Ic載板、具有該ic載板的半導體器件及制作方法
【專利摘要】本發明涉及一種IC載板，其包括中介板、防焊層及中介板載板。中介板載板包括依次接觸的第五導電線路層、第四介電層、第四導電線路層、第一介電層及第一導電線路層。各導電線路通過對應介電層中的導電孔與相鄰導電線路層電性連接。第四介電層導電孔成孔方向與第一介電層導電孔成孔方向相反。中介板內嵌于第一介電層，其相對兩側具有電性連接的第一電性接觸墊及第二電性接觸墊。第二電性接觸墊靠近第一導電線路層。自第五導電線路層向第一介電層形成有一凹槽。凹槽貫穿第五導電線路層及第四介電層，露出中介板。多個第一電性接觸墊從凹槽露出。本發明還涉及具有該IC載板的半導體器件及其制作方法。
【專利說明】1C載板、具有該1C載板的半導體器件及制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種1C載板、具有該1C載板的半導體器件及制造方法。
【背景技術】
[0002] 隨著芯片技術的日益發展，芯片內導線的線寬線距均越來越細。為使承載芯片的 承載基板的導線密度與芯片的線路間距相適應通常會使用中介板作為連接媒介，但由于中 介板及與其電連接的芯片突出所述承載基板，使得半導體器件的整體厚度增加，不利于實 現輕薄化。另外，中介板突出承載基板其電氣特性易受外界影響。
【發明內容】
[0003] 有鑒于此，有必要提供一種克服上述問題的1C載板、具有該1C載板的半導體器件 及其制作方法。
[0004] 一種1C載板的制作方法，包括步驟：提供承載基板，所述承載基板包括依次設置 的第一導電線路層、第一介電層及第一銅箔層，自所述第一導電線路層向所述第一介電層 形成有第一凹槽，部分第一銅箔層從所述凹槽底部露出；在從所述第一凹槽露出的第一銅 箔層上粘貼一個中介板，所述中介板相對兩側具有多個-對應電性連接的第一電性接觸 墊及第二電性接觸墊，所述第一電性接觸墊靠近所述第一銅箔層；在所述第一導電線路層 及所述中介板表面壓合第二介電層，在第二介電層表面形成第二導電線路層，并在所述第 二介電層中形成第三導電孔，所述第二導電線路層通過所述第三導電孔與所述第二電性接 觸墊電性連接；將所述第一銅箔層制成第四導電線路層；在第四導電線路層上形成具有第 五導電孔的第四介電層，并在所述第四介電層表面形成第五導電線路層；以及自所述第五 導電線路層向所述第一介電層形成一個第二凹槽，露出所述中介板，所述多個第一電性接 觸墊從所述第二凹槽露出。
[0005] -種1C載板的制作方法，包括步驟：提供一個基板，所述基板包括一個承載板、位 于所述承載板相對兩側的第一銅箔層及位于兩個第一銅箔層遠離承載板側的第一介電層； 在第一介電層上均形成第一導電線路層；自所述第一導電線路層向所述第一介電層均形成 第一凹槽，部分第一銅箔層從所述凹槽底部露出；在從所述第一凹槽露出的第一銅箔層上 均粘貼一個中介板，所述中介板相對兩側具有多個--對應電性連接的第一電性接觸墊及 第二電性接觸墊，所述第一電性接觸墊靠近所述第一銅箔層；在所述第一導電線路層及所 述中介板均壓合第二介電層，在第二介電層表面均形成第二導電線路層，并在所述第二介 電層中均形成第三導電孔，所述第二導電線路層通過所述第三導電孔與所述第二電性接觸 墊電性連接；將所述第一銅箔層均與所述承載板分開；將所述第一銅箔層制成第四導電線 路層；在所述第四導電線路層上形成具有第五導電孔的第四介電層，并在所述第四介電層 表面形成第五導電線路層；以及自所述第五導電線路層向所述第一介電層形成一個第二凹 槽，露出所述中介板，所述多個第一電性接觸墊從所述第二凹槽露出。
[0006] -種半導體器件的制作方法，其包括步驟：提供承載基板，所述承載基板包括依次 設置的第一導電線路層、第一介電層及第一銅箔層，自所述第一導電線路層向所述第一介 電層形成有第一凹槽，部分第一銅箔層從所述凹槽底部露出；在從所述第一凹槽露出的第 一銅箔層上粘貼一個中介板，所述中介板相對兩側具有多個-對應電性連接的第一電性 接觸墊及第二電性接觸墊，所述第一電性接觸墊靠近所述第一銅箔層；在所述第一導電線 路層及所述中介板表面壓合第二介電層，在第二介電層表面形成第二導電線路層，并在所 述第二介電層中形成第三導電孔，所述第二導電線路層通過所述第三導電孔與所述第二電 性接觸墊電性連接；將所述第一銅箔層制成第四導電線路層；在第四導電線路層上形成具 有第五導電孔的第四介電層，并在所述第四介電層表面形成第五導電線路層；自所述第五 導電線路層向所述第一介電層形成一個第二凹槽，露出所述中介板，所述多個第一電性接 觸墊從所述第二凹槽露出；以及在所述凹槽中安裝一個芯片，所述芯片一側具有多個電極 墊，所述多個電極墊分別通過一個導電凸塊所述第一電性接觸墊電性連接，在厚度方向上， 所述芯片遠離所述電極墊的表面未超出所述第四介電層遠離所述第四導電線路層的表面。
[0007] -種1C載板，其包括中介板、防焊層及中介板載板。所述中介板載板包括依次接 觸的第五導電線路層、第四介電層、第四導電線路層、第一介電層及第一導電線路層。各導 電線路層均通過與其相鄰的介電層中的導電孔與相鄰導電線路層電性連接。所述第一介電 層中的導電孔成孔方向與所述第四介電層中的導電孔成孔方向相反。所述中介板內嵌于所 述第一介電層中。所述中介板相對兩側具有相互電性連接的第一電性接觸墊及第二電性接 觸墊。所述第二電性接觸墊位于所述中介板靠近所述第一導電線路層的一側。自所述第五 導電線路層向所述第一介電層形成有一凹槽。所述凹槽貫穿所述第五導電線路層及第四介 電層，露出所述中介板。所述多個第一電性接觸墊從所述凹槽露出。
[0008] -種半導體器件，其包括1C載板及芯片，所述1C載板包括中介板、防焊層及中介 板載板。所述中介板載板包括依次接觸的第五導電線路層、第四介電層、第四導電線路層、 第一介電層及第一導電線路層。各導電線路層均通過與其相鄰的介電層中的導電孔與相鄰 導電線路層電性連接。所述第一介電層中的導電孔成孔方向與所述第四介電層中的導電孔 成孔方向相反。所述中介板內嵌于所述第一介電層中。所述中介板相對兩側具有相互電性 連接的第一電性接觸墊及第二電性接觸墊。所述第二電性接觸墊位于所述中介板靠近所述 第一導電線路層的一側。自所述第五導電線路層向所述第一介電層形成有一凹槽。所述凹 槽貫穿所述第五導電線路層及第四介電層，露出所述中介板。所述多個第一電性接觸墊從 所述凹槽露出。所述芯片一側具有多個電極墊。所述多個電極墊分別通過一個導電凸塊所 述第一電性接觸墊電性連接。在厚度方向上，所述芯片遠離所述電極墊的表面未超出所述 第四介電層遠離所述第四導電線路層的表面。
[0009] 本發明將中介板內嵌在所述1C載板中，使中介板與1C載板成為一體結構，一方面 可減少安裝芯片后整體的厚度，另一方面，由于中介板內嵌在1C載板中，使其與1C載板緊 密連接，受外界影響較小。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010] 圖1是本發明實施例所提供的基板的剖視圖。
[0011] 圖2是在圖1中的第一介電層上均形成第一導電線路層，并在第一介電層中均形 成多個第一導電孔后的剖視圖。
[0012] 圖3是自圖2中的第一導電線路層向所述第一介電層內均形成第一凹槽后的剖視 圖。
[0013] 圖4是圖3中所示承載基板的的第一凹槽中安裝一個中介板后的剖視圖。
[0014] 圖5是在圖4所示的承載基板的第一導電線路層形成第一覆銅材料后的剖視圖。
[0015] 圖6是在圖5所示的第二介電層上形成第三導電孔及第二導電線路層后的剖視 圖。
[0016] 圖7是在圖6所示的第二導電線路層上形成第三介電層及第三導電線路層，并在 所述第三介電層內形成第四導電孔后的剖視圖。
[0017] 圖8是將圖7中所示第一銅箔層與承載板分開后的剖視圖。
[0018] 圖9是在圖8所示的第一銅箔層上形成第四導電線路層后的剖視圖。
[0019] 圖10是在圖9所示的第四導電線路層上形成第四介電層及第五導電線路層后的 首1J視圖。
[0020] 圖11是在圖10所示的第三導電線路層形成第一防焊層，在所示第五導電線路層 上形成第二防焊層后的剖視圖。
[0021] 圖12是移除圖11所示的與所述第一介電層對應的部分第四介電層及第二防焊層 后形成第二凹槽后得到的所述1C載板的剖視圖。
[0022] 圖13是在圖12所示的第二凹槽中安裝一個芯片后得到的所述半導體器件的剖視 圖。
[0023] 主要元件符號說明
【權利要求】
1. 一種1C載板的制作方法，包括步驟： 提供承載基板，所述承載基板包括依次設置的第一導電線路層、第一介電層及第一銅 箔層，自所述第一導電線路層向所述第一介電層形成有第一凹槽，部分第一銅箔層從所述 凹槽底部露出； 在從所述第一凹槽露出的第一銅箔層上粘貼一個中介板，所述中介板相對兩側具有多 個一一對應電性連接的第一電性接觸墊及第二電性接觸墊，所述第一電性接觸墊靠近所述 第一銅箔層； 在所述第一導電線路層及所述中介板表面壓合第二介電層，在第二介電層表面形成第 二導電線路層，并在所述第二介電層中形成第三導電孔，所述第二導電線路層通過所述第 三導電孔與所述第二電性接觸墊電性連接； 將所述第一銅箔層制成第四導電線路層； 在第四導電線路層上形成具有第五導電孔的第四介電層，并在所述第四介電層表面形 成第五導電線路層；以及 自所述第五導電線路層向所述第一介電層形成一個第二凹槽，露出所述中介板，所述 多個第一電性接觸墊從所述第二凹槽露出。
2. 如權利要求1所述的1C載板的制作方法，其特征在于，在所述第一導電線路層及中 介板上形成第二介電層及第二導電線路層之后，將所述第一銅箔層制成第四導電線路層之 前，所述1C載板的制作方法還包括在所述第二導電線路層上形成具有第四導電孔的第三 介電層，并在所述第三介電層表面形成第三導電線路層，所述第三導電線路層與所述第二 導電線路層通過所述第四導電孔電性連接。
3. 如權利要求2所述的1C載板的制作方法，其特征在于，在所述第四導電線路層上形 成第四介電層，并在所述第四介電層表面形成第五導電線路層之后，自所述第五導電線路 層向所述第一介電層形成一個第二凹槽之前，所述1C載板的制作方法還包括：在所述第三 導電線路層及從所述第三導電線路層露出的第三介電層上形成具有第一開口的第一防焊 層，從第一開口露出部分所述第三導電線路層形成第一焊墊；在所述第五導電線路層及從 所述第五導電線路層露出的第四介電層上形成具有第二開口的第二防焊層，從第二開口露 出部分所述第五導電線路層形成第二焊墊。
4. 如權利要求1所述的1C載板的制作方法，其特征在于，所述承載基板包括中央區與 周邊區，所述第四導電線路層及第五導電線路層均形成于所述周邊區。
5. 如權利要求4所述的1C載板的制作方法，其特征在于，自所述第五導電線路層向所 述第一介電層沿所述中央區與周邊區的邊界形成一個開口，去除所述開口內第四介電層， 得到所述第二凹槽。
6. -種1C載板的制作方法，包括步驟： 提供一個基板，所述基板包括一個承載板、位于所述承載板相對兩側的第一銅箔層及 位于兩個第一銅箔層遠離承載板側的第一介電層； 在第一介電層上均形成第一導電線路層； 自所述第一導電線路層向所述第一介電層均形成第一凹槽，部分第一銅箔層從所述凹 槽底部露出； 在從所述第一凹槽露出的第一銅箔層上均粘貼一個中介板，所述中介板相對兩側具有 多個一一對應電性連接的第一電性接觸墊及第二電性接觸墊，所述第一電性接觸墊靠近所 述第一銅箔層； 在所述第一導電線路層及所述中介板均壓合第二介電層，在第二介電層表面均形成第 二導電線路層，并在所述第二介電層中均形成第三導電孔，所述第二導電線路層通過所述 第三導電孔與所述第二電性接觸墊電性連接； 將所述第一銅箔層均與所述承載板分開； 將所述第一銅箔層制成第四導電線路層； 在所述第四導電線路層上形成具有第五導電孔的第四介電層，并在所述第四介電層表 面形成第五導電線路層；以及 自所述第五導電線路層向所述第一介電層形成一個第二凹槽，露出所述中介板，所述 多個第一電性接觸墊從所述第二凹槽露出。
7. -種1C載板，其包括中介板、防焊層及中介板載板，所述中介板載板包括依次接觸 的第五導電線路層、第四介電層、第四導電線路層、第一介電層及第一導電線路層，各導電 線路層均通過與其相鄰的介電層中的導電孔與相鄰導電線路層電性連接，所述第一介電層 中的導電孔成孔方向與所述第四介電層中的導電孔成孔方向相反，所述中介板內嵌于所述 第一介電層中，所述中介板相對兩側具有相互電性連接的第一電性接觸墊及第二電性接觸 墊，所述第二電性接觸墊位于所述中介板靠近所述第一導電線路層的一側，自所述第五導 電線路層向所述第一介電層形成有一凹槽，所述凹槽貫穿所述第五導電線路層及第四介電 層，露出所述中介板，所述多個第一電性接觸墊從所述凹槽露出。
8. 如權利要求7所述的1C載板，其特征在于，所述中介板載板還包括具有導電孔的第 二介電層及第二導電線路層，所述第二介電層壓合于所述第一導電線路層及第二電性接觸 墊上，所述第二導電線路層形成于所述第二介電層的表面，并通過所述第二介電層中的導 電孔與所述第一導電線路層及所述第二電性接觸墊電性連接。
9. 一種半導體器件的制作方法，其包括提供一個如權利要求7或8所述1C載板及在所 述凹槽中安裝一個芯片，所述芯片一側具有多個電極墊，所述多個電極墊分別通過一個導 電凸塊所述第一電性接觸墊電性連接，在厚度方向上，所述芯片遠離所述電極墊的表面未 超出所述第四介電層遠離所述第四導電線路層的表面。
10. -種半導體器件，其包括如權利要求7或8所述1C載板及芯片，所述芯片安裝于所 述凹槽中，所述芯片一側具有多個電極墊，所述多個電極墊分別通過一個導電凸塊所述第 一電性接觸墊電性連接，在厚度方向上，所述芯片遠離所述電極墊的表面未超出所述第四 介電層遠離所述第四導電線路層的表面。
【文檔編號】H01L21/48GK104377187SQ201310357713
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2013年8月16日 優先權日:2013年8月16日
【發明者】蘇威碩 申請人:宏啟勝精密電子(秦皇島)有限公司, 臻鼎科技股份有限公司