的輸出電流強度，有機發光二極管(OLED)發光并顯示圖像。[0061]參照圖3，光阻擋元件280可以置于透明基板110上，該透明基板可以包括玻璃基板、聚合物層或硅晶片等。可以在除了其中像素電極191、有機發光元件370和隨后要說明的公用電極270互相重疊的發光區以外的區域中的一部分上形成光阻擋元件，具體地可在除了發光區以外的所有區域上形成光阻擋元件。
[0062]光阻擋元件280可以由包含如前所述的金屬顆粒和陶瓷材料的單層或多層形成。多層光阻擋元件可以在每層包含不同量的金屬顆粒。當基板110為觀看側時，第一層可以第一用量包含金屬顆粒并包含陶瓷材料，而第二層可以高于第一用量的第二用量包含金屬顆粒并包含陶瓷材料，這兩層順序疊放于基板110上。
[0063]在光阻擋元件280上，形成了開關控制電極124a和驅動控制電極124b。開關控制電極124a可以連接至柵極線(未示出)并從柵極線接收柵極信號。驅動控制電極124b可以為島式的(island-type)。
[0064]然后，可以在包括開關控制電極124a和驅動控制電極124b的基板110的整個表面上形成柵極絕緣層140。
[0065]在柵極絕緣層140上，形成了開關半導體154a和驅動半導體154b。開關半導體154a與開關控制電極124a重疊，而驅動半導體154b與驅動控制電極124b重疊。開關半導體154a和驅動半導體154b可以分別為島式的。
[0066]在開關半導體154a上,形成了電連接至開關半導體154a的開關輸入電極173a和開關輸出電極175a。開關輸入電極173a可以與數據線(未示出)連接并從數據線接收數據信號。開關輸出電極175a可以與隨后說明的驅動控制電極124b連接。
[0067]在驅動半導體154b上，形成了電連接至驅動半導體154b的驅動輸入電極173b和驅動輸出電極175b。驅動輸入電極173b可以與驅動電壓線(未示出)連接。驅動輸出電極175b可以與隨后說明的像素電極191連接。
[0068]在開關輸入電極173a、開關輸出電極175a、驅動輸入電極173b和驅動輸出電極175b上，形成了保護層180。保護層180具有露出驅動輸出電極175b的接觸孔185。
[0069]在保護層180上，可以形成像素電極191。像素電極191可以通過接觸孔185連接至驅動輸出電極175b。像素電極191可以由導電氧化物，例如氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(IZO)、摻雜鋁的氧化鋅(ΑΖ0)、氧化銦鎵鋅(IGZO)或其組合形成。
[0070]在像素電極191上可形成像素限定層。像素限定層361具有露出像素電極191的開口 365。包圍著開口 365的像素限定層361限定了發光區(LD)。發光區(LD)可以形成于像素電極191和隨后說明的有機發光元件370以及公用電極270互相重疊之處。像素限定層361可以由例如光敏有機材料形成。
[0071]在被像素限定層361包圍的發光區(LD)中，可以形成有機發光元件370。
[0072]有機發光元件370包括發光層和輔助層。
[0073]發光層可以由發出諸如紅、綠和藍等基色之中的一種光的有機材料形成，或者可以通過色彩組合顯示白色。
[0074]輔助層可以至少位于發光層上部或者下部，且可以包括選自空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)和電子傳輸層(ETL)中的一種。
[0075]在像素限定層361和有機發光元件370上，可以形成公用電極270。公用電極270可以由透明金屬或具有高反射性的金屬形成。[0076]在上述有機發光器件中，像素電極191和公用電極270中的任一個為陽極，而另一個則為陰極。作為一對的陽極和陰極向有機發光元件370流入電流。
[0077]根據該實施方式，光阻擋元件280可以形成于除了發光區(LD)以外的區域，并散射和/或吸收從外部進入的光線，并因此可以防止光線被電極和導線反射而再次射出。因此，光阻擋元件280可以防止由外部光線反射造成的能見度損害。
[0078]此外，光阻擋元件280具有高電阻，并因此可以減少電極和導線的寄生電容以及降低對器件運轉的影響。
[0079]參照圖4，下文將說明根據另一個實施方式的有機發光二極管(OLED)顯示器。
[0080]圖4為顯示了根據另一個實施方式的有機發光二極管(OLED)顯示器的截面圖。
[0081]參照圖4,與根據前述實施方式的OLED顯不器一樣,根據該實施方式的有機發光二極管(OLED)顯示器包括開關晶體管區(Qs)、驅動晶體管區(Qd)和發光區(LD)，還包括開關控制電極124a、驅動控制電極124b、柵極絕緣層140、開關半導體154a、驅動半導體154b、開關輸入電極173a、開關輸出電極175a、驅動輸入電極173b、驅動輸出電極175b、保護層180、接觸孔185、像素電極191、有機發光元件370和公用電極270。
[0082]然而，根據該實施方式的有機發光二極管(OLED)顯示器與根據上述實施方式的OLED顯示器不同，還包括在薄膜晶體管和公用電極270之間除了發光區(LD)以外的區域形成的光阻擋元件280，在發光區中像素電極191、有機發光元件370和公用電極270重疊而不是直接形成于基板110上。
[0083]光阻擋元件280可以同時起到限定每個像素的像素限定層的作用。
[0084]如前所述光阻擋元件280可以由包含前述金屬顆粒和陶瓷材料的單層或多層形成。多層光阻擋元件可以在每層包含不同量的金屬顆粒。
[0085]當基板110為觀看側時，第一層可以第一用量包含金屬顆粒并包含陶瓷材料，而第二層可以可大于第一用量的第二用量包含金屬顆粒并包含陶瓷材料，這兩層可以順序層壓于保護層180和像素電極191上。當公用電極270為觀看側時，第一和第二層可以按相反的方式層壓。
[0086]根據該實施方式，光阻擋元件280可以形成于除了發光區(LD)以外的區域，并散射和吸收從外部進入的光線，并因此防止外部光線被電極和導線反射而再次射出。因此，光阻擋元件280可以防止由外部光線反射造成的能見度惡化。
[0087]此外，光阻擋元件280具有高反射率，并因此可以減少由電極和導線造成的寄生電容，且因此降低對器件運轉的影響。
[0088]參照圖5，說明了根據再一個實施方式的有機發光二極管(OLED)顯示器。
[0089]圖5為顯示了根據又一個實施方式的有機發光二極管(OLED)顯示器的截面圖。
[0090]參照圖5，根據該實施方式的有機發光二極管(OLED)顯示器與根據前述實施方式的OLED顯示器一樣，包括開關晶體管區(Qs)、驅動晶體管區(Qd)和發光區(LD)，還包括開關控制電極124a、驅動控制電極124b、柵極絕緣層140、開關半導體154a、驅動半導體154b、開關輸入電極173a、開關輸出電極175a、驅動輸入電極173b、驅動輸出電極175b、保護層180、接觸孔185、像素電極191、有機發光元件370和公用電極270。
[0091]然而，根據該實施方式的有機發光二極管(OLED)顯示器與根據前述實施方式的OLED顯示器不同，還包括形成于封裝基板400 —個表面上的光阻擋元件280。封裝基板400可以由金屬和聚合物等形成并面向基板100放置。具體地，光阻擋元件280可以形成于除了發光區(LD)以外的區域，在發光區中像素電極191、有機發光元件370和公用電極270在面向基板110的封裝基板400的一個表面上互相重疊。
[0092]光阻擋元件280可以由包含金屬顆粒和陶瓷材料的單層或多層形成。多層的光阻擋元件可以在每層以不同量包含金屬顆粒。
[0093]當基板110為觀看側時，第一層可以第一用量包含金屬顆粒并包含陶瓷材料而第二層可以可大于第一用量的第二用量包含金屬顆粒并包含陶瓷材料，這兩層可順序層壓于保護層180和像素電極191上。當公用電極270為觀看側時，第一和第二層可以相反的方式層壓。
[0094]根據該實施方式，光阻擋元件280可以形成于除了發光區(LD)以外的區域，并散射和吸收從外部進入的光線并因此防止光線被電極和導線反射而再次射出。因此，光阻擋元件280可以防止由外部光線反射造成的能見度惡化。
[0095]此外，光阻擋元件280具有高電阻，并因此可以減少由電極和導線造成的寄生電容以及降低對器件運轉的影響。
[0096]以下實施例更詳細地說明了本發明。然而，在任何意義上這些實施例都不應解釋為限制本公開的范圍。
[0097]光阻擋元件的形成
[0098]實施例1
[0099]制備15at%的鑰(Mo)顆粒和85at%的氧化鈮的靶混合物。然后，將混合物噴在玻璃基板上以形成1300Λ厚的光阻擋元件。
[0100]實施例2
[0101]制備15at%的鑰(Mo)顆粒和85at%的氧化鈮的靶混合物。然后，將混合物噴在玻璃基板上以形成1500A厚的光阻擋元件。
[0102]實施例3
[0103]制備5at%的鑰(Mo)顆粒和95at%的氧化鈮的混合物。然后，將混合物噴在玻璃基板上以形成500A厚的下層光阻擋元件。然后，制備15at%的鑰(Mo)顆粒和85at%的氧化鈮混合物。然后，將混合物噴在下層光阻擋元件上以形成800A厚的上層光阻擋元件。
[0104]對比例
[0105]將鋯(Cr)噴在玻璃基板上以形成700A厚的光阻擋元件。
[0106]評估1:薄膜電阻
[0107]對根據實施例1至3和對比例的光阻擋元件進行了關于薄膜電阻的評估。
[0108]以4探針法測量了薄膜電阻。
[0109]結果示于表1中。
[0110](表1)
[0111]
【權利要求】
1.一種光阻擋元件，包含: 金屬顆粒和陶瓷材料。
2.根據權利要求1所述的光阻擋元件，其中以混合物或合金的形式包含所述金屬顆粒和所述陶瓷材料。
3.根據權利要求1所述的光阻擋元件，其中所述金屬顆粒包括銀、鑰、鎳、鈦、鉭或它們的組合。
4.根據權利要求1所述的光阻擋元件，其中所述金屬顆粒具有10▲至的平均粒徑。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的光阻擋元件，其中所述陶瓷材料包括氧化鈮、氧化鈦、氧化鋁或它們的組合。
6.根據權利要求1所述的光阻擋元件，其中所述光阻擋元件包含: 以第一用量包含所述金屬顆粒并包含所述陶瓷材料的第一層，和 以大于所述第一用量的第二用量包含所述金屬顆粒并包含所述陶瓷材料的第二層。
7.根據權利要求6所述的光阻擋元件，其中基于在所述第一層中所述金屬顆粒和所述陶瓷材料的總量，所述第一用量包括1&丨％至15at%的用量，且 基于在所述第二層中所述金屬顆粒和所述陶瓷材料的總量，所述第二用量包括10at%至50at%的用量。
8.根據權利要求6所述的光阻擋元件，其中所述第一層具有比所述第二層更高的透光率。
9.根據權利要求6至8中任一項所述的光阻擋元件，其中所述第一層比所述第二層更靠近光入射側。
10.根據權利要求6所述的光阻擋元件，其中所述第一層具有jOOA至LOOOA的厚度，而所述第二層具有500A至10,000A的厚度。
11.一種顯不器件，包含: 根據權利要求1至10中任一項所述的光阻擋元件。
12.根據權利要求11所述的顯示器件，其中所述顯示器件包含: 第一基板， 置于所述第一基板上的薄膜晶體管， 電連接至所述薄膜晶體管的第一電極， 面向所述第一電極的第二電極，和 置于所述第一電極和所述第二電極之間的發光層， 其中所述光阻擋元件置于除了重疊所述第一電極、所述第二電極和所述發光層的區域以外的至少一個區域上。
13.根據權利要求12所述的顯示器件，其中所述光阻擋元件位于所述第一基板和所述薄膜晶體管之間。
14.根據權利要求12所述的顯示器件，其中所述光阻擋元件位于所述薄膜晶體管和所述第二電極之間。
15.根據權利要求12所述的顯示器件，其中所述顯示器件進一步包含面向所述第一基板的第二基板，且所述光阻擋元件位于所述第二基板的一側上。
【文檔編號】H01L51/52GK103811671SQ201310369408
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年8月16日 優先權日:2012年8月17日
【發明者】申鉉億, 李大宇, 李源必, 尹虎鎮, 樸容佑, 崔京敏 申請人:三星顯示有限公司